第3章 静电场分析

合集下载

《静电场》教材分析及课标解读

《静电场》教材分析及课标解读

《静电场》教材分析及课标解读兰州市教育科学研究所黄晖一、课程标准的要求1.了解静电现象及其在生活和生产中的应用,用原子结构和电荷守恒的知识分析静电现象。

2.知道点电荷,体会科学研究中的理想模型方法。

知道两个点电荷间相互作用的规律。

通过静电力与万有引力的对比,体会自然规律的多样性与同一性。

3.了解静电场,初步了解场是物质存在的形式之一。

理解电场强度。

会用电场线描述电场。

4.知道电势能、电势,理解电势差。

了解电势差与电场强度的关系。

5.观察常见电容器的构造,了解电容器的电容。

举例说明电容器在技术中的应用。

课时安排建议:第一节:电荷及其守恒定律一课时第二节:库仑定律一课时第三节:电场强度二课时第四节:电势能和电势三课时第五节:电势差一课时第六节:电势差和电场强度的关系一课时第七节:静电现象的应用一课时第八节:电容器的电容二课时第九节:带电粒子在电场中的运动二课时二、教材总体分析及特点(一)本章知识呈现的整体线索任何场的描述都要从两个角度来描述,一个是力的方面;另一方面是能的方面。

本章的内容是电学的基础,也是学习后两章(恒定电流和磁场)的准备知识。

本章的核心内容,简单概括为“六个二”:电场强度和电势这两个概念,具体研究点电荷电场和匀强电场这两种电场,有电荷守恒定律和库仑定律两个基本规律,介绍电场线和等势线两种图线,讨论静电感应和电容器两个具体问题,分析带电粒子在电场中加速和偏转两种运动。

基本概念多而抽象,是这一章的突出特点。

针对这个特点教材注意从具体情况出发引入概念,注意适当的论证;注意通过实验,激发学生的学习热情,使学生了解探究的过程和方法,弄清概念的物理意义。

如电场强度的概念,学生应该明确的知道电场强度是表示电场强弱的物理量,因而首先应该知道什么是电场的强弱。

相同试探电荷放在电场中的不同点,受到电场力大的点,电场强;受到电场力小的点,电场弱。

理解抽象的概念,不能停留在字面上,一定要把事实、背景弄清楚。

大学物理-第3章-静电场中的导体

大学物理-第3章-静电场中的导体

R2 R1
在金属球壳与导体球之间(r0 < r < R1时):
q r0
作过 r 处的高斯面S1
q
S1 E2 dS 0

E2 r
q
40r 2
q
E2 40r 2 er
在金属球壳内(R1< r < R2时):电场 E3 0
在金属球壳外( r > R2时): 作过 r 处的高斯面 S 2
S2
E4
dS
在它形成的电场中平行放置一无限大金属平板。求:
金属板两个表面的电荷面密度?
解:带电平面面电荷密度0 ,导体两面感应电荷面密度分 别为1 和 2,由电荷守恒有
1 2 0 (1)
导体内场强为零(三层电荷产生)
σ0 σ1
σ2
E0 E1 E2 0
(2)
E0
0 1 2 0
(3)
20 20 20
导体表面任一点的电场强度都与导体表面垂 直。
20
2.导体在静电平衡状态下 的一些特殊性质
❖ 导体是等势体,导体表面是等势面。
在导体内部任取两点P和Q,它们之间的电势差可以表示为
VP VQ
Q
E
dl
0
P
❖ 导体表面的电场强度方向与导体的表面相垂直。
❖ 导体上感应电荷对原来的外加电场施加影响,改
Q1
Q2
0
q
q
0

E4r
q
4 0 r 2
E4
q
4 0 r 2
er
43
思考:(3)金属球壳和金属球的电势各 为多少?
解:设金属球壳的电势为U壳 ,则:
U壳
R2 E4 dl

静电场实验的探索与应用

静电场实验的探索与应用

静电场实验的重 要意义
静电场实验在科学研 究中扮演着重要角色, 通过观察电荷间的相 互作用,研究物质的 性质和行为。静电场 实验的重要意义在于 为我们提供了深入了 解电磁学领域的机会, 为新技术的发展和应 用提供了基础。
静电场实验的成就和挑战
成就与突破
静电场实验推动 了电磁学理论的 发展,揭示了电
精确计算电荷量
电场力矢量 图
分析电场强度方 向
应用案例研 究
医学影像处理、 静电场调控
电势图分析
展示电势分布
静电场实验步骤
01 准备实验器材
确保实验顺利进行
02 识别正负电荷
进行电荷分布观察
03 测量电势差
记录不同位置电势值
静电场实验结果分析
通过静电场实验的数据记录与处理,我们可以得 到电荷间的相互作用规律,进而推断出静电场的 性质。实验结果的分析对于验证理论模型、指导 应用技术都具有重要价值。
静电场实验中的实验操作技巧
避免外部干扰
保持实验环境安静 尽量远离干扰源
正确连接仪器
仪器接线正确 检查电源连接
准确测量数据
注意仪器示数 多次测量取平均值
● 03
第3章 静电场实验的具体实 验方法
静电场的生成与 观察
静电场可以通过不同 的实验方法来产生, 例如摩擦产生静电等。 为了观察和测量静电 场的强度,可以使用 静电计等仪器进行实 验,通过测量电荷的 大小和距离来确定静 电场的强度。
防范事故
定期检查仪器设备的安全 性 进行实验前进行安全培训
总结
静电场实验是物理学中重要的实验之一,通过实 验可以更好地理解静电场的生成、测量和应用。 在进行实验时,一定要注意安全措施,避免事故 的发生。

