半导体物理考研总结
半导体物理总结-讲义(1)
半导体物理总结-讲义(1)《半导体物理总结-讲义》是一本关于半导体物理基础知识的讲解材料，其中包括半导体的基本特性、载流子运动、PN结、场效应管等内容。
以下为该书的重点内容概述：一、半导体材料特性1. 能带结构：半导体的能带结构高于导体、低于绝缘体，因此具有介于导体和绝缘体之间的导电和绝缘特性。
2. 晶格结构：半导体具有有序、周期性的晶体结构，能够有效控制电子在晶体内的运动。
3. 掺杂：通过掺杂材料改变半导体的电子浓度，从而使其具有p型或n型半导体的特性。
二、载流子运动1. 热激发：半导体中的电子可以受到能量的激励而被激发到导带中。
热能、光能、电场或磁场都可以起到激发的作用。
2. 离子化：在电场的作用下，半导体中的电子可能与晶格原子碰撞，失去能量而被离子化。
形成的正负离子对在电场作用下会向相反方向漂移。
3. 扩散：电子或空穴在半导体中由高浓度区域向低浓度区域扩散，使浓度逐渐平均，实现电流的流动。
扩散是在没有外电场的情况下发生的。
三、PN结1. 构成：PN结由p型半导体和n型半导体组成。
2. 特性：PN结具有一定的整流特性，能够阻止电流从n型半导体流向p型半导体，但允许反向电流。
3. 工作原理：在PN结中，载流子在电场的作用下发生扩散和漂移，形成电流。
四、场效应管1. 构成：场效应管由栅、漏极和源极三部分构成。
栅极位于n型半导体上，由于n型半导体中的电子易受到电场的影响，因此在栅极上加入电信号可以控制通道的导电性。
2. 工作原理：在没有控制电压的作用下，场效应管的通道是关闭的。
当加入一定电压时，栅极上的电场可以将通道打开，使得电流得以流动。
以上为《半导体物理总结-讲义》的重点内容概述，读者可根据需要深入学习相关内容。
(完整word版)半导体物理知识点总结.doc
一、半导体物理知识大纲核心知识单元 A：半导体电子状态与能级（课程基础——掌握物理概念与物理过程、是后面知识的基础）半导体中的电子状态（第 1 章）半导体中的杂质和缺陷能级（第 2 章）核心知识单元 B：半导体载流子统计分布与输运（课程重点——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法）半导体中载流子的统计分布（第 3 章）半导体的导电性（第 4 章）非平衡载流子（第 5 章）核心知识单元 C：半导体的基本效应（物理效应与应用——掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用）半导体光学性质（第10 章）半导体热电性质（第11 章）半导体磁和压阻效应（第12 章）二、半导体物理知识点和考点总结第一章半导体中的电子状态本章各节内容提要：本章主要讨论半导体中电子的运动状态。
主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。
阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。
最后，介绍了Si、Ge 和 GaAs 的能带结构。
在 1.1 节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。
（重点掌握）在 1.2 节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。
介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。
（重点掌握）在 1.3 节，引入有效质量的概念。
讨论半导体中电子的平均速度和加速度。
（重点掌握）在1.4 节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。
（重点掌握）在 1.5 节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。
（理解即可）在 1.6 节，介绍 Si 、Ge 的能带结构。
（掌握能带结构特征）在 1.7 节，介绍Ⅲ -Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs 的能带结构。
（掌握能带结构特征）本章重难点：重点：1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点；三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。
半导体物理归纳总结
半导体物理归纳总结半导体物理是研究半导体材料及其在电子器件中的应用特性的学科领域。
在过去几十年里，半导体技术的飞速发展对我们的生活产生了巨大的影响。
本文将对半导体物理的一些重要概念和原理进行归纳总结，帮助读者更好地理解半导体器件的工作原理及其应用。
1. 半导体的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质，具有中等电导率。
它的导电性质可以通过控制掺杂和温度来进行调节。
常见的半导体材料有硅和锗，它们的物理性质决定了半导体器件的性能。
2. 半导体材料的能带结构半导体材料的能带结构直接影响其导电性质。
能带是描述电子能量和电子分布的概念。
在半导体中，价带是最高的填满电子的能带，而导带是电子可以自由移动的能带。
半导体的导电性取决于导带和价带之间的能隙大小。
3. 掺杂与载流子掺杂是将某种杂质引入到半导体材料中，以改变半导体的导电特性。
掺杂可以分为施主掺杂和受主掺杂两种。
施主掺杂会引入额外的自由电子，增加半导体的导电性，而受主掺杂引入额外的空穴，减少导电性。
掺杂后产生的自由电子和空穴被称为载流子，它们在半导体中的运动导致了电流的流动。
4. pn结及其特性pn结是由p型半导体和n型半导体相接触形成的结构。
在pn结中，p区富含空穴，n区富含自由电子。
当p区和n区相接触时，会发生空穴和自由电子的复合过程，形成耗尽区。
耗尽区内形成了电场，阻止了进一步的复合。
这种特殊的结构使得pn结具有整流特性，即在正向偏置下电流可以流动，而在反向偏置下电流几乎不流动。
5. 半导体器件的应用半导体器件包括二极管、场效应晶体管、晶体管等，它们在各种电子设备中起着重要作用。
二极管是一种具有单向导电性的器件，广泛应用在电源供电和信号处理中。
场效应晶体管是一种高度可控的电流放大器，常用于放大和开关电路。
晶体管则是一种功率放大器，被广泛应用在音频和无线通讯领域。
