一种测试半导体制冷器的瞬态方法
半导体制冷片的研究
半导体制冷片的研究摘要：半导体制冷片也叫热电制冷片，是一种热泵，它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。
当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,可以实现制冷的目的。
它是一种产生负热阻的制冷技术,其特点是无运动部件,可靠性也比较高，目前已经被广泛应用。
通过瞬态电流刺激-Seebeck电压测试法，了解其影响的因素，通过各文献资料知道了其优缺点关键词：半导体材料负热阻制冷技术Abstract: the semiconductor refrigeration piece is also called the thermoelectric refrigeration piece, a heat pump, it has the advantages of no sliding parts, used in some space limit, high reliability, no refrigerant pollution situation. Is the use of a semiconductor material Peltier effect. When the direct current through two different semiconductor materials series galvanic galvanic, in two ends respectively to absorb heat and release heat, can achieve the purpose of refrigeration. It is a kind of negative resistance of the refrigeration technology, which is characterized by having no moving parts, high reliability. The semiconductor refrigeration ways to solve the problem of heat dissipation of LED lighting system, has very high practical value.Key words: pump, semiconductor materials, negative resistance, refrigeration technology正文：1 引言：半导体致冷器是由半导体所组成的一种冷却装置，于1960年左右才出现，然而其理论基础Peltiereffect可追溯到19世纪。
基于单片机的半导体制冷智能控制
图2：温度控制系统稳定性曲线 （请在此处插入温度控制系统稳定性曲线图） 从图2可以看出，系统在达到目标温度后，保持稳定状态，未见明显波动。 这表明基于半导体制冷技术的温度控制系统具有良好的稳定性。
通过实验验证，我们可以得出以下结论： 1、基于半导体制冷技术的温度控制系统具有快速响应和高精度控制优点。
一、半导体制冷技术概述
半导体制冷技术是一种利用半导体材料的热电效应实现制冷的技术。其基本 原理是，通过直流电在半导体材料中产生的珀尔帖效应，实现吸热和放热过程， 从而达到制冷效果。相较于传统制冷技术，半导体制冷技术具有体积小、效率高、 无噪声等优点，因此被广泛应用于微型制冷领域。
二、单片机在半导体制冷智能控 制中的应用
4、监控实验过程：在实验过程中，通过数据采集卡实时监测温度变化情况， 观察系统响应速度和稳定性。
五、实验结果与分析
实验结束后，收集实验数据并绘制曲线图，对实验结果进行分析。以下是实 验结果的相关图表：
图1：温度控制系统响应曲线 （请在此处插入温度控制系统响应曲线图） 从图1可以看出，系统在初始温度为25℃时，启动后在5分钟内迅速达到目标 温度-10℃，表明系统具有快速响应特性。
2、通过反馈控制和优化控制策略，可以实现系统的稳定运行和精确的温度 控制。
3、本研究为科学研究和工业生产中的温度控制提供了新的解决方案，具有 实际应用价值。
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2、程序设计
基于单片机的半导体制冷智能控制系统的程序设计主要包括温度检测、故障 诊断、报警输出、节能优化等模块。程序设计中要充分考虑系统的稳定性、可靠 性和节能性。同时，程序设计应采用模块化思想，便于日后维护和升级。
3、硬件选择与调试
在硬件选择方面，应选用性能稳定、可靠性高的元器件。对于半导体制冷器， 应选择合适的型号和规格，以满足实际需求。在硬件调试过程中，应进行逐个元 器件的调试，确保每个部件都能正常工作。同时，要对整个系统进行联调，确保 各部分协调一致，实现稳定的制冷效果。
半导体制冷器TEC的驱动与控制 (一)
半导体制冷器TEC的驱动与控制 (一)半导体制冷器TEC（Thermo-Electric Cooler）是一种利用Peltier效应产生制冷的器件，其主要应用于微电子、激光器、传感器等领域的温度控制。
TEC驱动与控制一直是半导体电子学领域的研究热点之一。
一、TEC驱动方式TEC的驱动方式分为两种：恒定电流驱动和恒定电压驱动。
其中，恒定电流驱动是指在TEC两端加上一个恒定电流，使其产生的热量与冷量相等，达到匀速制冷的效果；恒定电压驱动则是在TEC两端加上一个恒定电压，使其产生的冷量和热量成一定比例，达到不同的温度控制效果。
二、TEC控制方法TEC的控制方法主要分为三类：PID控制、H∞控制和模型预测控制。
其中，PID控制是目前最常用的一种控制方法，其基本原理是通过比较目标温度值与实际温度值之间的偏差，计算出一个控制量，再通过PID 算法进行控制，使温度达到稳定状态。
三、TEC控制参数TEC控制参数包括：电流、电压、温度、功率和效率。
其中，电流和电压的控制可以实现恒定电流和恒定电压的控制方式；温度的控制需要采集温度传感器数据并进行反馈控制；功率和效率则需要根据TEC的工作状态和应用环境来进行动态调整。
四、TEC驱动与控制电路TEC驱动与控制电路主要包括三个部分：TEC驱动模块、温度采集模块以及控制模块。
其中，TEC驱动模块主要实现对TEC的驱动，而温度采集模块则用来采集温度传感器的数据，控制模块则实现了对TEC的PID 控制功能。