第3章 边值问题及静电场的求解

第3章 边值问题及静电场的求解

r r

Q Q
const.
若镜像位置满足
OQ ~ P OPQ

r r

R0 a
const .
由三角形相似,
b R0 R0 a

2 R0 b a Q R0 Q a
导体球外部空间的电势为
Q R 0Q 4 0 r ar 1 4 0 1 Q R a 2 Ra cos
sin d
(sin
sin
0
该方程的解有两种情况

1 d
2
d
2
m
2
的解
0,
当电位与方位角无关时,
2 即: m 0
( ) A

1 d R dr
(r
2
2
dR dr
) n ( n 1) 的解
1
(1) n 0 时, R ( r ) A0 B 0 r
n
|S f 2 ( S )
称为第二类边界条件或“诺伊曼”条件。 这类问题称为第 二类边值问题。 (3)已知场域边界面S上各点电位和电位法向导数的线性 组合值, 即给定
( N ) |S f 3 ( S )
称为第三类边界条件或“混合边界条件”。 这类问题称为 第三类边值问题。
P
Q Q 4 0 r r 1
考察空间:导体球外部空间。 镜像电荷:用位于对称轴上的等效代
替导体球面上的感应电荷。
球面上任意点P 的电势
Q Q ( P) 0 4 0 r r 1

r r

Q Q
镜像电荷不应随P 变化,

静电场分析

静电场分析

电位确定值(电位差)
两点间电位差有定值
选择电位参考点的原则: 应使电位表达式有意义 应使电位表达式最简单 同一个问题只能有一个参考点 电位参考点电位一般为0;
二、电位函数的求解
中国矿业大学
点电荷的电位
v E
q
40r 2
evr
vQ
Q v v P' Q v v
S
Ev(rv)g(4
r2
evr)0
Q
0
v E
Q
4 0 r 2
evr
r
Ñ 在球内区域:ra
Q 3Q
Ev(rv)gdSv
V 4 a3 S
Q
0
Ev(rv)g(4 r2
v E
Qr
4 0 a3
evr ) evr
4 r3
3
0
3.2 电位函数
中国矿业大学
一、电位函数与电位差
电位函数
v
E 0
中国矿业大学
补充内容:利用高斯定理求解静电场
Ñ Ev(rv)gdSv 1 (rv)dV Q
S
0 V
0
求解的关键:高斯面的选择。
高斯面的选择原则:
1)场点位于高斯面上;
2)高斯面为闭合面;
3)在整个或分段高斯面上,Ev

vv EgdS
为恒定值。
只有当电荷呈某种对称分布时才可能满足以上原则,因此用
中国矿业大学
真空中静电场性质小结:
微分形式
积分形式
gEv(rv) (rv)
Ev(rv)
0
0
ÑS Ev(rv)gdSv
ÑC
Ev(rv)
0
Q
0
静电场性质:是一种有源无旋场,是保守场。

电动力学-第三版-第三章-静电场

电动力学-第三版-第三章-静电场



V
(ϕ ∇ ψ + ∇ ϕ ⋅ ∇ ψ ) dV =
2
$ ∫
S
S
! ϕ ∇ ψ ⋅ dS
Φ = ϕ =ψ

2 2
ΦS
Φ ∇ Φ + (∇ Φ ) dV = V ! = 0 ⇒ ∫ Φ ∇ Φ ⋅ dS ≡ 0
S

$ ∫
! Φ ∇ Φ ⋅ dS
∇ Φ=0 ⇒
2

V
(∇ Φ ) 2 dV = 0
! ∇⋅D = ρ
适用于无自 适用于无自 由电荷分布 的均匀介质 均匀介质
∇ ϕ =0
2
2.静电势的边值关系
(1) 两介质分界面
! ! ϕQ − ϕ P = −∫ E ⋅ dl
Q P
P
Q
0
ϕ P = ϕQ
ϕ2
S
Q
! n
ε2 ε1
ϕ1
S
= ϕ2
ϕ1
S
P
∂ϕ 2 ε2 ∂n
S
∂ ϕ1 − ε1 ∂n
主要内容 一、泊松方程和边界条件 二、唯一性定理的内容 三、唯一性定理的意义
一、泊松方程和边界条件
假定所研究的区域为V 假定所研究的区域为 V , 在一般情况下V 在一般情况下 V 内可以 有多种介质或导体, 有多种介质或导体 , 对于每一种介质自身是均匀 线性各向同性。 线性各向同性。 设V内所求电势为 ϕ i ,它们满足泊松方程
Q 产生的电势
=
Qf
二、静电势的微分方程和边值关系 静电势的微分方程和边值关系 1. 电势 电势满足的方程 满足的方程
! 泊松方程 ! 导出过程
ρ ∇ ϕ =− ε

第3章 静电场2——电荷的分布形式

第3章 静电场2——电荷的分布形式

工程电磁场基础第3 章静电场(2)电荷的分布形式主讲人:陈德智dzhchen@/hkdq/华中科技大学电气与电子工程学院2013年3月2. 电荷的分布形式•“自由空间”的物理图像•静电场中的导体•静电场中的电介质——极化电荷•包含材料特性的基本方程•媒质交界面条件00/3200, U φφπϕϕϕ==⎧=∇=⎪⎨=⎪⎩电荷的实际存在形式•电荷是物质的基本属性,不存在脱离了物质的电荷。