总结：半导体物理是一门涉及半导体材料特性和器件应用的重要学科。
通过对半导体的能带结构、掺杂与载流子、pn结特性以及器件应用的介绍，我们对半导体器件的工作原理有了更深入的理解。
中国科学院半导体物理考研复习总结..docx
中国科学院半导体物理考研复习总结..docx第一章晶体结构晶格§1晶格相关的基本概念1. 晶体：原子周期排列，有周期性的物质。
2. 晶体结构:原子排列的具体形式。
3. 晶格：典型单元重复^列构成晶格。
4. 晶胞：重复性的周期单元。
5. 晶体学晶胞：反映晶格对称性质的最小单元。
6. 晶格常数:晶体学晶胞各个边的实际长度。
7. 简单晶格&复式晶格:原胞中包含一个原子的为简单晶格，两个或者两个以上的称为复式晶格。
8. 布拉伐格子:体现晶体周期性的格子称为布拉伐格子。
（布拉伐格子的每个格点对应一个原胞,简单晶格的晶格本身和布拉伐格子完全相同；复式晶格每种等价原子都构成^布拉伐格子相同的格子。
）9. 基失：以原胞共顶点三个边做成三个矢虽，（XI ,?2 并以其中一个格点为原点，则布拉伐格子的格点可以表示为aL=Liai +I_2＜X2 +L3CX3。
把ai , ＜12 , ＜X3 称为基矢。
10. 平移歸性:整个晶体按9中定义的矢量at平移，晶格与自身重合，这种特性称为平移对称性。
（在晶体中，一般的物理量者頃有平移对称性）11. 晶向&晶向扌讖：参考教材。
（要理解）12. 晶面&晶面扌談:参考教林（要理解）立方晶系中,若晶向扌讖和晶面扌讖相同则互相垂直。
§2金刚石结构,类金刚石结构（闪锌矿结构）金刚石结构：金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶格,它是由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成。
常见的半导体中Ge , Si , a-Sn （灰锡）者B属于这种晶格。
金刚石结构的特点:每个原子都有四个最邻近原子,它们总是处在i 正四面体的顶点上。
（每个原子所具有的最邻近原子的数目称为配位数）每两个邻近原子都沿一个＜U1＞方向,处于四面体顶点的两个原子连线沿一个＜1丄0＞方向，四面体不共顶点两个棱中点连线沿f 00＞方向。
四血体结构示总图金刚石结构的密排面：｛1,1,1｝晶面的原子都按六方形的方式排列。
半导体物理要点总结
第一章半导体的能带理论共价键：硅锗原子之间组合靠的是共价键结合，他们的晶格结构与碳原子组成的金刚石类似。
四原子分别处于正四面体的顶角，任意顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为两原子共有，共有的电子在两原子之间形成较大的电子云密度，通过他们对原子实的引力把两个原子结合在一起。
闪锌矿型结构：类似于金刚石的结构但是是由两种原子构成的，一个中心原子周围有4个不同种类的原子。
因为原子呈现电正性或者电负性，有离子键的成分。
纤锌矿结构：离子性结合占优的话，就形成该结构。
不具有四方对称性，取而代之是六方对称性。
共有化运动：原子的电子分列不同能级，也即是电子壳层。
当原子互相接近形成晶体时，电子壳层互相交叠，电子可以转移到相邻原子上去，可以在整个晶体中移动，这种运动叫做电子的共有化运动。
能带：电子的能级在受到其他原子影响之后，就会出现分裂现象，这种分裂后产生n个很近的能级叫做能带。
禁带：分裂的每一个能带称为允带，允带之间则称为禁带。
单电子近似：晶体中某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场，以及其他大量电子的平均势场中运动，势场是周期性变化的，周期于晶格周期相同。
电子在周期性势场中的运动特点和自由电子的运动十分相似。
导体、半导体、绝缘体的能带：导体是通过上层的不满带导电的。
对于半导体和绝缘体，从上到下分别是空带、禁带、价带（满带），在外电场作用下并不导电，但是当外界条件（加热光照）发生变化时，满带中的少量电子可能被激发到空带当中，这些电子可以参与导电，同时满带变成部分占满，满带也会起导电作用。
这种导电作用等效于把这些空的量子状态看作带正电荷的准粒子的导电作用，常称这些空的量子状态为空穴。
绝缘体的禁带宽度很大，激发点很困难，而半导体相对容易，在常温下就有电子被激发到导带。
有效质量：在描述电子运动规律的方程中出现的是电子的有效质量mn*，而不是电子的惯性质量m0。
这是因为其中f并非全部外力，其实电子还收到原子和其他电子的作用，此时用有效质量进行计算可以简化问题，f和加速度挂钩，而内部势场作用用有效质量概括。
半导体物理笔记总结
第二章1、 晶体的基本特点组成晶体的原子按一定的方式有规则的排列而成、具有固定的熔点、方向为各向异性。
2、[100]6 [110]12 [111]8 SI:两套面心立方点阵沿对角线平移1/4套构成3、晶向指数 晶面指数、密勒指数=截距倒数的互质整数4、布拉格定律：λθn d =sin 2 原因：点阵周期性5、能量量子化：孤立原子中的电子能量(状态)是一系列分离的能量的确定值（不连续），称为能级。
6、相同能量的轨道可以不止一个，具有相同能量的轨道的数目称为简并度。
7、费米能级：基态下最高被充满能级的能量2222）（LN m F πε = 8、电子的波函数是两个驻波，两个驻波使电子聚集在不同的空间区域内，因此考虑到离子实的排列，这两个波将具有不同的势能值。
这就是能隙起因。
晶体中电子波的布拉格反射——周期性势场的作用。
9、共有化运动：晶体中原子上的电子不完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，结果电子可以在整个晶体中运动。
原因：电子壳层有一定的交叠。
10、原子轨道线性组合法11、主量子数：决定电子出现几率最大的区域离核的远近(或电子层)，并且是决定电子能量的主要因素；副量子数：决定原子轨道（或电子云）的形状，同时也影响着电子的能量；磁量子数：决定原子轨道（或电子云）在空间的伸展方向；自旋量子数：决定电子自旋的方向；12、自由电子模型：组成晶体的原子中束缚得最弱的电子在金属体内自由运动。
原子的加点字成为传导电子。
在自由电子近似中略去传导电子和离子实之间的力；在进行所有计算时，仿佛传导电子在样品中可以各处自由移动。
总能量全部是动能，势能被略去。
自由电子费米气体是指自由的、无相互作用的、遵从泡利不相容原理的电子气13、近自由电子近似：当周期势场起伏很小时，电子在势场中运动，可将势场的平均值U0代替晶格势Ur 作为零级近似，将周期的起伏Ur —U0作为微扰处理。