五、TEC控制软件TEC控制软件可以实现对TEC的控制参数设置、PID参数调整、温度采集和数据分析等一系列功能。
此外，软件还可以根据用户的需求，实现定时控制、手动控制和自动控制等功能，为用户操作提供更加便利的选择。
总之，TEC驱动与控制是半导体电子学领域的研究热点，通过对TEC控制参数的实时调整，可以使TEC达到最佳的制冷效果，为半导体行业和生产领域提供更好的温度控制解决方案。
半导体制冷器原理及性能研究
半导体制冷器原理及应用研究摘要随着科学技术的发展，人们对于制冷的要求也随之提高。
常常需要在狭小的空间内实现低温的环境以满足特殊的应用要求。
基于帕尔贴效应的半导体制冷技术在军事、民用等领域有着广泛的应用。
本文介绍了半导体制冷器的基本工作原理、优点、缺点和随后对半导体的相关公式进行了推导。
最后根据半导体的研究现状，提出了半导体制冷器的主要性能参数，为今后的半导体制冷技术研究提供借鉴。
1.引言目前，能源消耗问题是国际学术研究的热点，而中国作为能源消耗大国，因此研究如何降低能源消耗，实现可持续发展具有非常重大的现实意义。
半导体制冷器作为一种新型的制冷技术，具好广阔的应用前景。
半导体制冷器具有体积小、功耗低、无污染、降温快等诸多优点，符合环境保护以及低功耗的要求，在许多行业得到了广泛的应用。
虽然半导体制冷器的制冷量不大，但是降温速度非常快，非常适用于对制冷器的尺寸有严格要求的场所。
目前国际上半导体制冷技术的研究发展很快，我国从上个世纪60年代开始对半导体技术进行研究，经过几十年的研究，我国在半导体制冷技术取得了一定的进展，特别是在半导体制冷材料方面，目前中国的半导体制冷器产量在世界上排名第一，部分半导体制冷器产品远销国外。
2.半导体制冷器的工作原理2.1半导体制冷的物理基础半导体制冷又称为热电制冷（Thermoelectric cooler）或温差电制冷。
当直流电流通过具有热电转换特性的导体组成的回路时具有制冷功能，这就是所谓的热电致冷，由于半导体材料具有非常好的热电能量转换持性，因此，热电制冷又称为半导体制冷。
半导体制冷是基于帕尔贴效应、塞贝克效应、焦尔效应、汤姆逊效应和傅里叶效应五种效应建立起来的新型制冷技术。
（1）帕尔贴效应当电流通过由不同材料导体组成的回路时，在导体的连接处，会发生吸热和放热现象。
这时吸收和放出的热量就是帕尔贴热。
回路的一端为吸热，而另一端为放热。
（2）塞贝克效应将两种不同的材料和温度的导体相连接并组成回路时，这个回路之中就会产生电流，这就叫做塞贝克效应，这与帕尔贴效应是相逆的。
什么是半导体瞬态热测试技术？
什么是半导体瞬态热测试技术？应用半导体的IV曲线去测量半导体结温，是一项芯片结温测量技术，从半导体物理学的角度，我们知道在PN结上施加恒流源后，结电压随着温度的变化大约是 -1 mV/°C ～ -2 mV/°C。
描绘二极管电压随着温度的变化特征可以使用户测量二极管电压，并很容易地确定芯片温度。
通过测量电压的去测量结温的方法也叫ETM（Electrical Test Method），在测量温度之前，首先要对表征该半导体电压和温度的关系线的斜率——即的ETM的K系数做准确标定，其标定的方法请参考前面的文章（ETM法测结温）。
大电流的K系数标定算法，目前还是一个业内难题（由于大电流自带一部功率，会影响最终的温度），小电流的K系数，由于小电流功率较小（几百分之一，可以作为测量误差），因而被广泛使用。
为了测试结果的可比性，1995年，JEDEC 出具了JESD 51-1半导体热测试标准，规定了功率，测试条件，测量设备的精度要求等测试要素，同时也提供了两种测试方法（动态法和静态法），并指出这两种测试方法的主要适用对象及工况。
后续车规级可靠性测试标准AQG324，也是主要参考了JESD 51-1的标准。
基于JESD 51-1的标准，对结温的测量，其误差是比较大的，主要有几个因素：1、对于半导体电压的测量，有一定的测量底噪，既是电压的测量精度。
半导体导通压降一般是V级别，目前最高等级的电压表是0.1级（51-1的标准要求是0.5级），也就是千分之一的误差，换算成电压就是mV级别，而绝大部分简易的电压测量装置，底噪普遍在3-5mV，换算成温度误差大概是2-3度；2、半导体工作时，引起半导体结温上升的是工作电流（大电流），这时如果需要测量结温，需要把半导体的大电流切断，换成已知K系数的小电流去测量压降，而这种切换过程中，大电流不能瞬间关断，小电流测量出的电压值，在切换完成的瞬间（51-1标准提到的切换时间是几十us，实际上各种设备开关速度大概是从几百us到ms不等），基本上也是噪声，无法表征实际的温度信息。
半导体制冷实验报告
半导体制冷实验报告半导体制冷实验报告引言：半导体制冷技术是一种基于半导体材料的热电效应的制冷技术，其应用领域涵盖了电子设备散热、生物医学、航空航天等多个领域。
本实验旨在探究半导体制冷技术的原理和性能，并通过实验验证其制冷效果。
实验一：半导体材料的热电效应首先，我们准备了一块P型半导体材料和一块N型半导体材料，并将它们通过金属片连接成一个热电偶。
然后，我们将热电偶的一端加热，另一端冷却，并通过测量两端的温差和电压来研究热电效应。
实验结果显示，当我们加热P型半导体材料时，电压会产生一个正值；而当我们加热N型半导体材料时，电压则会产生一个负值。
这说明了P型半导体和N 型半导体在温度变化下具有不同的电压变化特性。
这种特性正是半导体制冷技术的基础。
实验二：半导体制冷器的制冷效果在这个实验中，我们使用了一台半导体制冷器，该制冷器由多个半导体材料组成，并通过电流驱动。
我们将制冷器放置在一个密封的实验箱中，并通过测量实验箱内的温度变化来研究半导体制冷器的制冷效果。
实验结果显示，当我们通电后，实验箱内的温度开始下降，并在一段时间后稳定在一个较低的温度。
这表明半导体制冷器通过电流驱动产生了制冷效果，将热能从实验箱中转移到外界环境中。
实验三：半导体制冷技术的应用在这个实验中，我们将半导体制冷技术应用于电子设备散热领域。
我们选择了一台高性能电脑，并在其散热器上安装了半导体制冷器。
然后，我们通过测量电脑的温度变化来研究半导体制冷技术对电子设备散热的效果。
实验结果显示，在使用半导体制冷器后，电脑的温度明显降低，并且在高负荷运行时能够保持较低的温度。
这表明半导体制冷技术可以有效地改善电子设备的散热性能，提高其工作效率和寿命。
