SVF18N65F T PN 说明书

图10. 最大漏电流vs. 壳温
50
75 100 125 150
壳温 – TC(°C)
版本号：1.4 共9页 第5页
典型测试电路
SVF18N65F/T/PN 说明书
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
参数一致
Qg
50KΩ
10V
VDS
12V
20பைடு நூலகம்nF
300nF
Qgs
Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
3. 基本上不受工作温度的影响。
最小值 ------
典型值 ----
632.36 8.26
最大值 18 72 1.4 ---
单位
A V ns µC
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版本号：1.4 共9页 第3页
典型特性曲线
SVF18N65F/T/PN 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25C)
参数名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流 漏极脉冲电流
TC=25°C TC=100°C
耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注 1）
工作结温范围
贮存温度范围
热阻特性
符号
VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg
SVF18N65F
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版本号：1.4 共9页 第9页
版本号：1.4 共9页 第7页
封装外形图
TO-3P
SVF18N65F/T/PN 说明书
单位: mm
声明：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！
VDS=520V, ID=18A, VGS=10V
参数范围 SVF18N65T
650 ±30 18 11.4 72 228 1.82 1008 -55～+150 -55～+150
SVF18N65PN
235 1.88
单位
V V A A W mJ C C
参数范围 SVF18N65T
0.55 62.5
SVF18N65PN 0.53 50.0
54 0.43
参数名称
芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻
符号
RθJC RθJA
SVF18N65F 2.31 62.5
电性参数(除非特殊说明，TC=25C)
参数名称 漏源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量
图9-1. 最大安全工作区域(SVF18N65F) 102
100µs
101
1ms
10ms
100
DC 此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲
10-2
100
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
漏极电流 - ID(A)
漏极电流 - ID(A)
图9-2. 最大安全工作区域(SVF18N65T) 102
100µs
1ms
101
10ms
DC
100
此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
注：
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.单个脉冲
10-2
100
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
18 16 14 12 10 8 6 4 2 0
25
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
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版本号：1.4 共9页 第8页
SVF18N65F/T/PN 说明书
产品名称： SVF18N65F/T/PN 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司
文档类型： 说明书 公司主页： http: //
MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N
ISM
结
VSD
IS=18.0A，VGS=0V
Trr
IS=18.0A，VGS=0V，
Qrr
dIF/dt=100A/µS (Note 2)
1. L=30mH，IAS=8.2A，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
漏极电流 - ID(A)
漏极电流 - ID(A)
漏源导通电阻 – RDS(ON)（标准化）
SVF18N65F/T/PN 说明书
图8. 导通电阻vs.温度特性 3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0 -100 -50
注： 1. VGS=10V 2. ID=9.0A
0 50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
VDS(t) Time
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版本号：1.4 共9页 第6页
封装外形图
TO-220F-3L
SVF18N65F/T/PN 说明书
单位: mm
TO-220-3L
单位: mm
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封装形式 TO-220F-3L TO-220-3L
TO-3P
打印名称 SVF18N65F SVF18N65T
18N65
环保等级 无铅 无铅 无铅
包装形式 料管 料管 料管
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版本号：1.4 共9页 第1页
SVF18N65F/T/PN 说明书
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
18A，650V，RDS(on)(典型值)=0.48@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产品名称 SVF18N65F SVF18N65T SVF18N65PN
符号 BVDSS
IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on)
tr td(off)
tf Qg Qgs Qgd
测试条件 VGS=0V, ID=250µA VDS=650V, VGS=0V VGS=±30V, VDS=0V VGS= VDS, ID=250µA VGS=10V, ID=9.0A VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHZ VDD=325V, RG=25Ω, ID=18A
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版本号：1.4 共9页 第4页
典型特性曲线
1.2
图7. 击穿电压vs.温度特性
漏源击穿电压– BVDSS（标准化）
1.1
1.0
0.9
0.8 -100 -50
注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA
0 50 100 150 200 结温 – TJ(°C)
VDS VGS RG
10V
开关时间测试电路及波形图
RL VDD
待测器件
VDS
90%
10%
VGS
tr td(on) ton
td(off)
tf
toff
RG 10V
tp
VDS ID
EAS测试电路及波形图
L
EAS =
1 2
LIAS2
BVDSS BVDSS - VDD
BVDSS
IAS
待测器件
VDD
VDD
ID(t) tp
单位 V µA µA V pF
ns
nC
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版本号：1.4 共9页 第2页
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源-漏二极管特性参数
参数名称
符号
测试条件
源极电流 源极脉冲电流 源-漏二极管压降 反向恢复时间 反向恢复电荷 注：
IS
版 本： 1.4 修改记录：
1. 增加 TO-220-3L 封装南通和集佳外形信息 版 本： 1.3 修改记录：
1. 修改 TO-220F-3L 封装信息 2. 修改 TO-220-3L 封装信息 3. 增加 TO-3P 封装 版 本： 1.2 修改记录： 1. 增加 TO-220-3L 封装 版 本： 1.1 修改记录： 1. 修改热阻特性 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式发布版本
单位
C/W C/W
最小值
650
--
--
3.0
--
--
--
--
--
--
--
(注 2,3)
--
--
--
(注 2,3)
--
典型值 -----
0.48 2706.3 233.3
1.8 58.07 90.87 58.13 51.20 37.08 17.66 8.81
最大值 -1.0
±100 5.0 0.55 -----------
图9-3. 最大安全工作区域(SVF18N65PN) 102
100µs
1ms
101
10ms
DC
100
此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
注：
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.单个脉冲
10-2
100
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
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18A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF18N65F/T/PN N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用 士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及 原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪 崩击穿耐量。