•电荷与电场之间相互影响,真空中的自由电荷不可能稳定地处于某个固定位置;常遇到的是物质中的电荷。

•典型的物质包括导体和电介质。

导体中有部分电荷可在导体内自由移动,称自由电荷;而介质(或电介质、绝缘体)中的电荷被约束在原子或分子内部,称为束缚电荷。

通常情况下,作为电场之源的电荷,就存在于这些物质中。

•当使用库仑定律计算电场时,必须考虑包括自由电荷与束缚电荷在内的全部电荷的贡献。

,导体是等位体,无极分子\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\有极分子⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\⊕\均匀极化时,只在表面上产生面分布的极化电荷,介质内部极化电荷为0。

因为是均匀极化,设单位体积内的分子数为n ,则。

取厚度为l 的表面薄层,设面积为A ,其体积为。

所含有的分子数。

这些分子都有电荷移出,故电荷总量为。

因此极化电荷面密度为(3)均匀极化下的极化电荷e n nq ==P p l p σV A l =⋅p /e q A nq l Pσ===N n V n A l =⋅=⋅⋅e e q q N nq Al ==更一般的形式p n nP σ==⋅P ep nP σ=p q V ΔρΔ−==−∇⋅Pp p p 2200d d 44R RS V S V R R σρπεπε′′′′=+∫∫e e E p p p 00d d 44SV S V R Rσρϕπεπε′′=+∫∫极化电荷面密度极化电荷体密度极化电荷产生的电场包含材料特性的基本方程在形式上同真空中的基本方程完全相同,只需要把本构关系中的换成ε即可:旋度方程保持不变,散度方程只包括自由电荷!0εd Sq⋅=∫D S d 0l⋅=∫E l ρ=⋅∇D 0∇×=E D =ε E结论:引入参数ε 后,静电场基本方程中的电荷就只保留了自由电荷,而极化电荷的效应被ε 和重新定义的电位移矢量D 所包含。

第三章 静电场的边值问题

第三章 静电场的边值问题

u (1 2 ) 0
积分后 , 1 - 2 C, 该式既满足场域 , 又满足边界 , 故 C 0,1 2 ,得证
若导体边界为第二类边 界条件 , 即已知电荷面密度

1 2 , n n

(1 -2 ) u 0 n n
q
1 2 q 1 2
q
2 2 q 1 2
0
( y 0 ,b x a )
0
例 设有电荷均匀分布在半径为a的介质球型区域中,电荷体密度
为 ,试用解微分方程的方法求球体内、外的电位及电场。
解: 采用球坐标系,分区域建立方程 1 d d 21 2 (r 2 1 ) (0 r a ) r dr dr 0
2u 21 2 2
利用矢量恒等式
0 (uu) u2u (u) 2 ( u )2
对场域求体积分, 并利用高斯散度定理

V
(uu )dV uu dS (u ) 2 dV
s V
S为体积 V的边界面 ,即S S0 S , S S1 S2 Sn , 由于在无穷远 S0处电位为零 ,因此有
静电场的边值问题 数学物理方程定解条件通常分为初始条件和边界条件。 静电场与时间无关,因此电位所满足的泊松方程及拉普拉斯
方程的解仅决定于边界条件。根据给定的边界条件求解泊松方程
或拉普拉斯方程就是静电场的边值问题。
边值问题 微分方程
边界条件
2 2 0

场域 边界条件
分界面 衔接条件
S f1 (s)
已知场域边界 上各点电位 的法向导数
布或边界是电力线的条 件是等价的? 边值问题框图

3电磁场与电磁波-第三章new

3电磁场与电磁波-第三章new

对于体、 对于体、面、线电荷的电位,可用场源积分法分别求得: 线电荷的电位,可用场源积分法分别求得: 总结: 总结: 求解电场强度时, 求解电场强度时,可先求 电位函数, 电位函数,然后计算电 位函数的负梯度便得电 场强度E(r)。 场强度 。 可见电位的计算式简便得多(标 可见电位的计算式简便得多( 量积分) 再求场强时, 量积分),再求场强时,微分 总是可计算的 也简单。 总是可计算的,也简单。
∮E.dl l
= 0
3.2.2
无旋场, 静电场为无旋场 静电场为无旋场, 一定是保守场 一定是保守场
3.2.11
因上式积分路径及面元是任意的, 因上式积分路径及面元是任意的,有: x E = 0
总结真空中静电场的基本方程(微分形式 为 总结真空中静电场的基本方程 微分形式)为: 微分形式
在场源变量ρ已知的情况下,通过D 在场源变量ρ已知的情况下,通过D0=ε0E, 联立求解上述两个矢量方程就能求得E 联立求解上述两个矢量方程就能求得E。 据亥姆霍兹定理:场可由散度与旋度共同确定, 据亥姆霍兹定理:场可由散度与旋度共同确定, 只有在给定散度与旋度方程的条件下才能唯一的 只有在给定散度与旋度方程的条件下才能唯一的 的确定此矢量场。 的确定此矢量场。 当电荷对称分布时,适当选取坐标系,可使D 当电荷对称分布时,适当选取坐标系,可使D0 只有一个分量,且仅是坐标的函数, 或E只有一个分量,且仅是坐标的函数,则 E自动 =0,此时只要计算∮ ds=q即可得场解 即可得场解。 满足xE =0,此时只要计算∮D0.ds=q即可得场解。
R
3

