mos管恒流区

恒流区（也称饱和区、放大区、有源区）是MOS管工作范围中的一段区域，满足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth）。

在该区域内，当uGs一定时，ib几乎不随UDs而变化，呈恒流特性。

I－V特性：当VGS＝VTH时，漏区刚好形成反型层，由于VDs＞0，此时，源区早已反型。

在当VGS＜VTH，即源区也不足以形成反型层时，整个衬底表面不存在沟道电流，故MOS管截止。

当VD继续增大，VGD＜VTH，漏端耗尽，局部体现为一阻值很高的大电阻，整个沟道相当于一沟道小电阻与耗尽层大电阻串联的通路，当VD继续增大时，VDs主要分布在大电阻两端，而沟道电阻压降几乎不变，根据欧姆电流，沟道电流也不变，即恒流区。