可解释金属价电子能带。
把能带电子看做仅仅是受到离子实的周期性势场微扰。
半导体物理知识点及重点习题总结
半导体物理知识点及重点习题总结基本概念题：第⼀章半导体电⼦状态1.1 半导体通常是指导电能⼒介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的⼩许多。
1.2能带晶体中，电⼦的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。
这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。
1.3导带与价带1.4有效质量有效质量是在描述晶体中载流⼦运动时引进的物理量。
它概括了周期性势场对载流⼦运动的影响，从⽽使外场⼒与加速度的关系具有⽜顿定律的形式。
其⼤⼩由晶体⾃⾝的E-k 关系决定。
1.5本征半导体既⽆杂质有⽆缺陷的理想半导体材料。
1.6空⽳空⽳是为处理价带电⼦导电问题⽽引进的概念。
设想价带中的每个空电⼦状态带有⼀个正的基本电荷，并赋予其与电⼦符号相反、⼤⼩相等的有效质量，这样就引进了⼀个假想的粒⼦，称其为空⽳。
它引起的假想电流正好等于价带中的电⼦电流。
1.7空⽳是如何引⼊的，其导电的实质是什么？答：空⽳是为处理价带电⼦导电问题⽽引进的概念。
设想价带中的每个空电⼦状态带有⼀个正的基本电荷，并赋予其与电⼦符号相反、⼤⼩相等的有效质量，这样就引进了⼀个假想的粒⼦，称其为空⽳。
这样引⼊的空⽳，其产⽣的电流正好等于能带中其它电⼦的电流。
所以空⽳导电的实质是能带中其它电⼦的导电作⽤，⽽事实上这种粒⼦是不存在的。
1.8 半导体的回旋共振现象是怎样发⽣的（以n型半导体为例）答案：⾸先将半导体置于匀强磁场中。
⼀般n型半导体中⼤多数导带电⼦位于导带底附近，对于特定的能⾕⽽⾔，这些电⼦的有效质量相近，所以⽆论这些电⼦的热运动速度如何，它们在磁场作⽤下做回旋运动的频率近似相等。
当⽤电磁波辐照该半导体时，如若频率与电⼦的回旋运动频率相等，则半导体对电磁波的吸收⾮常显著，通过调节电磁波的频率可观测到共振吸收峰。
这就是回旋共振的机理。
1.9 简要说明回旋共振现象是如何发⽣的。
半导体样品置于均匀恒定磁场，晶体中电⼦在磁场作⽤下运动运动轨迹为螺旋线，圆周半径为r ，回旋频率为当晶体受到电磁波辐射时，在频率为时便观测到共振吸收现象。
半导体物理的心得体会
半导体物理的心得体会近年来，半导体物理作为一个重要的研究领域，吸引了越来越多的科学家和工程师的关注。
在我的研究和学习过程中，我对半导体物理有了深刻的体会。
下面我将分享一些我的心得和体会。
首先，在研究半导体物理时，我们不可避免地要学习量子力学的基本原理。
量子力学是研究微观尺度下粒子行为的理论，它对理解半导体器件的行为提供了重要的工具。
我发现，量子力学的世界是如此微妙和神秘，它让我重新思考了宇宙的本质。
通过理解波粒二象性、不确定性原理和波函数叠加的概念，我更加深入地理解了半导体材料中电子的行为规律。
其次，半导体物理中的能带理论是一个基本的概念。
通过能带理论，我们可以解释材料的导电性质。
在固体中，价带和导带之间的能量差距决定了材料的导电性能。
半导体材料因为其特殊的电子能级结构，在低温下几乎是绝缘体，在一定温度和掺杂条件下则可以成为电子或孔子的导体。
了解能带理论不仅有助于我们理解半导体器件的工作原理，还可以指导我们设计出更高效的器件。
另一个我在研究半导体物理中得到的体会是关于半导体材料的掺杂。
掺杂是通过在半导体中引入少量的杂质，改变其电子结构并且影响其导电性能。
在p型掺杂中，杂质原子捐赠出一个电子，形成正空穴，而在n型掺杂中，杂质原子接受一个电子，形成负电子。
通过合适的掺杂可以形成p-n结，这是半导体器件中常用的结构。
了解掺杂的原理和技术，对我们制造高效的半导体器件有着重要的指导作用。
在半导体物理研究中，我也深刻体会到了半导体器件的制备和工艺对于性能影响之大。
精细的掺杂工艺、薄膜沉积、光刻和蚀刻等工艺的优化对于器件的性能有着决定性的影响。
在研究中，我们不仅需要理解材料的电子行为，还需要掌握各种复杂的器件制备工艺。
只有通过合理的工艺流程和参数设置，才能够制备出高质量的半导体器件。
最后，我发现在半导体物理的研究中，团队合作是非常重要的。
由于半导体物理的研究领域庞大而复杂，涉及的知识面广泛，很难由一个人单独完成。
半导体物理考研知识点归纳
半导体物理考研知识点归纳半导体物理是研究半导体材料的物理性质及其在电子器件中的应用的学科。
在考研中，半导体物理的知识点主要包括以下几个方面：1. 半导体的基本性质- 半导体材料的分类，包括元素半导体和化合物半导体。
- 半导体的能带结构，包括导带、价带以及禁带的概念。
- 半导体的载流子类型，即电子和空穴。
2. 半导体的掺杂- 掺杂原理，包括n型和p型掺杂。
- 掺杂对半导体电导率的影响。
- 杂质能级和费米能级的移动。
3. 半导体的载流子运动- 载流子的漂移和扩散运动。
- 载流子的迁移率和扩散常数。
- 霍尔效应及其在半导体中的应用。
4. pn结和半导体器件- pn结的形成原理和特性。
- 正向和反向偏置下的pn结特性。
- 金属-半导体接触和肖特基势垒。
5. 半导体的光电效应- 本征吸收和杂质吸收。
- 光生载流子的产生和复合。
- 光电二极管和光电晶体管的工作原理。
6. 半导体的热电效应- 塞贝克效应和皮尔逊效应。
- 热电材料的热电性能。
7. 半导体的量子效应- 量子阱、量子线和量子点的概念。
- 量子效应对半导体器件性能的影响。
8. 半导体的物理量测量技术- 电阻率、载流子浓度和迁移率的测量方法。
- 光致发光和电致发光技术。
9. 半导体器件的制造工艺- 晶体生长技术，如Czochralski法和布里奇曼法。
- 光刻、蚀刻和掺杂工艺。
结束语半导体物理是一门综合性很强的学科，它不仅涉及到材料科学、固体物理，还与电子工程和微电子技术紧密相关。
掌握这些基础知识点对于深入理解半导体器件的工作原理和优化设计至关重要。
希望以上的归纳能够帮助考研学子们更好地复习和掌握半导体物理的相关知识。
半导体物理知识总结
半导体中的电子状态主要研究内容：半导体的物理性质与半导体中电子的状态及其运动特点有密切关系。
用单电子近似的方法研究固态晶体中电子的能量状态。
所谓单电子近似，即假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。
该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。
