电子线路习题解答
电子线路非线性部分习题解答
电子线路非线性部分习题解答第一章（1-20）第三章（3-5、3-6、3-7、3-8、3-9、3-18、3-22）3-5 试判断下图所示交流通路中，哪些可能产生振荡，哪些不能产生振荡。
若能产生振荡，则说明属于哪种振荡电路。
解：(a) 不振。
同名端接反，不满足正反馈；(b) 能振。
变压器耦合反馈振荡器；(c) 不振。
不满足三点式振荡电路的组成法则；(d) 能振。
但L2C2回路呈感性，ωosc < ω2，L1C1回路呈容性，ωosc > ω1，组成电感三点式振荡电路。
(e) 能振。
计入结电容C b'e，组成电容三点式振荡电路。
(f) 能振。
但L1C1回路呈容性，ωosc > ω1，L2C2回路呈感性，ωosc > ω2，组成电容三点式振荡电路。
3-6 试画出下图所示各振荡器的交流通路，并判断哪些电路可能产生振荡，哪些电路不能产生振荡。
图中，C B、C C、C E、C D为交流旁路电容或隔直流电容，L C为高频扼流圈，偏置电阻R B1、R B2、R G不计。
解：画出的交流通路如图所示。
(a)不振，不满足三点式振荡电路组成法则。
(b) 可振，为电容三点式振荡电路。
(c) 不振，不满足三点式振荡电路组成法则。
(d) 可振，为电容三点式振荡电路，发射结电容C b'e为回路电容之一。
(e) 可振，为电感三点式振荡电路。
(f) 不振，不满足三点式振荡电路组成法则。
3-7 如图所示电路为三回路振荡器的交流通路，图中f01、f02、f03分别为三回路的谐振频率，试写出它们之间能满足相位平衡条件的两种关系式，并画出振荡器电路（发射极交流接地）。
解：(1) L2C2、L1C1若呈感性，f osc < f01、f02，L3C3 呈容性，f osc > f03，所以f03 < f osc < f01、f02。
(2) L2C2、L1C1若呈容性，f osc > f01、f02，L3C3 呈感性，f osc < f03，所以f03 > f osc > f01、f02。
电子线路(I)课后习题第6章练习题参考解答
= −10υ i1 + 10υ i 2 + υ i 3
在图（c ）中
υo = −
=−
Rf R1
υ i1 +
R1 + R f R1
×
R1 + R f R3 R2 υi2 + υi3 × R2 + R3 R1 R2 + R3
100 10 + 100 100 10 + 100 10 υ i1 + υi2 + υi3 × × 10 10 10 + 100 10 10 + 100
υi − υ M = R1 R2 −υ υ − υo υ M = M + M R3 R4 R2
可解得
R2 + R4 +
υo = −
比例系数 Aυ =
R2 R4 R3
R1
υi
=−
100 + 100 +
100 × 100 2 υ i = −104υ i 50
υo = −104 。 υi
RfΒιβλιοθήκη 100 100 100 υ i1 − υ i 2 + 1 + υ i 3 50 50 50 // 50
= −2υ i1 − 2υ i 2 + 5υ i 3
在图（b）中
υo = −
Rf R1
υ i1 +
R1 + R f R1
×
R1 + R f R3 R2 υi2 + υi2 × R2 + R3 R1 R2 + R3
υo 的波形如题图 6-13（c ）所示。 6-25 设一阶 LPF 和二阶 HPF 的通带放大倍数均为 2，通带截止频率分别为 100 Hz 和 2 kHz。试用它们构成一个带通滤波电路，并画出幅频特性。 解：将一阶 LPF 和二阶 HPF 相串联，就构成如题图 6-25（a）所示的带通滤波器。在 电路中 ，
高频电子线路习题答案3
=
444(������������)
(5)半通角c
由c
1 2
g1
(c
)
可得g1
(������������
)
=
2������������ ������
=
2×0.833 22.5/24
=
1.257，查表，������������
=
60°。
3-9 某高频功率放大器，晶体管的理想化输出特性如图 3-25 所示。已知Vcc 12V , Vbb 0.4V ，输入电压 ub 0.4cost(V) ，输出电压 uc 10cost(V) ，试求：
高频输出功率 Po ；(3)集电极损耗功率 Pc ；(4)集电极效率c ；(5)输出回路的谐振电阻 RP 。 题意分析 此题是利用在临界工作状态已知 ICM 、 gcr 、 Vcc 求出 Ucm ，然后根据
cosc (UbZ Vbb ) /Ubm 计算出c ，查表得0 (c ) 、1(c ) ，则可解出各项值。
由于 A 点在 ubemax 与饱和临界线的交点上，放大器工作于临界状态。集电极电流 ic 和 uce
的波形如图 3-25 所示。
(2)根据动态特性可知，集电极电流脉冲的幅值 ICM 600mA ，而
cosc
UbZ Vbb Ubm
0.5 0.4 0.4
0.25
可得c 75.5 ，查表0 (c ) 0.271,1(c ) 0.457 ，则
而Vbb 由 500 mV 变为 112.135 mV。
3-3 某谐振高频功率放大器，已知晶体管饱和临界线斜率 gcr 0.9s ,UbZ 0.6V ，电 源 电 压 Vcc 18V , Vbb 0.5V ， 输 入 电 压 振 幅 Ubm 2.5V ， 集 电 极 电 流 脉 冲 幅 值 ICM 1.8A ，且放大器工作于临界状态。试求：(1)直流电源Vcc 提供的输入功率 P ；(2)
高频电子线路课后答案(胡宴如_狄苏燕)
说明所有习题都是我们上课布置的作业题，所有解答都是本人自己完成，其中难免有错误之处，还望大家海涵。
第2章小信号选频放大器2. 1已知并联谐振回路的厶=1迟C = 2OpF,0 = lOO,求该并联回路的谐振频率九、谐振电阻心及通频带创匕“。
［解］X = 一= = 一1——-=0.0356 X109 Hz = 35.6 MHz2 托应27U>/10^//X20X10-,2FR =Q = 1叫10 H = 22.4kQ = 22.36x10s Q = 22.36kQ卩 i V20xl0-|2FBW（｝7丄=血6小）Hz =35.6xl04Hz = 356kHzQ 1002.2并联谐振回路如图P2. 2所示，已知：C = 300pF.L = 390nH.0 = 100.信号源内阻尺=1009负载电阻&=2OOM1求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。
