内存参数详解
内存指标参数
内存指标参数是评估计算机内存性能的一组参数。
它们包括：
1. 容量：内存的总大小，通常以GB（吉字节）或MB（兆字节）为单位。
2. 速度：内存访问数据的速度，以MHz（兆赫）为单位。
更高的速度意味着更快的数据访问。
3. 延迟：内存访问数据所需的时间，以纳秒（ns）为单位。
较低的延迟意味着更快的数据访问。
4. 刷新率：内存刷新其内容以防止数据丢失的频率，以Hz （赫兹）为单位。
5. 容量带宽：内存每单位时间可以传输的数据量，以GB/s （吉字节/秒）为单位。
6. 存储密度：内存中存储的数据量与物理尺寸的比例。
7. 功率消耗：内存运行所需的电力，以瓦特（W）为单位。
这些参数在评估和比较不同内存模块的性能和效率时很重要。
内存参数的详细介绍
内存参数的详细介绍1.工作频率内存的工作频率即该内存的标准规范。
例如PC100标准的内存频率是100MHz，PC133的频率是133MHz。
而DDR内存它是在SDRAM内存基础上发展起来的，由于它是在同频的SDRAM的基础上的数据双倍传送，那么它的带宽就比同频的SDRAM多一倍，例如DDR266内存它以133MHz运行时其实际工作频率就是266MHz，带宽就是2.1GB/S。
如果你要买一根DDR333的内存，商家却拿了一根DDR266的给你，比较简单可行的辨别办法是，可从DDR内存的存取时间上来了解，例如-7和-7.5纳秒的一般为DDR266的内存，-6纳秒的一般为DDR333的内存，-5纳秒一般为DDR400内存。
而DDR的后续标准DDRII同DDR相比更加先进，它在DDR数据双倍传送的基础上发展成为数据四倍传送，比DDR又快了一倍!如果同样运行在133MHz的外频下，其工作频率为532MHz/S，它的带宽就可达4.2GB/S。
2.CAS值大家知道，内存有个CASColumn Address Strobe，列地址选通脉冲延迟时间，内存在存储信息时就象一个大表格一样，通过行Column和列Row来为所有存储在内存里的信息定位，CL就是指要多少个时钟周期后才能找到相应的位置。
对于SDRAM而言一般有2和3两个值选择，而DDR内存可分为2和2.5两种。
CAS值越小越好，也就是说DDR内存值为2的产品性能要好于2.5的产品，如果你需要的是CAS 值为2的产品，那么大家在选择时要注意JS用2.5的产品做2的产品来卖给大家可实际使用或用内存测试软件进行测试。
3.内存的标示常识此外，了解一些DDR内存芯片的编号知识也能让大家更深的了解DDR内存。
下面我们就以最常见的HY的DDR内存为例为大家做一讲解：HY XX X XX XX XX X X X X X-XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111：代表HY的厂标2：为内存芯片类型—5D：DDR SDRAMS3：工艺与工作电压—V：CMOS，3.3V;U:CMOS，2.5V4：芯片容量和刷新速率—64:64MB，4kref;66:64MB，2kref;28:128MB，4kref;56:256MB，8kref;12 :512MB，8kref5: 芯片结构数据宽度—4：X4数据宽度4bit;8:x8;16:x16;32:x326：BANK数量—1:2BANKs;2:4BANKs7：I/O界面—1:SSTL_3;2:SSTL_28：芯片内核版本—空白:第一代;A:第二代;B:第三代;C:第四代9：能量等级—空白:普通;L:低能耗10：封装形式—T:TSOP;Q:TQFP;L:CSPLF-CSP;F:FBGA11：工作速度—33:300MHz;4:250MHz;43:233MHz;45:222MHz;5:200MHz;55:183MHz;K:DDR266A;H:DDR266B; L:DDR200感谢您的阅读，祝您生活愉快。
内存参数解释
18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
16片KINGMAXKSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度8片现代HY5DU1GB81622DT-HHY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
内存参数计算
内存参数计算在计算机科学和IT领域，内存是非常重要的一部分。
通过掌握内存的相关参数，可以更好地配置、优化和管理系统的性能。
内存参数包括物理内存、虚拟内存、页框和页面等等，下面就详细地介绍并计算相关内存参数。
1. 物理内存物理内存指的是计算机上实际安装的内存条的大小，一般以GB为单位来表示。
在使用计算机时，可以通过查看系统属性或使用Task Manager来了解自己电脑的物理内存大小。
确定物理内存大小可以帮助我们了解系统的硬件限制，并且在使用各种应用程序和操作系统时帮助调整内存使用。
2. 虚拟内存虚拟内存是一种操作系统机制，它可以通过使用硬盘上的空间模拟额外的内存。
虚拟内存空间大小是由操作系统自动管理的，并且可以配置。
在Windows系统中，可以从“控制面板”->“系统和安全”->“系统”->“高级系统设置”->“性能设置”中找到虚拟内存的选项。
虚拟内存的作用是增加操作系统的可用内存，以便更好地管理和运行大型应用程序或多个程序。
3. 页框页框是操作系统中用于管理物理内存空间的单位，一般大小为4KB。
在64位计算机中，页框的大小为8KB或16KB。
操作系统会将内存空间分成一系列的页框，每个页框都有一个内存地址，以便程序可以访问其内容。