用单电子近似法研究晶体中电子状态的理论成为能带论。
1、半导体的特点。
（1）、在纯净的半导体中，电导率随温度的上升而指数增加。
（2）、在半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺入杂质的情况下半导体的电导率随温度的变化较弱。
（3）、在半导体中可以实现非均匀掺杂。
（4）、光的辐照，高能电子等的注入，可以影响半导体的电导率。
2、半导体中电子的微观运动特点。
（1）、电子作稳恒运动，具有完全确定的能量。
这种稳恒运动状态称为量子态，而且同一个量子态上只能有一个电子。
（2）、在一定条件下，电子可以发生从一个量子态转移到另一个量子态的突变，这种突变称为量子跃迁。
3、能带理论晶体中的电子不再束缚于个别原子，而在一个具有晶格周期性的势场中作共有化运动，孤立原子能级按照电子共有化运动不同而分裂成彼此靠的很近且有一定宽度的能带。
能被电子填充的带称为允带，允带中的能级数与晶体中原子数相等。
允带之间有禁带（补充布里渊区，禁带宽度），禁带宽度的大小是区别绝缘体、半导体与金属的重要区别。
晶体中电子的能带在波矢空间具有反演对称性，且是倒格子的周期函数。
4、从能带理论解释导体、绝缘体、半导体的导电性。
电子的能带分为满带和不满带。
被电子完全占满的能带成为满带，未被电子完全填满的带称为不满带。
在外加电场时，满带中的电子状态随时间发生变化，但整体上分布仍保持对称分布，使得满带中的电子对导电无贡献。
不满带中的电子在无外场时成对称分布，总电流为零。
当施加外场时，漂移和碰撞作用达到平衡后，电子有一个稳定的分布，且电子的分布不再对称。
不对称部分的电子对导电有贡献。
导体的能带中有不满带，称为导带或价带。
半导体物理知识要点总结
第一章 半导体的能带理论1. 基本概念✧ 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不在局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而电子可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。
✧ 单电子近似：假设每个电子是在大量周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。
该势场也是周期性变化的。
✧ 能带的形成：原子相互接近，形成壳层交替→电子共有化运动→能级分裂（分成允带、禁带）→形成能带✧ 能带：晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。
这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。
✧ 价带：P6✧ 导带：P6✧ 禁带：P5✧ 导体✧ 半导体✧ 绝缘体的能带✧ 本征激发：价带上的电子激发成为准自由电子，即价带电子激发成为导带电子的过程，称为本征激发。
✧ 空穴：具有正电荷q 和正有效质量的粒子✧ 电子空穴对✧ 有效质量：有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。
它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。
其大小由晶体自身的E-k 关系决定。
✧ 载流子及载流子浓度2. 基本理论✧ 晶体中的电子共有化运动✧ 载流子有效质量的物理意义 ：当电子在外力作用下运动时，它一方面受到外电场力f的作用，同时还和半导体内部原子、电子相互作用着，电子的加速度应该是半导体内部势场和外电场作用的综合效果。
但是，要找出内部势场的具体形式并且求得加速度遇到一定的困难，引进有效质量后可使问题变得简单，直接把外力f 和电子的加速度联系起来，而内部势场的作用则由有效质量加以概括，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。
第二章 半导体中的杂质与缺陷能级1. 基本概念✧ 杂质存在的两种形式：间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置。
替位式杂质：杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处。
半导体物理知识点及重点习题总结周裕鸿
基本概念题：第一章 半导体电子状态 1.1 半导体通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。
例： 1简述Si Ge ,GaAs 的晶格结构。
2什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。
在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg ）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。
其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。
如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。
对半导体的理解：半导体导体 半导体 绝缘体电导率ρ <310- 9310~10- 910> cm ∙Ω此外，半导体还有以下重要特性1、 温度可以显著改变半导体导电能力例如：纯硅（Si ） 若温度从 30C 变为C 20时，ρ增大一倍 2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力例如：若有100万硅掺入1个杂质（P . Be ）此时纯度99.9999% ，室温（C27 300K ）时，电阻率由214000Ω降至0.2Ω3、 光照可以明显改变半导体的导电能力例如：淀积在绝缘体基片上（衬底）上的硫化镉（CdS ）薄膜，无光照时电阻（暗电阻）约为几十欧姆，光照时电阻约为几十千欧姆。
另外，磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。
【补充材料】半导体中的自由电子状态和能态势场 → 孤立原子中的电子——原子核势场+其他电子势场下运动 ↘ 自由电子——恒定势场（设为0）↘ 半导体中的电子——严格周期性重复排列的原子之间运动 ⅰ.晶体中的薛定谔方程及其解的形势V(x)的单电子近似：假定电子是在①严格周期性排列②固定不动的原子核势场③其他大量电子的平均势场下运动。
