2011年东南大学半导体物理试卷_参考答案_高清
半导体物理期末试卷(含部分答案
半导体物理期末试卷(含部分答案
半导体物理,考试,复习,试卷
一、填空题
1．纯净半导体Si中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N 型半导体。
2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。
3．nopo=ni2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？不变；当温度变化时，nopo改变否？改变。
4．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p型和强n型材料，小注入时寿命τn为，寿命τp为5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载n
爱因斯坦关系式。
6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成
的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。7．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。
8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲含铝1015cm-3 乙. 含硼和磷各1017 cm-3 丙含镓1017 cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是乙甲丙。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙。费米能级由高到低的顺序是乙甲丙。
9．对n型半导体，如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么
EC EF 2k0T
半导体物理学作业及参考答案1
4．有一高度补偿的硅样品中同时掺有 8.881015 / cm3 的磷原子和1.31016 / cm3 的硼原子，假设杂质全部电离，求室温时样品中的多子和少子浓度以及样品 的电阻率。本征载流子浓度数据同第 1 题，多子迁移率请查教材图 4-14。
【参考解答】
1．1）电导率的公式为： nqn pq p
比较掺杂浓度和本征载流子浓度可知此时仍可判断为饱和电离区
故：
p0
NA
ND
4.12 1015
/ cm3 ， n0
ni 2 p0
2.52 104
/ cm3
p0
总的杂质浓度为： Ni N A N D 2.18 1016 / cm3 查 P108 图 4-14 中多子的迁移率曲线，可知 up 350 cm2/V s
3.75 10 5 10.8
6.02 1023
/
343.3
0.611016
/
cm3
已知杂质全部电离，且明显有 N A ni ，可判断为饱和电离区，即：
ห้องสมุดไป่ตู้ p0
NA
0.611016 /cm3 ， n0
ni2 p0
p0 ，即少子电子导电可以忽略
根据题设，认为迁移率不随杂质浓度变化，即仍有 p 580 cm2/V s ，
半导体器件物理试卷答案
A P 沟道增强型 B P 沟道耗尽型 C N 沟道增强型 D N 沟道耗尽型
二、判断题（共 20 分，每题１分）
１．（ √ ）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。 ２．（ √ ）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。 ３．（ × ）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。 ４．（ × ）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。 ５．（ √ ）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。 ６．（ √ ）非简并半导体处于热平衡状态的判据是 n0p0=ni2。 ７．（ √ ）MOSFET 只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。 ８．（ √ ）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。 ９．（ × ）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。 １０． （ √ ）MOS 型的集成电路是当今集成电路的主流产品。 １１． （ √ ）平衡 PN 结中费米能级处处相等。 １２． （ √ ）能够产生隧道效应的 PN 结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。 １３． （ √ ）位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期 而位移一段距离。 １４． （ √ ）在某些气体中退火可以降低硅-二氧化硅系统的固态电荷和界面态。 １５． （ √ ）高频下，pn 结失去整流特性的因素是 pn 结电容 １６． （ × ）pn 结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。 １７． （ √ ）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α 、β 值，就必须提高发射结的注入系数 和基区输运系数。 １８． （ √ ）二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。 １９． （ × ）制造 MOS 器件常常选用[111]晶向的硅单晶。 ２０． （ √ ）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可 以互换的。