B(r ) =
0 I
4
∫ π
dl ′ X R
l
R3
> ε0 > 1/0 > 电荷 > 电流 > 标量源 > 矢量源 叉积

第三章静电场5—分离变量法

第三章静电场5—分离变量法

第三章静电场(5)分离变量法陈德智2011年3月分离变量法之要点•求解区域边界与坐标面平行。

(矩形,圆形,球形等,共11种坐标系可解)•微分方程和部分边界条件皆为齐次。

(便于叠加)•将方程分解为若干只与某个坐标相关的函数的乘积,求解本征值问题。

•利用边界条件和本征函数的正交性确定系数。

分离变量法举例1:栅极的静电场设栅网与极板均为无限大,栅网只有平行的格线组成,栅格宽度为a。

栅网平面上的电位呈周期性分布,可用Fourier级数表示。

2nπ分离变量法举例1:栅极的静电场电位分布212(1)cos()nxannx n y U U ed aππϕ∞−==−+∑分离变量法举例2:尖角/凹陷处的静电场接地的两平面导体形成一定夹角α ,在远处有一些电荷或带电体,分析夹角附近的场分布。

构建模型:设远处有一同心圆弧形导体,电位为U。

(这样假设是为了解题方便;远处的场不是关心的所在)0100(sin cos )ρφραραα=−+⎜⎟⎝⎠E e e 0ρ→当απ<0πααρ−→如果0100(sin cos )ρφραραα=−+⎜⎟⎝⎠E e e 0ρ→当απ=1πααρ−→如果010004(sin cos )4y U U ρφφφρπρπ=−+=−E e e e01004(sin cos )U πααρφρπφπφραραα−⎛⎞=−+⎜⎟⎝⎠E e e 0ρ→当πααρ−→∞απ>如果尖劈局部电场分布(右图电力线按反方向绘制)尖劈电场分布的ANSYS有限元计算结果采用ANSYS计算尖劈电场分布的两种有限元网格分离变量法学过数学物理方程的人会有这样的经验,使用分离变量法求解边值问题是相当麻烦的。

可是,当你看到那么复杂的电磁场问题,通过一步步的推导,得出了美妙的结果,会产生一种发自内心的愉悦。

要知道,这些问题的解决,曾经想破了无数最聪明的脑袋,是数学物理史上了不起的成就,——而现在,它属于你了。

其次,虽然过程有些繁琐,但是不难,因为解题的步骤都大同小异。

研究静电场的性质和变化规律

研究静电场的性质和变化规律
电荷分布
数值方法求 解静电场问 题的应用
介绍数值方法在 静电场研究中的
应用
静电场的探测技术
静电场探测仪器的 原理和应用
讲解探测仪器的工作原理 介绍静电场探测技术的应 用领域
如何准确测量静电 场的参数
准确测量静电场强度和方 向的方法 说明影响测量准确度的因 素
静电场的应用案例
01 静电场在电子设备中的应用
静电场的数学描述
01 高斯定律
描述电场的分布情况
02 电场线的性质
展示电场强度的方向
03 带电体运动规律
研究带电物体在静电场中的行为
静电场的变化规律
电场强度计算
静电场中电场强度的计算 方法包括数学公式和推导 过程。
电势分布
电场能量
电势差
不同电荷分布情况下的电 势分布具有多样性,可以 通过模拟和实验进行验证。
电场感应
静电场对物体的 感应作用
电荷分布
不同电荷分布对 电场的影响
电场力
描述电荷受力的 效应
电容效应
静电场的基本概念
静电场的基本性 质
静电场是由电荷所产 生的影响周围空间的 场,其中涉及电荷、 电场强度、电势等概 念。这些基本性质构 成了静电场的基础, 通过基本方程式和定 律可以更深入地理解 静电场的特性。
静电场研究的贡献
科学发现
静电场的基本规律 电荷分布特性
技术应用
静电场除尘技术 静电场医疗设备
环境保护
静电场净化空气技术 静电场处理水污染
未来发展
静电场在智能科技中的应 用 静电场在新能源领域的研 究
鼓励更多科学家 参与静电场研究
静电场研究是一项重 要的科学课题,对于 推动科学技术的发展 具有重要意义。我们 鼓励更多有志于科学 研究的年轻人投身静 电场研究,共同探索 未知领域,为人类社 会的进步贡献自己的 力量。

第九讲:静电场分析

第九讲:静电场分析

3.1静电场分析1、掌握静电场的基本方程和边界条件;2、掌握静电场的电位函数及其微分方程,熟悉电位的边值关系;3、掌握电容的概念,会计算双导体的电容,理解多导体系统部分电容的物理涵义。

重点:静电位的微分方程、电容的概念及典型双导体电容的计算。

难点:多导体系统的部分电容 讲授、练习 2学时第3章 静态电磁场及其边值问题的解 本章研究对象:场源(电荷、电流)不随时间变化,具体有: 1、静止电荷激发的静电场; 2、恒定运动电荷形成的恒定磁场; 3、恒定电流激发的恒定磁场。

本章主要内容:1、静态场方程和边值关系;2、位函数(电位、矢量磁位、标量磁位)及其满足的微分方程和边值关系;3、静态场边值问题求解(镜像法、分离变量法、有限差分法);4、电磁场的能量和力*;5、电容、电感、电阻。

