模电经典习题集
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模电(填空+选择+大题共224道)题目和答案
`0001 01A1在纯净的半导体中掺入5价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。
`0002 01A1在纯净的半导体中掺入3价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。
`0003 01A1PN结的导电特性是。
`0004 01A2为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度；（2）集电结面积比发射结面积。
`0005 02A1夹断电压是（）型场效应管的参数，开启电压是（）型场效应管的参数。
`0006 02A1场效应管有（）种载流子导电，场效应管是（）控制（）型器件。
`0007 02A1共射放大电路中输出电压与输入电压相位。
`0008 02A1在放大电路中，晶体管通常工作在工作区。
`0009 02A1双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结，集电结。
`0010 02A1场效应管三个电极分别为极、极和极。
`0011 02A1在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性。
`0012 02A2在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性。
`0013 02A2场效应管放大电路有共、共和共三种基本形式。
`0014 02A2场效应管从结构上可以分为（）和（）型两大类型`0015 02A2单管共射极放大器，当工作点Q选择较高时，易出现失真。
`0016 02A2在电子线路中，一般用输出电阻R O来衡量放大器带负载的能力，R O越小，则带负载的能力。
`0017 02A2双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结，集电结。
`0018 02A2双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结，集电结。
`0019 02A3单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现失真。
`0020 02A3某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2KΩ负载电阻后，输出电压降为4 V，这表明该放大电路的输出电阻为。
`0021 02A3如果信号源接近于理想电压源，通常希望放大电路的输入电阻；如果信号源接近于理想电流源，通常希望放大电路的输入电阻。
《模拟电子技术基础》习题集(11)
《模拟电子技术基础》习题集一．选择题1．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是4V ，引线2是3.3V ，引线3是8V 。
该管是（1）是PNP 型锗管 （2）NPN 型硅管（3）PNP 型硅管 （4）NPN 型锗管2．若要求增大放大电路的输入电阻，减少输出电阻，则应引入(1)电流串连负反馈；(2)电流并联负反馈；(3)电压串连负反馈；（4）电流并联负反馈；3 有两个稳压二极管，一个稳压值是8伏，另一是7.5伏，若把两管的正极并接，再将负 极并接，组合成一个稳压管接入电路，则这时组合管的稳压值是（1）8伏 （2）7.5伏（3）15.5伏 （4）0.5伏4、一个电压串联负反馈放大器的闭环增益A Vf =100,要求开环增益A V 变化10%时闭环增益变化0.5%,则开环增益是（1）10 （2）2000（3）5000 （4）10005、乙类推挽功放的理想效率为（1）40％ （2）50％（3）78％ （4）35％6、为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般采用下列电路：（1）共射放大电路 （2）共射共基电路（3）差动放大电路 （4）射极输出器7．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是-4V ，引线2是-3.3V ，引线3是-8V 。
该管是（1）是PNP 型锗管 （2）NPN 型硅管 （3）PNP 型硅管8．若要求增大放大电路的输入电阻，减少输出电阻，则应引入(1)电流串连负反馈；(2)电流并联负反馈；(3)电压串连负反馈；9．晶体三极管的两个PN 结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是(1)放大状态 (2)饱和状态 (3)截止状态10．晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管(1)发射结为反向偏置 (2) 集电结为正向偏置(3) 始终工作在放大区11．在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为(1)c c R i v =0 (2) c c R i v -=0 (3) c c R I v -=012．共发射极放大器的输出电压与输入电压在相位上的关系是(1) 同相位 (2)相位差是900 (3) 相位差是180013．三级放大器中，各级的功率增益为：－3dB ,20dB 与30dB,则总功率增益为(1) 47dB (2)-180dB (3)53dB14．直耦放大器的功能是(1)只能放大直流信号 (2)只能放大交流信号(3)直流信号与交流信号都能放大15．正弦波振荡器中，选频网络的主要作用是(1) 使正弦波产生一个单一频率的信号 (2) 使振荡器输出较大的信号(3) 使振荡器有丰富的频率成分16．经过超外差式调幅收音机变频电路及中频放大电路后，输出的信号是（1）．是高频调幅信号 （2）.是中频调幅信号（3）．是低频解调信号17、一个NPN 型晶体三极管，由测量得知三个电极电位分别为,3,6,6.6V V V V V V c B E -=-=-=这个晶体三极管工作在（1）放大状态 （2）截止状态（3）饱和状态 （4）倒置状态18．一个固定偏置放大电路中，b R =150K Ω，c R =2K Ω，c E =6V ，晶体管的fe h =40。
模电优秀试题含答案