［解］f 。
a —!= = 一— = 465 kHz2ny/LC 2^90 pH x 300 PF/? =0 =100 390pH =114kQ “ P \ 300 PFR.^RJIRIIR, c s p L=100 RQ//114. kQ//200 kQ=42 kQ O _R — "kQ _42kQ _“ rp J390pH/300 PF 1.14RQB\V Q7 = fJQ e = 465 kHz/37=12.6 kHz2. 3已知并联谐振回路的九=10MHz.C=50pF, B% = 150kHz.求回路的£和0以及 V =600kHz 时电压衰减倍数。
如将通频带加宽为300 kHz,应在回路两端并接一 个多大的电阻？ ［解］ L =——= -------- 丄 ------ =5X 10-67/=5M H (2JT f Q fC (2JTX 10X 106)2X 50X 10-12丄」竺斗6.7BW 01 15OxlO 3<1 z^^2x600xl03 YUofo丿10x10° 丿当 BW <)7 = 300 kHz 时L _ loxio- _333 J B%7300X 10’ 'R«=Q JP = ° -66 7R =Q ・p = --------- 「 ---------- =2」3xl04Q = 21.2kQ卩 尸 27TX1O* x 50x10"由于R 严企■，所以可得R + Rp/? = ^=1(),6k Ox21.2kQ = 212knRp-& 21.2kQ-10.6kQ2.4 并联回路如图P2. 4所示，已知：C = 360pE 厶=280pH. Q=100•厶=50pH ・ zNJN 严心&“心。
电子线路(非线性部分)习题解答
代入 VCEQ 方程中 Vcm = VCC IcmRC = VCC ICQRC
= VCC 2Vcm =VCC 2Icm R L
解得
Vcm 1 V CC 1 V CC， I cm 3 3 RL
即
1 V CC 2 1 V CC 1 1 VCC 3 18 R L 2 3 RL
所以
1 Vcm I cm 156 mW ，PD = VCC ICQ2 = 1.3 W，C = PL/ PD = 12 2 (3)当RL = 5 ，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图 Q3 点，VCEQ3 = 2.75V，ICQ3= 460mA，IBQ3 = 4.6mA， Ibm = 2.4mA 相应的 vCEmin= 1.55V，iCmax= 700mA。 因为 Vcm = VCEQ3 vCEmin = 1.2 V，Icm = iCmax I CQ3 = 240 mA PL
解：(1) RL = 10 时，作负载线(由 VCE = VCC ICRL)，取 Q 在放大区负载线中点，充分 激励， 由图得 VCEQ1 = 2.6V， ICQ1 = 220mA， IBQ1 = Ibm = 2.4mA 因为 Vcm = VCEQ1VCE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V，Icm = I CQ1 = 220 mA
C(b)
PL max( b ) PD
1 4
)的直线 (3)因为直流负载电阻为零，故直流负载线为 CG，交流负载线斜率为(1/ RL MN，当 QC 处于中点时，得 V Vcm = VCEQ = VCC， I cm I CQ CC RL
PL max( c)
高频电子线路习题解答
第一章一、选择题1、LC单振荡回路的矩形系数值与电路参数的大小（）A、有关B、成正比C、成反比D、无关2、图示电路负载为，则输入阻抗为（）A、B、C、D、第二章一、选择题1、高频小信号调谐放大器的级数愈多，其总的通频带（）。
A、愈宽B、愈窄C、不变2、对于高频小信号放大，我们通常采用（）和（）相结合的方式来实现。
A、非线性放大器，集中选频放大器B、非线性放大器，LC谐振回路C、集成线性放大器，集中选频放大器D、集成线性放大器，LC谐振回路3、高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是：（）A、增益太大B、通频带太宽C、晶体管集电结电容的反馈作用D、谐振曲线太尖锐4、为了提高高频小信号谐振放大器的稳定性，通常采用的方法是：（）A、中和法B、失配法C、负反馈方法D、选择小的晶体三极管E、选择特征频率高的三极管5 ．在调谐放大器的LC 回路两端并上一个电阻 R ，可以（）A ．提高回路的Q 值。
B ．加宽放大器的通频带。
C ．增大中心频率。
D ．增加谐振电阻。
6 ．某接收机中放级的中心频率=10.7MHz ，谐振回路的谐振电容 C=51pF 。
当电路产生自激时，采用下述方法之一有可能消除自激而使电路仍能工作，试问哪种方法是无效的。
（）A ．加接中和电容。
B ．回路两端并接一个电阻 R 。
C ．微调电感磁芯，使回路谐振频率略微偏高。
D ．将 51pF 的回路电容换成 47pF ，并重新调整磁芯位置，使之谐振于。
7 ．小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（）A ．增益太大。
B ．通频带太宽。
C ．晶体管集电结电容的反馈作用。
D ．谐振曲线太尖锐。
8 ．双调谐回路小信号谐振放大器的性能比单调谐回路放大器优越，主要是在于（）A ．前者的电压增益高。
B ．前者的选择性好。
C ．前者电路稳定性好。
D ．前者具有较宽的通频带，且选择性好。
第三章一、选择题1、并联型晶振电路中的石英晶体必须作为振荡回路中的（）元件。
A、电感B、电容C、电阻D、短路2、串联型晶体振荡器中，石英晶体作为反馈通路的一个（）元件。
电子线路(非线性部分)第六章课后习题解答
解:要求加到中频放大器输入端调频波的 M ' f = Mf /10, 即w ' m = wm /10, 则 VCO
