化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒

化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒
王英;薛成山;庄惠照;王邹平;张冬冬;黄英龙
【期刊名称】《功能材料》
【年(卷),期】2009(040)001
【摘要】采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜,通过化学气相沉积法(CVD)制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的直径在50～200nm之间,纳米棒的直径在200～800nm之间.
【总页数】3页(P152-153,158)
【作者】王英;薛成山;庄惠照;王邹平;张冬冬;黄英龙
【作者单位】山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学半导体研究所,山东,济
南,250014;山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.23
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