模电基本知识
模电基础知识总结
模电基础知识总结模拟电子技术（模电）是电子工程的重要基础学科，它研究的是电子元件与电路的工作原理和运行规律。
掌握模电的基础知识对于电子工程师来说至关重要。
本文将对模电的基础知识进行总结，希望能给读者提供一些帮助。
一、电路基础知识在学习模电之前，我们首先需要掌握一些电路的基础知识。
电路是电子工程中最基本的组成单元，它由电源、电阻、电容、电感等元件组成。
在电路中，电流和电压是重要的物理量。
电流表示电子在电路中的流动情况，而电压表示电子在电路中的能量转换。
二、放大器放大器是模电中一类重要的电子元件。
放大器的作用是将输入信号放大，以便输出信号具有较高的幅度。
常见的放大器有三种基本类型：电压放大器、电流放大器和功率放大器。
放大器有许多重要的性能指标，如增益、输入电阻、输出电阻等。
学习模电的过程中，我们需要熟悉这些性能指标的定义和计算方法。
三、滤波器滤波器是模电中用于剔除或改变信号中某些频率分量的电路。
滤波器可以分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器四种类型。
在实际应用中，我们经常需要使用滤波器来对信号进行处理。
了解滤波器的原理和性能对于电路设计至关重要。
四、振荡器振荡器是一种能够产生连续波形信号的电路。
在模电中有两种常见的振荡器：正弦波振荡器和方波振荡器。
振荡器的核心是一个反馈回路，该回路会使得输入信号被放大，并且以振荡的形式反馈给输入端。
振荡器在通信系统、计算机等领域有广泛的应用，掌握振荡器的原理和设计方法是模电学习的重要内容。
五、运算放大器运算放大器（Operational Amplifier）是模电中一种重要的集成电路。
它具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗的特点，在模拟电路中有广泛的应用。
运算放大器可以用于各种电路设计，如放大器、积分器、微分器和比较器等。
学习运算放大器的工作原理和应用是模电学习的核心内容。
六、模电实验模电实验是巩固和应用所学知识的重要环节。
通过实验，我们可以观察电路的实际运行情况，提高动手实践的能力。
模电基本知识点总结
模电基本知识点总结1. 电压、电流与电阻电压（Voltage）电压是电荷分布不均衡引起的力量，用来描述电子流动的驱动力。
单位是伏特（V）。
电流（Current）电流是电荷在单位时间内通过一点的数量。
电流的方向是电荷流动的方向。
单位是安培（A）。
电阻（Resistance）电阻是电流对流的阻碍程度。
电阻值的大小取决于导体的材料、长度和横截面积。
单位是欧姆（Ω）。
2. 基本电路元件电路电路是由电子元件、电源和导线等组成的电子元件的连接路径。
根据电流流动的方式，电路可以分为串联电路和并联电路。
电源电源是提供电压和电流的设备，可以是直流电源（如电池）或交流电源（如电网）。
电阻器电阻器是用来限制电流流动的元件。
根据电阻器的性质，可以分为可变电阻器和固定电阻器。
电容器电容器是由两个带电极板的导体之间的绝缘材料隔开的元件。
它可以存储电荷，具有储存和释放能量的特性。
电感器电感器是由线圈组成的元件。
当电流通过线圈时，会在其中产生磁场，导致电感器具有储存电能的特性。
3. 基本电路定律基尔霍夫定律基尔霍夫定律包括基尔霍夫电压定律和基尔霍夫电流定律。
•基尔霍夫电压定律（KVL）：在闭合电路中，电压源的代数和等于电阻器的总电压代数和。
•基尔霍夫电流定律（KCL）：在电路中的任何交汇点，进入该点的电流等于离开该点的电流之和。
欧姆定律欧姆定律描述了电压、电流和电阻之间的关系。
V = I * R其中，V代表电压，I代表电流，R代表电阻。
4. 放大器放大器是电子电路中常用的元件，用于放大信号。
常见的放大器有运放（Operational Amplifier）、晶体管放大器（Transistor Amplifier）等。
5. 滤波器滤波器用于滤除或选择特定频率范围的信号。
常见的滤波器有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
6. 集成电路集成电路是将多个电子元件集成在一块半导体板上的电路。
根据集成度的不同，集成电路可以分为小规模集成电路（Small-scale Integration, SSI）、中规模集成电路（Medium-scale Integration, MSI）和大规模集成电路（Large-scale Integration, LSI）。
模电知识点总结讲义
模电知识点总结讲义第一部分：基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
- 电阻：用于限制电流或降低电压的元件。
- 电容：用于储存电荷或储存能量的元件。
- 电感：用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。
- 二极管：用于整流、开关、放大等功能的元件。
- 晶体管：用于放大、开关、稳压等功能的元件。
2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径，用于传输电流或信号。
- 直流电路：电流方向不变的电路。
- 交流电路：电流方向时而正时而负的电路。
- 数字电路：用于处理数字信号的电路。
- 模拟电路：用于处理模拟信号的电路。
3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系，计算电压、电流等参数的过程。
