半导体三极管β值测量仪
XJ4810晶体管特性图示仪 说明书
XJ4810晶体管特性图示仪说明书晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示：1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
三极管的测量方法
三极管的测量方法一、三极管的基本结构和原理三极管是一种半导体器件，由P型半导体和N型半导体组成。
它有三个区域，即发射区、基区和集电区，分别对应P型半导体、N型半导体和P型半导体。
其工作原理是通过控制基极电压来控制集电电流，实现信号放大或开关控制。
二、三极管的分类根据结构不同，三极管可以分为晶体管、场效应晶体管等类型。
其中晶体管又可分为PNP型和NPN型两种。
三、三极管的测量方法1. 静态参数测试静态参数测试主要包括测量三极管的放大倍数β值、截止频率fT值等参数。
具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。
（2）调整测试仪器，使其处于静态参数测试模式下。
（3）给定基极电压Vbe和集电电压Vce，并记录对应的集电电流Ic。
（4）根据公式计算出β值和fT值。
2. 动态特性测试动态特性测试主要包括测量三极管的增益带宽积、输入输出阻抗等参数。
具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。
（2）调整测试仪器，使其处于动态特性测试模式下。
（3）给定输入信号，并记录对应的输出信号。
（4）根据公式计算出增益带宽积和输入输出阻抗。
3. 温度特性测试温度特性测试主要是测量三极管在不同温度下的工作情况，以评估其稳定性和可靠性。
具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。
（2）调整测试仪器，使其处于温度特性测试模式下。
（3）逐步升高或降低环境温度，并记录对应的电气参数值。
（4）根据记录数据分析出三极管的温度特性。
四、注意事项1. 选择合适的测试仪器和设备，确保测量精确可靠。
2. 在进行动态特性测试时，需要注意输入信号和输出信号之间的匹配问题，以避免误差产生。
3. 在进行温度特性测试时，需要控制好环境温度变化速率，以免影响测试结果。
4. 测量过程中需要注意安全问题，避免发生意外事故。
五、总结三极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
对其进行准确可靠的测量和评估，有助于提高电路的性能和稳定性。
常用PNP三极管参数
常用PNP三极管参数PNP三极管是一种常用的半导体器件，常被用于电子电路中的放大、开关、稳压等功能。
了解其常用参数对于理解和应用该器件是非常重要的。
1.电流放大倍数（β值）：PNP三极管的电流放大倍数指的是集电极电流（Ic）与基极电流（Ib）之间的比值。
它是指三极管的放大能力，一般值在10～500之间，不同型号的三极管有不同的β值。
2. 最大集电极电流（Ic max）：指在特定工作条件下，三极管所能承受的最大电流值。
超过该值后会导致器件过热甚至损坏。
3. 最大集电极-基极电压（Vce max）：指在特定工作条件下，三极管集电极与基极之间所能承受的最大电压值。
超过该值后会导致器件击穿。
4. 饱和区和截止区：PNP三极管有两个特殊的工作区域。
饱和区指的是当基极电流（Ib）足够大，使得集电极电压（Vce）很小甚至接近零时，三极管处于饱和状态。
截止区指的是当基极电流（Ib）非常小且集电极电压（Vce）较大时，三极管处于截止状态。
5.输入电压偏置和输出电压偏置：PNP三极管的工作需要正确定义基极和发射极之间的电压偏置。
输入电压偏置指的是基极电压与发射极电压之间的差值，输出电压偏置指的是集电极电压与发射极电压之间的差值。
6. 最大功率（Pmax）：指三极管能够承受的最大功率。
超过该值后会导致器件过热甚至损坏。
7.最大工作频率（fT）：指能够在频率上最大工作的三极管。
这个参数对于高频应用非常重要。
它取决于三极管内部结构和材料的特性。
8. 热电阻（θja）：指三极管的热耦合特性，即用于散热时三极管芯片与环境间的温度差。
热阻越小，散热效果越好，越有利于保护器件。
9.尺寸和引脚布局：PNP三极管通常有标准的引脚布局，如基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
这些尺寸和引脚布局使得三极管易于焊接和安装。
10. 各种参数受到温度影响：PNP三极管的性能受到温度的影响。
特别是电流放大倍数（β值）和最大集电极电流（Ic max）会随着温度的变化而变化。
三极管的概念
三极管的概念
三极管的概念：
三极管，也称为双极型晶体管或晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
其主要功能是将微弱信号放大成幅度值较大的电信号，同时也用于实现无触点的开关操作。
三极管通常由一个N型半导体和一个P型半导体组成的两个PN结构成，这两个PN结将半导体基片分割成三个区域：基区、发射区和集电区。
基区位于中间，两侧分别为发射区和集电区。
三极管的结构包括三个端子，分别是基极（用字母b表示）、集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。
这些端子允许电流从一个区域流向另一个区域，从而实现了信号的放大和切换功能。
三极管的工作状态可以是放大状态，此时它起到放大作用；也可以是饱和状态，这时它可以作为开关使用。
三极管是电子电路的核心元件，广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、振荡器、开关电路以及稳压器等。
此外，根据三极管的类型不同，可以分为NPN型和PNP型。
在使用三极管时，可以通过对其电流放大系数的测量来确定其好坏，这个系数通常用符号β表示。
总结来说，三极管是一种能够控制电流的半导体设备，主要用于信号放大和开关应用，它是电子学中最基本的组件之一。
半导体器件综合测试实验报告
