适用于CMOS超大规模集成电路计算机辅助设计的MOS FET的阈值模拟

适用于CMOS超大规模集成电路计算机辅助设计的MOS
FET的阈值模拟
G.T.Wright;黄定礼
【期刊名称】《微电子学》
【年(卷),期】1989(19)1
【摘要】本文提出了一种简单的模型来描述增强型MOS场效应晶体管的阈值和弱反型工作。

对照两维数字模拟对这种模型进行了检查,得到了晶体管特性的准确描述。

这种模型具有电流和电导的连续性,适合于低电压低功耗CMOS集成电路的计算机辅助设计。

【总页数】7页(P43-45)
【关键词】CMOS集成电路;CAD;MOSFET;阈值
【作者】G.T.Wright;黄定礼
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】TN432.1
【相关文献】
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