光继电器规格-Toshiba
东芝CV55电梯部件详表
DC110V20A
17
2BK接触器
CD222-DAS
1
CHANGLUN
控制盘
DC110V20A
18
CC接触器
CD222-DAS
1
CHANGLUN
控制盘
DC110V20A
19
MCU基板
1
TOSHIBA
控制盘
20
MPU基板
1
TOSHIBA
控制盘
21
HLU基板
1
TOSHIBA
控制盘
22
RYB基板
1
TOSHIBA
44
12R电阻
1
控制盘
45
94R电阻
1
控制盘
46
94C电容
1
控制盘
47
94RF整流二极管
1
控制盘
48
BDRF整流二极管
1
控制盘
49
B11R电阻
1
控制盘
50
5RV消弧器
1
控制盘
51
4RV消弧器
1
控制盘
52
3COM三孔插座
1
控制盘
53
D51RF整流二极管
1
控制盘
54
D51C-1电容
1
控制盘
55
D51C-2电容
86
C-DC4电容
2200MFD400VDC
1
SUKGE
控制盘
HCGF4A 450VDC
87
C-DC5电容
2200MFD400VDC
1
SUKGE
控制盘
HCGF4A 450VDC
88
C-DC6电容
TLP152原装东芝光藕中文资料及电路图
家用光伏电源微型逆变器 等离子平板显示器（ＰＤＰ） 通用逆变器、ＡＣ伺服驱动器 工业缝纫机
电路实例
轮廓图
ＴＯＳＨＩＢＡ深圳部：恒信宇
1
2012-09-14 Rev.3.0
ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴ栅极驱动耦合器：ＴＬＰ１５２
ＴＬＰ１５２是ＳＯ６封装的ＩＣ光耦，可以直接驱动中型ＩＧＢＴ或功率 ＭＯＳＦＥＴ。本产品可以达到ＳＯ６封装的工业最低输出电流２．５Ａ。与 现有的产品ＴＬＰ７００（ＳＤＩＰ）相比，本产品的安装面积降低了５０％。 而且，由于本产品与前一型号的产品相比，其工作电源电压从 １５Ｖ（最小值）降到１０Ｖ（最小值），所以其功耗有所下降。 凭借着可以保证的５ｍｍ的最小间隙和爬电距离以及０．４ｍｍ的内 部绝缘厚度，该产品符合加强绝缘类的海外安全标准。本产品可 以应用于众多要求减少尺寸的产品中，包括光伏电源微型逆变 器、数码家电、工业设备以及控制器件，本产品有助于减小产品 组件大小和降低成本。 ＊：由功率器件直接驱动的光耦，截止于２０１２年９月（根据东芝 的调查）
特征
峰值输出电流：ＩＯＰ＝±２．５Ａ（最大值） 传播延迟时间：ｔｐＨＬ＝１９０ｎｓ（最大值）， ｔｐＬＨ＝１７０ｎｓ（最大值） 宽广的工作温度范围保证： Ｔｏｐｒ＝－４０°Ｃ至１００°Ｃ 工作电源电压：ＶＣＣ＝１０至３０Ｖ 隔离电压：ＢＶｓ＝３７５０Ｖｒｍｓ 已取得ＥＮ６０７４７－５－５标准认证
光mos继电器
光mos继电器光mos继电器是一种新型的电子元器件，它采用光电隔离技术，能够实现高速、高精度的电气隔离和信号转换。
相比传统的机械继电器，光mos继电器具有更高的可靠性、更长的寿命和更小的体积，因此在工业自动化、通信、医疗等领域得到了广泛的应用。
光mos继电器的工作原理是利用光电隔离器将输入信号转换成光信号，再通过光耦合器将光信号传递到输出端，最终实现信号的隔离和转换。
由于光信号具有高速、低噪声、不受电磁干扰等优点，因此光mos继电器能够实现高速开关和精确控制，适用于需要高速、高精度的场合。
光mos继电器的优点之一是可靠性高。
传统的机械继电器由于机械结构复杂，容易出现接触不良、接点烧坏等故障，而光mos继电器采用光电隔离技术，没有机械接触，因此不会出现这些故障。
此外，光mos继电器还具有抗振动、抗冲击、抗腐蚀等特点，能够适应恶劣的工作环境。
光mos继电器的另一个优点是寿命长。
传统的机械继电器由于机械接触，容易磨损，寿命较短，而光mos继电器没有机械接触，寿命较长。
一般来说，光mos继电器的寿命可以达到数十万次甚至数百万次，比传统的机械继电器要长得多。
光mos继电器的体积也比传统的机械继电器要小得多。
由于光mos继电器采用光电隔离技术，不需要机械结构，因此体积可以做得很小。
这对于一些空间有限的场合非常有用，比如在手机、平板电脑等移动设备中，光mos继电器可以实现更小的尺寸和更高的性能。
光mos继电器的应用非常广泛。
在工业自动化领域，光mos继电器可以用于控制电机、气动元件、液压元件等，实现高速、高精度的控制。
在通信领域，光mos继电器可以用于光纤通信、光电转换等，实现高速、低噪声的信号传输。
在医疗领域，光mos继电器可以用于医疗设备的控制和信号处理，实现更高的安全性和可靠性。
光mos继电器是一种非常有前途的电子元器件，具有可靠性高、寿命长、体积小等优点，适用于工业自动化、通信、医疗等领域。
随着科技的不断进步，光mos继电器的应用前景将会越来越广阔。
继电器型号尺寸标准
继电器型号尺寸标准
继电器型号尺寸标准通常因制造商和不同型号而异。
继电器主要用于控制低电压和低电流的电路，其体积一般比较小。
一般来说，小功率继电器主要分为DIP型和SMD型两种封装类型。
其中，DIP型是插入式封装，适用于插座式安装；而SMD型是表面贴装式封装。
继电器的尺寸也是因制造商和不同型号而异，常见的外形尺寸有
10mm××8mm、13mm×19mm×、××12mm等。
此外，小功率继电器的输出引脚通常分为4个和5个两种，其中4个引脚
的继电器通常被称为单切继电器，5个引脚的继电器通常被称为双切继电器。
单切继电器的引脚布置在两端，而双切继电器的引脚布置在中间。
引脚间距大小也因制造商和不同型号而异，一般来说，DIP型继电器的引脚间距为，而SMD型继电器的引脚间距为。
如需了解更多关于继电器型号尺寸标准的信息，建议咨询专业技术人员获取帮助。
固态继电器 规格书