半导体物理习题及答案
半导体物理习题及答案(总12页)
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复习思考题与自测题
第一章
1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。
答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。
当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。
2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念, 用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。
答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量
3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？
答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。
东南大学硕士研究生考试半导体物理考研复习试题
东南大学考研复习卷(A 卷)
课程名称 半导体物理929 编辑时间
得分
适用专业 电子科学与技术
考试形式
闭卷
考试时间长度 180分钟
室温下=k T eV 0.0260 ，电子电量=⨯e C 1.610-19
。
一、 填空题（每空1分，共35分）
1. 硅原子作为杂质原子掺入砷化镓样品中，设杂质浓度为-cm 1015
3
，其中10%硅原子取
代砷，90%硅原子取代镓，如果硅原子全部电离，本征激发可忽略不计。则该半导体
为__________型半导体，10%硅原子取代砷的这些硅相当于__________杂质。
2. 半导体中掺杂浓度很高时，杂质电离能__________（填“增大、减小、不变”）；在
重掺杂的简并半导体中，杂质浓度很高，杂质原子相互靠近，被杂质原子束缚的电子
的波函数显著重叠，这时电子作共有化运动，产生的结果是__________。如果掺杂浓度过高，杂质能带会进入导带或者价带，能带状态密度发生变化，产生__________效应。
3. 间接复合作用下的非平衡载流子的寿命++∆=++∆+++∆τN c c n p p c n n n c p p p t n p n l p l ()
()()
0000，式中
n l 代表__________。已知半导体禁带宽度=E eV g 1.35，小注入条件下，复合中心
能级E t 在导带底下方eV 0.12，费米能级在价带顶上方eV 0.31，则非平衡载流子的寿命可化简为__________。
4. 迁移率表示单位场强下载流子的平均漂移速度。影响半导体载流子迁移率主要有两大因素，一个是__________，另一个是通过__________来影响平均自由时间。
东南大学半导体物理考研复习系列试题(A卷)
课程名称 适用专业 半导体物理 929 电子科学与技术 编辑时间 考试形式 闭卷 2013-1 得分
考试时间长度 180 分钟
室温下 k0T 0.026eV ，电子电量 e 1.6 10 C 。
-19
一、 填空题（每空 1 分，共 35 分） 1. 硅原子作为杂质原子掺入砷化镓样品中，设杂质浓度为 10 cm ，其中 10%硅原子取 代砷，90%硅原子取代镓，如果硅原子全部电离，本征激发可忽略不计。则该半导体 为 __________ 型半导体，10%硅原子取代砷的这些硅相当于 __________ 杂质。 2. 半导体中掺杂浓度很高时，杂质电离能 __________ （填“增大、减小、不变” ） ；在 重掺杂的简并半导体中，杂质浓度很高，杂质原子相互靠近，被杂质原子束缚的电子 的波函数显著重叠，这时电子作共有化运动，产生的结果是 __________ 。如果掺杂 浓度过高， 杂质能带会进入导带或者价带， 能带状态密度发生变化， 产生 __________ 封 效应。 3. 间接复合作用下的非平衡载流子的寿命
p 2 p d p p Dp 2 p p p gp ） t x dx x p
共 9 页
第 6 页
(luobin 考研复习卷)
3.(15分) 下表列出了 T=300K 下 Si 和 Ge 的相关系数：
半导体物理学习题答案(有目录)
半导体物理习题解答
目录
1－1．（P32）设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E c（k）和价带极大值附近能量E v（k）分别为： (2)
1－2．（P33）晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 (3)
3－7．（P81）①在室温下，锗的有效状态密度Nc＝1.05×1019cm－3，Nv＝5.7×1018cm－3，试求锗的载流子有效质量mn*和mp*。 (3)
3－8．（P82）利用题7所给的Nc和Nv数值及Eg＝0.67eV，求温度为300k和500k时，含施主浓度ND＝5×1015cm-3，受主浓度NA＝2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？ (4)
3－11．（P82）若锗中杂质电离能△ED＝0.01eV，施主杂质浓度分别为ND＝1014cm-3及1017cm-3，计算(1)99%电离，(2)90%电离，(3)50%电离时温度各为多少？ (5)