结论：通过以上实验，我们验证了半导体制冷技术的原理和性能。
半导体材料的热电效应使得半导体制冷器能够通过电流驱动产生制冷效果，将热能从被制冷物体转移到外界环境中。
同时，半导体制冷技术在电子设备散热领域具有广泛的应用前景，能够有效地提高设备的工作效率和寿命。
高精度温度控制的半导体制冷系统实验研究
高精度温度控制的半导体制冷系统实验研究一、引言近年来，高精度温度控制的需求不断增加。
在许多领域，如材料科学、生物医学、电子工程等，需要对物体的温度进行精确控制和调节。
在这样的情况下，传统的制冷系统往往无法满足需求，因为它们的温度控制精度有限。
相比之下，半导体制冷系统通过利用半导体材料的特性，能够实现更高的温度控制精度。
因此，对高精度温度控制的半导体制冷系统进行实验研究具有重要意义。
二、半导体制冷原理半导体制冷是通过半导体材料的特性来实现温度控制的一种方式。
当电流通过半导体材料时，会产生热量。
利用半导体材料的PN结构，可以实现电流的传导和散热。
在制冷系统中，半导体材料的PN结构被放置在实验物体附近，利用电流通过半导体材料时产生的热量，实现对实验物体的制冷。
三、实验设计1.实验目标本实验旨在研究半导体制冷系统对高精度温度控制的适用性，并探究其温度控制精度和稳定性。
2.实验装置实验装置包括：半导体制冷器件、电源供应器、温度传感器、温控仪等。
3.实验步骤（1）装置搭建：将半导体制冷器件和温度传感器固定在实验物体附近，连接电源供应器和温控仪。
（2）温度控制参数设定：通过温控仪对半导体制冷系统进行温度设定，设定所需的目标温度。
（3）实验物体放置：将需要进行高精度温度控制的物体放置在半导体制冷器件附近。
（4）温度实时监测：使用温度传感器实时监测实验物体的温度，并将数据记录下来。
（5）温度控制效果分析：分析实验数据，探究半导体制冷系统的温度控制精度和稳定性。
四、实验结果与讨论实验结果表明，半导体制冷系统能够实现高精度的温度控制。
在实验过程中，通过温控仪设定不同的目标温度，半导体制冷系统能够迅速将实验物体的温度调整到设定的目标温度，并实现较高的稳定性。
此外，实验数据显示，半导体制冷系统的温度控制精度可以达到0.1摄氏度以下，满足高精度温度控制的要求。
五、结论本实验通过对高精度温度控制的半导体制冷系统的实验研究，结果表明半导体制冷系统能够实现高精度的温度控制。
半导体制冷器工作原理
半导体制冷器工作原理引言半导体制冷器是一种新型的制冷技术，它利用半导体材料的特殊性质实现制冷效果。
相比传统的压缩机制冷技术，半导体制冷器具有体积小、无噪音、无振动和高效能的特点。
本文将介绍半导体制冷器的工作原理。
一、热电效应半导体制冷器的工作原理基于热电效应，即通过电流通过半导体材料时，会产生热效应和电效应。
其中，热效应是指电流通过半导体材料时会产生热量，而电效应是指半导体材料在温度差异作用下会产生电压。
二、Peltier效应半导体制冷器利用Peltier效应来实现制冷。
Peltier效应是指当电流通过两个不同类型的半导体材料接触面时，会在接触面附近产生热量的转移。
当电流由N型半导体材料流向P型半导体材料时，接触面附近的热量会被转移到P型半导体材料一侧，从而形成冷面。
同时，N型半导体材料一侧会产生热量，形成热面。
三、制冷循环半导体制冷器通过制冷循环来实现制冷效果。
制冷循环主要包括四个过程：加热、冷却、热回收和制冷。
具体步骤如下：1. 加热：当电流通过半导体制冷器时，N型半导体材料一侧会吸收热量，形成热面。
2. 冷却：热量经过热面传递到P型半导体材料一侧，形成冷面。
3. 热回收：热量从冷面传递到热面，通过散热器散发出去。
4. 制冷：通过循环不断加热和冷却的过程，制冷器将热量从低温区域转移到高温区域，实现制冷效果。
四、热电材料的选择半导体制冷器的性能主要取决于所选用的热电材料。
常用的热电材料包括铋锑合金、铋碲合金和铋锑碲合金等。
这些材料具有高的热电效率和良好的稳定性，适用于制冷器的工作环境。
五、应用领域半导体制冷器的工作原理使其在许多领域中得到应用。
例如，它可以用于电子设备的冷却，提高设备的性能和寿命。
此外，半导体制冷器还可以用于光电子器件的制冷，提高器件的灵敏度和响应速度。
此外，半导体制冷器还可以应用于医疗领域，如低温保护和冷冻保存等。
结论半导体制冷器通过利用半导体材料的特殊性质，实现了高效能、无噪音和无振动的制冷效果。
半导体制冷片控制方法
半导体制冷片控制方法半导体制冷片控制方法是指通过对半导体制冷片进行控制，使其达到最佳制冷效果的方法。
本文将从以下几个方面详细阐述半导体制冷片的控制方法。
一、温度控制温度控制是半导体制冷片控制的最基本且最重要的方法。
一般来说，半导体制冷片的工作温度范围为-40℃~-5℃，因此需要在这个范围内对温度进行精确控制。
温度控制可以通过以下几个方面实现：1.使用温控芯片温控芯片是一种专门用于控制温度的芯片，其能够精确测量温度并通过反馈控制实现温度调节。
将温控芯片与半导体制冷片进行连接，即可实现对温度的控制。
2.使用PWM控制PWM控制是一种调制脉冲宽度的方法，通过控制脉冲的宽度和频率来实现对电流的控制，从而控制制冷片的温度。
这种方法比较简单易实现，但是精度较低。
二、电流控制电流控制是半导体制冷片控制的另一个重要方法。
半导体制冷片的制冷效果主要取决于电流的大小和方向，因此需要对电流进行精确控制。
电流控制主要有以下几种方法：1.使用电流控制芯片电流控制芯片是一种专门用于控制电流的芯片，其能够精确控制电流的大小和方向。
将电流控制芯片与半导体制冷片进行连接，即可实现对电流的控制。
2.使用反向电流保护反向电流保护是通过控制半导体制冷片的正向和反向电流来实现对温度和电流的精确控制。
通过控制正向电流和反向电流的比例，可以实现对温度和电流的控制，但是精度较低。
三、功耗控制功耗控制是半导体制冷片控制的另一个重要方法。
半导体制冷片的功耗主要取决于其工作温度和电流，因此需要对功耗进行精确控制。
功耗控制主要有以下几种方法：1.使用功率控制器功率控制器是一种专门用于控制功率的器件，其能够精确控制半导体制冷片的功率。
将功率控制器与半导体制冷片进行连接，即可实现对功率的控制。
2.使用PWM控制PWM控制同样可以实现对功耗的控制。
通过控制脉冲的宽度和频率，可以控制半导体制冷片的电流和功率，从而控制制冷片的功耗。
总结通过以上几种控制方法的应用，可以实现对半导体制冷片的温度、电流和功耗的精确控制。