模拟电子技术练习题1、差动放大器与其它放大器相比，其特点是能（ ）。
A ．克服温漂B ．稳定放大倍数C ．提高输入电阻 D.扩展通频带 2、FET 是（ ）控制器件。
A.电流B.电压C.电场D.磁场3、对某一级晶体管放大电路，要其对前一级的影响小（吸取的电流小），对后级带负载能力强，宜采用（ ）。
A.共基极放大电路B.共发射极放大电路C.共集电极放大电路D.以上电路都可以 4、要制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用（ ）。
A..RC 桥式正弦波振荡电路B..LC 正弦波振荡电路C.石英晶体正弦波振荡电路D.以上电路都可以5、对甲乙类功率放大器，其静态工作点一般设置在特性曲线的v 。
A.放大区中部B.截止区C.放大区但接近截止区D.放大区但接近饱和区 6、负反馈放大电路的一般表达式为....1FA A A f +=，当11..>+F A 时，表明放大电路引入了（ ）。
A ．负反馈B ．正反馈C ．自激振荡 D.干扰7、已知输入信号的频率为10KHZ~12KHZ ，为了防止干扰信号的混入，应选用（ ）滤波电路。
A ．高通 B ．低通 C ．带通 D.带阻 8、负反馈放大电路产生自激振荡条件是（ ）。
A ．1..=F AB ．1..-=F AC ．1..>F A D. 1..<F A 9、在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（ ）。
A ．1WB ．0.5WC ．0.2W D.无法确定 10、PN 结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定11．当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E （ ） 。
A. >，> B.<，< C. =，= D.≤，≤ 12、 共模抑制比越大表明电路（ ）。
A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.输入信号中差模成分越大D.抑制温漂能力越大 13、负反馈所能抑制的干扰和噪音是（ ）。
模电习题
模拟电子技术课程习题第一章习题1-1 PN 结上存在内电场，用导线将P 区端和N 区端短接起来，导线中是否有电流流过？若加光照或加热，导线中是否有电流？为什么？1-2 如用万用表的电阻档测量二极管的正向电阻时，发现用R ×10档测出的电阻值较用R ×100档测得的电阻值小，试用伏安特性曲线解释。
1-3 如图题1.3所示，试判断电路中哪个二极管导通，哪个二极管截止?设各二极管导通时的正向压降为0.7V ，求U 0。
(a) （b ）题1-3图1-4一个二极管工作在正向导通阶段是否有稳压作用?稳压管工作在正向导通阶段是否有稳压作用。
为什么?1-5两只稳压管的稳定电压分别是4V 和6V ，它们的正向导通电压为O ．7V ，试问用它们串联和并联可以得到几种稳压值?1-6 如图1-6所示，若电源电压的有效值为12V ， A 、B 、C 为三只相同的灯泡，问哪只灯泡最亮，并求各灯泡两端电压的平均值。
题1-6图1-7 有人用万用表测量二极管反向电阻时，为了使表棒和二极管引线接触好一些，用双手把两端捏紧，结果测得二极管的反向电阻比较小，认为不合格，但在设备上却正常工作，这是什么原因？这样的操作和判断是否正确?为什么?1-8要使稳压性能好，稳压管的稳压值是大一些好还是小一些好?工作电流是大一些好还是小一些好?温度系数是大一些好还是小一些好?1-9既然三极管有两个PN 结，可否用两个二极管相联以构成一只三极管？说明理由。
1-10 一只NPN型的三极管，具有e、b、c三个电极，能否将e、c两个电极交换使用？为什么？1-11一块正常工作的放大电路板上，测得某晶体管的三只管脚对地电压分别为-6V,-6.2V,-9V，试问这只晶体三极管是PNP型还是NPN型？是锗管还是硅管？并确定各管脚哪个是基极、发射极、集电极。
1-12 测量某硅三极管的各极对地电压值如下：1）V C=6V，V B=7V，V E=0V；2）V C=6V，V B=67V，V E=5.4V; V C=3.6V，V B=47V，V E=3.40V 试判别管子工作在什么区域?1-13能不能用鉴别晶体管的简易方法来鉴别场效应管的三个电极和它的性能好坏?1-14 场效应管的跨导是大一些好还是小一些好？如果管子已经确定，为了使跨导大一些应该如何改变U GS的变化范围？第二章习题2-1 说明如图2-1放大电路中的R B和R C的作用。
《模电》习题集
《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习填 空1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。
2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。
3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。
4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电 。
5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极 。
6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。
7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。
8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。
9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。
10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。
11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。
设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估 算 U A ~ U D 值 。
图 a ：VD 1_______ 偏置 ， U A =_____，U B =_______；图 b ：VD 2________ 置 ， U C =_____，U D =_______。