固态继电器规格书固态继电器是一种在电路中起到开关作用的电子元件，相比传统的机械继电器，固态继电器具有体积小、寿命长、响应速度快等优点。
在本文中，将详细介绍固态继电器的规格书内容。
一、产品概述固态继电器是一种半导体器件，由输入端、输出端和控制端组成。
根据不同的工作原理，固态继电器可以分为三种类型：AC输出型、DC输出型和AC/DC双输出型。
AC输出型适用于交流电路，DC输出型适用于直流电路，而AC/DC双输出型则同时适用于交流和直流电路。
二、技术参数1. 额定负载电流：固态继电器的额定负载电流决定了其可以承受的最大电流大小。
根据实际需求选择合适的额定负载电流，以确保电路正常工作。
2. 控制电压范围：固态继电器的控制电压范围是指其可以正常工作的输入电压范围。
需要根据实际控制信号的电压确定选择合适的固态继电器。
3. 额定输入电流：固态继电器的额定输入电流是指其正常工作时所需的输入电流大小。
根据实际控制信号的电流确定选择合适的固态继电器。
4. 额定输出电压：固态继电器的额定输出电压是指其可以正常工作的输出电压范围。
根据实际负载的电压确定选择合适的固态继电器。
5. 隔离电压：固态继电器的隔离电压是指其输入端和输出端之间的绝缘程度。
较高的隔离电压可以有效防止电路间的干扰和电气安全问题。
三、特性和功能1. 响应速度快：固态继电器由于采用半导体器件，其响应速度远快于机械继电器，可以实现快速的开关动作。
2. 寿命长：固态继电器没有机械接触，因此不存在机械磨损的问题，寿命远远高于机械继电器。
3. 体积小：固态继电器采用半导体技术，体积较小，可以节省空间，方便安装和布线。
4. 静音工作：固态继电器在工作过程中没有机械震动和噪音，可以实现静音工作。
5. 低功耗：固态继电器在工作时的功耗较低，可以节省能源。
6. 宽工作温度范围：固态继电器可以在较宽的温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境。
四、应用领域固态继电器广泛应用于各种自动化控制系统中，如工业自动化、家用电器、电力电气等领域。
常见继电器及参数一览表
常见继电器及参数一览表1. 继电器简介继电器是一种电控制器，在电路中起到电流放大、电路隔离和电路保护等作用。
它可以将微小的控制信号转换成较大的能量输出，常用于自动控制领域。
2. 常见继电器参数3. 常见继电器类型和特点3.1 电磁继电器- 特点：具有可靠的开关能力和较长的使用寿命。
- 应用：广泛用于电力系统、自动化控制系统等领域。
3.2 固态继电器- 特点：快速开关速度、低噪音、高可靠性。
- 应用：适合高频，高速，高精度控制要求的系统。
3.3 热继电器- 特点：具有过载保护功能。
- 应用：适用于电动机、家用电器等领域。
3.4 时间继电器- 特点：能够按照预定的时间顺序开关电路。
- 应用：广泛用于时间控制系统、照明控制系统等。
4. 继电器选型注意事项- 根据实际需求选择合适的继电器类型。
- 注意继电器的额定负荷电流和额定负荷电压是否与被控制设备匹配。
- 考虑继电器的动作时间和释放时间。
- 继电器需要满足工作环境的要求，如温度、湿度等。
5. 继电器应用案例- 家庭电路控制系统：通过继电器实现电灯、窗帘等的自动控制。
- 工业自动化控制系统：利用继电器进行电机的启停和方向控制。
- 电力系统保护系统：使用继电器对电路进行过载、短路等保护。
6. 总结本文介绍了常见继电器及其参数，包括电气参数、接触参数、动作参数、绝缘参数和环境参数。
同时对不同类型的继电器进行了简要介绍，并给出了继电器选型的注意事项。
最后，列举了继电器在实际应用中的案例。
通过本文的了解，读者可以更好地选择和应用继电器。
固态继电器的技术参数工作原理及其选型
固态继电器的技术参数工作原理及其选型固态继电器（Solid State Relay，SSR）是一种使用半导体器件作为控制元件，替代传统电磁继电器的电器开关装置。
固态继电器具有快速响应、可靠性高、抗干扰能力强等特点，广泛应用于自动化控制系统、电力系统、机械设备等领域。
下面将对固态继电器的技术参数、工作原理及其选型进行详细介绍。
一、固态继电器的技术参数1.额定电压：固态继电器的额定电压指的是继电器能够承受的最大电压。
常见的额定电压有3-32VDC、5-60VDC、12-380VAC等。
2.额定电流：固态继电器的额定电流指的是继电器能够承受的最大电流。
常见的额定电流有10A、25A、40A、80A等。
3.输入电阻：固态继电器的输入电阻是指在控制端接入继电器时，继电器对输入信号的阻抗大小。
输入电阻越大，控制电流所消耗的功率越小。
4.输出电阻：固态继电器的输出电阻是指在输出端的负载上产生的电阻。
输出电阻越小，继电器输出的电压越稳定。
5.工作温度范围：固态继电器的工作温度范围是指继电器能够正常工作的温度范围。
一般情况下，工作温度范围为-40℃到+80℃之间。
二、固态继电器的工作原理当控制电路输入的电流大于等于继电器的激活电流时，继电器将被激活并输出电压。
反之，如果输入电流小于继电器的激活电流，则继电器保持断开状态。
三、固态继电器的选型在选型固态继电器时，需要考虑以下几个方面的因素：1.负载类型：根据实际应用需求选择适合的负载类型，固态继电器可用于交流负载和直流负载。
2.额定电压和额定电流：根据负载的额定电压和额定电流选择对应的固态继电器。
额定电压和额定电流应略大于负载的实际值，以保证稳定可靠的开关动作。
3.工作温度范围：根据实际工作环境的温度范围选择适合的固态继电器。
4.响应时间：对于需要快速响应的应用场合，需要选择响应时间较短的固态继电器。
5.安装方式：根据实际安装方式选择合适的固态继电器，可以是面板安装、导轨安装或者插座安装。
TLP206A光耦继电器
JEDEC
⎯
JEITA
⎯
TOSHIBA
Weight: 0.2 g (typ.)