半导体制冷车载冰箱制冷效果
半导体制冷车载冰箱制冷效果半导体制冷技术是一种绿色环保、高效节能的制冷方式，广泛应用于小型冷藏设备中，如车载冰箱。
本文将探讨半导体制冷技术在车载冰箱中的制冷效果及其优势。
半导体制冷技术简介半导体制冷技术利用半导体材料的热电效应来实现制冷。
通过在半导体材料中通电，可在两侧产生温差，从而使一侧降温，另一侧升温，实现制冷效果。
相较传统制冷技术，半导体制冷技术无需制冷剂，操作简便，无噪音，体积小巧，适合小型冷藏设备。
车载冰箱中的半导体制冷技术应用车载冰箱作为一种便携式冷藏设备，通常需要在不稳定的车辆环境下工作。
传统压缩式冷藏技术在移动过程中可能会产生震动噪音，而半导体制冷技术则可以更好地适应车辆震动，工作稳定且无噪音。
此外，半导体制冷技术还具有制冷速度快的优势，在车载环境下，能够快速降温并保持稳定的温度。
同时，半导体制冷技术具有较低的功耗，有效节约车载冰箱的能源消耗。
半导体制冷车载冰箱的制冷效果测试为了验证半导体制冷技术在车载冰箱中的制冷效果，我们进行了试验。
通过在实际车载环境下测试，发现半导体制冷车载冰箱在恒温保鲜方面表现出色。
在高温外部环境下，车载冰箱内部温度可以稳定保持在所设定的低温，保持食材的新鲜度。
另外，我们还测试了半导体制冷车载冰箱的制冷速度，在外部温度较高的情况下，车载冰箱内部可以快速降温至所需温度，使食材迅速冷却，保持营养价值。
结论半导体制冷技术在车载冰箱中的应用效果明显，具有制冷速度快、工作稳定、节能环保等优势。
未来，随着半导体材料技术的不断发展，半导体制冷车载冰箱有望成为更为普及的选择，为用户提供更好的冷藏体验。
半导体制冷片制冷功率测试
半导体制冷片制冷功率测试2014-4-7-XTECH 一测试系统包括设备1 20A大功率精密恒流恒压电源；2 TEC制冷控制器：TEC-10A；3 TEC制冷片定制12706；4 大功率散热片及风机，热端散热良好；5 12V10A开关电源；二测试方案测试系统采用热源和TEC制冷相结合，精密恒流恒压电源盒半导体整流器作为热源部分；12V10A电源、TEC-10A控制器、TEC制冷片、DS18B20、散热片作为制冷稳定控制温度的部分。
结构图参加图1所示。
图1 TEC半导体制冷片测试方案图使用半导体整流器作为热源，它和半导体激光器的效果非常类似，都是半导体器件，导热、散热方式雷同，如图2所示。
测试中，通过调节精密恒流恒压电源输出电流电压大小，半导体整流器上获得的热功率可任意设定，散热片散热的热阻很小，是一个非常良好的导热体。
图2 半导体整流器和半导体激光器等效图三测试数据测试条件工作电压12.5 V；环境温度：21.5 °~22.5 °表1图3 热源功率控制温度图四测试可靠性分析测试中根据采用的导热硅脂、涂抹导热硅脂的多少、环境温度变化等原因，导致测量结果会有一度至两度的误差。
五结论测试结果打破了市场上TEC制冷片超高制冷效果的谎言，实验意义在于指导工程师在温度控制中更加切合实际的选择TEC，减少工程师在TEC特性上的摸索时间。
测试中采用了价格较为昂贵的TEC片，通过电流为6A；稳定温度为环境温度为22°时，TEC吸收热功率最大为17W；稳定温度到40°时，TEC吸收热功率最大为32W；稳定温度到5°时，TEC吸收热功率最大为3W。
可见控制目标温度不同，能够吸收的热量大小不同，设定目标温度高，吸收热量高；设定目标温度低，吸收热量小。
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半导体制冷片检测方法
半导体制冷片检测方法
半导体制冷片是一种利用Peltier效应来实现制冷的器件，其性能的稳定性和可靠性对于许多应用至关重要。
针对半导体制冷片的检测方法可以从多个角度来进行分析和讨论。
首先，从物理角度来看，可以采用热电偶测温法。
这种方法利用热电偶测量半导体制冷片的冷面和热面的温度差，从而判断制冷片的工作状态和性能。
此外，还可以利用红外热像仪来观察制冷片的工作温度分布，以便发现可能存在的热点或温度异常。
其次，从电学角度来看，可以采用电流电压特性测试。
通过测量半导体制冷片在不同工作电流下的冷面温度和热面温度，可以得到其电冷效果和制冷功率，从而评估其制冷性能。
此外，还可以对制冷片的电阻、电压和电流进行实时监测，以判断其工作状态和稳定性。
此外，从工程角度来看，可以采用环境适应性测试。
这种方法将制冷片置于不同环境温度、湿度和振动条件下进行长时间稳定性测试，以模拟实际应用场景，从而评估其在复杂环境下的性能表现和可靠性。
最后，从数据分析角度来看，可以采用实验数据统计和分析方法。
通过对大量制冷片的测试数据进行统计分析，可以得出其平均性能指标、故障率和寿命特性，为制冷片的质量控制和改进提供依据。
综上所述，针对半导体制冷片的检测方法可以从物理、电学、工程和数据分析等多个角度进行全面评估，以确保其稳定性和可靠性。
peltier半导体恒温制冷方式
Peltier 半导体热电冷却方法导言佩尔蒂埃效应以法国物理学家让·查尔斯·阿塔纳泽·佩尔蒂埃（Jean Charles Athanase Peltier）命名，是一种电流通过两个不同的导电器可以造成两个交汇点之间的温度差的现象。
这一效应可用于Peltier半导体热电冷却装置，以准确高效地控制各种应用的温度。
作业原则Peltier冷却设备利用Peltier效应在设备上形成温度差。
当低压电流被应用到设备上时，热量会在一个路口（冷面）被吸收，在另一个路口（热面）释放。
这使得设备能够根据电流的方向和设备的设计，冷却或加热特定区域。
Peltier 冷却的好处佩尔蒂埃冷却的一个主要优点是它能够提供精确的温度控制。
这对实验室设备、医疗器械和对温度敏感的电子产品等应用特别有利。
Peltier冷却也消除了对制冷剂的需求，使其成为更环保的冷却选择。
Peltier冷却装置往往很紧凑，重量较轻，因此适合便携式和受空间限制的应用。
挑战和考虑虽然Peltier冷却有几种好处，但也有一些需要意识到的挑战和考虑。
与传统的压缩机制冷系统相比，Peltier设备的冷却能力有限，这是主要的挑战之一。
这使得它们不太适合大规模冷却应用。
Peltier设备可能需要有效的散热机制，以防止过热并保持最佳性能。
案例研究：Peltier 冷却DNA放大应用Peltier半导体热电冷却的一个例子是DNA放大过程，如聚合酶链反应（PCR）。