半导体器件综合测试实验报告1实验⽬的了解、熟悉半导体器件测试仪器，半导体器件的特性，并测得器件的特性参数。
掌握半导体管特性图⽰仪的使⽤⽅法，掌握测量晶体管输⼊输出特性的测量⽅法；测量不同材料的霍尔元件在常温下的不同条件下（磁场、霍尔电流）下的霍尔电压，并根据实验结果全⾯分析、讨论。
2实验内容测试3AX31B、3DG6D的放⼤、饱和、击穿等特性曲线，根据图⽰曲线计算晶体管的放⼤倍数；测量霍尔元件不等位电势，测霍尔电压，在电磁铁励磁电流下测霍尔电压。
3实验仪器XJ4810图⽰仪、⽰波器、三极管、霍尔效应实验装置。
4实验原理4.1三极管的主要参数4.1.1 直流放⼤系数共发射极直流放⼤系数ββ=-( 4-1)(I I)/IC CEO B时，β可近似表⽰为当I IC CEOβ=( 4-2)I/IC B4.1.2 交流放⼤系数共发射极交流放⼤系数β定义为集电极电流变化量与基极电流变化量之⽐，即CE CBv i i β=?=?常数( 4-3)4.1.3 反向击穿电压当三极管内的两个PN 结上承受的反向电压超过规定值时，也会发⽣击穿，其击穿原理和⼆极管类似，但三极管的反向击穿电压不仅与管⼦⾃⾝的特性有关，⽽且还取决于外部电路的接法。
4.2霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作⽤⽽产⽣电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒⼦在磁场中受洛仑兹⼒的作⽤⽽引起的偏转。
当带电粒⼦（电⼦或空⽳）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的⽅向上产⽣正负电荷在不同侧的聚积，从⽽形成附加的横向电场。
图4-1 霍尔效应⽰意图如图4-1所⽰，磁场B 位于Z 的正向，与之垂直的半导体薄⽚上沿X 正向通以电流sI （称为控制电流或⼯作电流），假设载流⼦为电⼦（N 型半导体材料），它沿着与电流s I 相反的X 负向运动。
由于洛伦兹⼒L f 的作⽤，电⼦即向图中虚线箭头所指的位于y 轴负⽅向的B 侧偏转，并使B 侧形成电⼦积累，⽽相对的A 侧形成正电荷积累。
XJ4810图示仪使用说明
3.7 XJ4810 半导体管特性图示仪概述：XJ4810 型半导体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。
本仪器主要由下列几个部分组成：Y 轴放大器及X 轴放大器；阶梯信号发生器；集电极扫描发生器；主电源及高压电源部分。
本仪器是继JT－l 型晶体管特性图示仪后的开发产品。
它继承JT－l 的优点，并有了较大的改进与提高，与其它半导体管特性图示仪相比，具有以下特点：1．本仪器采用全晶体管化电路、体积小、重量轻、携带方便。
2．增设集电极双向扫描电路及装置，能同时观察二级管的正反向输出特性曲线、简化测试手续。
3．配有双簇曲线显示电路，对于中小功率晶体管各种参数的配对，尤为方便。
4．本仪器专为工作于小电流超β 晶体管测试提供测试条件，最小阶梯电流可达0.2μA／级。
5．本仪器还专为测试二级管的反向漏电流采取了适当的措施，使测试的反向电流I R 达20nA／div 。
6．本仪器配上扩展装置—XJ27100“场效应管配对测试台”可对国内外各种场效应对管和单管进行比较测试。
7．本仪器配上扩展装置—XJ27101“数字集成电路电压传输特性测试台”，可测试COMS，TTL 数字集成电路的电压传输特性。
XJ4810 型半导体管特性图示仪，功能操作方便，它对于从事半导体管机理的研究及半导体在无线电领域的应用，是一个必不可少的测试工具。
一、主要技术指标（l）Y 轴编转因数：集电极电流范围：10μA∕div～500 毫安／div，分15 档，误差≤±3％；二极管反向漏电流：0.2μA∕div～5μA∕div 分 5 档2μA∕div～5μA∕div 误差不超过±3%基极电流或基极源电压：0.05V／div，误差≤±3％；外接输入：0.1V／div，误差≤±3％；偏转倍率：×0.1 误差不超过±（10%±10nA）（2）X 轴偏转因数：集电极电压范围：0.05～50V∕div，分10 档，误差≤±3％；基极电压范围：0.05～1V∕div，分 5 档，误差≤±3％；基极电流或基极源电压：0.05V∕div，误差≤±3％；外接输入：0.05V∕div，误差≤±3％。
项目5 半导体三极管的检测与识别
表5－4 三极管的各个极的对地电压及其判断
序号 三极管三个极对地电压
基极 发射极 集电极 管型
UA=-2.3V UB=-3V UC=-6V UA=-9V UB=-6V UC=-6.3V UA=6V UB=5.7V UC=2V UA=0V UB=-0.7V UC=-6V UA=3V UB=3.7V UC=6V
项目5 半导体三极管的检测与识别
【项目要求】
学会识别三极管的种类，熟悉各种二极管的名称，了 解不同类型三极管的作用，掌握三极管的检测方法；
【知识要求】
（1）掌握三极管的种类、作用与识别方法； （2）掌握各种三极管的主要参数； 【能力要求】
（1）能用目视法判断、识别常见三极管的种类，能说出各种 三极管的名称；
箭头方向-电流方向
2、三极管的放大作用和载流子的运动
三极管的放大作用：必须由其内部结构和外部电压条件来保证。
（1）内部结构： a) 发射区掺杂浓度最高，多子载流子浓度很高。发射载流子
b) 基区做得很薄，掺杂浓度最低，基区中多子浓度很低。传送和控制载流子 c) 集电结结面积比较大，多子浓度比发射区低（得多）。收集载流子。
表5－3：三极管的型号及其代表意义
序号 三极管型号 产地 管型
3DD6 3DA87 3CG22 3AD30 3DG8 2SC181S H2NS401B 9013 9012 8550 8050
材料
额定功率
最大集电极电流
操作4 三极管的各个极的对地电压及其判断 根据表5－4中给出的在放大电路中测得的三极管各个极
N
一小部分与基区空穴复合形成基极
RC
电流（IB），大部分被集电极收集
用万用表检测常用电子元器件
