半导体导带位置(ECB)计算资料
常用半导体的能带结构
半导体物理 Semiconductor Physics
谢谢！
Eg
(0)
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2
半导体物理 Semiconductor Physics
uctor Physics
具有闪锌矿型结构的硫化锌、硒化锌、碲化锌导带极小值和价 带极大值均位于k=0处，价带也包含重空穴带、轻空穴带和自 旋-轨道耦合分裂出来的第三个能带。禁带宽度较宽，分别为 3.6eV、2.58eV、2.28eV。
例如，砷化镓和磷化镓，其化学分子式可以写成GaAs1xPx(0≤x ≤1),x称为混晶比。
混合物的结构性质随组分x的不同而不同
近年来，人们更进一步制成四元化合物
人们已利用混合晶体的禁带宽度随组分的变化的特性制备发 光或激光器件。
半导体物理 Semiconductor Physics
半导体物理 Semiconductor Physics
在Si中，其它能谷 比<100>谷高的多
半导体物理 Semiconductor Physics
硅和锗的价带结构
半导体物理 Semiconductor Physics
硅锗的价带结构是比较复杂的。价带顶位于k=0。 在价带顶附近有三个带，其中两个最高的带在k=0 处简并，分别对应于重空穴带和轻空穴带（曲率较 大的为轻空穴带），下面还有一个带，是由于自旋轨道耦合分裂出来的。
重空穴带和轻空穴带在k=0附近的E-k关系可表示为
E
EV
h2 2m0
{Ak 2
[B2k 4
C
2
(kx2k
2 y
k
k2 2
yz
1
半导体材料能带测试及计算
半导体材料能带测试及计算对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。
通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。
图1. 半导体的带隙结构示意图。
在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。
通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。
对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)：1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g；2.VB XPS测得价带位置(E v)；3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置；4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势；5.通过电负性计算得到能带位置.图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。
1.紫外可见漫反射测试及计算带隙紫外可见漫反射测试2.制样：背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。
样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。
图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。
1.测试：用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。
测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。
•测试数据处理数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。
截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。
半导体物理与器件公式以及全参数
半导体物理与器件公式以及参数KT=0.0259ev N c=2.8∗1019N v=1.04∗1019 SI材料的禁带宽度为：1.12ev. 硅材料的n i=1.5∗1010Ge材料的n i=2.4∗1013 GaAs材料的n i=1.8∗106介电弛豫时间函数：瞬间给半导体某一表面增加某种载流子，最终达到电中性的时间，ρ(t)=ρ(0)e−(t/τd)，其中τd =ϵσ，最终通过证明这个时间与普通载流子的寿命时间相比十分的短暂，由此就可以证明准电中性的条件。
E F热平衡状态下半导体的费米能级，E Fi本征半导体的费米能级，重新定义的E Fn是存在过剩载流子时的准费米能级。
准费米能级：半导体中存在过剩载流子，则半导体就不会处于热平衡状态，费米能级就会发生变化，定义准费米能级。
n0+∆n=n i exp(E Fn−E FikT) p0+∆p=n i exp[−(E Fp−E Fi)kT]用这两组公式求解问题。
通过计算可知，电子的准费米能级高于E Fi，空穴的准费米能级低于E Fi，对于多子来讲，由于载流子浓度变化不大，所以准费米能级基本靠近热平衡态下的费米能级，但是对于少子来讲，少子浓度发生了很大的变化，所以费米能级有相对比较大的变化，由于注入过剩载流子，所以导致各自的准费米能级都靠近各自的价带。