产生的调频波,其最大角频偏 wm 0 = wm w ' m = AoVcm . 其中 Vcm 为 VCO 的控制电压,即输出解调电压 vo 幅度 V m
由于Vcm=Adw'm,则wmo=wm-w'm=AoAdw'm 即wm=(1+AoAd )w'm=10w'm, 所以AoAd=10-1=9
解:因为当 Vom=1V 时 Vr= η d Vom,所以 Vr=1V,当 Vim 变化 ± 1.5 dB(即自 0.841V 变化到 1.189V)时,Vom 变化 ± 0.05dB(即自 0.994V 变化到 1.006V)表明
1.006V A(vc1)-1 ≤ 0.846, vc1 = ≤ 0.513V 1.189V 0. 0.513V 由于vc1=ArA1(Vr η dVom max), 则A1 ≥ = 85.5 1V 1.006V 0.994V 0.607V 同理, A(vc2)= ≤ 1.182, vc2 ≤ 0.607V,则A1 ≤ = , 101 0.841V 1V 0.994V 可见,可变增益放大器的增益85.5 ≤ A1 ≤ 101因而取A1 = 101可满足题意要求. A(vc1)=
AdA1 AoAF ( s ) 83 ×103 所以,Ho ( s ) = = (s+35.7 ×103) 2 s s 3 Ho ( s ) 83 ×10(s+35.7 ×103) H (s) = = 1 + Ho ( s ) s 2 +85 ×103 s + 2.96 ×109 已知 i (t ) = Mf sin t d i ( t ) ω i (t ) = = Mf cos t = 20π ×103 cos 2π ×103 t (rad / s ) dt 其中ω im=2π × 103 rad / s
高频电子线路课后答案(胡宴如,狄苏燕)
0.55 k
(50 100) 1012 (50 100) 1012
10 106 33.3 1012 2
150 k 32
(50 100) 1012 50 1012
16.7 k
(100 10 4 2) 106 300 1012 10
2.4 并联回路如图 P2.4 所示,已知： C 360 pF, L1 280 μH, Q=100, L2 50 μH, n=N1 / N2 10, RL 1 k 。试求该并联回路考虑到 RL 影响后的通频带及等效谐振电
阻。
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力通根保1据过护生管高产线中工敷资艺设料高技试中术卷资0配不料置仅试技可卷术以要是解求指决，机吊对组顶电在层气进配设行置备继不进电规行保范空护高载高中与中资带资料负料试荷试卷下卷问高总题中体2资2配，料置而试时且卷，可调需保控要障试在各验最类；大管对限路设度习备内题进来到行确位调保。整机在使组管其高路在中敷正资设常料过工试程况卷中下安，与全要过，加度并强工且看作尽护下可关都能于可地管以缩路正小高常故中工障资作高料；中试对资卷于料连继试接电卷管保破口护坏处进范理行围高整，中核或资对者料定对试值某卷，些弯审异扁核常度与高固校中定对资盒图料位纸试置，卷.编保工写护况复层进杂防行设腐自备跨动与接处装地理置线，高弯尤中曲其资半要料径避试标免卷高错调等误试，高方要中案求资，技料编术试写5交、卷重底电保要。气护设管设装备线备置4高敷、调动中设电试作资技气高，料术课中并3试、中件资且卷管包中料拒试路含调试绝验敷线试卷动方设槽技作案技、术，以术管来及架避系等免统多不启项必动方要方式高案，中；为资对解料整决试套高卷启中突动语然过文停程电机中气。高课因中件此资中，料管电试壁力卷薄高电、中气接资设口料备不试进严卷行等保调问护试题装工，置作合调并理试且利技进用术行管，过线要关敷求运设电行技力高术保中。护资线装料缆置试敷做卷设到技原准术则确指：灵导在活。分。对线对于盒于调处差试，动过当保程不护中同装高电置中压高资回中料路资试交料卷叉试技时卷术，调问应试题采技，用术作金是为属指调隔发试板电人进机员行一，隔变需开压要处器在理组事；在前同发掌一生握线内图槽部纸内 故资，障料强时、电，设回需备路要制须进造同行厂时外家切部出断电具习源高题高中电中资源资料，料试线试卷缆卷试敷切验设除报完从告毕而与，采相要用关进高技行中术检资资查料料和试，检卷并测主且处要了理保解。护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
电子线路第二版习题答案
电子线路第二版习题答案电子线路第二版习题答案在学习电子线路的过程中，习题是非常重要的一部分。
通过解答习题，我们可以巩固所学的知识，提高自己的理解能力和解决问题的能力。
然而，有时候我们在自学过程中可能会遇到一些困难，对于一些习题的答案可能无法得到确认。
本文将为大家提供电子线路第二版习题的一些答案，以帮助大家更好地掌握这门课程。
1. 第一章习题答案1) 题目：什么是电子线路？答案：电子线路是由电子元件组成的电路系统，用于控制和传输电信号。
2) 题目：什么是电阻？答案：电阻是电流通过时产生的电压降的一种性质，用来限制电流的大小。
3) 题目：什么是电容？答案：电容是一种存储电荷的元件，其特性是能够存储电荷并在电路中释放。
2. 第二章习题答案1) 题目：什么是直流电路？答案：直流电路是电流方向不变的电路，电流始终保持一个方向。
2) 题目：什么是交流电路？答案：交流电路是电流方向不断变化的电路，电流的方向会周期性地改变。
3) 题目：什么是电压？答案：电压是电势差的一种度量，表示电荷在电路中的能量变化。
3. 第三章习题答案1) 题目：什么是串联电路？答案：串联电路是将电子元件按照一定的顺序连接起来，电流只能沿着一条路径流动。
2) 题目：什么是并联电路？答案：并联电路是将电子元件的两个端点连接在一起，电流可以分流经过不同的路径。
3) 题目：如何计算串联电路的总电阻？答案：串联电路的总电阻等于各个电阻之和。
4. 第四章习题答案1) 题目：什么是电感？答案：电感是一种储存电能的元件，通过电流变化产生电磁感应。
2) 题目：什么是电感耦合？答案：电感耦合是一种通过电感之间的耦合实现信号传输的方式。
3) 题目：如何计算电感的自感系数？答案：电感的自感系数等于电感中储存的磁能与电流的平方成正比。