1
2007-10-01
TLP206A
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Forward current
Forward current derating (Ta ≥ 25°C)
6, 8 RL VDD
VOUT 5, 7
IF
VOUT
10%
tON
90% tOFF
3
2007-10-01
TLP206A
4
2007-10-01
TLP206A
5
2007-10-01
TLP206A
RESTRICTIONS ON PRODUCT USE
• Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively “TOSHIBA”), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively “Product”) without notice.
LED
Pulse forward current
(100 μs pulse, 100 pps)
Reverse voltage
Junction temperature
Off-state output terminal voltage
东芝电梯主要部件产地一览表
(TP)
品牌或厂商/产地或采购 地 适用 东芝/日本 300A 新型变频器 富士/日本 300A 新型变频器 三菱/日本 300A 新型变频器 三社、日英/日本 日立、贵弥宫/日本 日立/日本 TOKIN/日本 FERRAZ/法国 甲神电机/日本
备注
四、轿厢控制系统 品名 连接器 CN* 门控制器安全用继电 器 门马达脉波线用磁环 门 PG 门电机 五、层站控制系统 品名 连接器 CN* 品牌或厂商/产地或采购 地 日本、韩国 备注 品牌或厂商/产地或采购 地 AMP、HIROSE/日本、韩国 松下/日本 TDK/日本 多摩川/日本 川俣/日本 备注
SPACEL-UNI-LL 主要进口部品产地一览表
一、机械部品 品名 限速器复位钢丝绳 二、控制系统 品名 基板 PU-250 CC 继电器 连接器 CN* 安全继电器 逻辑控制继电器 整流桥堆 浪涌吸收器 HMU 基板 HCP 基板 PUIF 基板 光电缆及连接口 三、驱动系统 品名 基板 BCU-L300G2 IGBT 模块 IGBT 模块 整流模组 滤波电容 电容 温控开关 高速熔丝 电流检知器 品牌或厂商/产地或采购 地 东芝/日本 松下/日本 AMP、HIROSE/日本、韩国 OMRON/日本 和泉/日本 三社、日英/日本 力特/爱尔兰 东芝/日本 东芝/日本 东芝/日本 东芝/日本 适用 备注 主控基板 品牌或厂商/产地或采购 地 东洋/日本 适用 备注
(TP)
品牌或厂商/产Βιβλιοθήκη 或采购地 适用 三菱电机/日本 （14.3KW～) 富士/日本 （3.6KW～11.4KW） 富士/日本 （2.6KW～5.7KW) （23.1KW、 富士/日本 26.5KW) 三菱/日本 300A MIG 变频器 三社、日英/日本 日立/日本 日立、贵弥宫/日本 TOKIN/日本 FERRAZ/法国 甲神电机/日本
东芝TLP620,TLP620-2,TLP620-4光耦合器说明书
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−TransistorTLP620, TLP620−2, TLP620−4Programmable ControllersAC / DC−Input ModuleTelecommunicationThe TOSHIBA TLP620, −2 and −4 consists of a photo−transistoroptically coupled to two gallium arsenide infrared emitting diodeconnected in inverse parallel.The TLP620−2 offers two isolated channels in an eight lead plastic DIP,while the TLP620−4 provides four isolated channels in a sixteen plasticDIP.· Collector−emitter voltage: 55V (min.)· Current transfer ratio: 50% (min.)Rank GB: 100% (min.)Pin Configurations (top view)TLP6201 2431 : ANODECATHODE2 : CATHODEANODE3 : EMITTER4 : COLLECTOR1, 3 : ANODECATHODE2, 4 : CATHODEANODE5, 7 : EMITTER6, 8 : COLLECTOR234561, 3, 5, 7 : ANODE, CATHODE2, 4, 6, 8 : CATHODE, ANODE9, 11, 13, 15 :EMITTER10, 12, 14, 16 : COLLECTORTOSHIBA 11−5B2Weight: 0.26 gTOSHIBA 11−10C4Weight: 0.54 gTOSHIBA 11−20A3Weight: 1.1 gUnit in mmMade In Japan Made In Thailand UL recognized E67349 *1E 152349 *1BSI approved7426, 7427*27426, 7427*2*1 UL 1577*2 BS EN60065: 1994, BS EN60950: 1992· Isolation voltage: 5000V rms (min.)· Option (D4) typeVDE approved: DIN VDE0884 / 06.92, certificate no. 68384 Maximum operating insulation voltage: 890V PK Highest permissible over voltage: 8000V PK(Note) When a VDE0884 approved type is needed,please designate the “Option(D4)”.