三 、半 导 体 元 件 检 测 １、二极管， 极性及好坏判断。用万用表 Ｒ ×ＩＫ 挡或 Ｒ × ｌ００ 挡， 两表笔分别接触二级管两个引出脚， 如果二级管导 通 ， 表 针 指 示 数 较 小（锗 管 约 几 百 欧 ， 硅 管 为 几 千 欧）时 ， 与 黑 表笔相接的引出脚为正极。接着调换两表笔再测量， 若表针 示数很大（锗管约几百千欧， 硅管为几兆欧， ）说明该二极管是 好的， 并且先判明的极性是正确的。如果正反向电阻均为 ２ 或均为 ∞， 表明该管已经击穿或断路， 不能使用。 应当注意， 测量小功 率 二 极 管 ， 不 宜 使 用 Ｒ ×ｌ或 Ｒ × ｌＯ Ｋ 挡， 前者通过二极管电流较大， 可 能 烧 坏 管 子 ； 后 者 加 在 管子两端的反向电压太高， 容易将管子击穿。另外， 二级管是 一种非线性元件， 它的正反向电阻随万用表的种类和挡位不 同而不一样， 这是正常现象。 ２、三 极 管 （１）管 型 及 管 脚 判 别
（２）性 能 参 数 的 测 量 １． β 值 的 测 量 ， 目 前 ， 多 数 万 用 表 都 设 有 测 量 三 极 管 β 值的挡位， 具体测量方法按万用表说明书讲的去测即可。 （５００ 型万用表无此功能）。 ２． 穿 透 电 流 Ｉｃｅｏ 的 测 量 对 于 Ｎ ＰＮ 管 ， 黑 表 笔 按 Ｃ ； 红 表笔接 Ｅ ； 对于 ＰＮ Ｐ 管， 红表笔按 Ｃ ，黑表笔接 Ｅ ， 所测出的阻 值越大， 穿透电流越小。一般小功率硅管用 Ｒ ×ｌｋ 挡测量表 针 应 不 动 ， 由 于 锗 管 Ｉｃｅｏ 较 大 ， 用 Ｒ ×ｌｋ 挡 测 量 表 针 有 明 显 的偏转。 ３、普 通 晶 闸 管 １．判别晶闸管极性 小功率晶 管 外 形 和 封 装 形 式 与 半 导 体三极管类似， 三个电极较难辨认， 大功率晶闸管三个电极 区别明显， 判别容易。用万用表判别方法为： 万用表打到
半导体三极管β值测量
2010课程设计论文题目：半导体三极管β值测量仪目录一、设计任务及要求； (3)二、内容摘要； (3)三、设计思路和方案； (4)3.1基本方案； (4)3.1.1基本方案思路及框图 (4)3.1.2 恒流源与被测三极管组成的放大电路； (4)3.1.3取样电路与比较器电路； (5)3.1.4编码电路； (6)3.1.5译码电路； (6)3.1.6显示电路； (6)3.2发挥部分； (6)3.2.1发挥部分思路及框图 (7)3.2.2压控振荡电路； (7)3.2.3定时控制电路； (7)3.2.4计数电路； (8)3.2.5译码显示电路................................................................ (9)显示电路四、相关参数计算； (9)4.1基本部分； (9)4.1.1微电流源； (9)4.1.2取样电路； (10)4.1.3分压比较电路； (11)4.1.4编码电路； (13)4.1.5译码及显示电路； (14)4.2发挥部分； (14)4.2.1定时控制电路； (14)4.3整体电路图； (15)五、组装调试； (16)5.1主要仪器和器材； (16)5.2器材清单； (16)5.3调试电路的方法和技巧； (16)5.4测试的数据和波形并与计算结果比较分析； (17)5.4.1基础部分 (17)5.4.2压控振荡器的仿真波形 (18)5.4.3定时控制器的输出仿真波形 (18)5.4.4电路整体分析 (18)5.5调试中出现的故障、原因及排除方法； (19)六、总结设计电路和方案的优缺点； (19)七、收获、体会； (20)八、参考文献、附件； (21)九、附录； (21)一、设计任务及要求任务：设计制作一个可自动测量NPN型硅三极管β值的显示测量仪。
要求：1．基本部分（1）对被测三极管的β值分三档；（2）β值的范围分别为80～120及120～160，160～200；其对应的分档编号分别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4。
(完整版)三极管参数测试仪
简易半导体三极管参数测试仪
一、 任务
设计并制作一个小功率半导体三极管参数测试仪
二、 要求
1、基本要求
（1） 在V V A I CE B 10,10≈≈μ 条件下，能测出三极管的直流电流放大系
数β，并用数字显示。
测量范围50~300；测量误差的绝对值小于1100
5+N ，其中N 是直流放大倍数β的显示数值。
（2） 当B I 由10μA 变化到20μA ，CE V 保持不变，能测出三极管的交流
放大系数β，并用数字显示。
测量误差要求同（1）。
（3） 在V V CE 10=的条件下，测量三极管的集电极—发射极反向饱和电流 CEO I ，用数字显示，测量范围0.1μA~100μA ，测量误差≤10%。
（4）测量三极管的集电极—发射极间的反向击穿电压CEO BR V )(，并用数字显
示；测试条件mA I C 1=，测量范围20V~60V ，测量误差≤5%。
（5） 具有三极管管脚插错、损坏指示报警功能。
2、发挥部分
（1） 在V V CE 10=条件下，显示出三极管共射极接法输入特性曲线。
（2） 在0≈B I ，10μA ，20μA ，30μA ，=CE V 0~12V 条件下，显示出三
极管共射极接法输出特性曲线。
（3） 其他。
三、评分标准。
常用三极管参数大全
常用三极管参数大全三极管是一种常见的半导体器件，主要用于放大电流和控制电流的流动。
下面是一些常用的三极管参数的详细介绍。
1. 最大电流 (Ic max)：这是三极管能够承受的最大电流。
当超过这个电流时，三极管可能会被烧毁。
2. 最大电压 (Vce max)：这是三极管的最大耐压能力，也就是能够承受的最大电压。
当超过这个电压时，三极管可能会发生击穿。
3.放大倍数(β)：也叫直流电流放大因子，表示输入电流和输出电流之间的比例关系。
β值越大，放大效果越好。
一般来说，普通的低功率三极管的β值在20到100之间。
4. 饱和电流 (Icsat)：当三极管被正确偏置并处于饱和状态时，电流的最大值。
一般来说，这个值应该小于最大电流的一半。
5.收集极电阻(Rc)：也叫输出电阻，表示三极管作为放大器时，输出端所呈现的电阻值。
一般来说，Rc越大，输出电阻越大。
6.音频频带宽度(fT)：这是三极管的最高工作频率。