- 基尔霍夫定律：电路中各节点的电流代数和为零。
- 欧姆定律：电流与电压成正比，电阻是电压和电流的比值。
- 诺顿定理：任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。
- 戴维南定理：任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。
4. 信号处理信号是指传输信息的载体，信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。
- 放大器：用于增强信号幅度的电路。
- 滤波器：用于去除或增强特定频率的电路。
- 调制器：用于将低频信号调制到高频载波上的电路。
第二部分：放大器1. 放大器类型- 基本放大器：包括共射、共集、共底极等类型。
- 差分放大器：用于抑制共模信号的放大器。
- 电压跟随器：用于输出跟随输入信号的放大器。
2. 放大器设计- 选型：根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。
- 偏置：通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。
- 反馈：通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。
3. 放大器应用- 信号放大：用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。
- 信号传输：用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。
第三部分：滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器：允许低频信号通过，阻断高频信号。
模电基础知识
模电基础知识
模电基础知识是指模拟电子技术的基本理论和知识。
模拟电子技术是一门研究和应用模拟信号和电路的学科，主要涉及电路和系统的分析、设计和实现等方面。
以下是模电基础知识的一些主要内容：
1. 电路基本元件：电阻、电容、电感等元件是模电电路的基础。
了解元件的特性和使用方法是模电基础知识的重要部分。
2. 电路分析：电路分析是验证电路行为和性能的过程。
常用的分析方法包括基尔霍夫定律、欧姆定律、网孔分析、节点分析等。
3. 放大器：放大器是模电电路中常见的功能模块，用于放大信号。
学习放大器的基本类型、特性和性能指标，以及放大器的设计方法是模电基础知识的重要内容。
4. 滤波器：滤波器用于对信号进行滤波，分为低通、高通、带通和带阻滤波器等类型。
了解滤波器的原理、类型和设计方法是模电基础知识的重要内容。
5. 可编程集成电路：可编程集成电路（Programmable Integrated Circuits, PICs）是一种能够按照用户的需求改变功能的集成电路。
了解PICs的基本原理和应用是模电基础知识的
重要内容。
6. 双向传输门：双向传输门是一种能够扮演多变功能的集成电
路。
了解双向传输门的原理、应用和设计方法是模电基础知识的重要内容。
7. 信号声音：信号声音是模电电路中常见的一种信号处理技术。
了解信号声音的基本原理、应用和设计方法是模电基础知识的重要内容。
以上是模电基础知识的一些主要内容，掌握这些知识可以帮助理解和应用模拟电子技术。
模拟电路基础知识点总结
模拟电路基础知识点总结一、电路基本概念1. 电路电路是由电子元件（如电源、电阻、电容、电感等）连接在一起形成的电子装置。
通过这些元件可以实现电能的输送、控制和转换，从而完成各种电子设备和系统的功能。
2. 电流、电压和电阻电流是电子在导体中流动的载体，是电荷的移动速度，通常用符号I表示，单位是安培(A)。
电压是电源推动电荷流动的力量，通常用符号U表示，单位是伏特(V)。
电阻是导体对电流的阻碍，通常用符号R表示，单位是欧姆(Ω)。
3. 串联电路、并联电路和混联电路串联电路是将电子元件连接在同一电路中，依次排列，电流只有一条通路可走。
并联电路是将电子元件连接在同一电路中，相互平行排列，电流可有多条通路走。
混联电路是将电子元件混合连接在同一电路中，既有串联又有并联的特点。
二、基本电路元件1. 电源电源为电路提供驱动力，可以是直流电源或交流电源，根据需要分别选择。
2. 电阻电阻是电路中常用的元件，可以用来控制电流大小，限制电流大小，分压和分流等。
3. 电容电容是储存电荷的元件，可以用来实现一些信号处理和滤波的功能，在交流电路中有重要作用。
4. 电感电感是导体绕制的线圈，可以将电能转换为磁能，反之亦然，对交流信号传输有重要作用。
5. 二极管二极管是一种电子元件，可以将电流限制在一个方向上流动，常用于整流、开关和光电转换等应用。
6. 晶体管晶体管是一种半导体元件，可以放大电流信号，控制电流开关等，是集成电路中最基本的元件之一。
三、基本电路分析1. 基尔霍夫定律基尔霍夫定律是用来分析串联电路和并联电路中电压和电流的分布情况的定律，包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。
2. 电压分压和电流分流电压分压和电流分流是串联电路和并联电路中常见的分析方法，可以通过这些方法来实现电路中电压和电流的控制。
3. 戴维南定理和戴维南等效电路戴维南定理是用来分析电路中电阻和电压之间的关系，戴维南等效电路是用来替代一些复杂电路，简化分析过程的方法。
模电必考知识点总结