操作系统利用页框来管理内存，确保一次只有一页框被加载到物理内存中，以减少内存碎片化。
4. 页面页面是指程序执行时所需的内存空间。
操作系统会将程序的每个页面映射到物理内存空间中的一个页框，以便程序可以访问这个页面。
页面的大小是固定的，一般为4KB或8KB。
程序中使用的页面通过页表进行管理，页表包含了程序所需的所有页面的信息，以便操作系统可以正确地将页面映射到页框中。
为了计算内存参数，我们需要了解以下几个关键概念：1. 可用内存：指计算机中空闲的可供使用的内存空间。
2. 内存使用率：指当前计算机使用的内存和总内存的比率。
3. 虚拟内存空间大小：指操作系统配置的虚拟内存空间大小。
内存参数讲解
1.内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别？
单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。
先说说最有效提高你机器内存性能的几个参数：CL，TRP，TRCD
CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期” BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay，这个值一般是1.5~3之间，一般体质较好的能达到2（1.5好像没见过，嘿嘿），偶用的kingmax ddr333就能上到这个值，值越低表示内存传输数据所需时钟周期越短，当然性能也就越高啦。
一般想提高系统内存性让自己的爱机跑的更快一些吧：）其他参数可以点击下面的链接
Automatic Configuration“自动设置”
（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）
在各大品牌主板中可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。
内存技术参数有哪些
内存技术参数有哪些内存技术参数简单介绍DDR1内存第一代DDR内存DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
DDR2内存第二代DDR内存DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。
它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快可达800MHZ ，耗电量更低，散热性能更优良。
DDR3内存第三代DDR内存DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。
DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。
即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。
内存SPD芯片内存SPD芯片SPDSerial Presence Detect: SPD是一颗8针的EEPROMElectrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器,容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。
SPD的内容一般由内存模组制造商写入。
支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。
启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。
内存的主要参数
内存1、目前市场上的主流品牌有：金士顿、金邦、宇瞻、微刚、胜创、现代、三星等。
2、内存的分类：现在市场上内存可以分为两种SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC15、等规格，目前的SDRAM都是以168PinDIMM的内存模块出现。
DDR SDRAM: DDR是指Double Data Rate ,它的传输率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。
DDRI的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；现在DDRII正在逐渐占领主流市场。
3、内存的容量✧每个时期内存条的容量都分为多种规格，目前流行的168线,SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、168MB、256MB、512MB、1GB等。
4、数据带宽：数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。
5、时钟周期时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。
这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率就高。
6存取周期内存的速度用存取周期来表示。