12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压U AB （设二极管均为理想二极管）图a ：VD_______，U AB _______。
图b ：VD_______，U AB _______。
模拟电子线路习题集
1.在本征半导体中加入（D）元素可形成N型半导体。
A.二价B.三价C.四价D.五价2.稳压管是工作在（C）区的二极管。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向导通3.PNP三极管工作在放大状态时，U BE和U BC需满足的关系是（B）。
A.U BE>0，U BC<0B.U BE<0，U BC>0C.U BE<0，U BC<0D.U BE>0，U BC>04. 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图所示，该晶体管的类型是（A）。
A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管5.PN结加反向电压时，空间电荷区将（C）。
A、变窄B、基本不变C、变宽D、不确定6. 半导体稳压二极管正常稳压时，应工作于（A ）A 反向偏置击穿区B 反向偏置未击穿区C 正向偏置导通状态D 正向偏置未导通状态7. 三极管的工作机理是（A ）A 输入电流控制输出电流B 输入电流控制输出电压C 输入电压控制输出电流D 输入电压控制输出电压8．PN结反向偏置时，其内电场被（B）。
A．削弱B．增强C．不变D．不确定9．放大电路中，已知UA=－9V, UB=－6.2V,UC=－6V,则该三级管是（B）。
A. NPN ，硅管B.PNP, 锗管C.NPN, 锗管D.PNP, 硅管10. PN 结形成后，空间电荷区由（B ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴11．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ） 。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B. P 沟道结型场效应管C ．N 沟道增强型MOS 管 D. N 沟道耗尽型MOS 管12.两个参数完全相同的放大电路串联起来后，总的上限频率H f 和下限频率L f 将发生怎样改变（ B ）A.H f 升高，L f 降低B.H f 降低，L f 升高C .H f 、L f 均升高 D.H f 、L f 均降低13.在共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO 将（ B ）。
模电习题(含答案)
1. _非常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。
2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体，前者中多数载流子是_自由电子_，少数载流子是_空穴_，后者中多数载流子是_空穴_，少数载流子是_自由电子_。
3. 本征硅中若掺入5价元素的元素，则多数载流子应是_自由电子_，掺杂越多，则其数量一定越_多_，相反，少数载流子应是_空穴_，掺杂越多， 则其数量一定越_少_。
4. P 区侧应带_负电_，N 曲一侧应带_正电_。
空间电荷区内的电场称为_内电场_，其方向从_N 区_指向_P 区_。
5. 在PN 结两侧外加直流电压，正端与P 区相连，负端与N 区相连，这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。
6. 半导体三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似，而输出特性曲线可以划分为三个工作区域，它们是_截止_区、_饱和_区和_放大_区。
7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升高时，半导体三极管的β值_增大_，ICBO 值_增大_，UBE 值_减小_。
8. 半导体三极管能够放大信号，除了内部结构和工艺特点满足要求外，还必须具备的外部工作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。
9. 工作在放大区的某晶体管，当IB 从20微安增大到40微安时，Ic 从2毫安变为4毫安，它的β值约为_100_。
10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。
11. NPN 型硅三极管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为_E B C U U U >>_；基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。
12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两大类，他们工作时有_自由电子_、_空穴_两种载流子参与导电。
13. 在用万用表测量二极管的过程中，如果测得二极管的正反向电阻都为0Ω，说明该二极管内部已_击穿_；如果所测得的正反向电阻都为无穷，说明该二极管已_断路损坏_。
模拟电子技术习题集
第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
A. ISeUB.C.（3）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。
图T1.3解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。
求图T1.4所示电路xxUO1和UO2各为多少伏。
图T1.4解：UO1＝6V，UO2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T1.5解图T1.5解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点xx曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。
模电习题集