通过以上的习题答案，相信大家对于电子线路的学习会有更深入的理解。
然而，习题的答案只是一个参考，更重要的是我们自己的思考和探索。
希望大家能够在学习电子线路的过程中不断思考，勇于提出问题，并通过实践来加深对电子线路的理解和应用能力。
电子线路(非线性部分)第四章课后习题解答
4-1如图是用频率为1000kHz 的载波信号同时传输两路信号的频谱图。
试写出它的电压表达式，并画出相应的实现方框图。
计算在单位负载上的平均功率P av 和频谱宽度BW AM 。
解：(1)为二次调制的普通调幅波。
第一次调制：调制信号：F =3kHz载频：f 1=10kHz ，f 2=30kHz第二次调制：两路已调信号叠加调制到主载频f c =1000kHz 上。
令Ω=2π ×3×103rad/sω1=2π ×104rad/sω2=2π ×3×104rad/sωc =2π ×106rad/s第一次调制：v 1(t )=4(1+0.5cos Ωt )cos ω1tv 2(t )=2(1+0.4cos Ωt )cos ω2t第二次调制：v O (t )=5cos ωc t + [4(1+0.5cos Ωt )cos ω1t +2(1+0.4cos Ωt )cos ω2t ]cos ωc t=5[1+0.8(1+0.5cos Ωt )cos ω1t +0.4(1+0.4cos Ωt )cos ω2t ]cos ωc t(2) 实现方框图如图所示。
(3) 根据频谱图，求功率。
1○载频为10kHz 的振幅调制波平均功率V m01=2V ，M a1=0.5W 5.4)211(2W 22121a 01av1201m 01=+===M P P V P ；2○f 2=30kHz V m02=1V ，M a2=0.4W 08.1)211(2W 5.02122a 02av2202m 02=+===M P P V P ；3○主载频f c =1000kHz V m0=5VW 5.122120m 0==V P 总平均功率P av =P 0+P av1+P av2=18.08W4○BW AM 由频谱图可知F max =33kHz得BW AM =2F =2(1033−1000)=66kHz4-3试画出下列三种已调信号的波形和频谱图。
高频电子线路习题解答
第一章一、选择题1、LC单振荡回路的矩形系数值与电路参数的大小（）A、有关B、成正比C、成反比D、无关2、图示电路负载为，则输入阻抗为（）A、B、C、D、第二章一、选择题1、高频小信号调谐放大器的级数愈多，其总的通频带（）。
A、愈宽B、愈窄C、不变2、对于高频小信号放大，我们通常采用（）和（）相结合的方式来实现。
A、非线性放大器，集中选频放大器B、非线性放大器，LC谐振回路C、集成线性放大器，集中选频放大器D、集成线性放大器，LC谐振回路3、高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是：（）A、增益太大B、通频带太宽C、晶体管集电结电容的反馈作用D、谐振曲线太尖锐4、为了提高高频小信号谐振放大器的稳定性，通常采用的方法是：（）A、中和法B、失配法C、负反馈方法D、选择小的晶体三极管E、选择特征频率高的三极管5 ．在调谐放大器的LC 回路两端并上一个电阻R ，可以（）A ．提高回路的Q 值。
B ．加宽放大器的通频带。
C ．增大中心频率。
D ．增加谐振电阻。
6 ．某接收机中放级的中心频率=10.7MHz ，谐振回路的谐振电容C=51pF 。
当电路产生自激时，采用下述方法之一有可能消除自激而使电路仍能工作，试问哪种方法是无效的。
（）A ．加接中和电容。
B ．回路两端并接一个电阻R 。
C ．微调电感磁芯，使回路谐振频率略微偏高。
D ．将51pF 的回路电容换成47pF ，并重新调整磁芯位置，使之谐振于。
7 ．小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（）A ．增益太大。
B ．通频带太宽。
C ．晶体管集电结电容的反馈作用。
D ．谐振曲线太尖锐。
8 ．双调谐回路小信号谐振放大器的性能比单调谐回路放大器优越，主要是在于（）A ．前者的电压增益高。
B ．前者的选择性好。
C ．前者电路稳定性好。
D ．前者具有较宽的通频带，且选择性好。
第三章一、选择题1、并联型晶振电路中的石英晶体必须作为振荡回路中的（）元件。
A、电感B、电容C、电阻D、短路2、串联型晶体振荡器中，石英晶体作为反馈通路的一个（）元件。
现代电子线路基础(新版教材)答案
第六章习题答案6.1 在题图6.1所示调谐放大器中，工作频率f o =10.7MHz,L 1-3=4μH,Q o =100, N 1-3=20匝, N 2-3=5匝, N 4-5=5匝,晶体管3DG39在f o =10.7MHz 时测得g ie =2860μS,C ie =18pF, g oe =200μS, C oe =7pF,|y fe |= 45mS,y re =0,试求放大器的电压增益A vo 和通频带BW 。
解：25.02053~13~21===N N P ， 25.02053~15~42===N N P 总电容pF 4.55)L *)f 2/((1C 20==∑πLC 振荡回路电容pF 8.53C p C p C C ie 22oe 21=--=∑ LC振荡回路固有谐振频率'0f ==10.85(MHz)固有损耗电导：''600036.710()0011g S Q L2Q f Lωπ-===⨯ 22262661200.25200100.2528601036.7100.228()oe ie G P g P g g mS ---∑=++=⨯⨯+⨯⨯+⨯=116.32L 0Q G Lω∑==)KHz (6563.167.10Q f B L 0W ===， 1210228.0104525.025.0G |y |P P A 63fe 210V -=⨯⨯⨯⨯-=-=--∑ 注：由上述计算可以看出，'0f 和0f 相差不大，即部分接入后对谐振频率影响较小，但概念要清楚。
另外，这里给出了fe y （即认为是m g ）不要通过EQ I 来计算m g 。
6.2 题图6.2是某中放单级电路图。