7、选购内存的注意事项：（1）选择内存的大小（2）PCB基板的选择（3）良好的电气性能（4）速度要匹配（5）控制CONS开关1 金士顿Kingston (1987年美国,全球内存领导厂商,内存十大品牌,评为美国最适宜工作的公司)2 威刚ADATA (2001年台湾,全球第二大内存市场占有率,威刚科技有限公司)3 海盗船Corsair (受尊敬的超频内存制造商,于1994年美国,全球最大的内存供应商之一)4 三星Samsung (世界500强企业,中国驰名商标,内存十大品牌,1938年韩国,三星集团)5 宇瞻Apacer (1997年台湾,最具影响力的数码存储品牌,知名品牌,宇瞻科技有限公司)6 芝奇G.skill (于1989年台湾,全球领先的内存模块专业制造商,台湾G.Skill公司)7 金邦GEIL (于1993年香港,总部台北,专业的内存模块制造商之一,金邦科技)8 现代Hynix (韩国著名专业的存储器制造商,世界领先内存生产商,海力士集团)9 OCZ 于2000年美国,世界顶尖的内存品牌,专业开发制造高品质(超频)记忆体高新集团)10 金泰克 (内存十大品牌,专业的内存模块制造商之一,知名品牌,钜鑫科技(香港)有限公司)。
内存参数详解
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。
4.tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”（可能的选项：1……5/6/7……15）
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等。一般我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－11之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。具体的调整要遵循以下两个原则：
这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
mem参数
mem参数
mem 参数是指内存参数，它是一种用于控制进程使用内存使用情况的简单技术。
mem参数也被称为“内存参数”，它是一种可以控制进程使用内存情况的简单技术。
简而言之，当进程在使用内存或者某个特定功能时，mem参数可以控制几乎所有内存相关行为。
mem参数的一般应用包括：控制内存使用量、限制单个进程使用的内存量、让整个系统共享缓存、减少系统内存的分配等。
此外，mem参数还可以用于控制线程数量、开启/关闭特定系统功能、禁止某些进程请求特权权限等。
Mem参数可以根据不同的应用程序和要求来设置，并且配置进程的内存参数也会带来显著的性能收益。
mem参数也可以用于检测某些性能问题，例如检测out-of-memory错误的发生率，有助于查明是什么因素导致内存使用量过大，为后续的优化提供参考。
内存卡知识(技术参数)大全
内存卡知识（技术参数）大全一、内存卡概述：内存卡即外部存储器。
人们照相要使用胶卷，听歌要有磁带，录像要用录像带带，存储文件使用磁盘，科技的发展，尤其是数码产品的发展，促使闪存卡的诞生。
目前闪存卡的应用领域范围广泛，使得闪存卡迅猛发展，现在照相存储照片，录相存储视频，听歌存储音乐，及其它数据都可由闪存卡来代替。
二、内存卡技术参数：1.传输速率：一般按倍速来算。
x1x为150KB现市面上出现了很多60X、80X 的高速卡，倍速越高速度越快。
2.读速度和写速度：指对闪存的读操作和写操作，这个速度会根据闪存卡的控制芯片来决定是多少速的闪存卡，读速度和写速度都会不一样。
3.控制芯片：主要提供卓越的功能，强化您的记忆卡效能。
高速的传输速率(传输速度)，优良的兼容性，让您的储存资料万无一失(安全性)。
4.电压：不同类型的闪存卡具有不同的规范，其所能正常工作的电压是不同的。
不过不同的闪存卡接口也各不相同，不存在插错接口的可能。
因此不会出现因插错接口，工作电压不同而损坏闪存卡的情况。
一般的工作电压:CF卡：3.3V/5VSD卡：2.7-3.6VSM:3.3VDVRSMMC:1.8/3.3V三、内存卡的存取速度：存取速度是指闪存卡在被写入数据或读取数据时的数据传输速度。
不同类型的闪存卡采用的接口规范各不相同，自然各自的存取速度也不相同。
即便是同种类型的存储卡，也受到各厂商制造水平、读卡器优略，乃至被连接到的主机性能等因素的干扰，在实际也表现出不同的存取速度。
同一块卡应用于不同的相机，也可能表现出速度的差异，这受到相机闪存卡接口性能差异的影响。
四、内存卡工作电压：不同类型的闪存卡具有不同的规范，其所能正常工作的电压是不同的。
不过不同的闪存卡接口也各不相同，不存在插错接口的可能。
因此不会出现因插错接口，工作电压不同而损坏闪存卡的情况。
SD卡数据传送和物理规范是由MMC发展而来，尺寸大小和MMC差不多。
SD卡与MMC卡保持着向上兼容，也就是说，MMC可以被新的SD设备存取，兼容性则取决于应用软件，但SD卡却不可以被MMC 设备存取。
全面教你认识内存参数
全面教你认识内存参数内存参数是指在计算机中用来调节内存分配和管理的一些特定参数。
正确地了解和配置这些内存参数对于优化计算机性能和解决内存相关的问题非常重要。
下面是一些常见的内存参数及其作用的详细介绍。
1.内存容量：这是计算机系统中最基本的内存参数，指的是计算机中安装的物理内存的总容量。
增加内存容量可以提高计算机的性能，特别是在运行大型应用程序或多任务处理时。
2.虚拟内存：虚拟内存是计算机硬盘上的一部分空间，被用作补充物理内存的延伸。
当物理内存不足时，操作系统会将不常用的内存页面移动到虚拟内存中，以释放物理内存供更紧急的任务使用。
虚拟内存的大小可以通过调整操作系统的虚拟内存参数来配置。