对于放大高频信号，fT应该足够高，以保持信号的完整性。
7.噪声系数(NF)：表示三极管产生的噪音的大小。
通常用分贝(dB)为单位表示，值越小表示噪音越小。
8. 输入电阻 (Rin)：表示对输入信号的阻力。
一般来说，输入电阻应该足够大，以避免对信号源的影响。
9. 输出电阻 (Rout)：表示三极管的输出端对外部电路的负载能力。
一般来说，输出电阻应该足够小，以避免对外部电路的影响。
10.温度系数(TC)：表示三极管参数对温度变化的敏感程度。
一般来说，温度系数越小，三极管的性能越稳定。
除了上述常用的参数外，三极管还有很多其他参数，如频率响应、输入/输出电容、功率耗散、失真等等。
这些参数在不同的应用场合中具有不同的重要性。
总的来说，了解三极管的参数对于选择合适的器件、设计电路以及优化电路性能至关重要。
不同的应用需要关注的参数也有所不同，需要根据具体情况进行选择和权衡。
晶体三极管β值的测试方法
晶体三极管β值的测试方法
李振鹏
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】1981(0)4
【摘要】β代表晶体三极管共发射极直流电流放大系数,β=Ic/I-b。
Ic是集电极电流,Ib是基极电流。
当Ic和Vce（集电极-发射极电压）取值不同时β值也略有不同。
因此手册上所规定的β值都是在一定的Ic和Vce数值下测得。
测试时按图1所示的电路进行。
先调节Ec使Vce为规定值,再调节Eb使Ic为规定值。
【总页数】2页(P63-64)
【关键词】晶体三极管;恒流法;电流;晶体管;集电极;基极;半导体三极管;集电装置;测量方法;测试方法;反馈电阻
【作者】李振鹏
【作者单位】朝阳无线电元件厂
【正文语种】中文
【中图分类】TN3
【相关文献】
1.晶体三极管输入输出特性曲线测试方法探讨 [J], 王辉;张绍忠
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3.增塑剂中环氧值的测试方法研究 [J], 安方
4.未知材料绕组温升k值测试方法 [J], 童李霞;王海萍
5.一种同步发电机励磁系统BOD动作值测试方法 [J], 马作甫;陈小明;燕锋;陈环因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
电子技术实验--半导体器件的测试实验
半导体器件的测试实验实验组号__ __学号姓名实验日期成绩____ ___指导教师签名一、实验目的学会用万用表测试二极管、三极管的性能好坏，管脚排列。
二、实验器材1.万用表1只（指针式）。
2.二极管、三极管若干。
三、注意事项：1.选择合适的量程，使万用表指针落在万用表刻度盘中间的位置为佳。
2.测试电阻前应先调零。
3.测量时不要同时用手接触元件的两个引脚。
4.测量完毕时应将万用表的转换开关转向off位置或交流最高电压档。
5.不能用万用表测试工作中的元件电阻！四、实验内容1.半导体二极管的测试◆半导体二极管的测试要点：用指针式万用表测二极管的正反向电阻，当测得阻值较小的情况下，黑笔所接的极是二极管的正极。
（1）整流二极管的测试将万用表置于R⨯100Ω或R⨯1kΩ电阻档并调零，测量二极管的正、反向电阻，判断其极性和性能好坏，把测量结果填入表1中。
（2将万用表置于R⨯10kΩ电阻档并调零，测量二极管的正、反向电阻，判断其极性和性能好坏，把测量结果填入表2中。
2.半导体三极管的测试◆半导体三极管的测试要点：将万用表置于R⨯100Ω或R⨯1kΩ电阻档并调零。
①首先判基极和管型•黑笔固定某一极，红笔分别测另两极，当测得两个阻值均较小时，黑笔所接的极是基极，所测的晶体管是NPN管。
•红笔固定某一极，黑笔分别测另两极，当测得两个阻值均较小时，红笔所接的极是基极，所测的晶体管是PNP管。
②其次判集电极和发射极•对于NPN管：用手捏住基极和假设的集电极（两极不能短接），黑笔接假设的集电极，红笔接假设的发射极，观察所测电阻的大小。
然后将刚才假设的集电极和发射极对调位置，再重测一次，当测得电阻值较小时，黑笔所接的是集电极，另一电级是发射极•对于PNP管：用手捏住基极和假设的集电极（两极不能短接），红笔接假设的集电极，黑笔接假设的发射极，观察所测电阻的大小。
然后将刚才假设的集电极和发射极对调位置，再重测一次，当测得电阻值较小时，红笔所接的是集电极，另一电级是发射极。
半导体三极管的极限参数介绍
半导体三极管的极限参数介绍
各种电子元器件都有一个使用极限值要求，对于半导体三极管来讲，它的主要极限参数有以下几个。
(1)集电极最大允许电流I CM
半导体三极管允许通过的最大电流即为ICM。
当集电极电流IC增大到一定程度时，β值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。
因此，规定尸值下降到额定值的2/3时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。
(2)集电极最大允许耗散功率PCM
集电极耗散功率实际上是集电极电流IC和集电极电压UCE的乘积。
在使用三极管时，实际功耗不允许超过PcM，还应留有较大的余量。
耗散功率会引起三极管发热，使结温升高。
如果集电极的耗散功率过大，将会使集电结的温度超过允许值而被烧坏。
为了提高PCM的数值，大功率三极管都要求加装散热片，此时手册中给出的大功率三极管的PCM是指带有散热片时的数值。
(3)集电极一发射极反向击穿电压BVceo(Vceo)
BVceo是指三极管基极开路时，加在集电极C和发射极E之间的最大允许电压。
使用不当时，则会导致三极管击穿而损坏。
(4)集电极一基极反向击穿电压BVcbo(Vcbo)
BVcbo是指三极管发射极开路时，集电结的反向最大电压。
使用时，集电极与基极间的反向电压不允许超过此值的规定。
(5)发射极一基极反向击穿电压BVebo(Vebo)
BVebo是指三极管集电极开路时，发射结的反向最大电压。
使用时，发射结承受的反向电压不应超过此值的规定。
数字万用表的使用,图解用数字万用表测三极管、电容
