模拟电子技术课程11 识图习题(李良光)模电教辅
模电习题讲解与解析(第6版)2020
vi2
∵i3＝i4，
0
vn R3
vn vo R4
vo
(1
R4 R3
)vn
vo表达式
vo
(1
R4 R3
)(
R2 R1 R2
vi1
R1 R1 R2
vi2 )
当R1=R2 =R3 时， vo vi1 vi2
分析：A1、 A2 电压跟随器
A3： vo1“”端 ，vo2“+”端， 加减电路
R2 R1
)
2
＝
(1
6V
20 ) 10
2
0 2 2 vo 10 20
vO ＝6V
in=0
in=0
(c) vn ＝ vp ＝0 ， in＝0
vo vn＝ 2V
vo ＝ 2V
(d) vn ＝ vp ＝2V， in＝0
vo ＝ vn ＝ vp ＝2V
方法一：公式法 vi“+”端 ，同相放大电路 同相放大电路通用公式：
vo vo vo ＝0.6+1.2V ＝1.8V
vp1
vp2
方法二：虚短虚断法 : vp ＝ vn， ip＝in＝0
A1： i1＝i21 , vn1＝vp1＝0
vi1 vn1 R1
vn1 vo1 , R21
vo1
R21 R1
vi
100 0.6＝1.2V
50
A2：i2＝i22 ,
vo1 vn2 vn2 vo ,
工 作 区 ③
+
DZ
符号
①
(b) 伏安特性
稳压管, RL//DZ ，VO =VZ
解: (1) VO = VZ ， IR = IO + IZ ， VI = VR + VO
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、 (共61题,共150分)1、当PN给外加正向电压时,扩散电流漂移电流。
此时耗尽层 ( )。
(2分)A、大于变宽。
B、小于变窄。
C、等于不变。
D、大于变窄。
标准答案:D2、场效应管电流完全由组成,而晶体管的电流由组成。
因此,场效应管电流受温度的影响比晶体管( )。
(2分)A、多子少子大。
B、多子两种载流子小。
C、少子多子小。
D、多子多子差不多。
标准答案:B3、图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因就是:( )。
(2分)A、交流信号不能输入。
B、没有交流信号输出。
C、没有合适的静态工作点。
D、发射结与集电结的偏置不正确。
标准答案:B4、当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz,可采用( )的方式实现。
(2分)A、高通滤波器B、带阻滤波器C、带通滤波器D、低通滤波器标准答案:D5、 NPN型与PNP型晶体管的区别就是 ( )。
(2分)A、由两种不同材料的硅与锗制成。
B、掺入的杂质元素不同。
C、P区与N区的位置不同。
D、载流子的浓度不同。
标准答案:C6、某NPN型硅管,当其工作在放大状态时,电路中的三个电极电位应为下列哪组数据？( ) (2分)A、U1=3、5V,U2=2、8V, U3=12V。
B、U1=3V,U2=2、8V, U3=12V。
C、U1=6V,U2=11、3V,U3=12V。
D、U1=6V,U2=11、8V,U3=12V。
标准答案:A 7、图示的电路中,稳压管的反向击穿电压分别为6V与7V,正向导通电压均为0、6V,则输出电压为:( )。
(2分)A、6VB、7VC、6、6VD、5、4V标准答案:D8、如图所示的静态工作点及其放大电路,当输入的正弦信号逐渐增加时,放大电路的工作情况就是:( )。
(2分)A、先出现截止失真,为避免上述现象的发生,应减小偏置电阻R b。
B、先出现截止失真,为避免上述现象的发生,应增大偏置电阻R b。
C、先出现饱与失真,为避免上述现象的发生,应减小偏置电阻R b。
模拟电子技术基础习题ppt课件
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射 ___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中，三个电极的电位分别
为 V1 4V ，V2 1.2V ，V3 1.5V，试判断晶体管的类型是 ___PNP_____，材料是____锗___。
11. 温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿 透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。
12 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移， 输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。
模拟电子电路及技术基础 第二版 答案 孙肖子 第2章
图2-11 例2-7电路图
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
因为A2接成反相积分器，所以 1 U U o2 o jR3C 故 由此得到
Uo Ui I2 I1 jR3CR2 R1
jCR R2 U i Uo 3 R1
可见，输出波形是在6 V的直流电平上叠加上一正弦信 号。
注意，当ui为负半周最大时，uo瞬时值已超过电源电压
+12 V，所以会出现限幅状态，uo波形如图2-6所示。
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图2-6 例2-4的输入输出波形图