3.页面文件：页面文件是虚拟内存的一部分，用于存储被换出的内存页面。
页面文件的大小也可以通过操作系统的虚拟内存参数进行配置。
如果页面文件过小，可能会导致物理内存不足的问题；如果页面文件过大，可能会浪费硬盘空间。
4.页面大小：页面大小是物理内存和虚拟内存之间的最小数据块。
较小的页面大小可以提高内存利用率和处理速度，但也会增加页表的大小和内存碎片的发生。
页面大小一般在操作系统内核中设置，用户可以通过修改操作系统的内核参数来更改。
5.缓存大小：一些应用程序和操作系统会使用内存作为缓存来提高性能。
缓存大小参数用于配置和调整缓存的大小，以满足特定的应用需求。
增加缓存大小可以提高系统的响应速度，但也会占用更多的内存空间。
6. 运行时参数：运行时参数是指在应用程序运行时配置和调整的一些特定参数。
例如，在Java应用程序中，可以通过设置JVM的运行时参数来调整堆大小和垃圾回收策略等。
正确地配置运行时参数可以优化应用程序的性能和稳定性。
7.内存分配器参数：内存分配器是用于从操作系统中分配和管理内存的软件组件。
不同的内存分配器有不同的参数，如初始大小、最大大小和增长因子等，用于控制内存的分配和回收行为。
正确地配置内存分配器参数可以提高内存利用率和降低内存碎片。
内存技术参数及安装
内存参数内存又称为“主存储器”，用于暂时存放当前正在执行的程序和数据。
它是 CPU和外部存储器之间进行数据交换的中转站，其容量和性能是决定电脑整体性能的一个重要因素。
一块主板通常最多可以插入2 ~4条内存条，用户可以根据需要选择，目前常见的单条内存容量大小有4GB GB 和16GB 等。
2.3选购内存内存是电脑的主要硬件之一，主要用于存储和交换正在运行的程序和数据，其性能会直接影响电脑的运行速度。
2.3.1内存的分类目前市场上主流的内存有DDR3和DDR4两种类型，不同主板支持的内存类型不同，应该根据所选主板支持的类型来选购。
1.DDR3内存DDR3是一种计算机内存规格，是DDR家族中DDR2的后继者。
DDR3的数据预读取能力是DDR2内存的2倍，速度更快。
该内存是2016年以前的主流产品，目前仍然被广泛应用，其主要规格有DDR31333、DDR31600DDR31866和DDR2133等。
DDR2和DDR3都为240针，但是各自对应的内存控制器不兼容，所以两者也无法兼容。
2.DDR4内存随着DDR3占领市场多年，内存的发展也开始出现新的变化，性能更强的 DDR4从2014年底走入人们的视野。
相比DDR3内存，DDR4内存拥有更高的数据带宽。
在DDR3时代传输速度最高到2133MHz，而DDR4的传输速度从2133MHz起，最高可达4266MHz，内存容量则是DDR3的4倍，最高可达128GB。
随着DDR4内存价格的不断降低，如今几乎已经和DDR3处于同一价格水平，正逐渐取代DDR3内存成为市场主流。
由于DDR4内存条外观变化明显，内存条的金手指变成弯曲状，形状与接口都存在改变，因此DDR4内存不兼容DDR3。
2.3.2主流内存的容量在选购内存时，我们通常所说的4GB或8GB都是指内存的容量，内存的容量大小直接影响电脑的整体性能。
通常情况下，内存的容量大，电脑运行的速度就会相应地得到一定幅度的提高。
内存基本参数介绍
内存基本参数介绍当前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。
在BIOS中，所相关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。
受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。
面对这些参数，我们必须先理解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。
以下我们讲解一些重点参数的含义。
CLCL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。
一般来说是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，当前的最正确值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。
虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。
RAS与CAS内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才能够确定要访问的内存单元。
所以内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。
这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。
Tras内存预充电和有效指令之间的时间差。
对于DDR内存来说，一般是预充电命令至少要在行有效命令50000ns（BIOS中显示为5）之后发出，标准是在70000ns～80000ns，此数值不可过大或过小，否则就会影响到内存运行的稳定性。
总结一下就是：CAS Latency 决定了接收寻址命令到数据实行真正被读取所花费的时间。
RAS to CAS决定了行寻址至列寻址之间的延迟。
RAS Precharge则决定了相同行寻址中不同工作的转换间隔。
Tras控制了内存预充电和有效指令之间的时间差。