3.1静电场分析静场的源量,J ρ和场量,E B 不随时间变化,电场和磁场相互独立,可以分开研究。

一、静电场的基本方程和边值关系微分形式:ρ=⋅∇=⨯∇D E,0 积分形式:0CE dl ⋅=⎰ SD dS q ⋅=⎰边界形式:()12ˆ0n eE E ⨯-= ()12ˆn S e D D ρ⋅-= 本构方程:D E ε=二、静电场的标势及其微分方程 1、电位函数1)数学定义由于0=⨯∇E,所以有:()()E r r ϕ=-∇式中标量函数()r ϕ称为静电场的电位函数,简称电位。

2)物理意义在上式中,两边从P 到Q 点沿任意路径积分,有:()()()QQ QPPPE dl dl dl Q P lϕϕϕϕ∂⋅=-∇⋅=-=--⎡⎤⎣⎦∂⎰⎰⎰从而:()()QPQ P E dl ϕϕ-=-⋅⎰ 上式表明:电位差()()P Q ϕϕ-的物理意义是把一个单位正电荷从点P 沿任意路 径移动到点Q 的过程中,电场力所做的功。

如果选择()0Q ϕ=,则:()QPP E dlϕ=⋅⎰物理意义:空间某点的静电位在数值上等于从该点移送单位正电荷到零电位点电场力 做功。

静电场 第3章 静电场分析

静电场 第3章 静电场分析

第3章静电场分析以矢量分析和亥姆霍兹定理为基础,讨论静电场(包括恒定电场) 的特性和求解方法。

建立真空、电介质和导电媒质中电场的基本方程,以及电介质的特性方程,将静电场的求解归结为电位问题的求解。

导出泊松方程和拉普拉斯方程,确立电场的边界条件。

介绍电容的计算,电场能量及静电力的计算。

§1 真空中静电场的基本方程由静止电荷形成的电场称为静电场。

一、静电场分析的基本变量1、场源变量—电荷体密度ρ(r )是一种标量性质的源变量,因而静电场是一种有散度的矢量场。

2、场变量(1)电场强度矢量E (r )表示电场对带电质点产生作用的能力。

(2)电位移矢量D (r )反映电介质内存在电场时,电介质内的束缚电荷在电场作用下出现的位移现象。

(3)电流密度矢量J (r )反映物质内存在电场时,构成物质的带电粒子在电场强度的作用下出现运动或移动。

3、本构关系D=εEJ=εE二、真空中静电场的基本方程1、电场的散度—高斯定理(1)定理内容在静电场中,电位移矢量D 0穿过任意闭合曲面S 的通量等于曲面S 所包围的总电荷。

D ?dS=积分形式?0S?ρd ττD=ρ微分形式0(2)物理意义静电场是有源场,是有散场。

(3)定理证明立体角概念一面积元对dS 对一点O 张的立体角dS ?e r R2d Ω==d S cos θR2闭合曲面对面内一点O 所张的立体角因为闭合曲面的外法线为正。

所以整个积分区域θπ2,即,cos θ>0,所以d S ?e r R2πΩ=?=?R122πR sin θd θ=4π2闭合曲面对面外一点O 所张的立体角此时在整个积分区域中有一半是θc o s θπ2,即c o s θ>0。

而另一半是θ>π2,即。

电磁场与电磁波(第三章)静电场分析

电磁场与电磁波(第三章)静电场分析

P
电位参考点不能位于无穷远点。
取r=1柱面为电位参考面,即 rQ 1得:
P


l 20
ln rP
无限长线电荷的电位
3、体分电布荷电:荷体(系rv)在空间1中产生的(rv电')d位V c
4 0
面电荷: (rv) 1
V sR(rv')dS c
4 0
线电荷: (rv) 1
SR
l (rv')dV c
式中:
R

rv

4 rv'

0
l
R
若参考点在无穷远处,c=0。
引入电位函数的意义:简化电场的求解!
v
E
四、例题 例题一 例题二
例题一 求电偶极子pv qlv在空间中产生的电位和电场。
分析:电偶极子定义
先求解空间电位,再求电场 q
(2
cos
evr

sin
ev
)
例题二
求半径为a的均匀圆面电荷在其轴线上产生的电位和
电场强度。
解:在面电荷上取一面元 ds
如图所示。
z P(0,0, z)
dr
v
R
d dq 4 0 R
y
r
a
s r 'dr 'd '
x
40 R
R (z2 r '2 )1/ 2
2 a
uv v Q p ql
uv v

P

pgr
4 0 r 3
v
E

(
r
evr


电动力学 第三章 静态电磁场及其边值问题的解

电动力学 第三章 静态电磁场及其边值问题的解

最后得
所以
第3章 静态电磁场及其边值问题的解
18
3.1.3 导体系统的电容与部分电容
电容器广泛应用于电子设备的电路中: • 在电子电路中,利用电容器来实现滤波、移相、隔直、旁
路、选频等作用; • 通过电容、电感、电阻的排布,可组合成各种功能的复杂
电路; • 在电力系统中,可利用电容器来改善系统的功率因数,以
减少电能的损失和提高电气设备的利用率;
第3章 静态电磁场及其边值问题的解
19
1. 电容 电容是导体系统的一种基本属性,是描述导体系统 储存电荷
能力的物理量。
孤立导体的电容
孤立导体的电容定义为所带电量q与其电位 的比值,即
两个带等量异号电荷(q)的导 体组成的电容器,其电容为
电容的大小只与导体系统的几何尺寸、形状和及周围电介质 的特性参数有关,而与导体的带电量和电位无关。