↓ ↓（理想晶体） （忽略振动）意义：把研究晶体中电子状态的问题从原子核—电子的混合系统中分离出来，把众多电子相互牵制的复杂多电子问题近似成为对某一电子作用只是平均势场作用。
半导体物理知识点及重点习题总结
半导体物理知识点及重点习题总结半导体物理是现代电子学中的重要领域，涉及到半导体材料的电学、热学和光学等性质，以及半导体器件的工作原理和应用。
本文将对半导体物理的一些重要知识点进行总结，并附带相应的重点习题，以帮助读者更好地理解和掌握相关知识。
一、半导体材料的基本性质1. 半导体材料的能带结构半导体材料的能带结构决定了其电学性质。
一般而言，半导体材料具有禁带宽度，可以分为导带（能量较高）和价带（能量较低）。
能量在禁带内的电子处于被限制的状态，称为束缚态，能量在导带中的电子可以自由移动，称为自由态。
2. 掺杂和杂质掺杂是将少量的杂质原子引入纯净的半导体材料中，以改变其导电性质。
掺入价带原子的称为施主杂质，掺入导带原子的称为受主杂质。
施主杂质会增加导电子数，受主杂质会增加载流子数。
3. P型和N型半导体掺入施主杂质的半导体为P型半导体，施主杂质的电子可轻易地跳出束缚态进入导带，形成载流子。
掺入受主杂质的半导体为N型半导体，受主杂质的空穴可轻易地跳出束缚态进入价带，形成载流子。
二、PN结和二极管1. PN结的形成和特性PN结是P型和N型半导体的结合部分，形成的原因是P型半导体中的空穴与N型半导体中的电子发生复合。
PN结具有整流作用，使得电流在正向偏置时能够通过，而在反向偏置时被阻止。
2. 二极管的工作原理二极管是基于PN结的器件，正向偏置时，在PN结处形成正电压，使得电子流能够通过。
反向偏置时，PN结处形成反电压，使得电流无法通过。
3. 二极管的应用二极管广泛用于整流电路、电压稳压器、振荡器和开关等领域。
三、晶体管和放大器1. 晶体管的结构和工作原理晶体管是一种三端器件，由三个掺杂不同的半导体构成。
其中，NPN型晶体管由N型掺杂的基区夹在两个P型掺杂的发射极和集电极之间构成。
PNP型晶体管的结构与之类似。
晶体管的工作原理基于控制发射极和集电极之间电流的能力。
2. 放大器和放大倍数晶体管可以作为放大器来放大电信号。
半导体物理知识点汇总总结
半导体物理知识点汇总总结一、半导体物理基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一些导体和绝缘体的特性。
半导体是由单一、多层、回交或互相稀释的混合晶形的二元、三元或多元化合物所组成。
它的特点是它的电导率介于导体和绝缘体之间，是导体的电导率∗101~1015倍，是绝缘体的电导率÷102~103倍。
半导体材料具有晶体结构，对它取决于结晶度的大小，织排效应特别大。
由于它的电导率数值在半导体晶体内并不等同，所以它是隔离的，具有相当大的飞行束度，并且不容易受到外界的干扰。
二、半导体晶体结构半导体是晶体材料中最均匀最典型的材料之一，半导体的基本结构是一个由原子排成的一种规则有序的晶体结构。
半导体原子是立方体的晶体，具有600个原子的立方体晶体结构，又称之为立方的晶体结构。
半导体晶体结构的代表性六面体晶体结构，是一种由两个或两个以上的六面全部说构成的立方晶体。
半导体晶体的界面都是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶体包围构成，是由两个或两个以上的六面全部说构成的立方晶体。
半导体晶体的界面都是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶点构成，是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶点构成。
三、半导体的能带结构半导体的能带“带”是指其电子是在“带”中运动的，是光电子带，又称作价带，当其中的自由电子都填满时另一种平面，又称导电带，当其中的自由电子并不填满时其另一种平面在有一些能够使电子轻易穿越的东西。
半导体的能带是由两个非常临近的能带组成的，其中价带的最上一层电子不足，而导电带的下一层电子却相当到往动能，这一些动能可能直到加到电子摆脱它自己体原子，变成自由电子，并且在整体晶体里自由活动。
四、半导体的导电机理半导体的导电机理是在外加电压加大时一部分自由电子均可以在各自能带中加速骚扰，从而增加在给导电子处所需要的电压增大并最终触碰到另一种平面上产生电流就可以。
五、半导体的掺杂掺杂是指在纯净半导体中加入某些以外杂质元素的行为。
半导体物理的心得体会
半导体物理的心得体会作为一名物理学专业的学生，我的主要研究方向是半导体物理。
半导体物理是现代物理学中极其重要的一个分支，它应用广泛，涉及电子学、光电子学、信息科学等多个领域。
在我的学习和研究中，我不断深入了解半导体物理的基础原理，同时也体会到了它带来的巨大价值。
一、半导体物理的基础原理半导体物理的基础原理可归纳为两个主要方面：1）半导体材料的特性；2）半导体器件的原理。
1.半导体材料的特性半导体材料是一种电子结构介于导体和非导体之间的材料。
它的电子特性与其化学特性密切相关。
其中最重要的电子特性是电子的能带结构。
半导体材料中的电子存在于化学共价键中，其自由状态被限制在价带内。
在清除半导体材料中的掺杂原子和杂质后，将其置于真空中，则该材料的价带和导带之间仍然存在一定的能带隙，即所谓的带隙。
只有当外界施加一定的能量，克服带隙所对应的电子能量，才能使价带中的电子越过带隙进入导带。
半导体材料的能带结构有助于我们理解其电学和光学特性。
例如在PN结件的结状部分，由于两侧载流子浓度制荐，带电导带和价带会发生弯曲变形，进而带来明显的阻挡作用。
这种阻挡作用被应用于多种半导体器件中，起到了重要的作用。
2.半导体器件的原理半导体器件是半导体物理的应用重点。
在半导体物理中，器件研究主要是以PN结为基础的器件原理和研究。
PN结是半导体器件中最为基本的构成单位，由n型半导体和p型半导体组成，具有单向导电性。
随着研究的深入，产生了各种各样的半导体器件，如二极管、场效应晶体管、太阳能电池、激光二极管等，具有广泛的应用价值。
二、半导体物理的应用与前景半导体物理的应用是十分广泛的。
早期半导体器件被广泛应用在通信、计算机、电视等行业中。
随着科技的不断进步，电子产品伴随人类走向数字化、智能化的趋势，使得半导体器件得到更加广泛的应用。
例如，智能手机、平板电脑、面部识别等新型产品几乎离不开半导体器件的支持。