已知工作频率f o =30MHz,回路电感L =1.5μH, Q o =100,N 1/N 2=4,C 1~C 4均为耦合电容和旁路电容。
晶体管在工作条件下的y 参数为ie (2.8j3.5)mS y =+； re 0y ≈ fe (36j27)mS y =- oe (0.2j2)mS y =+ 试解答下列问题：(1) 画出放大器y 参数等效电路； (2) 求回路谐振电导g Σ； (3) 求回路总电容C Σ；(4) 求放大器电压增益A vo 和通频带BW ；(5) 当电路工作温度或电源电压变化时, A vo 和BW 是否变化？解：(1) y 参数等效电路如上图： (3) 由0f =22262121118784431415103010C .(pF )Lf ..∑π-===⨯⨯⨯⨯⨯ (2) 11=P ， 25.041122===N N P 由y 参数得)(58.1810302105.363pF C ie =⨯⨯⨯=-π，)(6.101030210263pF C oe =⨯⨯⨯=-π 2221218781060251858702oe ie C C P C P C .....(pF )∑=--=--⨯=491'o f .(MHz )===固有损耗电导：6066001112161022314100491101510''o o g .(S )Q LQ f L ...ωπ--====⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯ 22323612002100252810214100396oe ie G P g P g g .....(mS )---∑=++=⨯+⨯⨯+⨯= (4) 36601189039610230101510L Q .G L..ωπ--∑===⨯⨯⨯⨯⨯⨯03033789W L f B .(MHz )Q .=== 31203102510284039610fe V PP |y |.A .G .--∑⨯=-=-=-⨯(5) 当电路工作温度或电源电压变化时，会引起y 参数变化，从而vo A 和BW 会发生变化。
高频电子线路-第6章习题解答
习 题6.1 已知调角信号V )1022cos 10302cos(5)(36t t t u ⨯⨯+⨯⨯=ππ,试求：(1) 如果)(t u 是调频波，试写出载波频率c f 、调制信号频率F 、调频指数f m 、最大频偏m f ∆。
(2) 如果)(t u 是调相波，试写出载波频率c f 、调制信号频率F 、调相指数p m 、最大频偏m f ∆。
解：（1）30MHz c f =，2kHz F =，1rad f m =，2kHz m f ∆=； （2） 同上6.2 已知调频波为72()4cos(2105sin 2610)V FM u t t t ππ=⨯+⨯⨯，调频灵敏度Hz/V 105.13⨯=f k ，试写出调制信号的表达式。
解：根据72()4cos(2105sin 2610)V FM u t t t ππ=⨯+⨯⨯，可知25sin 2610()t rad φπ∆=⨯⨯，2232d ()()52610cos 26102310cos 2610(/)d t t t t rad s tϕωππππ∆∆==⨯⨯⨯⨯⨯=⨯⨯⨯⨯32()310cos 2610()f t t Hz π∆=⨯⨯⨯3223()310cos 2610()2cos(2610)V 1.510f f t t u t t k ππΩ∆⨯⨯⨯===⨯⨯⨯ 6.3 设：载波为V )10202cos(106t ⨯⨯π；调制信号的变化形式为3sin(2210)V t π⨯⨯。
如果调频后的最大频偏为10KHz,试写出调频波的表示式。
解：由于调制信号的变化形式为3sin(2210)V t π⨯⨯，于是调频后瞬时角频率的变化形式也为3sin(2210)(/)t rad s π⨯⨯，而最大频偏为10KHz ，所以有：33()21010sin(2210)(/)t t rad s ωππ∆=⨯⨯⨯⨯，3333021010()()d cos(2210)5cos(2210)()2210tt t t t t rad πϕωπππ⨯⨯∆=∆=-⨯⨯=-⨯⨯⨯⨯⎰ 63()10cos(220105cos 2210)V FM u t t t ππ=⨯⨯-⨯⨯6.5 已知调频波V )10502cos 10102cos(8)(38t t t u FM ⨯⨯+⨯=ππ，试问：(1) 最大频偏及调频波带宽分别是多少？(2) 若保持调制信号振幅不变，将调制信号频率提高一倍，最大频偏及调频波带宽将如何改变？(3) 若保持调制信号频率不变，将调制信号振幅提高一倍，最大频偏及调频波带宽将如何改变？(4) 若调制信号振幅和频率同时提高一倍，最大频偏及调频波带宽将如何改变？ 解：(1) 从调频波表达式V )10502cos 10102cos(8)(38t t t u FM ⨯⨯+⨯=ππ， 可知10f m rad =，35010F Hz =⨯，因此500kHz m f f m F ∆=⋅=，2()1100kHz m BW f F =∆+=;(2) 若保持调制信号振幅不变，则最大频偏m f ∆不变，500kHz m f ∆=，但由于调制信号频率F 提高一倍，310010F Hz =⨯，因此2()1200kHz m BW f F =∆+=;(3) 若调制信号振幅提高一倍，则最大频偏m f ∆提高一倍，1000kHz m f ∆=,而调制信号频率不变，35010F Hz =⨯，所以2()2100kHz m BW f F =∆+=；(4) 若调制信号振幅和频率同时提高一倍，则最大频偏m f ∆与调制信号频率F 都将提高一倍，1000kHz m f ∆=,310010F Hz =⨯，2200kHz BW =）6.6 如果一个调相波)(t u PM 具有与上题同样的信号表达式，试问：(1) 最大频偏及调相波带宽分别是多少？(2) 若保持调制信号振幅不变，将调制信号频率提高一倍，最大频偏及调相波带宽将如何改变？(3) 若保持调制信号频率不变，将调制信号振幅提高一倍，最大频偏及调相波带宽将如何改变？(4) 若调制信号振幅和频率同时提高一倍，最大频偏及调相波带宽将如何改变？ 