而真正关系到内存性能的也就是CAS Latency、RAS toCAS和RAS Precharge三个延迟参数。
内存参数含义介绍
内存参数含义介绍一：DDR2与DDR DDR2与DDR的区别与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。
这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM 核心来实现的。
作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。
技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
DDR2与DDR的区别示意图与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。
DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。
首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义：DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM 是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
内存参数详解
内存参数详解：tCL : CAS Latency ControltRAS : Min RAS Active TimingtRP : Row Precharge TimingtRCD : RAS to CAS DelaytWR : Write Recovery TimetRFC : Row Refresh Cycle TimetWTR:Write to Read DelaytRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)tRTP:Read to PrechargetFAW:Four Activate Window DelaytCL : CAS Latency Control(tCL)一般我们在查阅内存的时序参数时，如“7-7-7-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。
CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。
因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。
一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS 访问所需数据的精确十六进制地址。
期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。
所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。
内存条分类及规格参数介绍
内存条分类及规格参数介绍内存可以根据储存能⼒与电源的关系可以分为以下两类：易失性存储器（Volatile memory）指的是当电源供应中断后，存储器所储存的资料便会消失的存储器。
主要有以下的类型：（Random access memory，随机访问存储器）（Dynamic random access memory，动态随机访问存储器）（Static random access memory，静态随机访问存储器）⾮易失性存储器（Non-volatile memory）是指即使电源供应中断，存储器所储存的资料并不会消失，重新供电后，就能够读取内存资料的存储器。
主要有以下的类型：（Read-only memory，只读存储器）（Programmable read-only memory，可编程只读存储器）（Erasable programmable read only memory，可擦可编程只读存储器）（Electrically erasable programmable read only memory，可电擦可编程只读存储器）（快闪存储器）按内存条的接⼝形式，常见内存条有两种：（SIMM）和（DIMM）按内存的⼯作⽅式：FPA EDO DRAM-------FPM（FAST PAGE MODE）RAMEDO（EXTENDED DATA OUT）RAMSDRAM（同步动态RAM）-----S（SYSNECRONOUS）DRAMDDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM内存条性能评价指标：存储容量：即⼀根内存条可以容纳的⼆进制信息量，如⽬前常⽤的168线内存条的存储容量⼀般多为32兆、64兆和128兆。
存取速度：即两次独⽴的存取操作之间所需的最短时间，⼜称为存储周期，半导体存储器的存取周期⼀般为60纳秒⾄100纳秒。
的可靠性：存储器的可靠性⽤平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
内存卡知识(技术参数)大全
内存卡知识（技术参数）大全一、内存卡概述：内存卡即外部存储器。
人们照相要使用胶卷，听歌要有磁带，录像要用录像带带，存储文件使用磁盘，科技的发展，尤其是数码产品的发展，促使闪存卡的诞生。
目前闪存卡的应用领域范围广泛，使得闪存卡迅猛发展，现在照相存储照片，录相存储视频，听歌存储音乐，及其它数据都可由闪存卡来代替。