两端点乘 ,则有
上式两边从点P到点Q沿任意路径进行积分,得
电场力做 的功
关于电位差的说明
P、Q 两点间的电位差
P、Q 两点间的电位差等于电场力将单位正电荷从P点移至Q 点 所做的功,电场力使单位正电荷由高电位处移到低电位处;
电位差也称为电压,可用U 表示; 电位差有确定值,只与首尾两点位置有关,与积分路径无关。
第3章 静态电磁场及其边值问题的解
2
3.1 静电场分析
学习内容 3.1.1 静电场的基本方程和边界条件 3.1.2 电位函数 3.1.3 导体系统的电容与部分电容 3.1.4 静电场的能量 3.1.5 静电力
第3章 静态电磁场及其边值问题的解
3
3.1.1 静电场的基本方程和边界条件
1. 基本方程
两点间电位差有定值

电磁场与电磁波(第三章)静电场分析102页PPT

电磁场与电磁波(第三章)静电场分析102页PPT

0(1
r2 a2
)
分布于一个半径为
a的球形区域内,其中 0 为常数。试计算球内外的电场强度
分析:电场方向垂直球面。 电场大小只与r有关。
解:1) 取如图所示高斯面。
v (r)
r
a
在球外区域:ra
ÑS Ev(rv)gdSv
Q
0
r
Q
v
(r)dV
V
a 0
0(1ra'22
)4r'2
dr'
1850a3
则:点B(x、y、z)的电位为:
(x,y,z)(xA、 yA、 zA)E vgdlv (x、 y、 z)
二、电位参考点 须选定电位参考点,空间中各点电位方可唯一确定。
电位参考点选择原则:
1)电位参考点电位一般为0;
2)应使电位表达式有意义;
3)一个问题,只能有一个电位参考点
4)当电荷分布在有限区域时,参考点一般选择无穷
E ( rv) g4
r2
8 15 0
0a 3
uv E
(
rv
)
2 0a 3 15 0r 2
uuv er
uv D(
rv
)
0
uv E
(
rv
)
ห้องสมุดไป่ตู้
2 0a 3 15r2
uuv er
在球内区域:ra
Q
r 0
(r)4r'2dr'
r 0
0(1ra'22)4r'2dr'
40(r33
r5 )
5a2
ÑS Ev(rv)gdSv
分析:电场方向垂直于球面。
r
a

第3章 静电场分析

第3章 静电场分析

第3章 静电场分析以矢量分析和亥姆霍兹定理为基础,讨论静电场(包括恒定电场)的特性和求解方法。

建立真空、电介质和导电媒质中电场的基本方程,以及电介质的特性方程,将静电场的求解归结为电位问题的求解。

导出泊松方程和拉普拉斯方程,确立电场的边界条件。

介绍电容的计算,电场能量及静电力的计算。

§3.1 真空中静电场的基本方程由静止电荷形成的电场称为静电场。

一、静电场分析的基本变量 1、场源变量—电荷体密度)(rρ是一种标量性质的源变量,因而静电场是一种有散度的矢量场。

2、场变量(1)电场强度矢量)(r E表示电场对带电质点产生作用的能力。

(2)电位移矢量)(r D反映电介质内存在电场时,电介质内的束缚电荷在电场作用下出现的位移现象。

(3)电流密度矢量)(r J反映物质内存在电场时,构成物质的带电粒子在电场强度的作用下出现运动或移动。

3、本构关系E D ε=J E ε=二、真空中静电场的基本方程 1、电场的散度—高斯定理 (1)定理内容在静电场中,电位移矢量0D穿过任意闭合曲面S 的通量等于曲面S 所包围的总电荷。

积分形式:0SD dS d τρτ⋅=⎰⎰微分形式:0D ρ∇⋅=(2)物理意义静电场是有源场,是有散场。

(3)定理证明立体角概念:一面积元对dS对一点O 张的立体角:22dS d cos d r S RRθ⋅Ω==e闭合曲面对面内一点O 所张的立体角:因为闭合曲面的外法线为正。

所以整个积分区域2θπ<,即,cos 0θ>,所以222d 12sin d 4r R RRπθθ⋅Ω==π=π⎰⎰ S e闭合曲面对面外一点O 所张的立体角: 此时在整个积分区域中有一半是2θπ<,即c o s 0θ>。

而另一半是2θπ>,即c o s 0θ<,所以22d d cos 0r S RRπθ⋅Ω===⎰⎰S e设空间存在一点电荷q ,则p 点的电位移为024r qe D R=π对任意闭合曲面S 积分022d 44rr SSSqe e dS qD dS R R⋅⋅=⋅=ππ⎰⎰⎰表示闭合曲面S 对点电荷所在点张的立体角,所以240r SSqe dS q D dS R⎧⋅⎪⋅==⎨π⎪⎩⎰⎰在闭合面曲内在闭合面曲外若闭合面内有N 个点电荷,则01dS Nii SD q=⋅=∑⎰若闭合面内的电荷分布为)(rρ,则SD dS d τρτ⋅=⎰⎰由散度定理得:ρτρτττ=⋅∇⇒=⋅∇⎰⎰00D d d D2、电场的旋度—环量定理 (1)定理内容在静电场中,电场强度E沿任意闭合路径l 的环量恒为零。

