半导体所在高功率皮秒光纤放大器研究上获重要进展

半导体所在高功率皮秒光纤放大器研究上获重要进展
高功率和超快的光纤激光器和放大器具有光束质量好、光光转换效率高、脉冲能量高、热效应小等优点在材料微加工处理、军工、太阳能电池等领域得以广泛应用,高功率光纤激光器和放大器能克服传统的固体激光器存在的一些问题。

也正是由于这些独特优势使得其逐渐成为近年来的研究热点之一。

半导体所全固态光源实验室采用半导体可饱和吸收体作为锁模器件的高稳定性Nd:YVO4 激光器作为种子源,6米长20 μm纤芯双包层掺镱光纤作为增益介质。

通过反向泵浦的单级主振荡功率放大系统,将0.7 W 的种子源放大到62 W,中心波长在1064 nm,脉宽为40 ps,重复频率为80 MHz。

该放大系统可以在57.6 W 稳定工作数小时,且在57.6 W高平均功率输出时没有放大的自发辐射和受激拉曼散射等现象出现。

此激光器是在单级反向泵浦20 μm级纤芯光纤放大器获得的最高功率输出。

图1 实验装置图
图2 皮秒光纤放大器的输入输出曲线。