第一章一、选择题1.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移4.下列符号中表示发光二极管的为（）。
A B C D5.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（）。
A.减小B. 基本不变C. 增大D. 先增大后减小二、填空题1.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。
2.PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
3.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。
4.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
5.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。
三、判断题1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
（）3.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（）4.二极管只要加正向电压便能导通。
（ ） 四、计算题1.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
o(c)(d)o2.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
R500ΩR 2k V3.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
R V 3k 10k 32k Ω4.二极管双向限幅电路如图所示，设tV u i ωsin10=，二极管为理想器件，试画出输出u i 和u o 的波形。
V 1V 2R+－4V6V+－u iu o5.电路如下图所示，已知ui ＝10sin ωt (V)，二极管导通电压UD 可忽略不计。
模电习题集
模拟电子技术基础习题集梁玉红编蒋伟荣审电气与信息工程学院2011年4月第一章第一章 绪论习题一． 某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500Mv,它的增益是什么它的增益是什么？？属于哪一类放大电路大电路？？二． 试说明为什么选用频率可连续变化的正弦波发生器作为放大电路的实验试说明为什么选用频率可连续变化的正弦波发生器作为放大电路的实验、、测试信号源号源。
用它可以测量放大电路的那些性能指标用它可以测量放大电路的那些性能指标？？三． 在某放大电路输入端测量到输入正弦波信号电流和电压的峰-峰值分别为5uA 和5mV ，输入端接2K Ω电阻负载电阻负载，，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。
试计算该放大电路的路的电压增益电压增益Av ，电流增益Ai 、功率增益Ap 。
四． 当负载电阻R L =1K Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路电压放大电路输出电压比负载开路（（R L =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻求该放大电路的输出电阻。
五．一电压放大电路输出端接1K Ω负载电阻时负载电阻时，，输出电压为1V 1V，，负载电阻断开时负载电阻断开时，，输出电压上升到1.1V 1.1V，，求该放大电路的输出电阻R O 。
第二章 常用半导体器件（习题）一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（ ） （5）三极管可以把小能量放大成大能量。
（ ）二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
模电习题大全
io
vo
vi
A1 +
R2 A2 R4 +
vi
vo
+ RL R2
R1 (b)
(f)
电压串联负反馈
R1 Fv vo R1 R4
R1 vi vo R1 R4
电流串联正反馈
Fr
vi
v p1
vf io
R2
R2 vo R2 RL
vo R4 Avf (1 ) vi R1
(3)
v(t ) 220 2 sin(2 50 t 0)
60 v(t ) sin(2 10 3 t 0) 2 mV
V
(4)
1 v(t ) sin(100 t 0) 2
V
1.2
题图1.2所示的周期方波电压信号加在一个电阻R两端。
1 T v2 ( )dt R 计算该方波信号在电阻上消耗的功率PS； T 0
解：
VS
RS +
Vi
ii R
i1
Ro1 + AVO1V
i
Ri2 + Vo1 +
Ro2 + AVO2Vo1 Vo2 -
Ri3 + -
Ro3 AVO3Vo2
io +V o RL
+ -
高输入电阻型
高增益型
低输出电阻型
vo vo vo 2 vo1 vi Ri1 Ri1 Avs Av 3 Av 2 Av1 Av1 Av 2 Av 3 vs vo 2 vo1 vi vs Ri1 Rs Ri1 Rs Ri1 Ri 2 Avo1 Ri 3 Avo 2 RL Avo 2 252 Ri1 Rs Ri 2 Ro1 Ri 3 Ro 2 RL Ro 3
《模电》习题集
《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习填 空1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。
2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。
3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。
4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电 。
5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极 。
6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。
7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。