第3章 静电场分析

第3章 静电场分析

二、真空中的高斯定律 1. 静电场的散度———高斯定律的微分形式
E (r ) = 1 4 πε 0
体电荷产生的电场
∫τ
'
R ρ ( r ') d τ ' 3 R
对上式等号两端取散度 利用奇异函数的特性
∇ ⋅ E (r ) = ρ (r )
ε0
2.
高斯定律的积分形式
∫τ ∇ ⋅ E d τ
散度定理
∇ ′ ⋅ P ( r ') 1 ϕ= ∫V ' R dV '+ 4πε 0 4πε 0 −1
−1 = 4πε 0 1 ∇ ⋅ P ′(r ′) dV '+ ∫V ' R 4πε 0
1
P ′( r ') ∫V ' ∇ ⋅ R dV '
P ′(r ′) ⋅ en ∫ S ' R dS ' σ p = P ⋅ n 极化电荷面密度
σ = [ R 2 + z 2 − z] r 2 + z 2 2ε r ε 0
圆盘在P点产生的电场强度 ∂ϕ ∂ϕ ∂ϕ E = −∇ϕ = −[ er + eφ + ez ] ∂r ∂z r∂φ ∂ϕ σ z = − ez = [1 − ]ez 2 2 ∂z 2ε rε 0 R +z 当R趋于无穷时
⎡ (ρ f + ρ p ) dV ' + ϕ (r ) = ⎢ ∫V ' R 4πε 0 ⎣ 1
⎡ (ρ f + ρ p )R dV ' + E (r ) = ⎢ ∫V ' 3 4πε 0 ⎢ R ⎣ 1
ρp = 0
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
E E 1 4 0 1 4 0

S
l
1 dS 3 S R 4 0 R l ( r) 1 1 Rdl l ( r) dl R3 4 0 l R RdS 1
S ( r)
S ( r)
称之为电场强度的矢量积分公式。当电荷分布已知时, 就可由它们求得其电场强度。
dq R V ( r) R dE dV 3 3 4 0 R 4 0 R
体积V内所有电荷在P(r)处所产生的总电场为
E 1 4 0

V ( r)
R3
V
RdV
1 4 0

V
V ( r) dV
1 R
用类似的方法可求得电荷分布为ρS(r′)和ρl(r′)时电场强 度的表达式分别为


l
E dl E dS ( ) dS 0
S S

l
E dl 0
E 0
第19.20学时 3.3 电介质的极化与电通量密度
理想的电介质(Ideal Dielectric)内部没有自由电子,它的 所有带电粒子受很强的内部约束力束缚着,因此称为束缚电 荷(Bound Charge)。
Q W lim E dl P qt 0 q t
当电荷不延伸到无穷远处时,一般把电位参考点Q选在无限 远处,这将给电位的计算带来很大的方便。此时,任意P点 的电位为
E dl
P
则点电荷的电位表达式为
1 4 0 R
这就是点电荷产生的电位。上式中隐含无穷远处电位为 零。 则有:
第三章 静电场分析
3.1 电场强度与电位函数 (17.18学时) 3.2 静电场的基本方程 3.3 电介质的极化与电通量密度 (19.20学时) 3.4 导体的电容 3.5 静电场的边界条件 (21.22学时) 3.6 恒定电场 3.7 静电场边值问题(23.24学时) 习 题 返回
第17.18学时 3.1 电场强度与电位函数
q V lim V 0 V
式中, Δq是体积元ΔV内所包含的电荷。
P(r) R
dV
V
r
r
O
体电荷产生的场
分布电荷所产生的电场强度 设电荷以体密度ρV(r′)分布在体积V内。在V内取一微小体积 元dV′如上图所示,其电荷量dq=ρV(r)dV′,其视为点电荷, 则它在场点P(r)处产生的电场为
E E qt qt qt qt qt E E
早期研究发现,电通量有如下特性
(1) 与媒质无关 (2)大小仅与发出电通量的电荷有关 (3)如果点电荷被包围在半径为R的假 想球内,则电通量必将垂直并均匀 穿过球面 (4)单位面积上的电通量,即电通密 度,反比于R2
E
qt E E
qt qt E
孤立正电荷的电通
设介质在外电场作用下发生了极化,为了描述介质极化的 状态,引入极化强度矢量。在极化电介质中取一小体积ΔV, 则ΔV内的电矩总和记为∑p,定义单位体积内的电偶极矩为 极化强度矢量(Polarization Intensity Vector), 即 p P lim V 0 V 如果pav表示ΔV内每个分子的平均偶极矩,N是每单位体积内 的分子数, 则极化强度也可以表示为P=Npav 在线性、均匀、各向同性的介质中,极化强度与电场强度满 足下列关系:P=χeε0E
返回
在外加电场力的作用下,无极分子正、负电荷的作用中心 不再重合,有极分子的电矩发生转向,这时它们的等效电偶 极矩的矢量和不再为零, 如下图(b)所示。
这种情况称为电介质的极化(Polarized)。极化的结果是在电 介质的内部和表面形成极化电荷,这些极化电荷在介质内激 发出与外电场方向相反的电场,从而使介质中的电场不同于 介质外的电场。
例 有限长直线l上均匀分布着线密度为ρl的线电荷, 如下图
所示,求线外一点的电场强度。
z
2
dz
dEz
dE dE

z
l 2
O
R
P(, , z)
y
l 2
1
有限长直线电荷的电场
无限长线电荷的场
3.1.3 电位函数
在静电场中,某点P处的电位定义为把单位正电荷从P点移 到参考点Q的过程中静电力所作的功。若正试验电荷qt从P 点移到Q点的过程中电场力作功为W,则P点处的电位为
3.2.2 高斯定律
设在无限大真空中O点有一点电荷q,以任意曲面S包围该点 电荷,则穿出这个封闭曲面的电通量为