· Creepage distance: 6.4mm (min.)Clearance: 6.4mm (min.)Insulation thickness: 0.4mm (min.)Maximum Ratings (Ta = 25°C)RatingCharacteristic SymbolTLP620TLP620-2 TLP620-4UnitForward current I F (RMS) 60 50 mAForward current derating ∆I F / °C -0.7 (Ta ≥ 39°C)-0.5 (Ta ≥ 25°C)mA / °CPulse forward current I FP 1 (100µs pulse, 100pps) APower dissipation (1 circuit) P D 100 70 mW Power dissipation derating ∆P D / °C-1.0-0.7 mW / °CL E DJunction temperature T j125 °CCollector -emitter voltage V CEO 55 VEmitter -collector voltage V ECO 7 VCollector currentI C 50 mA Collector power dissipation (1 circuit)P C 150 100 mW Collector power dissipation derating (1 circuit) (Ta ≥ 25°C) ∆P C / °C-1.5-1.0 mW / °CD e t e c t o rJunction temperature T j 125 °CStorage temperature range T stg -55~125 °COperating temperature range T opr-55~100 °CLead soldering temperature T sold 260 (10s) °C Total package power dissipation P T 250 150 mW Total package power dissipation derating (Ta ≥ 25°C, 1 circuit) ∆P T / °C-2.5-1.5 mW / °CIsolation voltageBV S 5000 (AC, 1 min., RH ≤ 60%)V rmsRecommended Operating ConditionsCharacteristic Symbol Min.Typ.Max.UnitSupply voltage V CC ― 5 24 V Forward current I F (RMS) ― 16 20 mA Collector current IC ― 110 mAOperating temperatureT opr-25― 85 °CIndividual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitForward voltage V F I F = ±10mA 1.01.151.3 VFoward currentI FV F = ±0.7V ― 2.5 20 µA L E DCapacitance C T V = 0, f = 1MHz ― 60 ― pF Collector -emitterbreakdown voltage V (BR) CEO I C = 0.5mA55―― VEmitter -collector breakdown voltage V (BR) ECOI E = 0.1mA 7 ― ― V V CE = 24V―10100nACollector dark current I CEO V CE = 24V, Ta = 85°C ― 2 50 µA D e t e c t o rCapacitance(collector to emitter)C CEV CE = 0, f = 1MHz―10― pFCoupled Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition MIn. Typ. Max.Unit50 ― 600Current transfer ratioI C / I FI F = ±5mA, V CE = 5V Rank GB100― 600%― 60 ― Saturated CTRI C / I F (sat)IF = ±1mA, V CE = 0.4V Rank GB30 ――%I C = 2.4mA, I F = ±8mA―― 0.4― 0.2 ― Collector -emitter saturation voltageV CE (sat)I C = 0.2 mA, I F = ±1 mA Rank GB― ― 0.4 VOff -state collector current I C (off) V F = ± 0.7V, V CE = 24V ― 110 µACTR symmetryI C (ratio)I C (I F = -5mA) / I C (I F = +5mA)0.331 3 ―Isolation Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitCapacitance input tooutputC S V S = 0, f = 1MHz ― 0.8 ― pF Isolation resistanceR SV S = 500V 1×1012 1014 ― Ω AC, 1 minute5000 ― ― AC, 1 second, in oil ― 10000 ― V rms Isolation voltageBV SDC, 1 minute, in oil―10000―V dcSwitching Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitRise time tr ― 2 ―Fall time t f ― 3 ― Turn -on time t on ― 3 ― Turn -off time t off V CC = 10V I C = 2mA R L = 100Ω― 3 ― µsTurn -on time t ON ― 2 ― Storage time t s ―15―Turn -off timet OFFR L = 1.9k Ω (Fig.1)V CC = 5V, I F = ±16mA ― 25 ―µsFig. 