二、内存卡技术参数：1.传输速率：一般按倍速来算。
x1x为150KB现市面上出现了很多60X、80X 的高速卡，倍速越高速度越快。
2.读速度和写速度：指对闪存的读操作和写操作，这个速度会根据闪存卡的控制芯片来决定是多少速的闪存卡，读速度和写速度都会不一样。
3.控制芯片：主要提供卓越的功能，强化您的记忆卡效能。
高速的传输速率(传输速度)，优良的兼容性，让您的储存资料万无一失(安全性)。
4.电压：不同类型的闪存卡具有不同的规范，其所能正常工作的电压是不同的。
不过不同的闪存卡接口也各不相同，不存在插错接口的可能。
因此不会出现因插错接口，工作电压不同而损坏闪存卡的情况。
一般的工作电压:CF卡：3.3V/5VSD卡：2.7-3.6VSM:3.3VDVRSMMC:1.8/3.3V三、内存卡的存取速度：存取速度是指闪存卡在被写入数据或读取数据时的数据传输速度。
不同类型的闪存卡采用的接口规范各不相同，自然各自的存取速度也不相同。
即便是同种类型的存储卡，也受到各厂商制造水平、读卡器优略，乃至被连接到的主机性能等因素的干扰，在实际也表现出不同的存取速度。
同一块卡应用于不同的相机，也可能表现出速度的差异，这受到相机闪存卡接口性能差异的影响。
四、内存卡工作电压：不同类型的闪存卡具有不同的规范，其所能正常工作的电压是不同的。
不过不同的闪存卡接口也各不相同，不存在插错接口的可能。
因此不会出现因插错接口，工作电压不同而损坏闪存卡的情况。
SD卡数据传送和物理规范是由MMC发展而来，尺寸大小和MMC差不多。
SD卡与MMC卡保持着向上兼容，也就是说，MMC可以被新的SD设备存取，兼容性则取决于应用软件，但SD卡却不可以被MMC 设备存取。
内存参数详解
内存参数详解如今很多玩家都想⽅设法的发掘电脑的性能，内存带宽对整个系统起到⾄关重要的作⽤，它关系到系统总线速度。
⼤家在设置过程中可能会遇到⼀些感到迷惑的现象，有时⼀个较低的总线速度配以⾼参数的内存，其性能也许⽐⼀味追求⾼总线速度还要好。
选购内存时，玩家也都知道，同频率下时序参数越⾼的内存其系统带宽也会随之增长，也就是要尽量选⽤CAS/tRCD/tRPD/tRAS参数值低的内存。
举个例⼦，如果系统总线速度为400MHz，你需要搭配使⽤PC3200规格的DDR内存，理想的CAS值是2。
如果要把系统总线超频到500MHz，同步的情况下则需要PC4000的内存。
当⼤家选购⾼频率的内存时，应该会发现其CAS延迟通常都⽐较⾼，2.5或者3是⽐较常见的。
然⽽CAS是最敏感的内存参数，CAS值从3降低到2，虽然只有1/3，但另⼀⽅⾯，如果这种情况发⽣在⼀个总线速度为500MHz的系统上，你的系统性能会提升25％之多！内存控制器： 内存控制器是电脑上最重要的组成部件之⼀。
它的功能是监督控制数据从内存载⼊/载出。
如果需要，还可以对数据的完整性进⾏检测。
芯⽚组决定了⽀持的处理器类型，通常包含⼏组控制器，分别控制着处理器和其他组件的数据交换。
内存控制器是芯⽚组很常见的⼀部分，它建⽴了从内存到微处理器的数据流。
如果是⽀持双通道模式的芯⽚组，就会包含两组内存控制器。
与众不同的是，近期问世的AMD Athlon64处理器内部集成了内存控制器。
内存参数规格： 内存的时序参数⼀般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。
2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。
⽬前市场上对这两个参数的认识有⼀些错误，因为部分内存⼚商直接⽤它们来代表内存性能。
CMD Rate祥解： Command Rate译为"⾸命令延迟",这个参数的含义是⽚选后多少时间可以发出具体的寻址的⾏激活命令，单位是时钟周期。
内存参数详解
mand Per Clock(CPC) 1T/2T:CPC 的设定特徵是允许你在单一资料存取的延迟选择，信号在记忆体控制器开始把命令送到记忆体的时间。
设定值愈低记忆控制单元能送到外部记忆体的命令就越快。
当CPC设定為1T时，记忆控制器读写一次资料花费一个时脉週期。
当CPC设定為2T时，记忆控制器读写一次资料发费两个时鐘週期的命令延迟。
2.CAS Latency Control(tCL)这是随机存起记忆体公司第一个会拿来做评比的时间参数，例如，你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。
第一的设定值4，如被评為3 產生最好的性能，CAS 5通常能提供较好的稳定性。
CAS从开始到结束的时间被称為CAS latency。
既然CAS 是找出正确资料的最后依个阶段，所以它也是记忆体最重要的计时步骤。
(设定值小= 效能高)3.RAS# to CAS# Delay(tRCD)这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第二个时间参数。
例如，你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。
在JEDEC 的规格裡，这是在3 或者5 个数列的第2 位数。
因為这次延迟发生每当排被更新或者一个新排被开动时，降低延迟改进性能。
因此，推荐你把延迟降低到4或者更好的记忆性能3。
请注意如果你使用对于你的记忆体模组来说太低的价值，这有可能引起系统的不稳定。
如果你的系统在降低RAS对CAS 的延迟之后变得不稳定，你应该增加延迟或者把它重新设定到被评价的延迟。