PCR是分子生物学中常用的一种技术，用于在多个数量级上放大一个或几个DNA片段的单拷贝或几拷贝，生成数千至数百万份特定DNA序列的拷贝。
在PCR中，精确的温度控制对于饱和，厌退，扩展步骤至关重要。
佩蒂埃冷却装置常被集成到PCR热循环器中，以提供DNA放大所需的精确温度控制。
Peltier设备在不同温度之间快速而准确地切换的能力使得PCR能够高效循环，导致放大时间缩短，整体性能得到改善。
半导体热电制冷器详细技术说明
1.0 热电制冷的介绍1.1 热电制冷器，也被称为珀尔帖制冷器，是一种以半导体材料为基础，可以用作小型热泵的电子元件。
通过在热电制冷器的两端加载一个较低的直流电压，热量就会从元件的一端流到另一端。
此时，制冷器的一端温度就会降低，而另一端的温度就会同时上升。
值得注意的是，只要改变电流方向，就可以改变热流的方向，将热量输送到另一端。
所以，在一个热电制冷器上就可以同时实现制冷和加热两种功能。
因此，热电制冷器还可以用于精确的温度控制。
1.1.1为了给新用户提供一个热电制冷器制冷量的大致概念，我们首先以一个典型的单级热电制冷器为例。
将这个单级热电制冷器放置在散热器上，使其保持在室温。
然后将其连接在一个适当的电池上或者直流电源上，制冷器的冷端温度会降低到大约-40 ℃。
此时，制冷器上将达到相对热平衡状态，而且制冷器两端将达到最大的温差(D T max)。
如果向冷端不断输入热量，冷端温度会逐渐增加，直到与热端温度相同。
这一时刻，制冷器会达到最大制冷量(Q max）。
1.2热电制冷器与传统的机械式制冷器都遵循相同的热力学法则，并且，尽管两者的组成形式有很大不同，但是其工作原理却是相同的。
在机械式制冷单元中，首先使用压缩机增加液体的压力，使制冷剂在体系中循环流动。
然后，制冷剂在冷冻区固化，在随后的升华过程中吸收热量使冷冻区温度降低。
而在冷冻区被吸收的热量被运输到压缩机，并通过制冷剂压缩这个过程将热量传递给环境。
相对的，在热电制冷系统中，掺杂的半导体材料就充当了液态制冷剂的作用，而冷凝器被散热器所取代，压缩机被直流电源所取代。
通过在热电制冷器上加载直流电源，使半导体中的电子发生运动。
在半导体材料的冷端，热量被电子运动所吸收，这些电子运动到材料的另外一端，即热端。
由于材料的热端连接在散热器上，热量也就从材料体内传到散热器上，然后再被输送到环境中。
1.3尽管商业化的热电制冷器在1960年前后才有所发展，但是热电制冷器的物理理论可以追溯到19世纪早期。
半导体制冷实验
半导体制冷实验【实验目的】1.了解帕尔帖效应和半导体制冷原理2.学习半导体制冷特性和应用，计算半导体制冷系统最大制冷系数3.演示验证帕尔帖效应【实验仪器】THQBZ-1型半导体制冷实验仪【实验原理】1.帕尔帖效应当电流通过同一导体时，放出的焦耳热量与电流强度的平方成正比，而与电流流动的方向无关。
是一个可逆过程，但在一定条件下，电流通过两种不同材料的金属接触面时，热量的吸收和放出是一个不可逆过程，即当电流沿某一方向流动时，若接触点放出热量，则当电流沿反方向流动时，应吸收热量，这一效应称为帕尔帖效应。
2.半导体制冷原理半导体制冷又称热电制冷或温差电制冷，它是利用热电效应的一种制冷方法。
半导体制冷原理如图1所示。
图1图2n姓材料有多余的电子，有负温差电势，p型材料电子不足，有正温差电势。
当电子从p型穿过结点到n型时，其能量必然增加，相反当电子从n型流至p型时，结点温度会升高。
把一只n型半导体元件和一只p型半导体元件联结成热电偶，接上直流电源后，在接头处就会产生温差和热量的转移。
上面的一个接头处，电流方向从n到p，温度下降并吸热，是冷端；而下面的一个接头处，电流方向从p到n，温度上升并放热，是热端。
在电流作用下，由于帕尔帖效应，热量由Tc转向Th，使Tc温度降低，成为冷端，Th温度升高，成为热端。
借助散热器等各种传热手段，使热端的热量不断散发，将冷端置于工作室中去吸热降温而形成制冷。
目前采用半导体材料锑化铋做成N型和P型热电偶，用模块的方法组成半导体制冷器件。
如图2所示，接上电流后，这个热电堆的上面是冷端，下面是热端，借助热交换器等传热手段，使热电堆的热端不断散热并保持一定的温度，把热电堆的冷端放到工作环境中去吸热降温，这就是半导体制冷的工作原理。
【实验内容】1.半导体制冷特性测试实验1）打开电源开关，将半导体制冷片工作方式切换到热泵，输入电压极性切换到正。
2）将数字电压表电压显示切换到输入电压。
3）调节电压大小，当输入电压为某一值时，半导体制冷系统经过一段时间而达到稳定制冷状态。
汽车 半导体冰箱 测试标准
汽车半导体冰箱测试标准
一、制冷性能
1. 测试环境：在室温环境下进行测试。
2. 测试方法：将冰箱放置在规定的环境下，加入适量的水，设定好温度，然后进行制冷测试。
3. 测试标准：在测试过程中，半导体冰箱的制冷效果应该明显，能够快速达到设定的温度，并且在规定的时间内保持温度稳定。
二、容量
1. 测试环境：在室温环境下进行测试。
2. 测试方法：在冰箱中加入适量的水，然后按照规定的温度进行制冷，达到设定温度后，将冰箱关闭并等待24小时。
之后打开冰箱门，测量冰箱内部的容量。
3. 测试标准：冰箱的实际容量应该达到标称容量的90%以上。
三、噪音
1. 测试环境：在室温环境下进行测试。
2. 测试方法：在距离冰箱1米的地方，将噪音测试仪放置在冰箱正前方，然后开启冰箱并设定好温度，测量噪音值。
3. 测试标准：汽车半导体冰箱的噪音应该小于或等于40分贝。
以上是汽车半导体冰箱的测试标准，具体测试过程可能需要根据实际情况进行调整。
半导体制冷片(TEC)的温度操纵器设计
半导体制冷片（TEC）的温度操纵器设计一、原理半导体制冷片也叫热电制冷片，其原理是Peltier效应，它既可制冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一制冷片上实现制冷或加热，那个成效的产生确实是通过热电的原理来实现的。
其实在原理上半导体制冷器只是一个热传递的工具。
其优缺点：1、不需要任何制冷剂，可持续工作。
2、半导体制冷片具有两种功能，既能制冷，又能加热，制冷效率一样不高，但制热效率很高，永久大于1。
因此利用一个片件就能够够代替分立的加热系统和制冷系统。
3、半导体制冷片是电流换能型片件，通过输入电流的操纵，可实现高精度的温度操纵，再加上温度检测和操纵手腕，，便于组成自动操纵系统。
4、半导体制冷片热惯性超级小，制冷制热时刻专门快，在热端散热良好冷端空载的情形下，通电不到一分钟，制冷片就能够达到最大温差。