过剩载流子的寿命：半导体材料：半导体材料多是单晶材料，单晶材料的电学特性不仅和化学组成相关而且还与原子排列有关系。
半导体基本分为两类，元素半导体材料和化合物半导体材料。
GaAs主要用于光学器件或者是高速器件。
固体的类型：无定型（个别原子或分子尺度内有序）、单晶（许多原子或分子的尺度上有序）、多晶（整个范围内都有很好的周期性），单晶的区域成为晶粒，晶界将各个晶粒分开，并且晶界会导致半导体材料的电学特性衰退。
空间晶格：晶格是指晶体中这种原子的周期性排列，晶胞就是可以复制出整个晶体的一小部分晶体，晶胞的结构可能会有很多种。
半导体能带的两个基本参数
半导体能带的两个基本参数
半导体的能带包括价带（valence band，VB）和导带（conduction band，CB)，价带为充满电子的原子轨道能级形成的低能量带，导带为比价带能量
高的空带。
半导体的能带包括价带和导带，价带为充满电子的原子轨道能级形成的低能量带，导带为比价带能量高的空带。
导带底与价带顶之间的能量差即为禁带宽度（或为带隙、能隙）。
当半导体材料受到一定能量光的辐照时，半导体价带中部分电子受激发跃迁到导带，在价带留下空穴，且价带中空穴和导带中电子数量相等，形成了光生电子-空穴对，这一过程为本征光吸收。
因此，半导体的能带的两个基本参数是：导带底附近的电子有效质量和价带顶附近的空穴有效质量。
半导体光催化基本理论
EF
引入公式
ECB EVB 2
E g ECB EVB
可得价带能级和导带能级计算式：
E {E
VB CB
0.5 Eg 0.5 Eg
引入χ的好处在于，可以通过实验测得的 I 值及 A 值，确定 EVB、ECB 的具体值。 2.能级与绝对电势之间的关系： 为避免因符号使用引起的误解，以 E 表示能级，单位 eV；以φ表示电势，单位 V。在物 理学中，通常选取无穷远处作为参考基点，令位于此处的电子对应的电势能和电势均为零。
abs at G ion G H F ( 1) (H / H )
2
(203.30 1313.82 1088) 1000 J / mol 4.4475307V 4.5V 96485C / mol
, , , , (abs (abs def (NHE (NHE M z / M ) H /H ) M z / M ) H /H )
at:atomization，原子化能 ion:原子的电离能
H ： H 3O 的化学水化自由能
H H e
H (vacuum ) H ( water )
所以
, (abs H /H )
2
ion G 1313.82kJ / mol
H (1088 2) kJ / mol
EVB、ECB 计算式中物理量 x, Ee, 0.5Eg 的选取依据
0.引言：带边电势（band edge potential）是光催化领域中应用十分广泛的一个概念，在其计 算中，经常会涉及到两个公式， EVB Ee
1 1 E g 和 ECB Ee E g 。因为该公式 2 2
半导体材料能带测试及计算
半导体材料能带测试及计算对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(Eg)。
通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。
图1. 半导体的带隙结构示意图。
在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。
通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。
对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)：1.紫外可见漫反射测试及计算带隙Eg；2.VB XPS测得价带位置(Ev)；3.SRPES测得Ef 、Ev以及缺陷态位置；4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势；5.通过电负性计算得到能带位置.图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。
1.紫外可见漫反射测试及计算带隙紫外可见漫反射测试2.制样：背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。
样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。
图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。
1.测试：用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。
测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。
测试数据处理数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。
截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg ）决定于禁带宽度Eg。
两者之间存在E g (eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到Eg。