S
D dS
q 4

S
aR n q dS R2 4

S
d
式中dΩ是表面d S在O点所张的立体角。由于任何封闭面对曲 面内的一点所张的立体角都是4π,所以通过曲面 S的总电 通量为
就物质的分子结构来讲,电介质的分子可以分成无极分子和 有极分子两大类。在通常情况下,无极分子正负电荷的作用 中心是重合的,如下图(a)所示,有极分子正负电荷的作 用中心不相重合而形成一个电偶极子,但由于分子的热运动, 不同电偶极子的偶极矩的方向是不规则的,因此就宏观来说, 它们所有分子的等效电偶极矩的矢量和为零,因而对外不呈 现电性。
3.1.2 电场
1. 点电荷的电场强度 设q为位于点S(x′, y′, z′)处的点 电荷,在其电场中点P(x,y, z) 处引入试验电荷qt,如图所示。 根据库仑定律,qt受到的作用 力为F,则该点处的电场强度 ( E electric Field Intensity ) 定义为
E lim F qR qt 0 q 4 0 R 3 t
类似地可得电荷分布为ρS(r′)和ρl(r′)时电位函数的表达式分别 为 1 ( r)

4 0 1 4 0

S
S
l
R l ( r) dl R
dS
例 真空中一个带电导体球,半径为a,所带电量为Q,试计
算球内外的电位与电场强度。
z P r
等位体
R S (a, , )
qd cos p ar 2 4 0r 4 0r 2
取负梯度得电偶极子在P点处的电场强度为 p E (ar 2 cos a sin ) 3 4 0r
z
>0
电力线
y 零电位面
电偶极子的电场线
<0
3.2
静电场的基本方程
3.2.1 电通(量)和电通(量)密度 把一个试验电荷qt放入电场中, 让它自由移动, 作用在此 电荷上的静电力将使它按一定的路线移动,称这个路线为 力线(Line of Force)或通量线(Flux Line)。 若把电荷放在不同的位置, 就能描绘出任意多条力线。为 了不使区域内被无数条力线塞满,通常人为规定一个电荷 产生的力线条数等于用库仑表示的电荷的大小,于是说场 线(Field Line)表示电通量(Electric Flux)。虽然电通线实际 上不存在,但它们可以直观、形象地描绘电场的分布,如 下图所示。
q 1 E 4 R 0
q
电位与电场强度有如下关系 E= -▽φ
如果电荷以体密度ρV(r′)分布于体积V内,将积分(对带撇的变 量积分)与微分(对不带撇的变量微分)符号互换, 得
1 E 4 0

V ( r)
R
V
dV
z
( x, y, z)
源点
R r r
场点 ( x, y, z )
r
O x
r
y
场点与源点
将观察点P称为场点,其位置用坐标(x, y, z)或r来表示,把 点电荷所在的点S称为源点,其位置用坐标(x′, y′, z′)或r′来 表示,源点到场点的距离矢量可表示为R=r-r′。直角坐标 系中,R=ax(x-x′)+ay(y-y′)+az(z-z′),其大小为
3.1.1 库仑定律 库仑定律(Coulom's Law) F a q1q2 q1q2 R 12 R 4 0 R 2 4 0 R 3 是静电现象的基本实验定律, 表明固定在真空中相距为R F1 2 的两点电荷q1 与q2 之间的作 q2 用力:正比于它们的电荷量 的乘积;反比于它们之间距 R 离的平方;作用力的方向沿 两者间的连线;两点电荷同 q1 性为斥力,异性为吸力(如 两个点电荷的相互作用返回 图所示),表达式为
外加电场 ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± (a) - - - - + + + + - - - - + + + + (b) - - - - + + + + - - - - + + + +
外加电场
电介质的极化 (a) 正常状态下正负电荷中心重合 (b) 极化电介质的等效电偶极矩
E=E1+E2+…+En=

i 1
n
1 4 0 Ri qi
2. 分布电荷的电场强度 假设电荷是集中在一个点上,从宏观的角度讲,电荷是连续 的分布在一段线上、一个面上或一个体积内的。 线电荷密度(Charge Line Density):当电荷分布在一细线 (其横向尺寸与长度的比值很小)上时,定义线电荷密度为 单位长度上的电荷 q l lim l 0 l 式中, Δq是长度元Δl上的电荷。

S
D dS q
如果电荷的总量为Q, 并以体密度ρV分布在闭合面包围的体 积内,则有 D dS V dV Q
S V
该式表明,若已知封闭面上的电场强度或电通密度,通过高 斯定律便可求出封闭面内的总电荷。如果电荷呈对称分布, 则很容易选择一个恒电通密度的面,从而用高斯定律大大降 低分析电场问题的难度。应用散度定理, 上式也可写成
面电荷密度(Charge Areal Density): 当电荷分布在一个 表面上时, 定义面电荷密度为单位面积上的电荷
相关文档
最新文档