使用半导体器件，可以大大提高电气系统的效率和性能。
半导体物理考点总结
ห้องสมุดไป่ตู้
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12.载流子的几种复合方式。 答：由复合过程的微观结构来分为两种： 直接复合：电子导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合。 间接复合：电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合。 （杂质和缺陷形成中间能级促进复合） 由复合过程发生的位置分为： 体内复合 表面复合 根据发生复合所释放能量的不同，可以分为三种： 发射光子:伴随着复合将有发光现象，常称为发光复合或辐射复合。 发射声子：载流子将多余的能量传给晶格，加强晶格的振动。 俄歇复合：将能量给予其他载流子，增加他们的动能。 15.pn 结电容来源及其影响因素，如何影响的? 答：pn 结电容包括势垒电容和扩散电容。这两者均随外界电压变化，都是可变电容。 势垒电容：在加正向偏压时，将有一部分电子和空穴“存入”势垒区，当正向偏压减小时，势垒区宽度增加，将有一部分电子和空穴从势垒区 中“取出” ，这种 pn 结上外加电压的变化，引起的电子和空穴在势垒区的“存入”和“取出”作用，导致势垒区的空间电荷数量随外加电压而变化， 这和电容器的充放电作用相似，这种 pn 结的电容效应称为势垒电容。 扩散电容：正向偏压时，p 区空穴注入 n 区，在在势垒区和 n 区边界 n 区一侧一个扩散长度内形成了非平衡载流子的累积，同样在 p 区也有非 平衡电子和空穴的积累，当外加电压发生变化时，p 区扩散长度内非平衡载电子和空穴均增加，p 区也这样变化。这种由于扩散区的电荷数量随外 加电压的变化所产生的电容效应，称为 pn 结的扩散电容 16.几种击穿类型：1.雪崩击穿：当加反向偏压很大时，电子和空穴受到势垒区强电场的作用，具有很大的动能，他们与势垒区晶格原子发生碰撞另 外产生一对电子和空穴，如此继续下去，由于倍增效应使得载流子快速大量增加，迅速增大了反向电流，使得 pn 结发生击穿。 2.隧道击穿：pn 结外加反向偏压并逐渐增大时，势垒区的电场增强，势垒区能带发生倾斜，当反向偏压达到一定数值，p 区价带中的电子将通过隧 道效应穿过禁带而到达 n 区导带中去，从而发生击穿。(标志：VBR>6Eg/q 时为雪崩；VBR<4Eg/q 时为隧道；4Eg/q <VBR<6Eg/q 时，两种击穿同时存在)3. 热击穿：pn 结加反向偏压时，流过 pn 结的反向电流引起热耗损，随着结温的升高，反向饱和电流密度迅速上升，产生的热能也迅速增大，如此反 复，最后使得反向饱和电流无限增大而发生击穿。 17.Pn 结隧道效应。 答：重掺杂时的 pn 结称为隧道结，隧道结中正向电流包括扩散电流和隧道电流。而在没有外加电压，处于热平衡时，n 区导带底比 p 区价带顶还要 低，势垒区发生倾斜。因为重掺杂，势垒区又很薄，所以 n 区导带的电子可能穿过禁带到 p 区，p 区价带电子也可能穿过禁带到 n 区，隧道长度越 短，电子穿过的概率越大，从而可以产生显著地隧道电流。所以分析隧道结电流电压特性时，正向电流一开始随正向电压增加而迅速到达一个极大 值，随后电压增加，电流反而减小达到一个极小值，我们把这种随着电压增大电流反而减小的反常负阻现象解释为 pn 结的隧道效应。 18.表面态的影响及其如何起到钉扎作用？ 答:半导体表面处的禁带中存在着表面态，并形成一定的分布，一般分为施主型和受主型。当表面态密度很高时，它可屏蔽金属接触的影响，使半导 体的势垒高度和金属的功函数几乎无关，而基本上由半导体的表面特性所决定，接触电势差全部降落在两个表面之间。一般在表面处存在一个距离 价带顶为 q¢0 的能级，如果表面态密度很大，只要 EF 比 q¢0 高一点，在表面态上就会积累很多负电荷，由于能带向上弯曲，表面处 EF 很接近 q¢0，势 垒高度就等于原来费米能级和 q¢0 之差，这时势垒高度称为被高表面态密度钉扎。 19.肖特基二极管与普通二极管的区别。 答：相同点：都具有单向导电性。区别： （1）普通 pn 结二极管是由少数载流子先形成一定的积累，然后靠扩散形成电流，而肖特基二极管是利用 金属-半导体整流接触特性制成的，其正向电流是由多子进入金属形成的，因此肖特基二极管具有更好的高频特性。 （2）对于同样的使用电流，肖特 基二极管具有较低的正向导通电压。 20.如何形成半导体表面态的欧姆接触处？ 答：欧姆接触是指不产生明显的附加阻抗，而且不会时半导体内部的平衡载流浓度发生显著的改变。很多常用的半导体材料表面一般都有很高的的 表面态密度，无论 n 型或 p 型材料与金属接触都形成势垒，而重掺杂的 pn 结可以产生显著的隧道电流，金属和半导体接触时，若半导体参杂浓度 很高，则势垒区宽度就会变得很薄，电子通过隧道效应贯穿势垒能产生相当大的隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为主要成分。当隧道电流 占据主导时，接触电阻就可以很小，可以用作欧姆接触。因此，半导体重掺杂时，它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。
半导体物理考研经验分享
半导体物理考研经验分享这篇文章是考研专业课《半导体物理》的经验分享。
至此，终于完成了四门考研课程复习经验的系统分享。
本文分为以下几部分：1.半导体物理的特点2.书和课程推荐3.复习过程1.半导体物理的特点考研分数上，专业课一般与数学相同，都是150分。
建议在专业课上多花时间，争取高分。
（1）半物计算量小。
（2）半物要记的公式、概念较多。
（3）电路类资料丰富，半物资料相对少。
电子类专业可供选择的考研专业课，除了半导体物理，一般还有电路原理、数电模电、信号与系统等科目。
具体可选科目，可以根据自己的报考目标，到对应学校的研究生招生考试网，查看《招生专业目录》。
如果在本科阶段，信号系统等电路类课和半导体物理都学过，那就哪个学得更好考哪个。
如果电路类课和半导体物理只学过一个，而另一个从没学过，那么建议考学过的科目，毕竟复习起来障碍少，考试也更稳妥。
比如电气自动化等专业，建议选电路类科目，而物理类专业，建议选半导体物理。