3－14．（P82）计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k 时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 (6)
3－18．（P82）掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一般电离时费米能级的位置和磷的浓度。 (7)
3－19．（P82）求室温下掺锑的n型硅，使EF＝(EC＋ED)/2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。 (7)
3－20．（P82）制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的EF位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。 (8)
东南大学考研真题—东南大学
东南大学
建筑系
规划设计1995——1996
城市规划设计1999
城市规划原理1995——1998，2002
中外建筑史和城建史2003
中、外建筑史1991——1999，2001
外国建筑史1991，1995——2000，2002
中国建筑史1995——2001
建筑构造1996，2002
建筑技术(构造、结构)1998——1999，2002
建筑设计1995——2000
建筑设计基础2004
建筑设计原理1995——1996
建筑物理1999，2002
素描1995——1998
素描色彩1999
素描与色彩画2002
色彩画1995——1998
西方美术史1999
中、西美术史1997——1998
中西美术史1995——1996，1998
中西美术史及其理论1999
创作与设计1999
无线电工程系
专业基础综合（信号与系统、数字电路）2004——2006
专业基础综合（含信号与系统、计算机结构与系统、线性电子线路）2003 通信原理1994，1999——2003（1999有答案）
信号与系统1997——2002
数字电路与微机基础1998——2002
模拟电子技术2000
模拟电子线路1999——2002
电磁场理论2001，2003——2004
微机原理与应用1996——2000，2002（2002有答案）
应用数学系
高等代数1997——2005
数学分析1995——2005
概率论2003
常微分方程2004
物理系
量子力学2001——2005
普通物理2001——2005
光学1997——1998，2000——2004
热力学统计物理2001
电磁场理论2001，2003——2004
东南大学硕士研究生考试半导体物理考研复习试题
东南大学考研复习卷
课程名称 半导体物理929 编辑时间
得分
适用专业
电子科学与技术
考试形式 闭卷
考试时间长度 180分钟
室温下=k T eV 0.0260，电子电量=⨯-e C 1.610
19
。
一、 填空题（每空1分，共35分）
1. 设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近的能量为=+
-m m k h k h k k 3E ()()00
C 12222
，价带极大值附近的能量=-
m m k h k h k 6E ()300
V 122
22，其中m 0为电子质量，h 为普朗克常数，=k a
2
1，则半导体禁带宽度为__________，价带顶电子跃迁到导带底时的准动量的变化为__________，价带顶空穴有效质量为__________。
2. 室温下，锗的禁带宽度=E eV g 0.67，估计室温下本征锗导带底的一个能态被电子占
据的几率为__________。锗价带顶的一个能态被空穴占据的几率为-103
，此时费米能级的位置在__________，玻尔兹曼分布是否近似成立？ __________。 3. 由间接复合作用决定的非平衡载流子寿命++∆=
++∆+++∆τN c c n p p c n n n c p p p t n p n l p l ()
()()
0000，式
中N t 代表__________。半导体禁带宽度=E eV g 1.12，小注入条件下，复合中心能级E t 在价带顶上方eV 0.12，费米能级在导带底下方eV 0.31，则非平衡载流子的寿命可化简为__________；大注入条件下，非平衡载流子的寿命可化简为__________。 4. 室温下本征硅掺入某种杂质后，电子浓度为=⨯-n cm 1.51004
半导体物理答案
一、选择
1.与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量〔比半导体的大〕；
2.室温下，半导体Si 掺硼的浓度为1014cm -3，同时掺有浓度为1.1×1015cm -3的磷，则电子浓
度约为〔1015cm -3 〕，空穴浓度为〔2.25×105cm -3〕，费米能级为〔高于E i 〕；将该半导体由室
温度升至570K ，则多子浓度约为〔2×1017cm -3〕，少子浓度为〔2×1017cm -3〕，费米能级为〔等
于E i 〕。.
3.施主杂质电离后向半导体提供〔电子〕，受主杂质电离后向半导体提供〔空穴〕，本征激发
后向半导体提供〔空穴、电子〕；
4.对于肯定的n 型半导体材料，温度肯定时，减少掺杂浓度，将导致〔E F 〕靠近E i ；
5.外表态中性能级位于费米能级以上时，该外表态为〔施主态〕；
6.当施主能级E D 与费米能级E F 相等时，电离施主的浓度为施主浓度的〔1/3〕倍；
重空穴是指〔价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴〕
7.硅的晶格结构和能带结构分别是〔金刚石型和间接禁带型〕
8.电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体〔各元胞对应点出现的几率相同〕。.
9.本征半导体是指〔不含杂质与缺陷〕的半导体。.