解： (1) 从调相波表达式V )10502cos 10102cos(8)(38t t t u FM ⨯⨯+⨯=ππ，可知10p m rad =，35010F Hz =⨯，因此500kHz m p f m F ∆=⋅=，2(1)1100kHz p BW m F =+=，;(2) 若保持调制信号振幅不变，则调相指数p m 不变，但由于调制信号频率F 提高一倍，310010F Hz =⨯，因此m p f m F ∆=也提高一倍，1000kHz m f ∆=,2(1)2200kHz p BW m F =+=;(3) 若调制信号振幅提高一倍，则调相指数p m 提高一倍，因此m p f m F ∆=也提高一倍，1000kHz m f ∆=,而调制信号频率不变，35010F Hz =⨯， 2100kHz BW =;(4) 若调制信号振幅和频率同时提高一倍，则调相指数p m 与调制信号频率F 都将提高一倍，因此m p f m F ∆=将变为原来的4倍，2000kHz m f ∆=， 而2()4200kHz m BW f F =∆+=6.7 如题6.7图所示，在反馈型振荡器中插入可控相移网络)(ωj H p ，构成直接调频电路。
电子线路1第一章习题解答
2
解： （1） N a
3 10
14
n N
14
d
p
14
n 2 10
2
p p 10
n
np n i n 10
2
14
n 5 . 76 10
26
0
26
14 14 2 n 10 10 4 5 . 76 10 2 14 3 p 1 . 05 10 cm
VD2：VAB2＝VA－VB2＝15V－（－10V） ＝25V
二极管接入以后，因VD2承受的正向电压较VD1 高，优先导通；使A点的电位
VA ＝VB2 ＋VD2（on） ＝－10V ＋0.7V＝－9.3V。
D1因承受电压而截止。
故 VO＝VA＝－9.3V
1-28 图题1-28所示电路中稳压管的稳压 值为6V，稳定电流为10mA，额定功率为 200mW，试问 （1）当电源电压在18V至30V范围内变化 时，输出Vo＝？，稳压管是否安全？ （2）若将电源电压改为5V，Vo＝？ （3）要使稳压管起稳压作用，电源电压 的大小应满足什么条件？
则有 或
杂 本
238 10
5
本 杂
4 . 23 10
8
1-21 在室温（300K）情况下，若二极管 的反向饱和电流为1nA，问它的正向电流 为0.5mA时应加多大的电压。设二极管的 指数模型为,其中m＝1，VT＝26mV。
解： 由
vD v
I I s (e
VT
1 ) 5 10
5 . 76 10
12
cm
3
p n
通信电子线路习题解答
思考题与习题2-1 列表比较串、并联调谐回路的异同点（通频带、选择性、相位特性、幅度特性等）。
表2.12-2 已知某一并联谐振回路的谐振频率f p =1MHz ，要求对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，问该并联回路应如何设计？为了对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，回路的通频带必须小于20kHz 。
取kHz B 10=，2-3 试定性分析题图2-1所示电路在什么情况下呈现串联谐振或并联谐振状态？题图2-1图（a ）：22111111L C L C L oωωωωω-+-=图（b ）：22111111C L C L C oωωωωω-+-=图（c ）：22111111C L C L C oωωωωω-+-=2-4 有一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？PoQ f B 2=, 当L 、C 不变时，0f 不变。
所以要使B 增宽只要P Q 减小。
而CLR Q pP =，故减小P R 就能增加带宽 2-5 信号源及负载对谐振回路有何影响，应如何减弱这种影响？对于串联谐振回路（如右图所示）：设没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值为o Q ，则：RLQ o o ω=设接入信号源内阻和负载电阻的Q 为L Q 值，则：RR R R Q R R R L Q Ls L++=++=1Ls o L ω 其中R 为回路本身的损耗，R S 为信号源内阻，R L 为负载电阻。
由此看出：串联谐振回路适于R s 很小（恒压源）和R L 不大的电路，只有这样Q L 才不至于太低，保证回路有较好的选择性。
对于并联谐振电路（如下图所示）：设接入信号源内阻和负载电阻的Q 值为L Q由于没有信号源内阻和负载接入时的Q 值为由式（2-31）可知，当R s 和R L 较小时，Q L 也减小，所以对并联回路而言，并联的电阻越大越好。
因此并联谐振回路适于恒流源。
2-6 已知某电视机一滤波电路如题图2-2所示，试问这个电路对什么信号滤除能力最强，对什么信号滤除能力最弱，定性画出它的幅频特性。
电子线路第三章答案
《模拟电子线路》课程教案内容：第三章习题解答3－1放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝？答：由G P＝10lgA P，得G P＝10lg100＝10×2＝20dB。
3－2 假如输入电压为20mV，输出电压为2V，问放大器的电压增益是多少分贝？答：因为A V＝V O/V i＝2V÷20mV＝2000÷20＝100，而G V＝20lgA V所以G V＝20lg100＝40 dB。
3－3 假如输入信号电压为V i＝0.02V，电流I i＝1.0mA；输出电压V O＝2V，电流I O＝0.1A。
问放大器的电压、电流增益和功率增益各为多少分贝？答：因为A V＝2V÷0.02V＝100，A i＝0.1A÷1mA＝100÷1＝100，Ap＝A V×A i＝104所以G V＝20lgA V＝20lg100＝40 dBG i＝20lgA i＝20lg100＝40 dBG P＝10lgA P＝10lg104＝40 dB3－4 电压增益是－60dB，试问它的电压放大倍数是多少？该电路是放大器吗？答：由G V＝20lgA V得A V＝10（GV/20）＝10（－60/20）＝10－3＝0.001。
该电路不是放大器而是衰减器。
3－5 画出由PNP型管接成的共发射极交流放大电路，并标出静态电流方向和静态管压降（V CEQ）的极性。