5、半导体制冷片的温差范围，从正温90℃到负温度130℃都能够实现。
二、利用说明：正确的安装、组装方式：1、制冷片一面安装散热片，一面安装导冷系统，安装表面平面度不大于，要除去毛刺、污物。
2、制冷片与散热片和导冷块接触良好，接触面须涂有一薄层导热硅脂。
3、固定制冷片时既要使制冷片受力均匀，又要注意切勿过度，以避免瓷片压裂。
正确的利用条件：1、利用直流电源电压不得超过额定电压，电源波纹系数小于10％。
2、电流不得超过组件的额定电流。
3、制冷片正在工作时不得刹时通反向电压(须在5分钟以后)。
4、制冷片内部不得进水。
5、制冷片周围湿度不得超过80％。
三、半导体制冷器的驱动电路设计半导体制冷片依照流过半导体的电流方向和大小来决定其工作状态的（电流的方向决定制冷或制热，电流的大小决定制冷或制热的程度和成效）。
为了使半导体制冷片能够自动的进行恒温操纵，就必需设计好其驱动电路和操纵电路。
PID操纵系统是目前精度较高的技术，能够用来对半导体制冷片的电流进行操纵，以实现高精度的控温成效。
（一）、整体框图：（二）、驱动电路：基于H桥的驱动电路：当设置OUT3为高、OUT4为低电平，OUT2为低、OUT1为高电平常，Q3和Q4断开，Q1和Q2导通，电流由TEC左至右；反之OUT3为低、OUT4为高电平，OUT2为高、OUT1为低电平常，Q3和Q4导通，Q1和Q2断开，电流由右至左。
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第27卷 第5期2006年5月半 导 体 学 报D @;W H <H[O X T W A L O F<H M ;D O W D X D Q O T <V o l .27 N o .5M a y,2006*国家重点基础研究发展规划(批准号:2006D N 300404),国家自然科学基金(批准号:50276011,50275026),江苏省自然科学基金(批准号:N K 2005063)资助项目Z 通信作者.H =a i 2:F6n :9i 349n @A 96.976.3n 2005-09-23收到,2005-11-25定稿"2006中国电子学会一种测试半导体制冷器的瞬态方法*宫昌萌1 陈 震1 吴 洲1 常国强1 钱瑞明1 陈云飞1,2,Z(1东南大学机械工程系,南京 210096)(2东南大学M H M <教育部重点实验室,南京 210096)摘要:>Q 值、最大制冷温差和响应时间是表征半导体制冷器性能的重要参数.文中介绍了一种能同时测量这三个参数的瞬态方法,并讨论了热沉对测试结果的影响.利用一个由恒流脉冲发生器和数据采集卡组成的简单测试系统测得制冷器在小电流下的电阻电压和塞贝克电压,通过这两个电压推导出>Q 值、最大制冷温差.这种瞬态方法是非接触式测量,准确度高,可用于薄膜热电器件测试;另外瞬态方法耗时短,可大大缩短半导体制冷器可靠性测试的周期.采用这种方法对4==×4==×2.4==的热电制冷器进行实验,环境温度300K 时,测得>Q 值为0.39,最大温差58.5K ,响应时间20A .关键词:半导体热电制冷器;瞬态测试方法;电阻电压;塞贝克电压;P A C C :6590;0150K ;7360[中图分类号:Q N 66 文献标识码:A 文章编号:0253-4177(2006)05-0944-041 引言热电制冷器是根据帕尔贴效应,即利用直流电流引起半导体材料中的热量输运,制成的一种简单方便的新型制冷器.其结构简单、无磨损、可靠性好、寿命长、启动快、不使用氟利昂,无任何运动部件而无噪声,控制灵活,只要接通电源,即可迅速制冷,电流反向即可迅速制热.由于这些优点,热电制冷器在很多领域得到应用,如汽车冰箱、白内障冷冻摘除器、核潜艇空调、固体激光器的散热器、导弹红外探测器探头冷却器、宇航员的空调服等.热电制冷器的最大制冷温差和效率用无量纲品质指数>Q 值来衡量,>Q =X 2σA /β,其中S 为塞贝克系数,σ为电导率,β为热导率,T 为绝对温度.最大制冷温差与Z T 值的关系可表示为[1]:-A =a L %0.5>Q 2(1)Z T 值与热电制冷器效率的关系可表示为:D O ?=a L O A 1[(1&>Q )1/2)A 1/A 2](A 2)A 1)[(1&>Q )1/2&1](2)式中 C O P m a x 为制冷器可达到的最大能量转换效率;T 1为冷端温度;T 2为热端温度,Z T 值越高,热电制冷器的效率就越高,现在大量使用的体态制冷器的Z T 值不大于1.当Z T 值达到4时热电制冷器的效率与压缩机式制冷器的效率相当[2].通常半导体制冷器的性能用热电偶、热敏电阻、二极管温度传感器或晶体管温度传感器测试.但这些测试方法有如下缺点:(1)使用前必须标定,操作过程耗时长.在半导体制冷器能量冲击可靠性测试中,制冷器经历数百到上千次“通电-冷却-通电”的循环过程,每隔几十次循环,进行一次制冷器性能测试,记录Z T 值、电阻和响应时间,通常整个可靠性测试要花费3,4个月[3].(2)装置复杂,需要探测器与被测物体接触.测试微型超晶格薄膜热电制冷器时,制冷器的温度场分布会受到探测器的影响,而且其法向参数无法测量,只能用切向的参数粗略代替,所以现有方法的测试结果误差很大[4].本文提出了一种半导体制冷器测试的瞬态方法,与现有测试方法相比这种方法的优点是:操作过程耗时短,测试时间略大于制冷器的响应时间,故可大大缩短半导体制冷器可靠性测试的周期;装置简单,探测器不需要与被测物体接触,能直接测得器件法向的参数,并准确预测薄膜热电器件的性能.第5期宫昌萌等: 一种测试半导体制冷器的瞬态方法2 实验原理及计算公式推导2.1 实验原理制冷器通入电流后,冷端和热端温差-T 从零增大至稳定值-T m a x 的时间叫制冷器的响应时间.响应时间等于热扩散所耗费的时间[5].热扩散时间可用公式t =d 2/D 估算,其中d 为冷端到热端的距离,D 为热电材料的热扩散系数.对于一般半导体制冷器,d 为2m m 以上,响应时间为数十秒.热电制冷器两端电压是塞贝克电压Q S 与电阻电压Q R 之和.塞贝克电压Q S =S -A (4),其中X 称为塞贝克系数,4=0时,温差为零,2<=0;随温差增大,2<增大;当4大于等于响应时间时,温差上升到最大值-T m a x 并保持稳定,Q S 也达到并保持稳定值,即S -T m a x .