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
【例2-5】 电路如图2-7(a)所示，设电容C的起始电压 uC(0)=0，试画出对应两种输入波形(如图2-7(b)、(c)所示)的 输出波形图。 解 因为uo(t)=－uC(t)，所以uo(0)=uC(0)。该电路为理想 反相积分器，输入输出关系式为
式中
1 uo i2 R2 i2 dt C ui i2 i1 R1
故பைடு நூலகம்
R2 1 30 1 uo ui C ui dt ui u dt 3 6 i R1 R1 20 2010 0.5 10 1.5ui 100 ui dt uo1 (t ) uo2 (t )
向A1的同相端。
① 输入输出的频域关系式。因为整体引入负反馈，故 根据“虚短”概念，A1的
U+=U－=0，且
式中
I1 I 2
Ui U Ui I1 R1 R1 U U o2 U o2 I2 R2 R2
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
如图2-8(b)所示。
模拟电子技术基础_山东大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术基础_山东大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.差分放大器双端输出时，对信号有较强的抑制能力，而对信号有较强的放大作用。
参考答案:共模；差模2.使用差动放大器的主要目的是（）。
参考答案:B. 克服温漂3.在场效应管三种组态的放大电路中，输入波形和输出波形反相的是（）放大电路。
参考答案:共源极4.场效应管放大电路外部偏置电路的作用是（）。
参考答案:使场效应管处于放大工作状态，获得合适的静态工作点5.以下说法错误的是（）。
参考答案:D 共射极放大电路的放大倍数比共源极放大电路的放大倍数大；6.使用集成三端稳压芯片7805时，要求整流滤波后的输入电压不低于（）。
参考答案:8V7.若使用集成三端稳压器设计一输出电压为12V的电源，应选用（）参考答案:78128.在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（）参考答案:1.2U29.串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（）。
参考答案:基准电压与采样电压之差10.串联式稳压电路能够稳压，实质是利用（）稳定输出电压的作用实现的。
参考答案:电压负反馈电路11.直流稳压电源中滤波电路的目的是（）参考答案:将交、直流混合量中的交流成分滤掉12.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）参考答案:整流管将因电流过大而烧坏13.电路如图所示，已知晶体管的饱和压降UCES=1V，该电路的最大输出不失真功率近似等于（）。
【图片】参考答案:C、2W14.由两晶体管组成的复合管如下图所示，已知两晶体管的电流放大系数分别为β1、β2。
则复合管等效类型及电流放大系数近似为（）。
【图片】参考答案:D、PNP，β1.β215.在多级放大电路中，通常将共集电极放大电路放在输入级，是因为（）。
参考答案:共集电极放大电路具有较大的输入电阻16.温度对三极管静态工作点的影响：温度上升，Ic将会（）。
参考答案:变大17.已知两个共射极放大电路的放大倍数分别为-80和-50，则由这两个放大电路经阻容耦合形成的多级放大电路的放大倍数为（）。
模拟电子技术题库答案
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。
10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u与u O的波形，并标出幅值。
i图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模电(李国立)11章习题答案
模电(李国立)11章习题答案11负反馈放大电路自我检测题一．选择和填空1．放大电路中的反馈是指B 。
（A．反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号，B．反馈到放大电路输入回路的信号，C．反馈到输入回路的信号与反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号之比。
）2．反馈量越大，则表示A 。
（A．反馈越强，B．反馈越弱。
）3．所谓交流负反馈是指B 的反馈。
（A．放大倍数A 为负数，B．A 变小，C．A 变大。
）4．负反馈放大电路中的反馈信号f X 与净输入量X 应该是 A 。
id（A．同相位，B．反相位，C．可以同相位也可以反相位。
）5．所谓放大电路的开环是指 C .。
（A．无负载，B．无信号源，C．无反馈通路，D．无电源。
）6．直流负反馈是指 C 。
（A ．只存在于直接耦合电路中的负反馈，B ．放大直流信号时才有的负反馈，C ．直流通路中的负反馈。
）7．构成放大电路反馈通路的 C 。
（A ．只能是电阻、电容或电感等无源元件，B ．只能是晶体管、集成运放等有源器件，C ．可以是无源元件，也可以是有源器件。
） 8．串联负反馈要求信号源内阻R s B 。
（A ．尽可能大，B ．尽可能小， C ．大小适中。
）9．电压负反馈要求负载电阻R L A 。