数字万用表的使用，图解用数字万用表测三极管、电容数字万用表的使用，图解用数字万用表测三极管、电容2010-04-14 10：50万用表-我以前只是用用电阻档、电压档、二极管档，最近又看了相关的文章，学习了一下其他的应用。
我把我的学习过程跟新手分享一下吧~我也算是个新手吧，中间有什么错误请大家指出，谢谢~说说万用表测三极管吧。
大家知道，三极管分为PNP管和NPN管(P是positive的缩写，N是native的缩写。
我的理解：PNP就是正负正，NPN就是负正负)。
拿到一个三极管我们要先判断是pnp还是npn管，首先我们要先找到基极(PNP就是N那个脚，NPN就是P那个脚)，我们可以用数字万用表的二极管档去测基极，对于NPN管，当红表笔在基极上(数字万用表红表笔接内电池的正极,黑表笔接内部电池的负极。
)，黑表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数(一般0.5-0.8)，表笔反过来接则一般显示1(无穷大)。
对于PNP表来说则是黑表笔连在基极上。
下面就我手头有的一片9013为例，给大家说明一下。
上万用表为了解放双手拍照，更换表笔，带夹子方便多了。
先测试其为pnp还是npn。
由下图可知9013为npn管，中间的管脚为基极。
下面该判断发射极和集电极了。
我们利用数字表的三极管hFE档(hFE测量三极管直流放大倍数)。
把万用表打到hFE档上，把9013插到到npn的小孔上，b极(基极)对上面的b字母。
读数，再把它的另二脚反转，再读数。
读数较大的那次就是正确的管脚位置了，对应万用表的标注找到c、e极。
看图。
第一次，读数15第二次读数199，说明这次是正确的了。
由此我们判断出9013，平面面对我们，从左到右三个脚依次为e、b、c(发射极、基极、集电极)。
特此找来资料证实我们的检测是正确的。
看图。
本帖最近评分记录：共6条评分记录M币+32009-09-21谢谢分享M币+52009-09-20认真发帖M币+42009-09-20谢谢分享M币+52009-09-20优秀文章M币+22009-09-20谢谢分享专家+12009-09-20原创内容如果你有原创文章发表，请加我好友，分享文章，我会给你加分~如果你不想我分享文章给你，请你解除与我的好友~在线如果你有原创文章发表，请加我好友，分享文章，我会给你加分~级别：数码之家帮帮团UID：255361精华：0发帖：653 M币：45 M专家：11级贡献值：25点群组：电子制作爱好者在线时间：371(时)注册时间：2008-09-03最后登录：2010-04-14发表于：2009-09-20数字万用表一般都是有电容测量档位的，而且一般是用来测量小电容的，以确保精确度，大电容用机械表充放点测，我也没用机械表，而且电容测量用到的很少，我也不多说了。
半导体二极管、三极管来料检验规程
半导体二极管、三极管来料检验规程(总7页)-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除半导体晶体管部分1内容本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。
2范围本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验和验收。
3引用标准GB2828.1-2003 计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB2421 电工电子产品基本环境试验规程总则GB2423.22 电工电子产品基本环境试验规程试验Cb：恒定湿热试验方法GB2421 电工电子产品基本环境试验规程试验N：温度变化试验方法GB4798.1 ?电工电子产品应用环境条件贮存4检验测试设备和测试方法测试设备：DW4824型晶体管特性图示仪（或QT2型晶体管特性图示仪等）测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置数字万用表、不锈钢镊子等应手工具晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。
人员素质：能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试，工作态度严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。
测试准备：晶体管特性图示仪每次开启，必须预热五分钟。
检查确认图示仪的技术状态完好方能进行测试。
每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装尺寸应符合订货要求。
4.1 绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT主要测试参数：IGBT的特性曲线IGBT的饱和压降V CESIGBT的栅极阈值电压V GE（th）IGBT的击穿电压V CER测试方法：现将上述特性参数的测试方法分述如下。
4.1.1 测IGBT的输出特性曲线按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。
8050三级的基本管参数
8050三级的基本管参数8050三极管是一种常用的电子元件，作为一种非常重要的半导体元件，广泛应用于各种电子设备中。
对于三级管的基本参数，我们可以从以下几个方面来进行介绍。
首先，我们来看一下三极管的结构。
三极管由三个区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和基区之间形成一个非常薄的基极结，而基区和集电区之间形成一个非常薄的集电结。
这种结构使得三极管具有非常好的放大性能和开关能力。
三极管的第一个基本参数是电流放大倍数，也叫做β值。
电流放大倍数是指输出电流与输入电流之间的比值，用来衡量三极管的放大作用。
β值越大，说明三极管的放大作用越好。
一般来说，8050三极管的β值在30到300之间。
第二个基本参数是最大耐压能力。
耐压能力是指三极管在集电结和发射结之间能够承受的最大电压。
对于8050三极管来说，其最大耐压一般在25V到60V之间。
第三个基本参数是最大集电电流。