电阻电压Q R =I R ,用欧姆定律来计算,I 为电流强度,M 为制冷器电阻,电阻电压在通电的瞬间达到稳定值.热电制冷器两端电压降可表示为:2(4,L )%L R &X -A (4)(3) 制冷器上的电压降随时间变化的曲线(Q P t 曲线)如图1所示.电压降在通电瞬间上升到一个拐点,然后经过一段弧线过渡到顶部水平线,电阻电压Q R 为零点到上升沿拐点的垂直距离,塞贝克电压Q S 为弧线的垂直高度,响应时间为弧线的水平长度.图1 制冷器瞬态响应曲线示意图F i g .1 S k e t c hm a p o fT Ec o o l e r t r a n s i e n t r e s po n s e 制冷器在通电时有焦耳热产生,为了避免热量积累造成制冷器的工作温度升高,热端应与热沉连接.周围空气流动也会造成制冷器的工作温度波动,所以测试时还要注意减少空气流动.矩形脉冲电流幅值I P -P 需达到100m A ,一般的信号发生器不能输出这么大的电流,所以我们搭建了测试电路,如图2所示.单片机A T 89C 2051产生一个周期为80s 的脉冲信号,用数模转换器A D 7524对脉冲的幅值Q P -P 调理,以控制输出电流的大小,运放、三极管和电阻M 构成一个恒流源,输出电流幅值I P -P =Q P -P /M .电阻M 使用一组并联电阻,以增加载流能力.这个电路最大可以提供幅值为1A 的恒流脉冲.图2 测试电路框图F i g .2 S c h e m a t i c o f t e s t i n g ci r c u i t 为减小方波的波形失真,电路板设计要注意尽量减小大电流回路的分布电感、电容,如增加大电流线路布线宽度,采用贴片封装电阻.2.2 Z T 值计算公式的推导有热沉稳定制冷器工作温度时,电流从冷端“抽”到热端的热流可表示为[6]:Q %XA L )12L 2R )β="-A(4)上式由三项组成,第一项表示帕尔帖效应形成的热流,S 为S e e b e c k 系数,T 为绝对温度,I 为电流;第二项表示电流流过电阻为M 的制冷器时产生的焦耳热;第三项表示从热端到冷端的热传递,β为热导率,N 为制冷器横截面积,d 为热端到冷端的距离.因为热电材料的电阻较小,而且焦耳热与电流平方成正比,所以当工作电流较小时,我们假设第二项表示的焦耳热可以忽略,这样热流公式简化成Q %XA L )β="-A (5)当温差-T 稳定时,Q =0[7],所以:X A L %β="-T(6)整理后得到:-A %X A L "βN (7)塞贝克电压2<%X -A %X 2A L "βN (8)将Z T=S 2σA /β代入(8)式,2<%X 2A L "β=%X 2σA β×L "=σ=ZT ×Q R (9)得到Z T 值的计算公式:549半导体学报第27卷>Q O 2<2T(10)对阵列式制冷器,2<%2<WI;2T%2T WI式中QS N ,QR N分别为阵列式制冷器两端的总电阻电压和塞贝克电压.阵列式制冷器的Z T值用下式计算:>Q O 2<W2T W(11)测试时热端应与热沉连接,以减小温度波动.测试电流幅值应设定为最大温差对应的电流的1/50,以保证焦耳热为零的假设条件成立.用瞬态响应方法测试电阻电压QR 和塞贝克电压QS的数值,代入(10)或(11)式即可求算Z T值,再将Z T值代入(1)式就得到制冷器能达到的最大制冷温差.3结果及讨论我们使用瞬态方法对天津精易工贸有限公司的T E S1-0801型阵列式热电制冷器进行了测试,该制冷器由四组p-n热电对串联而成,尺寸为4m m×4m m×2.4m m,最佳工作电流为1.2A.环境温度为300K,热端加热沉时,制冷器的瞬态响应曲线如图3所示.由于数据采集卡的零点漂移,我们得到的响应曲线向上浮动了一个零点漂移电压,但因为瞬态方法测量的是电压的相对值,所以零点漂移不影响结果的正确性.图3制冷器T E S1-0801的瞬态响应曲线F i g.3T r a n s i e n t r e s p o n s e c u r v e o fT E S1-0801图中弧线水平长度是20,最低点到拐点的高度是0.1485V,拐点到电压稳定点的高度是0.0586.所以制冷器的响应时间为20s,总的电阻电压和塞贝克电压分别为0.1485和0.0586V,代入(11)式求得Z T值为0.39,最大制冷温差为58.5K.为了验证这种瞬态方法的精度,我们比较了由热电偶和瞬态方法测出的最大制冷温差,两种方法的测试结果分别为57和58.5K,二者相差仅2.5%,说明这种方法可以准确测试热电制冷器性能.另外,也说明在推导Z T值计算公式时,“工作电流较小的情况下焦耳热可以忽略”的假设是成立的.实验中发现去掉热端的热沉会引起Z T值增大,响应时间变长.在环境温度仍为300K,但没有热沉散热的情况下,测得热电臂的Z T值为0.45,响应时间为52s.对这个现象的解释是:无热沉的情况下,焦耳热积累造成制冷器的工作温度升高,塞贝克系数S增大,电导率σ和热导率β下降,使Z T值增大[8];冷端和热端之间的温差是通过空气对流和热电臂的热传导抵消的,加热沉后,热端的一部分热量经过热传导流入热沉,由于热传导的速度明显比热对流快[9],所以与有热沉的情况相比,无热沉时制冷器响应时间会增加.4总结本文介绍了一种可同时测量半导体热电制冷器Z T值、最大制冷温差和响应时间的瞬态方法,这种方法具有装置简单、准确度高的特点,可用于薄膜热电器件测试,另外瞬态方法耗时短,可大大缩短半导体制冷器可靠性测试的周期.在推导Z T值计算公式时,“工作电流较小的情况下焦耳热可以忽略”的假设不影响测试结果的准确性.这种方法不仅可以用于单级制冷器测试,也可用于多级阵列式制冷器测试.