1 Switching time test circuitI FV CCV CECCTLP620-2 TLP620-4 I F – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )100-2060400 20 40 60 80 100 8020120TLP620 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )240-20 4016060100120080200120204080TLP620-2 TLP620-4 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )1200-20400 40 10080602020 60 80 100 120TLP620 I FP – D RDuty cycle ratio D R A l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1 310311 3 3TLP620-2 TLP620-4 I FP – D RDuty cycle ratio D RA l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I FP (m A )111 310 310 3100103TLP620 I F – TaAmbient temperature Ta (°C) A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )0-208040200 20 40 60 8010060100120∆V F / ∆Ta – I FForward current I F (mA)F o r w a r d v o l t a g e t e m p e r a t u r e c o e f f i c i e n t ∆V F / ∆T a (m V/ °C ) 1-2.8-2.4-2.0-1.6-1.2-0.8-0.40.10.331030I D – T aAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r d a r k c u r r e n t ID (µA )4080120160101010-10-10-10-I FP – V FPPulse forward voltage V FP (V)P u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1100.40.81.21.6 2.01 2.4C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )I C – V CECollector-emitter voltage V CE (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )24610I F – V FForward voltage V F (V) F o r w a r d c u r r e n tI F (m A )110.0.40.60.81.01.21.41.6I C – V CECollector-emitter voltage V CE(V)1100.40.61.4V F – I FForward voltage V F (V)F o r w a r d v o l t a g e I F (m A )-- 20.313103010011I C / I F – I FForward current I F (mA)C u r r e n t t r a n s f e r r a t i o I C / I F (%)I C – V FForward voltage V F (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.0.0I C – I FForward current I F (mA) C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.I C – TaAmbient temperature Ta (°C)110. C o l l e c t o r c u r r e n t I C (mA )1111R L – Switching TimeLoad resistance R L (k Ω)S w i t c h i n g t i m e (µs )V CE (sat) – TaAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i on v o l t a g e V C E (s a t ) (V )2040600.10.10· TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. 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固态继电器原理及应用电路
固态继电器原理及应用电路固态继电器(SOLID STATE RELAYS)，简写成“SSR”，是一种全部由固态电子元件组成的新型无触点开关器件，它利用电子元件(如开关三极管、双向可控硅等半导体器件)的开关特性，可达到无触点无火花地接通和断开电路的目的，因此又被称为“无触点开关”，它问世于70年代，由于它的无触点工作特性，使其在许多领域的电控及计算机控制方面得到日益广范的应用。
一、固态继电器的原理及结构SSR按使用场合可以分成交流型和直流型两大类，它们分别在交流或直流电源上做负载的开关，不能混下面以交流型的SSR为例来说明它的工作原理，图1是它的工作原理框图，图1中的部件①-④构成交流SSR的主体，从整体上看，SSR只有两个输入端(A和B)及两个输出端(C和D)，是一种四端器件。
工作时只要在A、B上加上一定的控制信号，就可以控制C、D两端之间的“通”和“断”，实现“开关”的功能，其中耦合电路的功能是为A、B端输入的控制信号提供一个输入/输出端之间的通道，但又在电气上断开SSR中输入端和输出端之间的(电)联系，以防止输出端对输入端的影响，耦合电路用的元件是“光耦合器”，它动作灵敏、响应速度高、输入/输出端间的绝缘(耐压)等级高；由于输入端的负载是发光二极管，这使SSR的输入端很容易做到与输入信号电平相匹配，在使用可直接与计算机输出接口相接，即受“1”与“0”的逻辑电平控制。
触发电路的功能是产生合乎要求的触发信号，驱动开关电路④工作，但由于开关电路在不加特殊控制电路时，将产生射频干扰并以高次谐波或尖峰等污染电网，为此特设“过零控制电路”。