重要半导体的能带图(参考资料)(精)
重要半导体的能带图（参考资料）能带结构就是晶体电子的能量E 与波矢k 之间的关系曲线。
现在已经发展出了许多能带结构的计算方法和实验方法，并且对于一系列半导体的能带结构进行了理论计算和实验验证。
能带结构的计算一般都是在一定的晶格周期性势场形式下、基于单电子近似来求解Schrödinger方程；这里重要的是如何选取晶格周期性势场的近似模型。
因此，依据势场模型的选取就有多种不同的计算能带结构的方法，例如Hartree-Fock 方法、量子缺陷方法、赝勢方法等。
图1若干半导体的能带结构（计算）图1是采用赝勢方法计算而得到的若干重要半导体的能带结构图（未考虑电子自旋）。
见到，图中所有半导体的价带顶都位于Brillouin 区中心（Γ点），然而导带底却不一定；因此就有所谓直接跃迁能带结构的半导体（直接禁带半导体）和间接跃迁能带结构的半导体（间接禁带半导体）之分：Si 、Ge 、GaP 、AlP 、AlSb 、AlAs 等是间接禁带半导体；GaAs 、InP 、InAs 、InSb 、GaSb 、ZnS 、ZnSe 、ZnTe 、CdTe 等是直接禁带半导体。
α-Sn （灰锡）具有金刚石型的晶体结构，它是一种半金属（即禁带宽度为0的半导体）；其他类似的半金属有HgSe 和HgTe 。
图2～图5示出的是一些重要的宽禁带半导体的能带结构。
这些新型的半导体往往被称为第三代半导体材料（第一代是Si ，第二代是GaAs ）。
GaN 、AlN 、InN 是直接禁带半导体，SiC 、BN 是间接禁带半导体。
它们在高功率、高温、微波、低噪声等应用领域内具有优良的性能；特别，氮化镓基的半导体不仅在微波领域、而且在高效率发光（蓝色光）领域内，都表现出了突出的成效。
图2三种碳化硅的能带结构图3两种氮化镓的能带结构图4三种氮化硼的能带结构——————————————————————————图5氮化铝和氮化铟的能带结构。
半导体的能带结构共118页
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0
、
倚
南
窗
以
寄
傲
，
审
容
膝
之
易
安
。
46、我们若已接受最坏的，就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会，使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功，谁就会和我一样成功。——莫扎特
文 家 。汉 族 ，东 晋 浔阳 柴桑 人 （今 江西 九江 ） 。曾 做过 几 年小 官， 后辞 官 回家 ，从 此 隐居 ，田 园生 活 是陶 渊明 诗 的主 要题 材， 相 关作 品有 《饮 酒 》 、 《 归 园 田 居 》 、 《 桃花 源 记 》 、 《 五 柳先 生 传 》 、 《 归 去来 兮 辞 》 等 。
半导体的能带结构
6
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露
凝
无
游
氛
，
天
高
风
景
澈
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7、翩翩新 来燕，双双入我庐 ，先巢故尚在，相 将还旧居。
ห้องสมุดไป่ตู้
8
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吁
嗟
身
后
名
，
于
我
若
浮
烟
。
9、 陶渊 明（ 约 365年 —427年 ），字 元亮， （又 一说名 潜，字 渊明 ）号五 柳先生 ，私 谥“靖 节”， 东晋 末期南 朝宋初 期诗 人、文 学家、 辞赋 家、散
(完整版)半导体公式.doc
第一章 ：常温常压下： G e E g 0.66eV ;Si E g 1.12eV;GaAs E g 1.42eV 。
E g 为禁带宽度E g (T )E g (0)T 2 ; Si : E g (0) 1.170eV, 4.73 10 4 eV / K ,636KTm p m dp 为价带顶空穴有效质量 ，硅： m dp 0.59m 0 , 锗： m dp 0.37m 0 m nm dn 为导带底电子有效质量 ，硅： m dn 1.08m 0 , 锗： m dn0.56m 0能量为 E 的一个量子态被电子占 据的几率 f ( E)为： f ( E)1EF)1 exp(EkTn N C exp( E cE F); P N V exp( E F E V), N C 和N V 分别为导带底和价带顶 有效态密度kTkT对于半导体，其费米能 级为：（ E i 为本征费米能级）； E FE iE C E VkT ln( N V ) E CE Vm dp3kT ln()22N C24m dn1 E C E V1E gm dnmdp 3E g本征费米载流子浓度为 ： n i ( N C N C )2 ) ( N C N V ) 2exp( ) 4.82 15) exp(10 (m 02 )4 exp(2kT2kTkT电子，空穴浓度乘等于 本征载流子浓度的平方 ，质量作用定律： np n i 2室温： Gen i2.5 1013 cm 3 , Si n i1.5 1010 cm 