答：PNP型管接成的共发射极交流放大电路如右图所示。
静态管压降（V CEQ）的极性为上负下正。
3－6 什么是“非线性失真”？放大电路为什么要设置适宜的静态工作点？答：因为放大电路本身的非线性所造成的输出信号波形失真称为非线性失真。
放大电路假如不设置适宜的静态工作点，信号放大时就可能使晶体三极管进入饱和区或截止区，产生非线性失真。
所以放大电路必须设置适宜的静态工作点。
3－7 用图3.0.1所示方法调整静态工作点有什么错误？应如何改正？画出准确的电路图。
(完整版)通信电子线路五章习题解答
5-18 试说明石英晶体振荡器的频率稳定度为什么比较高？解答：石英晶体振荡器频率稳定度高的原因是：1、石英晶体的物理和化学性能都十分稳定，它的等效谐振回路有很高的标准性；2、在谐振频率附近，晶体的等效参数L q很大，C q很小，r q也不高，晶体的Q值可高达数百万量级。
3、在串、并联谐振频率之间很窄狭的工作频带内，具有极陡峭的电抗特性曲线，因而对频率变化具有极灵敏的补偿能力。
5-19 石英晶体振荡器的振荡频率基本上是由石英晶体的工作频率所决定，那么振荡回路的L、C参数是否可以随意选择？为什么？解答：不能。
L，C参数决定了电路的振荡频率。
石英晶体要么工作在感性区间，要么工作在它的串联谐振频率上，不能使用容性区。
如果振荡器电路设计在晶体呈现电容性时产生振荡，就不能保证频率稳定作用。
5-20 试说明影响振荡器相位平衡条件的主要因素，指明提高振荡器频率稳定度的途径。
解答：影响振荡器相位平衡条件的主要因素有：1、振荡回路参数L、C的变化。
2、回路品质因素Q值的影响。
3、有源器件参数变化的影响。
提高频率稳定度的途径有：1、减小外因变化，即减小温度、电源电压变化，采用恒温，稳压；减小湿度、大气压力，磁场感应，机械振动等影响，采用密封、屏蔽、减振等方法；减小负载的影响，采用射随隔离，松耦合等方式；2、提高回路标准性，采用优质器件；3、减小相角 YF及其变化量 YF，采用电容三端型电路。
5-21 振荡器的幅度不稳定，是否也会引起频率的不稳定，为什么？5-22 已知某广播发射机的主振电路如题图5-7所示，试求：(1) 画出交流等效电路；(2) 说明各主要元器件的作用；(3) 电路采用了哪几种稳频措施。
题图5-7解答：（1）等效电路如下图所示。
C 2C 1 300pF（2）采用的稳频措施有：① 二次稳压；②采用了恒温槽；③采用晶振电容三端电路；④采用10K 和1200p 形成松耦合，输出由下一级射随输出。
5-23画一个用运放电路组成的文氏电桥振荡电路，并说明图中各元件的作用。
电子线路董尚斌编_课后答案超全
《电子线路（I ）》 董尚斌编课后习题（1到7章）第1章1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。
在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22300-=与温度有关。
杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。
在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2i n 或正比，即与温度有很大的关系。
若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。
1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。
1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。
漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。
1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。
而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
（1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。
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第二章 放大器基础
习题 2.12
vo g m ( R1 R2 ) 2.12 解：Av 0.63 vi 1 g m ( R1 R2 )
vo iD ( R1 R2 ) g mvGS ( R1 R2 )
vi vGS vo [1 g m ( R1 R2 )]vGS
绪论
习题1
解：如图所示，有：
I 4 I1 I 3 0 I I I 0 2 3 5 I1 I 2 I 6 0 1 2 I1 R1 I 4 r1 I 6 r2 0 2 3 I 2 R2 I 6r2 I 5 r3 0 I1 R1 I 2 R2 I 3 R3 0
I BQ
I CQ h fe
1.68 0.028mA 28A 60
直流通路
教材 P132
第二章 放大器基础
习题 2.7
26mV ② hie 200 (1 60) 1144 1.1k 1.68mA RL 60 2.55k Av h fe 139 R R C //R L L hie 1.1k
直流通路
教材 பைடு நூலகம்130
第二章 放大器基础
习题 2.7
R B2 VCC 4.4V 2.7 解：① VBQ R B1 R B2 VBQ VBEQ 4.4 0.7 I CQ I EQ 1.68mA RE 2.2
VCEQ = VCC－ICQ(RC + RE) ≈ 5.74V
解得： I1 2A
I 2 3A
I 3 1A
绪论
习题1
1 2 I1 R1 ( I1 I 3 )r1 ( I 2 I1 )r2 0 或 2 3 I 2 R2 ( I 2 I1 )r2 ( I 2 I 3 )r3 0 I R I R I R 0 2 2 3 3 1 1
第一章 半导体器件的特性
习题 1.12
1.12 解： h fe
h fb 1 h fb
0.98 49 1 0.98
IC 10mA IB 0.2mA 200A h fe 49
教材 P52
第二章 放大器基础
习题 2.1
第二章 放大器基础