所谓“过零”是指，当加入控制信号，交流电压过零时，SSR即为通态；而当断开控制信号后，SSR要等待交流电的正半周与负半周的交界点(零电位)时，SSR才为断态。
这种设计能防止高次谐波的干扰和对电网的污染。
吸收电路是为防止从电源中传来的尖峰、浪涌(电压)对开关器件双向可控硅管的冲击和干扰(甚至误动作)而设计的，一般是用“R-C”串联吸收电路或非线性电阻(压敏电阻器)。
G3NB (加热)固态继电器
R99-12 FOR G3NA
ϸϾ⫼ѢG3NBⱘ M4ᅝ㺙ᄨ
㽕ҢDINᇐ䔼Ϟᢚ䰸㒻 ⬉఼ˈ⫼㶎ϱߔ⊓ㆁ༈ ᮍᢨߎᇣ⠛DŽ
ϸϾ⫼ѢG3NEⱘ M4ᅝ㺙ᄨ
30 44
• 当继电器安装到 DIN 导轨上之后，在其的额定范围内进行使用，无 需散热器。 • 使用以下 DIN 导轨：PFP-100N 或 PFP-100N2。
使用
• 仅在 G3NB 额定值范围内使用负载。否则可能引起故障、受损或起 火。
6
固态继电器 G3NB
• 使用额定频率范围内的电源。否则可能引起故障、受损或起火。 • 对于 40 A 或以上的 G3NB 继电器， 对 M5 端子使用尺寸适合于接线直 径的固定端子。否则可能导致起火或线路外皮熔化，引起触电。 • 可能发生 G3NB 故障或起火。 不要对 G3NB 端子施加过大的电压或电 流。
104ҹϟ
56f0.3 77ҹϟ 90f0.3 100ҹϟ
5.6
28
5 100ҹϟ
13
4.5
䞡䞣˖㑺560 g
4
固态继电器 G3NB
Y92B-A150Nᬷ⛁఼ ˄⫼ѢG3NB-240B˅
ϝϾM4ᄨ
ᅝ㺙ᄨ Y92B-A150
ಯϾ4.3-dia.M4ᄨ
90±0.1
R2.2
47.6
50±0.1 56±0.5 150ҹϟ
2
固态继电器 G3NB
工程数据
负载电流对比环境温度
G3NB-240B
50
单周期浪涌电流
实线所示数值为非重复浪涌电流。 如果反复发生，保持浪涌电流低于虚线所示值。
40
⌾⍠⬉⌕˄Aዄؐ˅
ᏺᷛޚᬷ⛁఼˄Y92BA150N Y92B-N150˅
TOSHIBA光耦TLP系列的部分光耦的应用
TLP112A东芝小型扁平耦合器TLP112A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。
TLP112A包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高速单片光电晶体管探测器。
TLP112A（P112A）特性∙隔离电压：2500Vrm s（最小）∙转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（R L=1.9kΩ）∙兼容TTL∙UL 认证：UL1577,file no.E67349TLP112A（P112A）应用∙晶体管逆变器∙数字逻辑隔离∙线路接收器∙电源控制，反馈控制∙开关式电源TLP113A概述：东芝小型扁平耦合器TLP113是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。
TLP113（包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高增益，高速单片光探测器。
探测器的输出为肖特基钳位晶体管，集电极开路输出。
TLP113A特性：∙输入电流阀值：IF=10mA（最大）∙转换速度：10MBd（典型值）∙兼容TTL / LSTTL：Vcc=5V∙性能保证温度范围：0～70℃∙隔离电压：2500Vrm s（最小）∙UL 认证：UL1577file no.E67349TLP113A应用：∙隔离线路接收器∙单/多路数据传输∙计算机外设接口∙微处理器系统接口∙A/D,D/A转换数字隔离TLP114A东芝小型扁平耦合器TLP114A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。
TLP114A含有一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高速单片光电晶体管探测器。
TLP114A特性∙隔离电压：3750Vrm s（最小）∙转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（RL=1.9kΩ）∙兼容TTL UL∙认证：UL1577,file no.E67349TLP114A应用∙数字逻辑隔离∙线路接收器∙电源控制，反馈控制∙开关式电源∙晶体管逆变器TLP115A概述：东芝小型扁平耦合器TLP115A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。
PhotoMOS继电器(上)
PhotoMOS继电器(上)作者：松下电工(中国)有限公司松下电工的PhotoMOS继电器使用光电元件和功率MOSFET进行输出。
该继电器通过光结合使输入输出间完全绝缘，与原来的机械继电器有所不同的是用LED和光电元件进行输入输出传送，其寿命可谓类似永久性的。
本刊分上中下三部分对PhotoMOS继电器的概要、控制电路、可靠性进行介绍。
本期介绍PhotoM OS 继电器概要部分。
前言PhotoMOS继电器针对小型、轻量、薄型化的需要，作为适应电子化的继电器，增加了高灵敏性、高速响应；从传感器输入信号电平到高频的控制；从声音信号到高频用途的对应；高可靠性和长寿命；可表面安装的SMD型；多功能化和静音化等新的功能。
图1 PhotoMOS继电器的等价电路图2 负载电压-电流特性的比较图3 使用装置的输出信号比较图4 开路时的漏电流PhotoMOS继电器的动作原理PhotoMOS继电器的输出是使用功率MOSFET在输入输出间实现电绝缘(1,500VAC·1分钟) 的半导体继电器。
其等价电路如图1所示。
动作原理是通过光电元件(太阳能电池)将发光元件(LED)的光进行电压变换，通过功率MOSFET的导通、非导通，进行负载控制。
PhotoMOS继电器的特点PhotoMOS继电器具备EMR (有触点机械继电器) 和SSR (无触点继电器) 两种功能，特点如下文所述。
?可控制微小模拟信号晶闸管或光电耦合器及一般的SSR，不能控制数百mV以下的信号，但PhotoMOS继电器闭路时的偏置电压极低，因此，即使是对微小电压信号或模拟信号也可不变形控制(如图2、3所示)。
?电路板小型化和设计容易化可将发光元件、光电元件、功率MOSFET集中到一个封装中，而且MOSFET的电路门电极也在封装中，因此抗干扰或静电能力较强。
另外，内置有自身发电功能的光电元件，所以，不需要外部电源来驱动功率MOSFET。
?用小输入信号可控制大负载与光电耦合器相比，因增幅率较大，所以可实现EMR所没有的高灵敏度参照表1。