10.简并半导体是指〔(E C -E F )或(E F -E V )≤0〕的半导体
11.3个硅样品的掺杂情况如下：
甲．含镓1×1017cm -3；乙.含硼和磷各1×1017cm -3；丙.含铝1×1015cm -3
这三种样品在室温下的费米能级由低到高〔以E V 为基准〕的顺序是(甲丙乙)
东南大学2011年半导体物理试卷
共6 页 第 1 页 (luobin 期末基础卷) 修改时间：2013-2
东 南 大 学 考 试 卷（A 卷）
课程名称 半导体物理 编辑时间
2011-1
得分
适用专业
电子科学与技术
考试形式
闭卷
考试时间长度 120分钟
室温下，硅的相关系数：10
3
00.026, 1.510,i k T eV n cm -==⨯ 19
3
C N 2.810cm -=⨯
193V N 1.110cm -=⨯,电子电量191.610e C -=⨯。
一、 填空题（每空1分，共35分）
1.半导体中的载流子主要受到两种散射,对于较纯净的半导体__________散射起主要
作用，对于杂质含量较多的半导体，温度很低时，__________散射起主要作用。
2.非平衡载流子的复合率20()
2[()/]
t i i t i N C np n U n p n ch E E k T -=++-，t N 代表__________，t
E 代表__________。当载流子浓度满足2
i np n -__________时，半导体存在净复合；当
2i np n -__________时，半导体处于热平衡状态。杂质能级位于__________位置时，
为最有效复合中心，此杂质为__________杂质。
3.纯净的硅半导体掺入浓度为17310cm -的磷，当杂质电离时能产生导电__________，此时杂质为__________杂质，相应的半导体为__________型；如果再掺入浓度为
16310cm -的硼，半导体是__________型。假定又掺入浓度为15310cm -的金，则金原子
东南大学半导体物理例题
例. 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·㎝，(1)试求本征载流子浓度。 (2)若掺入锑杂质，使每106个锗中有一个杂质原子，计算室温下 电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子浓度为4.4×/㎝ 3,μn=3600/V·s且不随掺杂而变化.
解:
1 niq n μp μ ρ 1 ni ρq n μp μ 1 47 1.6 101 9 3600 1700 2.5 10 1/cm
单位时间和单位体积内复合掉的电子空穴对数产生复合注入非简并半导体处于热平衡状态时体内电子和空穴浓度为n31非平衡载流子的产生与复合noneguilibriumcarriersgr如果在外界作用下平衡条件破坏就偏离了上式决定的热平衡状态即称为非平衡状态
(3)
(4)
例题
结论：
例. 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·㎝，(1)试求本征载流子浓度。 (2)若掺入锑杂质，使每106个锗中有一个杂质原子，计算室温下 电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子浓度为4.4×/㎝ 3,μn=3600/V·s且不随掺杂而变化.
对于n型半导体Δn=Δp《 n0， p型半导体 Δn=Δp《 p0，称小注入。
对n型半导体，n称为多数载流子（Majority carriers），Δn被称为非平衡多数载流子；p称为 少数载流子（Minority carriers ），Δp被称为非 平衡少数载流子。 非平衡少数载流子在器件中起着极其重要的作用。 外部条件拆除后，非平衡载流子逐渐消失， 这一过程称为非平衡载流子的复合。
半导体物理习题答案
半导体物理习题答案 The document was prepared on January 2, 2021
第一章半导体中的电子状态例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。解：K状态电子的速度为：
（1）同理，－K状态电子的速度则为：
（2）从一维情况容易看出：
（3）
同理有：（4）（5）
将式（3）（4）（5）代入式（2）后得：
（6）利用（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。
例2.已知一维晶体的电子能带可写成：
式中，a为晶格常数。试求：
（1）能带的宽度；
（2）能带底部和顶部电子的有效质量。
解：（1）由E(k)关系（1）
（2）令得：
当时，代入（2）得：
对应E(k)的极小值。
当时，代入（2）得：
对应E(k)的极大值。
根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。
故：能带宽度
（3）能带底部和顶部电子的有效质量：
习题与思考题：
1 什么叫本征激发温度越高，本征激发的载流子越多，为什么试定性说明之。
2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。
3 试指出空穴的主要特征。
4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。
5 某一维晶体的电子能带为
其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。求：
（1）能带宽度；
2011东南大学半导体物理试卷概论
东南大学考试卷（卷）Array课程名称半导体物理考试学期11-12-2 得分
适用专业电子科学与技术考试形式闭卷考试时间长度120分钟
共10 页第10 页
共 10 页 第 10 页
室温下，硅的相关系数：10300.026, 1.510,i k T eV n cm -==⨯ 193
2.810c N cm -=⨯
1931.110v N cm -=⨯，电子电量191.610e C -=⨯。
一、 填空题（每空1分，共35分）
1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,对于较纯净的半导体 散射起主要作用，对于杂质含量较多的半导体，温度很低时，______________散射起主要作用。
2.非平衡载流子的复合率 ，t N 代表__________，t E 代表__________，当2
i np n -为___________时，半导体存在净复合，当2
i np n -_______时，半导体处于热平衡状态。杂质能级位于___________位置时，为最有效复合中心，此杂质称为____________杂质。
3.纯净的硅半导体掺入浓度为17
3
10/cm 的磷，当杂质电离时能产生导电________，此时杂质为_________杂质，相应的半导体为________型。如果再掺入浓度为16
3
10/cm 的硼，半导体是_______型。假定有掺入浓度为15
3
10/cm 的金，则金原子带电状态为__________。
4.当PN 结施加反向偏压，并增到某一数值时，反向电流密度突然__________开始的现象称为击穿，击穿分为___________和___________。温度升高时，________击穿的击穿电压阈值变大。
东南大学半导体物理考研复习系列试题(D卷)
7.