8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。
9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。
10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。
11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。
设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估 算 U A ~ U D 值 。
图 a ：VD 1_______ 偏置 ， U A =_____，U B =_______；图 b ：VD 2________ 置 ， U C =_____，U D =_______。
12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压U AB （设二极管均为理想二极管）图a ：VD_______，U AB _______。
图b ：VD_______，U AB _______。
《模电》经典题目,含答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1 .有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b.输入电阻小c.输出电阻大d.输出电阻小2 .共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强d.输入信号中的差模成分越大3•多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a.变宽b.变窄c.不变d.与各单级放大电路无关4. 一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dB5. LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 3dB图1-5ZOlglAvl/db图1-4d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6•双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1-V c 2=0,设差模电压增益卜討100,共模电压增益A Vc 0, V ii10mV,V i2 5mV,则输出电压|Vo |为（）。
a. 125mV2. 电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹 断区、可变电阻区）。
7 •对于图1-7所示的复合管，假设则复合管的穿透电流I CEO 为（）。
a. I CEOc.I CEO 1 CEO2I CEO11 CEO1和1 CEO2分别表示「、T 2单管工作时的穿透电流, b1CEO 1CEO1 1 CEO2d. 1CEO I CEO2 (12)I CEO1&某仪表放大电路，要求 a.电流串联负反馈 c.电流并联负反馈R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
模拟电子技术习题集
第一部分电子技术第一章数字电路一、判断题（√）1、逻辑运算中,能把所有可能条件组合及其结果—-对应列出的表格称为真值表。
（√)2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大，输出电压越稳定。
（√)3、逻辑电路中的与门和或门是相对的，即正与门就是负或门，正或门就是负与门。
（√）4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小.（√)5、与非门的多余端不允许接地。
（×）6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器.(√)7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器.(×）8、TTL与非门输入端同时悬空时，相当于输入端不加电平,故输出为高电平。
(√）9、使用TTL数字集成电路时,电源电压极性不能接反,其额定值为5V。
（×）10、若一个异或门的两个输入端的电平相同，即同为高电平或同为低电平，则输出为高电平。
（√）11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的，与CP脉冲也是不同步的. (√)12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号,应采用施密特触发器.（×）13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲，应采用单稳态触发器。
（×）14、TTL数字集成电路中，或门不使用的输入端接高电平。
(√)15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。
（√)16、一个触发器可以存储一位二进制代码，用N个触发器就可以存储N位二进制代码。
(√）17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。
在数字电路中，能实现编码功能的电路称编码器。
（×)18、主一从J－K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。
（×)19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。
二、单项选择题l、具有记忆功能的电路是( D ）。
A：与非门B：异或门C：加法器D：触发器2、组合电路是由( B )组成的.A:存储电路B：门电路C:逻辑电路D：数字电路3、下列逻辑电路错误的是( B ）。
模电习题库
一、填空题1、P型半导体的多子是，N型半导体的多子是,二极管的最主要特性是。
2、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。
3、欲构成一个正弦波振荡电路，电路的组成部分应包括、、和。
4、多级放大器级间耦合方式主要有耦合、耦合、耦合和耦合等。