2.1 解：(a) 不能正常放大；基极直流对地短接； (b) 不能正常放大，输入端交流短路； (c) 不能正常放大，C结反偏不能满足； (d) 不能正常放大，VGS＜0不能满足。
AV h fe RL hie (1 h fe ) RE1 9.17
I CQ
教材 P134
第二章 放大器基础
习题 2.10
Ri RB1 // RB 2 //[ hie (1 h fe ) RE1 ] 8.18k
Ro RC 3k
教材 P134
I R5
2 I1 I 2 I 3 A 13
第一章 半导体器件的特性
习题 1.2
第一章 半导体器件的特性 1.2解： (1) 由 iD I R ( sat) (e
vD
vD vT
1) 得：
当 iD 0.95I R ( sat) 时
e
vT
0.05 vD 77.89mV
解得： I1 2A
I 2 3A
I 3 1A
绪论
习题2
电路如图所示，已知 1 12V 2 9V ， ， 2、 3 8V， r1 r2 r3 1 ， R5 3 ， R1 R2 R3 R4 2 。求通过 R5 的电流 有多大？
绪论
h fe RL Av 5.1 hie hie ( 1) RB 2 RB1
26 hie 200 (1 60) 1257 1.26k 1.5
Ri RB 2 RB1 // hie
39k 1.26k 40k
Ro RC 5.1k
电子学基础习题解答
教材:《电子线路》(第四版) 梁明理 邓仁清 主编
制作：王林炜
绪论
习题1
绪论 1、图中 1=6V，r1=0.2Ω， 2=4.5V，r2=0.1Ω，
3 =2.5V，r3=0.1Ω，R1=0.5Ω，R2=0.5Ω，
(用基尔霍夫定理求解)
R3=2.5Ω，求通过电阻R1、R2、R3的电流。
Ro1 RC
(1 h fe ) RE vo 2 AV 2 vi hie (1 h fe ) RE
( RS // RB1 // RB 2 ) hie Ro 2 RE // 1 h fe
② 当 RC RE 时， vo1 vo 2 即 vo1 和 vo 2 振幅相等，相位相反。
Ri = hie // RB1 // RB2 ≈ hie = 1.1kΩ Ro = RC = 5.1kΩ
教材 P132
第二章 放大器基础
习题 2.8
2.8 解：I BQ
VCC VBEQ RB (1 h fe ) RE
15V 0.7V 250k (1 50) 5.1k 0.028mA 28A
教材 P134
第二章 放大器基础
习题 2.10
2.10 解： ① VBQ
I CQ
R B2 VCC 4.8V R B1 R B2
4.8 0.7 I EQ 2.4mA 1.5 0.2
VCEQ = VCC－ICQ(RC + RE1+ RE2) ≈ 3.72V
2.4mA I BQ 0.048mA 48A h fe 50 ② hie 200 (1 50) 26mV 752.5 0.75k 2.4mA
I CQ h fe I BQ 50 0.028mA 1.4mA
VCEQ VCC I CQ RE 15V 1.4mA 5.1k 7.68V
教材 P132
第二章 放大器基础
习题 2.8
hie rbb (1 h fe )
26 I CQ
200 (1 50)
绪论
习题2
③ 叠加定理求解：
I1
1
R1 r1 R3 1 G1 G2
G1 12 A G1 G2 13
I2
2
r2 R5 1 G2 G3
18 A 13
I3
3
R2 r3 R4 1 G1 G3
G1 8 A G1 G3 13
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.2
2.2 解：
(a)
(b)
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.4
2.4 解：由教材P132图P2.3(b)知：
I BQ VBB VBEQ RB 1.5V 0.7V 0.05mA 16k
I CQ h fe I BQ 38 0.05mA 1.9mA
rs Rab 3.5
rs // R5 7 2 2 I R5 I s A A 0.154A R5 13 7 13
绪论
习题2
③ 叠加定理求解：
G1 1 0.25S r2 R5
1 G2 0.2S R2 r3 R4 1 G3 0.2S R1 r1 R3
Ro RC 5.1k
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.5
VCC 0.7 0.7 0.025mA 25A ② 带负载RL时， I B RB1 RB 2
IC = hfeIB = 1.5mA
VCE VCC
VCE ( I C ) RC VCE 4.87V RL
1.9mA h fe 38 I BQ 0.05mA 26 hie 200 (1 38) 733.7 1.9
I CQ
Av
h fe RC RB hie
38 2 4.54 16 0.7337
Ri RB hie 16.7k
Ro RC 2k
(c)
(d)
教材 P51
1.6 解：
第一章 半导体器件的特性
习题 1.7
1.7 解：
教材 P51
第一章 半导体器件的特性
习题 1.9
1.9 解：(1)
V1 VZ VZ 15V 6V 6V IZ 13mA R RL 0.5k 2k
I Z min I Z I Z max ∴电路能正常工作 vo VZ 6V
vi Ri RB // RB //[ hie (1 h fe ) RE ] 103k ib
Ro RE // ( RS // RB ) hie 43 1 h fe
教材 P132
第二章 放大器基础
习题 2.9
2.9 解：①
h fe RC vo1 AV 1 vi hie (1 h fe ) RE
1.26k
直流通路
教材 P130
第二章 放大器基础
习题 2.5
h fe RC ib hie AV 7.6 {vi ib hie ( ib ) RB 2 } hie RB1 hie ( 1) RB 2 RB1
Ri RB 2 RB1 // hie 39k 1.26k 40k
(2)
V1 VZ VZ 10V 6V 6V IZ 0.5mA R RL 0.5k 0.8k
I Z I Z min
∴电路不能正常工作
(3) I Z