3 , GaAs n i 2 106 cm 3杂质半导体： n 0n i exp(E FE i ), p 0 n i exp(E i E F),下标 0表示平衡kTkT载流子有效质量定义： 112E 2k ;电导率： n 型 qn n ； p 型qp p ,总1 qnnqppmk电流密度： JE (qn nqpp )E; 扩散电流密度： n 型， J nqD ndn(x); p 型， J P qD p dp( x) .dxdx 总扩散电流密度： JqD n dn( x) qD p dp(x), D n 、 D p 分别为电子扩散系数， 空穴扩散系数dx dx既有载流子浓度梯度又 有漂移电场，总电流密 度： J qn n Ex qp p E x D kT ; n 型： n( x) n i exp( E F E i ( x) ) N D ( x), E x D n 1 dN D ( x) , E xq kT n D ( x)dxqD n dn(x) qD p dp( x)dx dx kT 1 dN D ( x)q N D (x) dx非平衡载流子浓度：n, p; n nn, pp0 p; np n 2in 型，非平衡载流子复合 率为 R pRp(t ) ,1, 对于 p 型同样，（r 为复合相关的常数，n 、 p 为非平衡载流子寿命）nppr n 0对于非平衡半导体，少 数载流子寿命可表示为 ：n 0n适用于 型 ， p 0p ( 适用于 n型)(P )非平衡载流子浓度 : nE Fn E i), p E i E Fp); E Fn 和 E Fp 分别为电子准费米能级 和空穴准费米能级n i exp(n i exp(kTkT费米能级相对于本征费 米能级： E FE ikT ln(n 0), E Fn E i kT ln(n 0 n), E i E Fp kT ln(p 0p)n in in i第二章：qV D kT ln( pp 0n n0), 室温，全电离， p p0 N A ,n n0 N D ,V DkTln(N AND)；n i 2qn i 2V D 为 pn 结的内建电势，扩散电 势或接触电势差， qV D 或 V D 为 pn 结的势垒高度， p p 0和 n n 0分别为平衡多子空穴浓 度，平衡多子电子浓度n 区平衡少数载流子浓度 为： p n0n i 2, p( x n )pp 0qV), n( x p )np 0qV )nn0exp(exp(kTkTJ 0 [exp(qV)qD p p n 0 qD n n p 0 , L1扩散电流， PN 结的总电流密度： J d1], J 0(D ) 2 , L 为扩散长度，kTL p L nJ0为反向饱和电流， pn 结正偏时，当偏压大于 几个kT时， J d J 0 exp(qV), 反偏时， J dJ 0qkT复合电流： J rqn i wexp( qV), J r 0 qn i w, w 为空间电荷区的宽度2 2kT 2正偏 pn 结总电流密度： J J 0 [exp(qV)1] J r 0 exp(qV)qnwkT 2kT反向产生电流： J gJ r 0 , pn 结总反向电流 J(J 0 J r 0 )2p n 突变结的击穿电压为 V 0.5 (0 )43( 8 ) 41 N D 3/ 4 ,硅 pn 结：c 8.45 10 36 cm 1 , 锗 pn 结： c 6.25 10 34 cm 1Bqc i ii对于硅突变结： V B 6 1013N D3 / 4;临界电场强度 E C 看作常数来计算， V B 1 E C W 1 0 E C 2, NN D NA ;2 2 qN N D N A 2E C W 4 3 2) 1 为线性缓变结的杂质浓度梯度线性缓变结： V B（ E C ）(q,3322第三章：共基极直流电流放大系数 为集电极电流与发射极电流之比I cI cII E I nc Inc I nEI nE I pEnE I nEIpEIE基极运输系数I nc发射结注入效率I nETInEInEIpE发射结复合系数I nEI pE，，InET1-I pEIRE12为共发射极直流电流放大系数221W BT1- b1 -W B1DL nBnB2 n B nB2b 为基区渡越时间， nB 为基区少数载流子的寿命，W B为中性基区宽度1- N B D pE W B1-E W B 1- R SEN ED nBWEBWE RSBN E， N B 分别为发射区和基区杂质浓度。
半导体带隙计算公式
半导体带隙计算公式引言：半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电学性质。
其中一个重要的参数是带隙（band gap），它决定了半导体的导电性和光电性能。
本文将介绍半导体带隙的计算公式及其应用。
一、什么是带隙？带隙是指半导体能带（energy band）中价带（valence band）和导带（conduction band）之间的能量差。
在带隙内，半导体材料的电子处于被束缚的状态，无法自由传导电流。
而在带隙外，电子可以通过吸收能量跃迁到导带中，从而形成电流。
二、带隙的计算公式带隙的计算公式可以通过半导体的性质和结构参数得出。
常用的计算公式有以下两种：1. 经验公式：Eg = α - βT其中，Eg为带隙宽度，α和β为常数，T为温度（单位为开尔文），这个公式适用于室温范围内的计算。