（A ．尽可能大，B ．尽可能小 ， C ．大小适中。
）10．负反馈放大电路中的回路增益A F 应是 A 。
（A ．大于0，B ．小于0，C ．大于0或小于0。
）11．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 B 。
（A ．idfX X=， B ．idfX X-=）12．直接耦合放大电路引入负反馈后 B 。
（A ．只可能出现低频自激， B ．只可能出现高频自激 ，C ．低、高频自激均有可能出现。
）二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×） 1．在负反馈放大电路中，在反馈系数较大的情况下，只有尽可能地增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。
（×）2．在负反馈放大电路中，开环放大倍数越大，闭环放大倍数就越稳定。
模拟电子技术基础_河北师范大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术基础_河北师范大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.双极型晶体管的输入电阻是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
参考答案:错误2.图解法可以分析放大电路的非线性失真问题，微变等效电路法却不能。
参考答案:正确3.在晶体管放大电路中，带负载能力最强的放大电路是。
参考答案:共集放大电路4.三种组态的基本放大电路中，共射电路的特点是。
参考答案:既能放大电压也能放大电流5.两只稳压值分别为6V和9V的硅稳压管并联，可得到的稳压值是。
参考答案:6V，0.7V6.稳压管电路如图所示。
两稳压管的稳压值均为6.3 V，正向导通电压为0.7V，其输出电压【图片】为。
【图片】7V7.共基放大电路主要应用于。
参考答案:高频电压放大8.某射极跟随器的【图片】，【图片】，静态工作点为【图片】，【图片】，若晶体管的临界饱和压降【图片】，则该电路跟随输入电压的最大不失真输出电压的幅值为。
参考答案:3V9.在如图所示的电路中，若把上偏置电阻【图片】短路，则该电路中的晶体管将会处于状态。
【图片】参考答案:饱和10.在如图所示的放大电路中，已知【图片】，【图片】，【图片】，【图片】，【图片】，【图片】，【图片】，【图片】、【图片】、【图片】足够大。
晶体管的工作状态是状态。
【图片】参考答案:饱和11.若将如图所示电路中的电容【图片】断开，则会引起。
【图片】和同时增大12.在共射基本放大电路中，当【图片】一定时，在一定的范围内增大发射极电流【图片】，则放大电路的输入电阻。
参考答案:减小13.在方波三角波发生器中，改变，可将三角波变为锯齿波。
参考答案:积分电路结构，使充放电时间常数不等14.非正弦波发生器只要反馈信号能使的状态发生跳变，即能产生周期性的振荡。
参考答案:电压比较器15.要得到频率在20Hz~200kHz范围内的信号，应选择的正弦波振荡电路形式为。
参考答案:RC振荡电路16.在并联型石英晶体振荡电路中，对于振荡信号，石英晶体等效为。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术习题及解答
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
模拟电子技术基础习题答案
ID
10 - 0.7
10 103
0.93 （mA）
（2）小信号工作情况分析。二极管采用交流小信号模型，等效电路如解图 1.3.6（b）
所示。此电路中只有交流分量，称为交流通路，它反映电路的动态工作情况。
当ui 17V时，D1截止，D2导通，uO 17V 17V ui 18V时，D1导通，D2导通，uO ui ui 18V时，D1导通，D2截止，uO 18V
图略
1.4.1 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为 6V 和 8V，正向导通电压为 0.7V。试问：
（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V 和 14V 等四种稳压值。
中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压 Uo。
1
图 P1.3.1
解：二极管 D1 截止，D2 导通，UO=-2.3V 1.3.2 电路如图 P1.3.2 所示，已知 ui＝10sinω t(v)，试画出 ui 与 uO 的波形。设二极管正向导
通电压可忽略不计。
图 P1.3.2
解：当 ui>0V 时，D 导通，uo =ui；当 ui≤0V 时，D 截止，uo=0V。ui 和 uo 的波形如解图 1.3.2 所示。
模拟电子技术基础习题答案
电子技术课程组 2016.9.15
目录