有趣的是，增加RAS对CAS 的延迟可以允许记忆体模组以更高的时脉运转。
因此，如果你遇到意外困难超频你SDRAM 模件，你可以试著增加RAS对CAS 的延迟。
(设定值小= 效能高)4.Row Precharge Timing(tRP)这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第3个时间参数。
他的BIOS具备有对相同的DDR 设备指定在连续的活动指令之间的最小时间。
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CMD Rate祥解：
Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行）。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲（unbuffered）内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。
tRAS：
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。
tRP:
tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快。
一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器超频时，都会要求较高的总线速度，此时的瓶颈就在内存系统上，一般只有靠牺牲高参数来保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽，在处理大量数据时就能明显的从中获益，例如数据库操作，Photoshop等。
内存参数规格：
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
总结：
或许你看完以上论述后还是有一些不解，其实大家也没必要对整个内存寻址机制了解的非常透彻，这个并不影响你选择什么规格的内存，以及如何最大程度上在BIOS中优化你的内存参数。最基本的，你应该知道，系统至少需要搭配满足CPU带宽的内存，然后CAS延迟越低越好。
因为不同频率的内存的价格相差并不是很大，除了那些发烧级产品。从长远的目光来考虑，我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内存费用，高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200 400MHz的内存，标明的CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz，通常情况下CAS延迟可以达到2。
另外一点值得注意的是，PC3200或PC3500规格的内存，如果CAS延迟可以设为2，也能在一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用户经常使用的程序并不需要大的带宽，低CAS延迟也会带来显著的性能提升，例如一些小型游戏和3D应用程序。
总而言之，一条参数为2-2-2-5的内存绝对比3-4-4-8的内存优秀很多，总线速度越高，这种情况就越明显。
内存控制器：
内存控制器是电脑上最重要的组成部件之一。它的功能是监督控制数据从内存载入/载出。如果需要，还可以对数据的完整性进行检测。
芯片组决定了支持的处理器类型，通常包含几组控制器，分别控制着处理器和其他组件的数据交换。内存控制器是芯片组很常见的一部分，它建立了从内存到微处理器的数据流。如果是支持双通道模式的芯片组，就会包含两组内存控制器。与众不同的是，近期问世的AMD Athlon64处理器内部集成了内存控制器。
tRCD:
根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。
绪论：
如今很多玩家都想方设法的发掘电脑的性能，内存带宽对整个系统起到至关重要的作用，它关系到系统总线速度。大家在设置过程中可能会遇到一些感到迷惑的现象，有时一个较低的总线速度配以高参数的内存，其性能也许比一味追求高总线速度还要好。选购内存时，玩家也都知道，同频率下时序参数越高的内存其系统带宽也会随之增长，也就是要尽量选用CAS/tRCD/tRPD/tRAS参数值低的内存。举个例子，如果系统总线速度为400MHz，你需要搭配使用PC3200规格的DDR内存，理想的CAS值是2。如果要把系统总线超频到500MHz，同步的情况下则需要PC4000的内存。当大家选购高频率的内存时，应该会发现其CAS延迟通常都比较高，2.5或者3是比较常见的。然而CAS是最敏感的内存参数，CAS值从3降低到2，虽然只有1/3，但另一方面，如果这种情况发生在一个总线速度为500MHz的系统上，你的系统性能会提升25％之多！
用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。
Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。
接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD,以及tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？
CAS:
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。