继电器型号规格
继电器型号规格
继电器是一种电气控制器件，用于控制大电流、高电压开关电路。
不同的继电器型号对应不同的规格，下面将介绍几种常见的继电器型号规格。
型号1
•额定负载电流：10A
•额定负载电压：250V AC
•最大切换电流：15A
•动作电压：12V DC
•接触电阻：≤100mΩ
这种型号的继电器适用于一般家用电器等低功率电路的控制。
型号2
•额定负载电流：30A
•额定负载电压：400V AC
•最大切换电流：40A
•动作电压：24V DC
•接触电阻：≤50mΩ
这种型号的继电器适用于较大功率的电路，如电动机控制等。
型号3
•额定负载电流：50A
•额定负载电压：600V AC
•最大切换电流：60A
•动作电压：48V DC
•接触电阻：≤30mΩ
这种型号的继电器适用于工业控制等高功率电路的控制。
继电器的规格不仅包括额定负载电流和电压，还包括接触电阻、动作电压等参数，用户在选择型号时需根据实际需求进行匹配，以确保继电器正常工作并具有较长的使用寿命。
固态继电器的技术参数及选用
固态继电器的技术参数及选用固态继电器（Solid State Relay，简称SSR）是一种由固态电子元器件组成的电子开关，常用于替代传统电磁继电器。
固态继电器具有体积小、寿命长、响应时间短、抗震动、抗振荡、可调功率等特点，广泛应用于自动化控制领域。
技术参数1. 额定电流（Rated Current）：固态继电器能够承受的最大工作电流。
额定电流通常以安培（A）为单位表示。
2. 工作电压（Working Voltage）：固态继电器能够正常工作的电压范围。
工作电压通常以伏（V）为单位表示。
3. 阻抗（Impedance）：固态继电器在正常工作状态下对电路的阻力。
阻抗通常以欧姆（Ω）为单位表示。
4. 绝缘电阻（Insulation Resistance）：固态继电器在断开状态下的绝缘能力。
绝缘电阻通常以兆欧姆（MΩ）为单位表示。
5. 继电器功率（Relay Power）：固态继电器能够承受的最大功率。
继电器功率通常以瓦特（W）为单位表示。
6. 转换时间（Turn-On and Turn-Off Time）：固态继电器从关闭状态转换到打开状态（Turn-On Time）和从打开状态转换到关闭状态（Turn-Off Time）所需的时间。
转换时间通常以微秒（μs）为单位表示。
选用固态继电器的考虑因素1.工作电流：根据所控制设备的工作电流选择固态继电器的额定电流。
若工作电流超过固态继电器的额定电流，则会导致过载损坏。
2.工作电压：根据所控制设备的工作电压选择固态继电器的工作电压范围。
若工作电压超过固态继电器的工作电压，则会导致击穿。
3.继电器功率：根据所控制设备的功率选择固态继电器的继电器功率。
若功率超过固态继电器的继电器功率，则会导致过载损坏。
4.环境温度：根据固态继电器所处环境的温度选择固态继电器的耐温范围。
若环境温度超出固态继电器的耐温范围，则会导致固态继电器无法正常工作或损坏。
5.绝缘电阻：根据需要选择固态继电器的绝缘电阻，确保能够满足电路的绝缘要求。
光伏继电器常用型号与参数
光伏继电器常用型号与参数
光伏继电器的常用型号与参数如下：
1. 触点负载：如200A型，额定负载(阻性)为接通55A，载流200A，断开55A/1000VCD。
2. 切换性能：如在85℃下的最大切换电流为200A，最大切换电压为
1000VAC，最大切换功率为200,000VA。
3. 触点材料：如银合金，接触电阻为1mΩ/at 20A (Max)，吸合时间为，
释放时间为。
4. 绝缘电阻：最小值为1000MΩMin.(DC500V)。
5. 介质耐压：触点与触点间为AC2,000V，50/，触点与线圈间为
AC5,000V，50/。
6. 抗振动和冲击性能：耐久条件下抗振动频率在10～55Hz之间，双振幅；而抗冲击耐久为100G Min。
7. 寿命：机械寿命达到每小时9,000次，总寿命为1,000,000 次。
8. 环境温度：为-40℃～+85℃（不冷凝）。
9. 重量：约为215g。
此外，某些型号的参数还包括保持功耗、耐压强度、绝缘空间距离等。
以上内容仅供参考，如需更多信息，建议查阅光伏继电器相关书籍或咨询专业人士。
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这意味着开关（SW）工作时没有电压加入。 因此SW闭合时没有电流流过，然后输出电 源信号。
机械继电器使用在热开关情况时寿命较短。 只要保持不超过最大额定值，光继电器可以使用在热开关或冷开关情况。
＊机械继电器的情况下，由于热开关施加电压，电流在触点闭合瞬间流动，触点容易磨损。此外，当开关断开时，电流中断会 产生电弧，因此寿命缩短。
SSR （固态继电器）
・ 使用半导体光敏双向晶闸管、光敏晶体管或光敏晶闸管作为输出器件 ・ 光敏双向晶闸管、光敏晶闸管输出器件限于交流负载
注：这一分类可能与目录型分销商（例如得捷电子／贸泽电子等）的实际分类不同。我们建议直接用产品名进 行搜索。
光继电器结构
SO6封装
3.7×7.0×2.1 mm
框架类型
trin是输入波形上升时间； trout是继电器转换后的输出波形上升时间。 ERT值越低，输出信号越接近原始输入波形。
术语3
术语
推荐工作条件 电源电压 推荐工作条件 LED输入正向电流 通态电流 工作温度
符号
--VDD IF IO Topr
描述
为了达到器件的预期性能，而考虑了绝对最大规格降额的设计指南。每条建议都是独 立考虑，且未考虑多种使用条件。 考虑了最大规格降额的推荐电源电压。 在交流的情况下，其是峰值电压。
考虑了最大规格降额的推荐LED正向电流。
设计考虑
36 光继电器失效模式 37 IF设计考虑 39 推荐LED驱动电路示例 40 输入侧过压／过流 42 输入侧设计考虑不足 47 输出侧过压／过流 54 输出侧设计考虑不足
光继电器的优势
8 光继电器与机械继电器特性比较 9 安装面积小型化 10 高可靠性 11 低输入电流／低电压驱动 12 优异的开关特性 13 热开关支持 14 与机械继电器比较
由于光继电器在输入侧采用了LED，在输出侧采用了MOSFET，因此不存在由反电动势或回跳引起的噪声。它也不会产生类似 机械继电器的接触声。
热开关支持
热开关情况
负载（L、R、C等）
SW：光继电器
Vcc
驱动器
冷开关情况
开关 信号
SW：光继电器
这意味着开关（SW）工作时有电压加入。 在SW闭合瞬间有电流流向负载。
触点可以处理的最大电流 要求根据工作负载和电压降额
光继电器等效特性
输入电流（IF）、输入电压（VF） 推荐输入电流（IF）