第 1 章习题及答案 ................................................................................................................... 1 第 2 章习题及答案 ................................................................................................................. 14 第 3 章习题及答案 ................................................................................................................. 36 第 4 章习题及答案 ................................................................................................................. 45 第 5 章习题及答案 ................................................................................................................. 55 第 6 章习题及答案 ................................................................................................................. 70 第 7 章习题及答案 ................................................................................................................. 86 第 8 章习题及答案 ............................................................................................................... 104 第 9 章习题及答案 ............................................................................................................... 117 第 10 章习题及答案 ............................................................................................................. 133 模拟电子技术试卷 1 ............................................................................................................ 146 模拟电子技术试卷 2 ............................................................................................................ 152 模拟电子技术试卷 3 ............................................................................................................ 158
模拟电子技术_南京信息工程大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术_南京信息工程大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I＝1μA 。
当R从10kΩ减小至5kΩ时，I将____。
【图片】参考答案:变化不大2.随着温度的升高，在杂质半导体中，多数载流子的浓度____。
参考答案:变化较小3.随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____。
参考答案:明显增大4.某硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。
当UD增加10％（即增大到0.66V）时，则ID约为____。
参考答案:100mA5.当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
参考答案:小于6.当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
参考答案:大于7.PN结加正向电压时，空间电荷区将。
参考答案:变窄8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____。
参考答案:杂质浓度9.稳压管的稳压区是其工作在。
参考答案:反向击穿10.硅二极管的正向电压从0.65V增大10％，则流过的正向电流增大____。
参考答案:大于10％11.电路如图所示，ui=0.1sinωt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻rd将____。
【图片】参考答案:减小12.在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，UD=0.7V。
当V调到6V，则I将为____。
【图片】参考答案:大于2mA13.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