集电电流是指从集电区流出的电流，也就是三极管的输出电流。
8050三极管的最大集电电流一般在500mA到800mA之间。
第四个基本参数是最大功率耗散。
功率耗散是指三极管在工作过程中的耗散功率，可以通过集电极电流和集电极电压之积得到。
对于8050三极管来说，其最大功率耗散一般在400mW到800mW之间。
第五个基本参数是最大工作频率。
工作频率是指三极管能够正常工作的最高频率。
对于8050三极管来说，其最大工作频率一般在100MHz到300MHz之间。
除了以上几个基本参数外，三极管还有一些其他的参数，如输入电阻、输出电阻和截止频率等。
输入电阻是指三极管的输入端对电流的阻抗，输出电阻是指三极管的输出端对电流的阻抗，而截止频率是指三极管无法正常放大电信号的最高频率。
总结起来，8050三极管的基本管参数包括电流放大倍数、最大耐压能力、最大集电电流、最大功率耗散和最大工作频率等。
这些参数决定了三极管的放大性能、开关能力和稳定性，对于电子设备的设计和应用具有非常重要的意义。
XJ4822型半导体管特性图示仪
XJ4822型半导体管特性图示仪使用说明书上海新建仪器设备有限公司1.概述XJ4822型半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。
与其它同类型图示仪相比，主要区别在于采用了微机控制技术，引入了字符显示，光标测量功能，使半导体管的各种静态参数，包括β（hfe）、Gfs(gm) 均可光标测量、数字读出, 给用户带来更多方便。
1.1 本仪器由下列几部分组成X轴、Y轴放大器阶梯信号发生器集电极电源二簇电子开关低压电源供给高频高压电源及示波管控制电路CRT读测微机电路过流报警电路1.2 仪器的特点1.2.1 本仪器由于采用微机控制, 数字插入技术，引入字符显示, 光标测量功能, 面板上增添了六个操作键,CRT屏幕上实时显示Y(电流) 、X（电压）、S（阶梯）开关档位（位标）量、通过主光标［+］操作,能直接显示测得的I(电流) 、U(电压) 测量值，辅光标［×］配合操作, 能自动计算显示, 读出β（hfe）、Gfs(gm) 等器件的参数。
1.2.2 通过配合高压测试台, 使反向电压U R可达3000V。
1. 2. 3 由于使用了VMOS器件作为电子开关管, 扩大了测试电流, 使测试电流不再受IB＞0.1mA的限制。
2技术参数Y轴偏转系数2.1.1 集电极电流偏转系数a) 范围(Ic)： 10μA/div～1A/div；b) 分档： 1、2、5进制共16档；c) 误差：±3％。
2.1.2 漏电流(I R)a) 范围： 0.2μA/div～5μA/div；b) 分档： 1、2、5进制共5档；误差：见表1。
表12.1.3 基极电流或基极源电压a) 电压： 0.1V/div；b) 误差：不超过±3％。
2.1.4 倍率a) 范围：×10；b) 误差：±5％±10nA 。
2.2 X轴系统2.2.1 集电极电压偏转系数a) 范围： 0.05V/div～50V/div；b) 分档： 1、2、5进制10档；c) 误差：不超过±3％。
三极管β值影响因子
三极管β值影响因子及计算摘要：β值是用来衡量三极管放大能力的重要参数看，其稳定性直接影响三极管放大电路的性能。
在描述振荡电路的书籍中经常会看到“随着输入电压的增加，三极管的β将不断减小，直到三极管失去放大作用”这样的表述但往往不表述原因。
《半导体物理》中大多讲述PN 结原理，鲜有对NPN 结构原理的讲解。
本文从能带的角度分析三极管导电原理，建立NPN 结构的理论模型，进而引出β值的计算公式，分析影响β值的因素。
关键字：三极管β值半导体物理振荡电路图1PN 结导电原理：平衡状态下PN 结能带图如图1所示。
图1中坐标n p x x ~-之间是耗尽区，处于p x -左边的是P 区，处于n x 右边的是N 区。
并令P 区的电子的能量为0，即p x x x E -≤=,0)(。
根据半导体理论，处于x 处的电子的浓度为：)(exp[)(0Tk x E E N x n F C -=（1）其中E（x）为电子在x 处的能量，其值等于)()(x qV x E -=。
V（x）是x 点的电势。
设平衡状态下N 区的电子浓度为0n n ，N 区导带上电子能量cn E x E =)(，则]exp[00Tk E E N n cn F C n -=（2）由（2）推出：]exp[00Tk E E n N F cn n C -=（3）利用D cn qV E -=得出])(exp[])(exp[)(0000Tk qV x qV n T k x E E n x n D n cn n -=-=（4）当p p L x x --=时，V（x）=0,]exp[)(00T k qV n L x n D n p p -=--（5）。
（5）式即为P 区少子电子的浓度0p n 。
当PN 结外加正向偏压V 时，PN 结的费米能级如图2所示。
图中p n L L 和分别是电子和空穴的扩散长度。
由于系统处于不平衡状态，P 区和N 区存在各自的准费米能级qV E E F F =-p n ，N 区的电子浓度为在x x x p p ∆---~之间，我们发现P 区的准费米能级更接近导带底cp E ，也就是说在x x x p p ∆---~之间，P 型半导体发生了反型变成了N 型半导体。
三极管参数介绍
三极管参数介绍
三极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。
它是一种半导体器件，由三个掺杂不同材料的半导体层构成，其中夹在中间的一层称为基极，两侧的层分别称为发射极和集电极。
三极管的参数是指它的一些重要性能指标，下面我们来介绍一下。
首先是三极管的放大倍数，也称为电流放大倍数。
它是指三极管输出电流与输入电流之比，通常用β表示。
β值越大，表示三极管的放大能力越强。
一般来说，β值在几十到几百之间，不同型号的三极管β值也有所不同。
其次是三极管的最大耗散功率。
它是指三极管在正常工作条件下能够承受的最大功率。
如果超过这个值，三极管就会过热而损坏。
最大耗散功率与三极管的封装形式、散热条件等因素有关，一般在几百毫瓦到几瓦之间。
再来是三极管的最大工作电压。