2. k·p理论公式：Eg = Eg0 + α(T) · T^2 / (T + β)其中，Eg为带隙宽度，Eg0为0K时的带隙宽度，α(T)和β为温度相关的参数，T为温度（单位为开尔文）。
三、带隙计算公式的应用1. 半导体材料的选择：带隙宽度直接影响了半导体的导电性质和光电性能。
较小的带隙宽度意味着半导体更容易导电，适用于电子器件中的导体部分；而较大的带隙宽度则意味着半导体更难导电，适用于电子器件中的绝缘体部分。
因此，通过计算带隙宽度，可以选择合适的半导体材料。
2. 温度对带隙的影响：根据带隙计算公式，带隙宽度与温度呈非线性关系。
随着温度的升高，带隙宽度会逐渐缩小。
这是因为温度升高会导致晶格振动增强，电子能级发生变化。
因此，在设计半导体器件时，需要考虑温度对带隙的影响，以确保其性能的稳定性。
3. 光电器件的设计：带隙宽度还决定了半导体对不同波长光的吸收能力。
带隙宽度较小的半导体对可见光有较强的吸收能力，适用于制作光电二极管、太阳能电池等器件；而带隙宽度较大的半导体对可见光的吸收能力较弱，适用于制作红外探测器等器件。
导带底状态密度公式
导带底状态密度公式【原创版】目录1.导带底状态密度公式的概念2.导带底状态密度公式的推导过程3.导带底状态密度公式的应用正文一、导带底状态密度公式的概念导带底状态密度公式是描述半导体中电子在导带底部的能量状态分布的公式，它是半导体物理学中的一个重要概念。
导带底状态密度公式可以帮助我们理解电子在半导体中的行为，进而指导我们在实际应用中如何设计和制造半导体器件。
二、导带底状态密度公式的推导过程为了推导导带底状态密度公式，我们首先需要了解半导体的基本结构和性质。
半导体是一种特殊的材料，它的电子能带结构与金属和绝缘体有很大不同。
在半导体中，价带和导带之间存在一个能量间隙，这个间隙的大小决定了半导体的导电性能。
在绝对零度时，半导体的导电性能很差，因为此时所有的电子都处于价带。
但是，随着温度的升高，一部分电子会获得足够的能量跃迁到导带。
在导带底部，电子的能量最低，因此这里的电子密度会随着温度的升高而增加。
为了描述这种能量分布，我们可以引入导带底状态密度公式。
这个公式表示的是在导带底部的电子密度与温度之间的关系。
具体来说，导带底状态密度公式可以表示为：(E) = (1/π) * ∫[f(E") - f(E)] dE"其中，n(E) 表示导带底部的电子密度，E 表示电子的能量，f(E) 表示电子在能量 E 处的费米 - 狄拉克分布函数。
三、导带底状态密度公式的应用导带底状态密度公式在半导体物理学中有很多应用，其中最主要的应用是分析半导体的导电性能。
通过研究导带底状态密度公式，我们可以了解电子在导带底部的分布情况，从而预测半导体的导电性能。
此外，导带底状态密度公式还可以用于分析半导体的光电性能。
在光电子器件中，电子和光子的相互作用非常重要。
通过研究导带底状态密度公式，我们可以了解电子在导带底部的能量分布，从而预测光电子器件的光电转换效率。
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所以，ECB=5.88-4.5-2.2/2=0.28eV，EVB=0.28+2.2=2.48eV.
附件（二）：
与文献给出的数据几乎完全一致，读者可自行验算其他物质。
据调查，大学生对此类消费的态度是：手工艺制品消费比“负债”消费更得人心。原子绝对电负性附表如下：
EVB=ECB+Eg
其中，
木质、石质、骨质、琉璃、藏银……一颗颗、一粒粒、一片片，都浓缩了自然的对比，代表着欧洲贵族风格的饰品成了他们最大的主题。Ec是相对于标准H电极的一个常数，Ec=4.5eV；
Eg是半导体的禁带宽度（以实际测量结果为主）；
X是半导体内各原子绝对电负性的几何平均值。
尽管售价不菲，但仍没挡住喜欢它的人来来往往。这里有营业员们向顾客们示范着制作各种风格迥异的饰品，许多顾客也是学得不亦乐乎。在现场，有上班族在里面精挑细选成品，有细心的小女孩在仔细盘算着用料和价钱，准备自己制作的原料。可以想见，用本来稀奇的原料，加上别具匠心的制作，每一款成品都必是独一无二的。而这也许正是自己制造所能带来最大的快乐吧。
（4）牌子响计算实例如下：
“碧芝”的成功归于他的唯一，这独一无二的物品就吸引了各种女性的眼光。
对ZnO，Eg=3.2eV，通过后面的附表可查得，X(Zn)=4.45，X(O)=7.54，
标题：大学生究竟难在哪？—创业要迈五道坎2004年3月23日所以X= =5.79，所以，ECB=5.79-4.5-3.2/2=-0.31eV，EVB=-0.31+3.2=2.89eV;
怎样由禁带宽度Eg粗略计算半导体的导带位置（ECB，Vs NHE）
合计50100%经验公式：
“碧芝”最吸引人的是那些小巧的珠子、亮片等，都是平日里不常见的。据店长梁小姐介绍，店内的饰珠有威尼斯印第安的玻璃珠、秘鲁的陶珠、奥地利的施华洛世奇水晶、法国的仿金片、日本的梦幻珠等，五彩缤纷，流光异彩。按照饰珠的质地可分为玻璃、骨质、角质、陶制、水晶、仿金、木制等种类，其造型更是千姿百态：珠型、圆柱型、动物造型、多边形、图腾形象等，美不胜收。全部都是进口的，从几毛钱一个到几十元一个的珠子，做一个成品饰物大约需要几十元，当然，还要决定于你的心意尽管售价不菲，却仍没挡住喜欢它的人。ECB=X - Ec - Eg/2