参考答案:ISe(U/UT-1)14.已知图中二极管的反向击穿电压为100V，在V＝10V时，测得I＝1μA 。
当V增加到20V时，I将____。
【图片】参考答案:变化不大15.由理想二极管组成的电路如下图所示，其A,B两端的电压Uab应为。
【图片】参考答案:－6V16.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
参考答案:增大17.P型半导体是在纯净半导体中掺入____。
参考答案:三价元素，如硼等18.已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I＝1μA 。
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第11章电子电路识图11.1 教学要求所谓“识图”或者“读图”，就是对电路图进行分析。
识图能力体现了读者对所学知识的综合应用能力。
通过识图，开阔视野，可以提高评价电路性能优劣的能力和系统集成的能力，为电子电路在实际工程中的应用提供有益的帮助。
本章教学内容要求学生在掌握前面所学的基本电子单元电路后，达到如下要求：1.能识别和检测常用分立半导体元器件，判断器件的引脚和好坏；2.进一步掌握比较复杂的电路图的分析步骤；3.了解对系统图的整体分解、局部电路分析、整体综合分析的常用方法和技巧；4.对整机（系统）电路能够做一些简单的分析与计算，判断电路的基本功能和基本性能参数，达到学以致用的目的。
11.2 基本概念1. 半导体分立器件的识别与检测这部分内容一般是和实验教学结合进行的，不论对二极管还是三极管的检测都是检测其PN结的好坏和极性。
这些内容虽然在理论课的考试中反映不出来，但在工程应用中就显得非常重要。
另外，熟悉器件的外形封装对电路设计尤其是印刷电路板（PCB）设计是非常重要的。
2. 识图一个完整的电路图一般由若干个单元电路构成，各个部分都有特定的功能。
因此读懂各个单元电路是搞清楚整个电路的前提，也是电子技术课程理论水平上一个台阶的标志。
11.3 重点难点分析在分析电子电路时，首先将整个电路分解成具有独立功能的几个部分，进而弄清每一部分电路的工作原理和主要功能，然后分析各部分电路之间的联系，从而得出整个电路所具有的功能和性能特点，必要时再进行定量估算。
详细思路和步骤如下：1. 了解用途在具体分析一个电路之前，先要了解电路或系统的主要用途。
2. 化整为零任何复杂的电路系统或电子设备，都是由若干个简单的基本单元或功能电路组合而成的。
因此，识图时要善于把总电路图化整为零，分成若干基本单元。
3. 局部分析利用学过的电路知识和分析方法定性分析每个基本单元的功能，必要时可就局部电路作一些定量计算。
由于实际电路比原理电路复杂，需要把电路进行必要的简化，找出信号通路和影响电路功能的主要元器件，掌握该基本单元的工作原理。
4. 统观整体将各个基本功能模块进行综合，找出它们之间的分工和联系，画出总体结构框图。
分析输入信号经过各功能块的变化，对总体电路的功能形成完整认识。
5. 性能估算为了对系统整体做出定量的分析，需要对主要单元电路进行工程估算。
当然，不同的电路设备看图分析的方法也有所不同，因此分析步骤应根据具体电路的不同灵活运用。
对于一个电路图，要读懂该图的前提是要熟悉电路中每个元器件的特性和功能。
如果图中有陌生的器件，则应先查阅相关资料，搞清楚每个器件的性能、参数，然后再分解电路图，才能逐步理清头绪，读懂电路。
11.4学习方法指导电子电路识图的难点在于对一个较复杂（或较大系统）电路的分解，尤其是电路中含有不熟悉的器件时。
在这种情况下，分析应遵循如下步骤：1.首先应搞清楚每个器件的功能、特点和适用条件。
2.在分解电路时，一般以单个或组合（如差动放大器）有源器件为基本单元分块。
3.逐个分析局部电路，必要时将几个基本单元统一考察。
4.再从整体的高度考察电路（系统）的功能和用途，必要时重新分块与组合。
11.5 典型例题【例11-1】图11.1电路是超外差式中波段调幅收音机的整机电路图，试分析电路中各部分的作用和工作原理。
图11.1 超外差式中波收音机电路图解：因为已经明确电路是超外差式中波段调幅收音机，所以在分析电路之前最好先了解收音机的基本结构和工作原理，有利于对电路结构的理解。
1. 化整为零整个电路可分为射频接收与变频、（两级）中频放大器、中频检波（解调）和音频功率放大器四个部分。
2. 局部分析（1）射频接收与变频部分：该部分的局部电路见图11.2。
a2图11.2 收音机射频接收与变频部分电路图该部分由1T 和相关元件组成，其中1T 构成的放大器兼有两个作用：射频放大和本地振荡。
射频放大时1T 是共发射极电路组态，被接收的电台信号h f 经B 1和C a1、C 1谐振选频后从1T 基极输入。
作本地振荡时1T 构成共基极电路组态，B 2是反馈变压器，与C 4、C 5和C a2构成反馈选频回路，产生本地振荡正弦波信号，频率o f 。
当接收到电台信号时，1T 中始终有两路信号：被接收电台信号h f 和本地振荡信号o f 。
由于1T 的静态工作点设置得比较低，放大器具有一定的非线性，两路信号在放大过程中会产生互调，即产生两路信号的和频（o h f f +）与差频（o h f f -）调幅信号。
调谐电台时，由于a1C 和a2C 同步变化，始终保持（o h f f -）为465KHz ，并由中频变压器BZ 1选出送到中频放大器。
在超外差式调幅收音机中，这个固定为465KHz 的（o h f f -）被称为中频信号。
（2）中频放大器与检波部分：该部分电路见图11.3。