模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础，了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。
2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。
3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法，包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。
4. 传输线理论了解传输线的基本特性，包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。
二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。
2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。
3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性，包括截止频率、增益带宽积等相关知识。
4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类，了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。
三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性，包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。
2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用，掌握运算放大器的基本应用方法。
四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用，包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。
2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法，了解它们在滤波电路中的应用。
3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻（陷波）滤波器的设计方法和特性，掌握模拟滤波器的设计技巧。
五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法，包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。
模电基础知识
模电基础知识模电基础1.有源滤波器和无源滤波器的区别有源滤波器：电路主要由集成运放和R、C组成。
具有不用电感、体积小、重量轻的优点。
集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。
但集成运放带宽有限，所以有源滤波电路的工作频率难以做的很高。
无源滤波器：电路主要有无源元件R、C、L组成。
（按内部是否有电源，或者看元件工作时是否消耗能量和将电能转换为其他电能量分为有源元件和无源元件）2.什么是负载？什么时带负载能力？把电能转换为其他形式的能量叫负载。
负载的变化对于电路输出特性（输出电压、输出电流）的影响很小，不会因负载的剧烈变化而变化，这就是电路的带负载能力。
3.什么是输入电阻和输出电阻？在独立源不作用（电压源短路、电流源开路）的情况下，由端口看入，电路可用一个等效电阻看待，这个等效电阻称为该电路的输入电阻Ri；从放大电路看入的等效内阻称为输出电阻Ro。
4.差模信号和共模信号两个大小相等、极性相反的一对信号称为差模信号。
两个大小相等、极性相同的一对信号称为共模信号。
在差动放大器中，有用信号用差模输入，干扰信号用共模输入，干扰信号将被抑制的很小。
5.阻抗匹配阻抗匹配指信号源或者传输线和负载之间的一种合适的搭配，阻抗匹配分为低频和高频两种情况讨论。
低频电路：负载电阻跟信号源内阻相等时，负载输出功率最大。
对于纯电阻电路，低、高频电路都适合此结论。
对于含有容性或感性电阻的交流电路，信号源与负载电阻的实部相等，虚部互为相反数，此为共轭匹配。
高频电路：负载阻抗和传输线的特征阻抗应该相等，这就是传输线的阻抗匹配。
否则在负载端会产生反射。
6.电压放大、电流放大、功率放大主要考虑的放大指标是什么，就叫什么放大。
例如只考虑输出功率与输入功率的关系，就叫功率放大，其实输出的还有电压。
7.晶体管工作在放大区、饱和区、截至区，发射结和集电结的偏置状况8.闩锁效应又称寄生pnpn效应或可控硅整流器效应，在整体硅的CMOS管下，不同极性掺杂的区域间都会构成PN结，而两个靠近的反方向的PN结就构成了一个双极性晶体三极管。
模电 知识点总结
模电知识点总结一、基本概念1. 电路元件：模拟电子技术的基本元件包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
其中，电阻用于限制电流，电容用于储存电荷，电感用于储存能量，二极管用于整流、开关等，晶体管用于放大、开关等。
2. 信号：在模拟电子技术中，信号是指随时间或空间变化的电压或电流。
常见的信号形式有直流信号、交流信号、脉冲信号等。
3. 放大器：放大器是模拟电子技术中的重要元件，用于放大输入信号的幅度。
常见的放大器有运放放大器、晶体管放大器等。