它是指三极管能够承受的最大电压，超过这个值就会击穿。
最大工作电压与三极管的结构、材料等因素有关，一般在几十伏到几百伏之间。
最后是三极管的响应时间。
它是指三极管从输入信号发生变化到输出信号发生变化所需的时间。
响应时间与三极管的结构、工作状态等因素有关，一般在几纳秒到几十纳秒之间。
除了以上几个参数外，三极管还有许多其他的参数，如输入电阻、
输出电阻、噪声系数等。
这些参数都对三极管的性能和应用有着重要的影响，需要在具体的电路设计中进行综合考虑。
三极管是一种重要的电子元件，它的参数对于电路的设计和性能有着重要的影响。
在选择和使用三极管时，需要根据具体的应用需求和电路要求进行综合考虑，以达到最佳的效果。
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电子设计报告学校名称：青岛大学学院名称：自动化工程学院专业班级：电气3班学号：************ *名：***2009年11月16日一、设计题目及要求题目：半导体三极管β值测量仪二、设计任务及要求任务：设计制作一个可自动测量NPN型硅三极管β值的显示测量仪。
要求：1．基本部分（1）对被测三极管的β值分三档；（2）β值的范围分别为80～120及120～160，160～200；其对应的分档编号分别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4。
（3）用数码管显示β值的档次；2．发挥部分（1）用三个数码管显示β的大小，分别显示个位、十位和百位。
显示范围为0-199。
（2）响应时间不超过2秒，显示读数清晰，注意避免出现“叠加现象”。
（3）自制所需直流稳压电源。
（4）其它。
三、内容摘要本设计以集成运放LM324为核心器件并加以555定时器、编码、译码等器件搭接而成。
在基本部分，首先自制微电流源产生恒定电流，作为待测三极管的基极电流，根据三极管电流I C=βI B 的关系，当I B为固定值时，I C反映了β的变化，集电极电阻上的电压又反映了I C，用差分电路从待测三极管的集电极采集电压，即将变化的β值转化为与之成正比变化的电压量，再进行电压比较、分档，将连续变化的模拟量转化成高低电平0和1，再用CD4532编码、CD4511译码，显示部分采用共阴七段数码显示管。
在发挥部分，设计压控振荡器将采集的电压量转化成与之成正比变化的频率，合理设定参数使在一定时间内通过的脉冲个数即为被测三极管的β值；计数时间控制信号是基于555定时器设计而成的多谐振荡器产生；74LS90构成十进制计加法计数器，用于计数脉冲的个数，计数时间结束时将计数值送74LS194锁存，并在计数时间信号的控制下将锁存数值送至CD4511译码，最后由共阴七段数码显示管显示计数值。
纵观整体，本设计集所学电子技术大部分知识，其中前半部分的微电流源、采样电路、电压比较电路以及压控振荡电路均属于模拟部分，而后半部分的编码、译码、定时及显示部分则属于数电部分。
设计完成后首先在计算机上用multisim仿真优化设计方案，仿真正确后在面包板身上安装、调试。
四、电路设计1、设计思路基本部分首先，基本部分分为电流源电路、采样电路、分压电路、比较器、编码电路、译码及显示电路六个模块组成。
设计框图如下：基本部分方案方框图1）电流源电路根据设计思路，首先需一个恒流源，可有两种方法产生：方案一：在恒压源与待测三极管基极之间加一大电阻合理调整阻值，使电流所要求的值，电路图如下：方案二：设计微电流源为待测三极管基极提供恒定电流，通过计算参数使之产生所需的电流，电路图如下：如上图所示，其中Q1、Q2、R1、R3构成微电流，R2为待测三极管基极的取样电阻，R4为待测三极管集电极的取样电阻。
方案论证：上述两个方案都能得到所需的恒定电流，其原理都是将变化得β值转化为与之成正比变化的电压，再取样进行比较、分档。
方案一是利用电阻分压把VCC控制在想要的值附近，从而获得一个较稳定的Ib值，电路较简单，实现方便，但Ib的控制不够精确精确；方案二用微电流源为被测三极管提供基极电流Ib，此设计方案能比较精确地把Ib控制在所需值附近，其缺点是电路复杂，不易实现。
设计要求得到较精确的恒流源，方便后续电路的设计及参数的确定，进行下一步的比较、分档，以获得较精确的显示结果，必以精确度为首要考虑，故采用方案二。
2）采样电路此模块由差分放大电路组成，把与三极管β值成比例的集电极电压取出来，再把电压采样放大，为下一级电压比较电路提供采样电压，同时起隔离作用，防止对前面的电路造成影响。
合理设定参数，使放大倍数为1，运放采用+5V单电源供电。
3）比较电路被测β值须分为三档（即β值分别为80～120、120～160及160～200，对应档的编号分别是1、2、3，同时规定β<80或空测时显示为0，β值超过200时显示为4）所以必须考虑到少于80和大于200的情况，于是比较电路需要把结果分成五个层次，故需要四个基准电压。
可用一个串联电阻网络产生四个不同的基准电压，再用四个运算放大器组成的比较电路，基准电压不同基准值分别接入运放的反相输入端，取样电压同时加到具有不同基准电压的比较电路的同相输入端进行比较，对应某一采样电压V1，高于相应基准值的比较电路输出为高电平，低于基准值的比较器输出为低电平。
4）编码电路该电路将电压比较电路的比较结果（高低电平）进行二进制编码，使之转化成二进制数。
该编码功能主要由集成芯片8位优先编码器CD4532完成。
5）译码电路该电路把编码电路编成的二进制数译码成十进制数，以便于人机交流（即要显示的数为人类易懂的十进制数1、2、3）和数码管显示。
该电路功能主要由集成芯片芯片CD4511完成。
6）显示电路该电路功能是用共阴七段数码管显示被测量的NPN型三极管 值的档次，注意接保护电阻，防止因电流过大而烧坏数码管。
发挥部分此部分的输入信号来自基本部分中采样电路的输出电压，包括压控振荡器、定时控制电路、计数器、锁存器、译码及显示电路六个模块。
发挥部分原理方框图1）压控振荡器压控振荡电路分电荷平衡式和复位式两种，本设计采用复位式结构，实现将电压转化成频率，电路图如下所示：压控振荡器电路图如上图所示，集成运放U7A 、C1、R17、R18等组成积分电路，U8B 、R22、R23得组成滞回比较器，VCC 通过分压为滞回比较器提供参考电压，通过计算合理设定参数从而实现了将与β值成比例的电压转化成与β值成比例的频率，以便为设定定时时间提供依据。