参考文献[1]N o l a sG S,S h a r p J,G o l d s m i d H J.T h e r m o e l e c t r i c s:b a s i cp r i n c i p l e sa n dn e w m a t e r i a l sd e v e l o p m e n t s.S p r i n g e rP r e s s,2001[2]M a h a nGD,W o o d sL M.M u l t i l a y e r t h e r m i o n i c r e f r i g e r a t i o n.P h y sR e vL e t t,1998,80:4016[3]Y e r s h o v aL B,G r o m o vG G,D r a b k i nIA.C o m p l e xe x p r e s sT E Ct e s t i n g.P r o co fX X I II n tC o n fo n T h e r m o e l e c t r i c s,L aG r a n d eM o t t e,F r a n c e,2003:504[4]C h r i s L.H e t e r o s t r u c t u r ei n t e g r a t e dt h e r m i o n i cc o o l i n g o fo p t o e l e c t r o n i cd e v i c e s.P h D D i s s e r t a t i o n,U n i v e r s i t y o fC a l i-f o r n i aS a n t aB a r b a r a,2001[5]F a nX i a o f e n g.S i l i c o nm i c r o c o o l e r s.P h DD i s s e r t a t i o n,U n i v e r-s i t y o fC a l i f o r n i aS a n t aB a r b a r a,2002[6]W a n g H o n g j i e,C h e nJ i n c a n.O p t i m a la n a l y s i so f p e r f o r m-a n c ec h a r a c t e r i s t i c so fc o mb i n e ds e m ic o nd u c t o rref r ig e r a t i o ns y s t e m.C h i n e s e J o u r n a l o fS e m i c o n d u c t o r s,2001,22(7):938(i nC h i n e s e)[王宏杰,陈金灿.耦合半导体制冷系统性能特性的优化分析.半导体学报,2001,22(7):938][7]R o w eD M.C R C h a n d b o o ko f t h e r m o e l e c t r i c s.C R C P r e s s,1995[8]X u D e s h e n g.S e m i c o n d u c t o rc o o l i n g a n 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r a =959r A :o r 549r =o -92935r i 33o o 29r A .A5r a n A i 9n 5=954o 7:o r 59A 5i n g 549A 98a r a =959r A i A i n 5r o 76397,a n 75499::935o :54949a 5A i n Si Aa 2A o7i A -36A A 97.Q 49r 9A i A 5a n 39a n 7<99G 93SE o 25a g 9A 6A 975o3a 2362a 59549>Qa n 7549=a L i =6=59=89r a 56r 97i ::9r 9n 39a r 9=9a A 6r 976A i n g a 59A 5i n g A F A 59=3o =8o A 97o :aD D 862A 9g 9n 9r a 5o r a n 7aD A Q3a r 7.Q 495r a n A i 9n 5=954o 7i A A i =829a n 7a 336r a 59,a n 73a nG 96A 975o 59A 554i n :i 2=549r =o 92935r i 33o o 29r A .;na 77i 5i o n ,54i A=954o 7A 89n 7A E 9r F 2i 55295i =9.Q 46A ,i 53a nA 4o r 59n549r 92i a G i 2i 5F 59A 589r i o 7:o r 549r =o 92935r i 33o o 29r A .A 4==×4==×2.4==3o ==9r 3i a 2549r =o 92935r i 33o o 29r i A 59A 5976A i n g 54i A =954o 7.A:i g 6r 9o :=9r i 5>Qo :0.39,=a L i =6=59=89r a 56r 97i ::9r 9n 39o :58.5K ,a n 7r 9A 8o n A 95i =9o :20A i A=9a A 6r 97.K e y w o r d s :549r =o 92935r i 33o o 29r ;5r a n A i 9n 5=954o 7;r 9A i A 5a n 39E o 25a g 9;<99G 93SE o 25a g 9P A C C :6590;0150K ;7360[A r t i c l e I D :0253-4177(2006)05-0944-04*?r o V 935A 688o r 597G F 549<5a 59K 9F D 9E 92o 8=9n 5:o rN a A i 3T 9A 9a r 34o :D 4i n a (W o .2006D N 300404),549W a 5i o n a 2W a 56r a 2<3i 9n 39F o 6n 7a -5i o no :D 4i n a (W o A .50276011,50275026),a n 7549W a 56r a 2<3i 9n 39F o 6n 7a 5i o no :[i a n gA 6?r o E i n 39(W o .N K 2005063)Z D o r r 9A 8o n 7i n g a 654o r .H =a i 2:F 6n :9i 349n @A 96.976.3n T 939i E 9723<9859=G 9r 2005,r 9E i A 97=a n 6A 3r i 85r 939i E 9725W o E 9=G 9r 2005"2006D 4i n 9A 9;n A 5i 5659o :H 2935r o n i 3A 749。