2 电流连续性方程： p Dp p p p d p p p g p 。若均匀掺杂的 n 型半导 t x 2 dx x p
体表面光照恒定，且 g p 0 ，电场是均匀的，连续性方程简化为 __________ ；若 光照在均匀掺杂 n 型半导体，半导体内部均匀产生非平衡载流子，且没有外加电场， 则连续性方程简化为 __________ 。 8. 室温下半导体材料硅中电子迁移率 n 1350cm /V s ，当施主杂质浓度为 10 cm
1 i ( Ps Po )
i
。
2 p p p p p 7. Dp p 0； gp 。 2 x x p t p
10 3
度 NC 2.8 10 cm ，价带有效状态密度 NV 1.110 cm 。
19 19
3
3
解释深能级杂质和浅能级杂质这两个概念； 在硅中均匀地掺入某种杂质(全部电离)， 金在硅中的施主能级被空穴占据的几率为 判断杂质是施主杂质还是受主杂质？说明原因；
1 ， 2
在硅中又掺入一定浓度的杂质使费米能级位于价带顶 E V 上方 0.28eV 处， 求第二次掺 杂的掺杂浓度并解释说明此时金的带电状态；
共 9 页 第 2 页 (luobin 考研复习卷)
13. 一块半导体非平衡载流子的寿命 1.5us ，光照在材料上产生非平衡载流子，光照 突然停止 3us 后，其中非平衡载流子将衰减为原来的 __________ 。 14. 掺杂浓度为 ND =10 cm 的 n 型单晶硅材料和金属 Au 接触，忽略表面态的影响。硅 的电子亲和能 χ 4.05eV ， NC =10 cm ，硅的禁带宽度 Eg 1.12eV ，金的功函
半导体物理试卷及答案
《 半导体物理 》课程考试试卷（ A ）
开课二级学院：，考试时间： 年____月____日 时
考试形式：闭卷√、开卷□，允许带 计算器 入场
考生姓名： 学号： 专业： 班级：
一、选择题（每小题2分，共10分） 1、室温下一硫化镉样品的可动载流子密度为16310cm -，迁移率为2100/cm Vs ，则此样品的电导率是 1()cm -Ω。 A ．16 B ．17 C ．18 D ．19
2、一块2cm 长的硅片，横截面是2
0.1cm ，用于测量电子迁移率。已知掺杂浓度为15310D N cm -=，测得电阻值为90Ω，则其电子迁移率为 2
/cm Vs 。 A ．1450 B ．550 C ．780 D ．1390 3、室温下，费米分布函数在F E 处的值为 A ．0 B ．0.5 C ．0.56 D ．1 4、对某块掺杂硅材料在整个温度范围内测量霍尔系数，结果均为0H R <，则该材料的导电类型为 A ．N 型 B ．P 型 C ．本征 D ．不确定 5、一个零偏压下的PN 结电容，每单位面积的耗尽层电容2
0.772/d C mF m =，硅的介电常数s ε为12
11.88.8510/F m -⨯⨯，则耗尽层宽度是
A ．135m μ
B ．125m μ
C ．135nm
D ．125nm 二、判断题（每小题2分，共10分） 1、载流子的扩散运动产生漂移电流。 （ ） 2、简并化半导体的主要特点是掺杂浓度很低。 （ ） 3、SiC 是宽带隙的半导体材料。
（ ） 4、弗仑克尔缺陷是指空位和间隙原子成对出现的缺陷。