2） 定时控制电路此电路基于555定时器与电阻、电容组成的多谐振荡器作为定时控制电路，根据β值与频率的比例关系合理设定R 、C 的值，使在有效定时时间内通过的脉冲数等于待测三极管的β值，电路原理图如下：ttOOCC 32V CC 31V CR B 2=τCR R )(B A 1+=τT 2T 1u Cu o多谐振荡器的电路图 多谐振荡器的输出波形图3）计数电路该部分由二——五——十进制计数器74LS90构成，首先将芯片连成十进制（即将74LS90的1号引脚clk1与12号引脚Q0相连），为精确显示计数共需用三片，分别显示各位、十位和百位，低位计数器的11号引脚Q3作为进位信号接到高位计数器的时钟信号端（即高位的14号引脚clk0）。
部分电路图如下：5）计数器电路图4）锁存电路用3个74LS194构成三位锁存器分别对计数器个位、十位和百位上的数进行锁存，在定时控制控制信号的作用下定时结束时将锁存的数值送至译码器，一驱动数码管显示。
部分电路图如下：VCC锁存器电路图5）译码、显示电路该部分由3片译码器CD4511和3个共阴七段数码显示管组成，其连接方式与基本部分中的译码、显示电路相同，功能是将计数值转化成十进制并通过数码管显示出来。
电路图如下所示：U13D A7D B1D C2D D6O A13O D10O E9O F15O C11O B12O G14~E L5~B I4~L T34511BDU20SE VE N_SE G_COM _KA B C DE F GCom5VVCC译码、显示电路图 共阴七段数码显示管引脚图2、参数计算基本部分 1） 微电流源Q2BJT_PNP_VIRTUALQ1BJT_PNP_VIRTUAL VCC5VR33k¦¸R14.3k¦¸R220k¦¸R4510 ¦¸U2ALM324AD 321141R550k¦¸R650k¦¸R750k¦¸R850k¦¸Q4BJT_NPN_RATED电流源及采样电路图如上图所示，在该部分中两个三极管Q1、Q2均为PNP 型且性能参数等都完全相同，采用+5V 供电，由题意可知，待测三极管的基极输入电流在30μA ～40μA 之间为宜，可固定其输入电流恒定为30μA ，即微电流源的输出为30μA 。
设电流源的参考电流为1mA ，根据公式：1BE R Vcc V I R -=可得： RBE CC I V V R 11-=已知 VBE1=0.7V ，VCC=5V 得： R1=4.3K又因为：其中已知：26T V mV =，30O I uA =，1R I mA =，可解得：e 2R 3k =Ω，即电路中的3R 3k =Ω2） 采样电路R2是基极取样电阻，由于基极电流Io ＝30uA ，所以为了便于测量，R2应尽量取大一点，这此取R2=20K 。
R4为集电极取样电阻，则取样电压可根据公式：444R C B U I R I R β==又因为β值的范围为80到200，同时为使V CE 的选择应不小于1V ，三极管工作在合适的状态，V CE 的选择应不小于1V 。
当β值为200时，取样电压最大，集电极与发射极之间的电压CE U 最小，为使40.71CE CC R U V U V =-->，即R4〈617，为方便计算及选择电阻，取R4的值为510Ω。
根据三极管电流I C =βI B 的关系，被测物理量β转换成集电极电流I C 而集电极电阻不变，利用差分放大电路对被测三极管集电极上的电压进行采样，。
差分放大电路原理如下所示：差分放大电路图根据理想运放线性工作状态的特性，利用叠加原理可求得1i 1f2i 3231f o 1v v v R R R R R R R -+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=当R 1=R 2=R 3=R f , v o =v i2-v i1，作减法运算。
此外电路中差分放大电路还起隔离和放大的作用，故运放的同相和反相输入端的输入电阻应尽量取的大一些，计算可得：取样电压最低为1.224V ，最高为3.06V ，均为可准确测量值，无需放大，故在此可取R5=R6=R7=R8=50k Ω。
差分放大电路的输出电压为：14O B V I R β=。
3） 分压比较电路设计要求可知，显示被测三极管β值范围为80～200，分三档显示为80～120，120～160，160～200，因此，应设定5个基准电压参考点，分别为80、120、160、200。
根据公式444R C B U I R I R β==比较电压值。
由R4、B I 、被测三极管β值即可计算出对应的基准比较电压：当β=80时， Uo1=VR4=Io*β*R4=0.00003*80*500=1.224V 当β=120时，Uo1=VR4=Io*β*R4=0.00003*120*500=1.836V 当β=160时，Uo1=VR4=Io*β*R4=0.00003*160*500=2.448V 当β=200时，Uo1=VR4=Io*β*R4=0.00003*200*500=3.060V基准电压可以采用一个串联的电阻网络对一个固定的电压进行分压得到，可通过计算得出电压比较电路串联网络中各个分压电阻的阻值，采用5V 电源供电，设分压总电阻取R=80k Ω，则各分压基准值处电阻为：β=80时， R ＝19.584k Ω β=120时，R ＝29.376k Ω β=160时，R ＝39.168k Ω β=200时，R ＝48.960k Ω电压比较电路的分压电阻电阻为：R9=19.584k Ω R10=9.783k Ω R11=9.783k Ω R12=9.783k Ω R13=31.04Ω实际电路中可近似取R9=20k Ω R10=10k Ω R11=10k Ω R12=10k Ω R13=30ΩR1330kΩR1210kΩR1110kΩR1010kΩR920kΩU1ALM324AD 321141U1BLM324AD 561147U1CLM324AD 1091148U1DLM324AD121311414VCC5V分压比较电路图比较电路由集成运放LM324组成，采用单电源供电。