4.5V图11.3 中频放大与检波电路2T 、3T 构成两级变压器耦合共射极选频放大器，两级电路结构基本相同。
465KHz 的中频信号从2T 的基极注入，放大后经BZ 2耦合注入3T 的基极。
经过两级放大后的中频调幅信号幅度达到百毫伏数量级，经BZ 3耦合注入峰值检波器。
二极管检波器的原理类似于单相半波整流、电容滤波电路。
滤波电容C 9产生的转折频率远大于音频信号频率而远小于中频载波频率，其输出电压中的中频载波及其高次谐波被滤除，而音频调制信号则保留下来并经由R W 、C 10输出。
另外，检波器输出电压中含有与中频载波幅度大小成比例的负极性直流分量，经由R 7、C 7滤波后去控制2T 和3T 的静态工作点，从而调整中频放大器的电压放大倍数，使检波器的输出电压基本稳定，这一功能称为自动增益控制（简称AGC ）。
（3）音频功率放大器部分音频功率放大器采用集成小功率双声道立体声放大器TDA2822M ，构成BTL 功放。
闭环电压增益约39db ，当电源电压4.5V 时、在8Ω扬声器上可输出最大功率约700mW 。
电路中R W 为带联动电源开关的音量控制电位器。
R 8、C 1构成前级交流退耦（滤波）电路，以防止音频功放在电源内阻上所产生的交流信号干扰前级。
3. 整机结构综合通过前面的分析，我们可以归纳出图11.1所示的中波收音机整机结构框图如图11.4所示。
图11.4中列出了各部分的功能名称及主要元器件，箭头代表电路中信号的流向。
图11.4 中波调幅收音机电路结构框图11.5 习题详解11. 1 电路如图11-1所示，其功能是实现模拟计算，求解微分方程。
（1） 求出微分方程。
（2） 简述电路原理。
v iv o图11-1 习题11.1的电路解：整个电路分为三个部分，IC 1为反相加法器，IC 2为积分器，IC 3为反相比例器。
电路中各节点参数及参考方向如解图图11-1所示。
v iv o解图11-1 习题11.1的解图IC 1为反相加法器，2213R R v v v R R =-⋅-⋅o1i o3； 由于IC 3反相端是虚地，8118119////R R v v R R R ¢=+o o ； IC 3为反相比例器，77811888119////R R R R v v v R R R R R =-¢=-⋅⋅+o3o o ； IC 2为积分器，则有：781122551351388119//1()()//R R R v R v v R v v dt dt v dt C R R C R R R C R R R R R R =-=+=-⋅⋅+⎰⎰⎰o1i o3i o o 对上式求微分并整理得微分方程：781122538811915//0//R R R dv R R v v dt R C R R R R R R R C+⋅⋅⋅-⋅=+o o i 当输入特定的v i ，在输出端就可以得到相应的模拟解v o 。
11.2 某电子设备中的供电电源电路部分如图11-2所示，试分析该电路的结构及性能参数。
V O1V O2V O3V O3V O2V O1图11-2 习题11.2的电路解：电路的结构包括变压器降压、双全波整流电容滤波、一次稳压和二次稳压四个部分。
各部分的参数分析如下：（1）变压器降压后输出双组对称18V交流电，电流容量2A，因此，最大输出总功率72W。
（2）整流滤波：双18V经整流滤波后输出直流约±21V，即：21V±≈±O1V，总输出电流小于2A。
（3）第一级稳压由IC1、IC2完成，输出电压：15V±=±O2V，电流小于1.5A。
（4）第二级稳压由IC3、IC4完成，输出电压：5V±=±O3V输出电流小于1.5A。
（5）电流关联：正（负）输出电流总和VO1VO2VO3I I I++限制在2A（－2A）以内。
11.3 对称跟踪直流稳压电源如图11-3所示。
（1）用方框图描述电路各部分功能及相互关系；（2）设电源变压器付边电压i2v有效值为14V，LM317输出电压为1.25V；计算输出电压O1V调节范围，并说明输出电压保持对称跟踪的原理。
V O1V O2GND图11-3 习题11.3的电路解：（1）电路结构框图如解图11-3所示。
V O1V O2解图11-3 习题11.3的解图（2） 变压器付边电压有效值V I2=14V ，经整流滤波后的直流电压约16±V 。
正电压经LM317稳压调节输出V O1；当R P =0时，V O1=1.25V ；当R P =2.2K Ω,则：1.25(2402200)12.7240V =+=O1×V 由于运放A 1是负反馈放大状态且的同相端接地，则反相端为虚地，即0i v -=V ； ∵ 23R R =，I I =R2R3，∴ V V =R2R3，即，V V =-O2O1。
因此，实际输出电压调节范围： 1.2512.7±±V V ～。
11.4 某音频功率放大器的简化等效电路如图11-4所示，试分析该电路的结构和工作原理，并说明电路中各主要元件的作用。
L图11-4 习题11.4的电路解：（1） 电路的结构包括输入级差分放大电路，差分电压放大级，准互补功率输出级，输出过流保护等几个部分。
（2） 各部分分析 输入级（T 1、T 2）：差分放大电路，双端输入双端输出，不过T 2的基极接的不是输入信号，而是反馈信号，反馈类型为电压串联负反馈。
电压放大级（T 4、T 3）：电路结构是射极耦合差分放大电路，双端输入单端输出，电流源I 2作为T 4集电极等效阻抗R C 。
互补输出级（T 6、T 7、T 10、T 11、T 5等）：其中T 6和T 7构成等效NPN 复合管；T 10和T 11构成等效PNP 复合管。