5、当温度升高时，三极管的集电极电流Ic ，发射结压降UBE 。
6、集成运放作线性应用是，必须构成组态；做非线性应用时，必须构成和组态。
7、半导体三极管有两个PN结，即和；三极管的输出特性曲线可以分成三个区,分别是，, 。
8.、乙类互补功放存在失真，可以利用类互补功放来克服9.、在共射、共集两种基本放大电路中，电压放大倍数小的是组态；输入电阻大的是组态，；输出电阻大的是组态；带负载能力强的是组态。
11、放大电路中某三极管三个管脚测得的对地电压分别为5V，1V，1.7V的类型是。
（写出材料和管型）。
12、振荡电路的起振条件包括和。
13、欲构成一个正弦波振荡电路，电路的组成部分应包括、、和环节。
14、按照三极管的工作状态的不同，功率放大电路可以分为、和。
15、若采用市电供电，则通过、、和后可得到稳定的直流电。
16、集成运放作线性应用是，必须构成组态；做非线性应用时，必须构成和组态。
17、三极管放大电路有输入信号时的状态称，此时电路中既有分量，又有分量。
18、三极管放大电路共有三种组态、、放大电路。
19、半导体三极管有两个PN结，即和；三极管的输出特性曲线可以分成三个区,分别是，, 。
20. PN结具有 ， 偏置时导通， 偏置时截止。
21. 正常情况下稳压管工作在 区，具有稳压作用。
22. 温度升高时，晶体管的电流放大系数 ，反向饱和电流I CBO ，发射结正向导通电压U BE 。
23. 放大电路的电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差 。
24. 三极管具有电流放大作用的实质是利用 电流实现对 电流的控制。
25．理想运算放大器的开环差模电压放大倍数A ud可认为 ，输入阻抗R id为 ，输出阻 抗R o为 。
模电习题集
半导体二极管及其基本电路例1．求图所示电路的静态工作点电压和电流。
解：（1）图解分析法首先把电路分为线性和非线性两部分，然后分别列出它们的端特性方程。
在线性部分，其端特性方程为Ｖ＝Ｖ1－ＩＲ将相应的负载线画在二极管的伏安特性曲线上，如图所示，其交点便是所求的（ＩQ，ＶQ）。
（2）模型分析法①理想二极管模型Ｖ＝0，Ｉ＝Ｖ1／Ｒ②恒压降模型设为硅管，Ｖ＝0.7V，Ｉ＝（Ｖ1－Ｖ）／Ｒ例2．图所示电路中，设Ｄ为理想二极管，试画出其传输特性曲线（Ｖo～Ｖi）。
解：（1）ｖi<0，二极管Ｄ1、Ｄ2均截止，ｖo=2.5V。
（2）ｖi>0当0<ｖi<2.5V时，二极管Ｄ1、Ｄ2均截止，ｖo=2.5V；当ｖi>2.5V时，Ｄ1导通，假设此时Ｄ2尚未导通，则ｖo=(2/3)．(vi-2.5)+2.5V；令ｖo=10V，则ｖi=13.75V，可见当ｖi>13.25V时，Ｄ1、Ｄ2均导通，此时ｖo=10V。
传输特性曲线略。
例3．试判断图中二极管是导通还是截止？并求出AO两端电压ＶA0。
设二极管为理想的。
解：分析方法：（1）将D1、D2从电路中断开，分别出D1、D2两端的电压；（2）根据二极管的单向导电性，二极管承受正向电压则导通，反之则截止。
若两管都承受正向电压，则正向电压大的管子优先导通，然后再按以上方法分析其它管子的工作情况。
本题中：Ｖ12=12V，Ｖ34=12+4=16V，所以D2优先导通，此时，Ｖ12=-4V，所以D1管子截止。
ＶA0 = -4V。
例4．两个稳压管的稳压值ＶZ1=5V，ＶZ2=7V，它们的正向导通压降均为0.6V，电路在以下二种接法时，输出电压Ｖo为多少？若电路输入为正弦信号ＶI=20sinωt（V），画出图（a）输出电压的波形。
解：图（a）中D1、D2都承受反向偏压，所以输出电压Ｖo=ＶZ1+ＶZ2=5V+7V=12V若输入正弦信号ＶI=20sinωt（V）：在输入信号正半周，若ＶI<12V 稳压管处于反向截止状态，Ｖo=ＶI；若ＶI ≥12V 稳压管处于反向击穿状态，Ｖo=12V。
模拟电路习题集
2．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_C__。
（A ．0＝F A ，B ．1＝F A ，C ．1＝－F A ，D ．∞＝F A） 二. 判断下列说法是否正确，（本大题共 3 小题，每小题3分，总计 9 分 ）1、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。
当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电压波形将为非正弦（ × ）；输出电压频率与输入电压频率不同（× ）；输出电压相位与输入电压相位不同（ √ ）。
2、判断下列说法的正误，正确画√ ，错误画×。
放大电路的增益带宽积近似为常数是指：1．当晶体管选定后，放大电路的中频增益和带宽的乘积近似为一个常数。
（√ ）2．当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电路增益与信号频率乘积近似为一个常数。
（ × ）3、判断下列说法的正误。
正确画√ ，错误画×。
由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以图示电路中g R 的大小对中频电压放大倍数几乎没有影响,（√ ）对频率响应特性也几乎没有影响。
（ × ）u V 三. 选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D （本大题共4小题，每小题3分，总计 12 分）1、从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
N 型半导体是在纯净半导体中掺入_D__；P 型半导体是在纯净半导体中掺入__C_。
（A ．带负电的电子， B ．带正电的离子， C ．三价元素，如硼等 ， D ．五价元素，如磷等）2、从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C …填空。
某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 8V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 4V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为__C_____________。
（A ．80 ， B ．40， C ．－40， D ．20） 3、选择正确答案，用A 、B 、C 、D填空。