2.书和课程推荐（1）刘恩科《半导体物理学》这是一本非常经典的书，大部分半导体物理专业课都以它为参考书，比如：北京大学912半导体物理，中国科学技术大学929，浙江大学879，哈尔滨工业大学806，华东师范大学906，西安交通大学849，武汉大学879以及一些半导体物理与器件的专业课，比如上海交通大学874参考书目以院校研招网通知为准。
（2）《半导体物理学学习辅导与典型题解》这本书主要有思考题和解答题例题，题目很好，不过思考题没答案。
（3）《半导体物理学习题集及详解》这本书题型很全，有名词解释、填空、选择、简答、计算、证明。
全都有答案，不过选择题没解析。
（4）蒋玉龙《半导体物理》网课讲得非常好，推导证明过程非常详细。
（5）柴长春《半导体物理》网课这个视频从基本概念讲起，对没学过固体物理、量子力学知识的同学友好些。
但视频剪辑得不太好，看起来比较累。
3.复习过程一般来说，专业课复习不会开始得太早，因为基本确定报考专业后，才知道要复习什么专业课。
半导体物理考研总结
1.布喇格定律（相长干涉）：点阵周期性导致布喇格定律。
2.晶体性质的周期性：电子数密度n(r)是r的周期性函数，存在3.2πp/a被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点，倒易点中垂线做直线可得布里渊区。
3.倒易点阵：4.衍射条件：当散射波矢等于一个倒易点阵矢量G时，散射振幅达到最大波矢为k的电子波的布喇格衍射条件是：一维情况（布里渊区边界满足布拉格）简化为：当电子波矢为±π/a时，描述电子的波函数不再是行波，而是驻波（反复布喇格反射的结果）5.布里渊区：6.布里渊区的体积应等于倒易点阵初基晶胞的体积。
7.简单立方点阵的倒易点阵，仍是一个简立方点阵，点阵常数为2π/a，第一布里渊区是个以原点为体心，边长为2π/a的立方体。
体心立方点阵的倒易点阵是个面心立方点阵，第一布里渊区是正菱形十二面体。
面心立方点阵的倒易点阵是个体心立方点阵，第一布里渊区是截角八面体。
8.能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。
（边界处布拉格反射形成驻波，造成能量差）9.第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N－每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值；－直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。
－若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半；－若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。
绝缘体：至一个全满，其余全满或空（初基晶胞内的价电子数目为偶数,能带不交叠）2N.金属：半空半满半导体或半金属：一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外，其余全满（半金属能带交叠）10.自由电子：11.半导体的E-k关系：导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值；价带顶：E(k)<E(0)，电子有效质量为负值；能带越窄，k=0处的曲率越小，二次微商就小，有效质量就越大。
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1.布喇格定律（相长干涉）：点阵周期性导致布喇格定律。
2.晶体性质的周期性：电子数密度n(r)是r的周期性函数，存在
3.2πp/a被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点，倒易点中垂线做直线可得布里渊区。
3.倒易点阵：
4.衍射条件：当散射波矢等于一个倒易点阵矢量G时，散射振
幅达到最大
波矢为k的电子波的布喇格衍射条件是：
一维情况（布里渊区边界满足布拉格）简化为：
当电子波矢为±π/a时，描述电子的波函数不
再是行波，而是驻波（反复布喇格反射的结果）
5.布里渊区：
6.布里渊区的体积应等于倒易点阵初基晶胞的体积。
7.简单立方点阵的倒易点阵，仍是一个简立方点阵，点阵常数为2π/a，第一布里渊区是个以原点为体心，边长为2π/a的立方体。
体心立方点阵的倒易点阵是个面心立方点阵，第一布里渊区是正菱形十二面体。
面心立方点阵的倒易点阵是个体心立方点阵，第一布里渊区是截角八面体。
8.能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。
（边界处布拉格反射形成驻波，造成能量差）
9.第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N
－每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值；
－直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。
－若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半；
－若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。
绝缘体：至一个全满，其余全满或空（初基晶胞内的价电子数目为偶数,能带不
交叠）2N.
金属：半空半满
半导体或半金属：一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外，其余全满（半金属能带交叠）
10.自由电子：
11.半导体的E-k关系：
导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值；
价带顶：E(k)<E(0)，电子有效质量为负值；
能带越窄，k=0处的曲率越小，二次微商就小，有效质量就越大。
12.半导体电子平均速度：能带极值附近的电子速度正负与有效质量正负有关
13.空穴不仅带有正电荷+q，而且还具有正的有效质量mp*（价带顶附近电子
有效质量为负值）。
14.一般的等能面是个椭球面，当E-k关系是各项同性时，等能面是球形的。
15.各向异性半导体：
16.类氢模型电离能：
17.有效施主浓度（有效掺杂浓度）ND(eff)= ND-NA，ND≈NA并非高纯半导体
18.当半导体中存在非III，V 族杂质时，会引入深能级：
1）杂质能级离带边较远，需要的电离能大；2）多次电离⇒多重能级，还
有可能成为两性杂质.