触点形式 例如：1个常开触点（1a）
1个常闭触点（1b）
导通电阻（RON） 断态输出端子电压（VOFF）、
通态电流（ION、IONP） 输出功率耗散（PO）
断态输出端子电压（VOFF）
绝对最大额定值：工作期间即使是瞬间也不能超过的最大值
术语1（续）
术语
隔离电压 环境温度 储存温度 引线焊接温度
符号
BVS Ta Tstg ---
描述
输入和输出之间在指定电压值下的隔离电压（高压） 光继电器使用环境的环境温度 在未工作情况下可以将器件存放的环境温度范围 在不损失功能的情况下可以对器件引脚进行焊接的额定温度
绝对最大额定值：工作期间即使是瞬间也不能超过的最大值
术语2
电气特性
术语
LED正向电压 反向电流 电容（LED）
输 入 LED触发电流
LED返回电流
通态电阻 输 出 断态电流
电容
符号
VF IR CT --IFT IFC --IFC IFT RON IOFF COFF
描述
在特定正向电流额定值下，LED阳极和阴极之间的电压降
触点b：使输出MOSFET返回到通态所需的LED输入电流IF的最大值
在指定的通态额定值下，MOSFET的输出引脚之间的电阻
在断态下，MOSFET输出引脚之间流动的漏电流
MOSFET输出引脚之间（两个漏极之间）的静电电容
术语2（续）
电气特性
术语
电流限值 输入输出电容 隔离电压
工作时间
返回（释放）时间
◎（无声）
◎
（S-VSON：2.9mm2 - 1.45×2.0 mm）
◎（LED）
（例如：0.5mW-）
1a、1b、2a、1a1b
○（20pA～）
备注
（光继电器特性）
长寿命
高可靠性
高速 无噪声 尺寸较小 功耗更低
3
术语
机械继电器与光继电器电气特性比较
机械继电器特性
说明
额定线圈电压和（线圈）标称 工作电流
光继电器 规格
2018年6月
内容
什么是光继电器？
4 继电器分类 5 光继电器结构 6 光继电器的工作原理
术语
16 电气特性比较 18 术语1 20 术语2 22 术语3 24 关键特性：导通电阻（RON） 25 关键特性：输出电容（COFF） 26 开关时间（tON／tOFF） 27 什么是低C×R？ 28 LED寿命估算 29 东芝光继电器数据手册示例
VSON
2.0 1.45
S-VSON
我们有一系列小封装产品，例如采用SO6和VSON封装的产品。 用光继电器替代可极大地促进设备的小型化设计。
高可靠性（长寿命）
光继电器
（MOSFET输出光耦）
LED 光
MOSFET
电磁
机械继电器
线圈
金属触点
无磨损引起的劣化
有磨损，需定期维护
光继电器通过光敏二极管阵列接收LED光线，将其转换成MOSFET驱动电压来工作。这种继电器由于没有机械触点，因此没有机 械继电器磨损造成的劣化（触点数量没有限制，并且免维护）
在设计IF规格时需要考虑LED的使用寿命。
优异的开关特性（高速、低噪声）
光继电器
（MOSFET输出光耦）
输入 （LED）
机械继电器
线圈反电动势
输入 （线圈）
输出 （MOSFET）
输出 （金属触点）
将机械继电器替换为光继电器的优点
噪声减小 输入：无反电动势 输出：无回跳
开关速度为1/10～1/100
--IF IFP ΔIF／ΔTa VR Tj VOFF ION ΔION／ΔTa IONP Tj
描述
工作期间即使是瞬间也不能超过的最大值。未指定温度条件时，Ta＝25℃。 可以在LED正向连续流动的额定电流 可以在LED正向瞬间流动的额定电流 最大允许输入正向电流随环境温度的变化率 可以在阴极和阳极之间施加的额定反向电压 LED的结点部分可以允许的温度 关断状态下可在MOSFET的输出引脚之间施加的额定电压。在交流的情况下，其被称为Vpeak。 导通状态下可以在MOSFET的输出引脚之间流动的额定电流（对于交流情况，其是峰值电流） 最大导通电流随环境温度的变化率 导通状态下可在MOSFET的输出引脚之间瞬时流动的额定电流（100ms、占空比＝1/10） 光电探测器的结点部分可以允许的温度
LED反向（从阴极到阳极）流动的漏电流
LED的阳极和阴极引脚之间的静电电容 改变输出端子初始状态所需的输入电流IF的最小值 设计中为确保继电器工作，IF需要大于IFT最大值。 触点a：使输出MOSFET进入通态所需的LED输入电流IF的最小值
触点b：使输出MOSFET进入断态所需的LED输入电流IF的最小值 输出端子返回到初始状态所需的输入电流IF的最大值 设计中为确保继电器工作，IF需要小于IFC最小值。 触点a：使输出MOSFET返回到断态所需的LED输入电流IF的最大值
触ห้องสมุดไป่ตู้形式
触点电阻
设计用于线圈工作的电压，以及线圈中由此产生的电流值
触点结构和电路中的触点数 例如：1个常开触点（1a） 1个常闭触点（1b） 1个转换触点（1c）
触点接触时的总电阻
触点容量
器件在通态下可以处理的电压和电流
最大允许触点功率 最大允许触点电压 最大允许触点电流
器件可以正确开关的功率上限
最大开路电压 要求根据工作负载和电流降额
MOSFET Chip 引线框架
PDA芯片
硅树脂 环氧树脂
LED芯片
半导体继电器 MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管，PDA：光敏二极管阵列
S-VSON封装
2.0×1.45×1.75 mm
基本类型
环氧树脂 LED芯片
MOSFET芯片
PDA芯片
基板 基材：BT树脂 电镀：Cu／Ni／Pd／Au
与机械继电器比较
d
寿命 触点容量 触点电阻 （导通电阻） 触点电压 （关断电压） 隔离电压
工作／释放时间 工作声 小型化
输入功耗
触点形式 漏电流
机械继电器
（信号继电器）
△
（有接触极限）
◎（2A）
※环境温度85℃／AC・DC适用
约0.1Ω
（开关引起劣化）
◎
（例如：AC 250V、DC 30V）
○
（例如：1KVrms）
△
约5ms
△（有）
○
（例如：60mm2 ）
×（线圈）
100mW-
1c、2c
◎（没有）
近年来，机械继电器和干簧继电器的替换正在加速。
光继电器
◎
（无接触极限）
○（~5A）
※环境温度25℃／VOFF＝60V基准
约0.02~25Ω
（稳定）
○
（例如：20V～600V产品阵容）
◎
（最大：5KVrms）
○
约0.1ms
通态电流（ION、IONP）
机械继电器与光继电器电气特性比较（续）
机械继电器特性
最大允许触点电流
开关 （时间）
特性
工作时间 释放时间
使用寿命
机械寿命 电气寿命
工作温度
说明
触点可以处理的最大电流 要求根据工作负载和电压降额 电源加到线圈直到触点闭合的时间（不包括回跳时间）