19.费米能εF定义：基态下最高被充满能级的能量。
20.在费米球内，存在的电子（轨道）总数是：
21.能态密度定义为单位能量间隔内的轨道数目。
22.k空间中的每个最小允许体积元是即这个体积中只存在一个允
许波矢（电子态）。
k空间的态密度（均匀）为：
23.导带中单位能量间隔的状态数（状态密度），状态密度与能量呈抛物线关系
价带中单位能量间隔的状态数
24.费米分布函数
T＝0K时: E<Ef时f(E)=1
E>Ef时f(E)=0
T>0K时:
玻尔兹曼分布
电子和空穴的费米统计
25.导带电子和价带空穴浓度
导带电子浓度：
价带空穴浓度：
26.本征载流子浓度
电中性：
1）和T有关，对于某种半导体材料，T确定，ni也确定。
2）本征费米能级Ei基本上在禁带中线处。
27.杂质半导体中的载流子
杂质能级可以容纳1个电子（能带中的能级可以两个）。
电子占据施主能级的几率
（与费米分布区别）
空穴占据受主能级的几率
电离施主浓度
（向导带激发电子的浓度）
电离受主浓度
（向价带激发空穴的浓度）
非补偿情形：n型半导体中的载流子浓度（电中性条件和Ef ）
只要T确定，Ef也随着确定，n0和p0也确定。
不同温区讨论
低温弱电离区：
杂质能级中线开始变，随温度先增后减，有极大值。
中等电离区→强电离区（杂质全电离）:
过渡区（强电离区→本征激发）:
本征激发区: 施主能级上的电子浓度（未电离的施主浓度）
受主能级上的空穴浓度（未电离的受主浓度）
费米能级（电子多少）：强N >弱N >本征（中线）>弱P >强P 少量受主杂质情况：
电中性：
低温弱电离区：
强电离区：
过渡区（考虑本征激发作用）：
本征激发区：
多种施主、多种受主并存：
28.简并半导体：强电离
费米能级E f在E c之上，进
入导带
简并时杂质不能充分电离
29.半导体的导电性
J电流密度，u电子迁移率，σ电导率（电阻率的倒数）
在半导体中，两种载流子：n，p：
30.载流子散射：（载流子晶格振动或电离杂质碰撞）
散射机构：
1）电离杂质中心散射：库仑力的作用，弹性散射
电离杂质Ni越大，概率越大，温度越高，概率小。
2）晶格振动散射(声子散射)
长声学波：弹性散射
长光学波：非弹性散射
3）等价能谷间散射（非弹性散射）
4）中性杂质散射（重掺杂，低温起作用）
5）缺陷散射（位错，各项异性，内电场造成）
6）合金散射（不同原子排列造成电场干扰）
31.散射几率、平均自由时间及其与迁移率的关系
平均自由时间
平均漂移速度
各向异性电流密度（n型半导体）
几种散射机构同时存在时
迁移率与杂质浓度和温度的关系
半导体中：声学波散射+电离杂质散射
平均漂移速度与场强的关系
强场下载流子的平均动能明显高于热平衡时的值。
热载流子受电离杂质散射弱，但声子散射（特别是光学声子）可以很强，热载流子可以在等价或不等价能谷间转移。
32.非平衡载流子的产生（非平衡少数载流子更重要）
非平衡载流子的复合（指数衰减）
复合率
光强恒定，非平衡载流子随时间的变化
非平衡下：没有统一的费米能级EF，不重合的准费米，非平衡载流子越多，偏离EF越大，越接近两边。
准费米能级
偏离
复合：1）直接复合
非平衡载流子寿命τ（多子起作用）
2）间接复合
复合中心（杂质或缺陷）四个基本过程
非平衡载流子寿命
τ与Et能级位置的关系
τ与温度T的关系
3）表面复合
表面态，通常都是深能级
4）俄歇复合
33.陷阱效应：杂质能级积累非平衡载流子的作用。
（增加少子寿命）
杂质能级与平衡时费米能级重合时，最有利于陷进作用。
（接近显著）
34.扩散运动（非平衡少数载流子空穴扩散）
35.PN结的形成：1）合金法-突变结2）扩散法-缓变结
p-n结能带图：
p-n结接触电势差
p-n结的载流子分布
p-n结电容：1）势垒电容(突变结)
2）线性缓变结
3）扩散电容(正向偏压)
大的正向偏压下，扩散电容为主
p-n结的击穿：1）雪崩击穿
2）齐纳击穿
3）热电击穿
36.金半接触：金属功函数
半导体
接触电势差（费米能级差）
金属功函数大，电势差为负值。
半导体边的势垒高度（费米能下降）
金属边的势垒（肖特基）高度
表面态的影响（钉扎）
表面态在三分之一的禁带处
扩散理论：适用于势垒宽度>>电子平均自由程。
热电子发射理论：适用于势垒宽度<<电子平均自由程（无碰撞）
37.镜像力和隧道效应对方向特性的影响特别显著，引起势垒高度降低，反向电
流增加，随反向电压的提高，降低更加显著。
38.欧姆接触：金属－重掺杂半导体接触
线性I-V, 正反向对称；接触电阻很小。
39.半导体表面层的五种基本状态
1）多子堆积（积累）状态
2）平带状态
3）耗尽状态
4）反型状态
强反型－表面处少子浓度开始超过体内多子浓度
表面电场增加，耗尽层增加，强反型达到最大值。
5）深耗尽状态
从深耗尽到热平衡反型层态所需的热驰豫时间。