4. 滤波器：滤波器是用于选择特定频率范围内的信号，常用于滤除噪声、提取特定频率成分等。
5. 调制解调：调制是将基带信号调制到载波上，解调是将载波信号解调还原为基带信号。
调制解调技术是模拟电子技术中的重要应用之一。
二、基本电路1. 电阻电路：电阻是最基本的电路元件之一，常用于限制电流、调节电压和波形、分压等。
常见的电阻电路包括电压分压电路、电流分压电路、电阻网络等。
2. 电容电路：电容是能存储电荷的元件，常用于滤波、积分、微分等。
常见的电容电路包括RC电路、LC电路、多级滤波器等。
3. 电感电路：电感是储存能量的元件，常用于振荡器、磁耦合放大器等。
常见的电感电路包括RLC电路、振荡电路、滤波器等。
4. 滤波器电路：滤波器是用于选择特定频率范围内的信号的电路，常用于滤除杂散信号、提取特定频率成分等。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、陷波滤波器等。
5. 放大器电路：放大器是用于放大电压、电流信号的电路，常用于信号调理、传感器信号放大、运算放大器电路等。
常见的放大器电路包括运算放大器电路、放大器电路、多级放大器电路等。
6. 混频器电路：混频器是用于将两路信号进行混频得到中频信号的电路，常用于调频收音机、超外差接收机等。
常见的混频器电路包括倍频器电路、调频接收机电路、超外差接收机电路等。
7. 调制解调电路：调制解调电路是用于调制解调信号的电路，常用于调制解调的通信系统、调幅收音机、调频收音机等。
模电基础知识总结
模电基础知识总结导言模拟电子技术（Analog Electronics）是电子学的一个重要分支，包括分析和设计各种电子电路，以便于对在电子系统中表现为连续值的信号进行处理。
模拟电子技术是电子技术的核心内容之一，广泛应用于各种电子系统中。
本文将对模拟电子技术的基础知识进行总结。
电路基础电压、电流与电阻•电压：电荷的偏移量，单位为伏特（V）。
•电流：电荷单位时间通过导体的速度，单位为安培（A）。
•电阻：导体抵抗电流的能力，单位为欧姆（Ω）。
电路定律•欧姆定律: $ V = IR $•基尔霍夫定律:–基尔霍夫电压定律：节点电压之和为零。
–基尔霍夫电流定律：分支电流之和为零。
放大器放大器概述放大器是一种电子电路，用于增加信号的幅度。
放大器可以分为电压放大器、电流放大器和功率放大器等类型。
放大器特性•增益（Gain）：输出信号幅度与输入信号幅度的比值。
•带宽（Bandwidth）：放大器能够放大信号的频率范围。
•输入/输出阻抗：放大器的输入和输出接口的阻抗匹配对信号传输至关重要。
滤波器滤波器概述滤波器是一种能够选择特定频率信号的电路。
常见的滤波器类型包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
滤波器设计•利用电容和电感可以设计无源RC和RL滤波器。
•主动滤波器使用放大器来增强滤波效果。
•数字滤波器基于离散时间信号进行设计。
零件及器件二极管与晶体管•二极管：具有单向导电特性，用于整流和电压调节。
•晶体管：根据不同类型（NPN/PNP），可作为放大器、开关或振荡器使用。
集成电路•集成电路（IC）：将多个电子元器件集合在一起形成的整体，方便应用到复杂的电路中。
结论本文对模拟电子技术领域的基础知识进行了总结，涵盖了电路基础、放大器、滤波器和常见零部件等内容。
这些基础知识是深入理解模拟电子技术的关键，也是进行电路设计和分析的基石。
希望读者通过本文的学习，能够对模拟电子技术有更深入的了解。
以上是本文对模拟电子基础知识的总结，希望对您有所帮助。
模电知识点总结手写
模电知识点总结手写一、模拟信号的特点1、连续性：模拟信号是连续变化的信号，其数学模型可以用连续函数表示。
2、无限制：模拟信号的值域和定义域都是无限制的，可以取任何值。
3、多样性：模拟信号包含了丰富的信息，可以精确地反映原始信号的特征。
二、模拟信号的基本处理1、信号放大：通过放大电路可以增加信号的幅度，从而满足实际应用的需求。
2、信号滤波：滤波电路可以实现对信号的频率选择性放大或抑制，从而实现信号的滤波处理。
3、信号混频：混频电路可以实现不同频率信号的乘法运算，用于实现调频、解调等功能。
4、信号调制：调制电路可以将基带信号调制到高频载波上，实现信号的传输。
三、模拟电路的基本元件1、电阻：电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压的大小。
2、电容：电容是一种能够存储电荷的元件，用于实现信号的积分、微分等功能。
3、电感：电感是一种能够存储磁场能量的元件，用于实现信号的滤波和变压功能。
4、二极管：二极管是一种具有非线性特性的元件，用于实现整流、开关等功能。
5、晶体管：晶体管是一种具有放大功能的元件，用于实现信号的放大、放大等功能。
四、模拟电路的基本类型1、放大电路：放大电路是模拟电路中最基本的类型之一，用于实现信号的放大功能。
2、滤波电路：滤波电路可以对信号进行频率选择性处理，实现滤波功能。
3、混频电路：混频电路可以对不同频率的信号进行乘法运算，用于调频、解调等功能。
4、调制电路：调制电路可以将基带信号调制到高频载波上，实现信号的传输。
五、常用的模拟电子器件1、运算放大器：运算放大器是一种用于放大、滤波等功能的集成电路，广泛应用于模拟电路中。
2、电压比较器：电压比较器是一种用于比较两个电压大小的器件，用于开关控制等功能。
3、脉冲发生器：脉冲发生器是一种用于产生脉冲信号的器件，用于时序控制等功能。
4、信号发生器：信号发生器是一种能够产生各种信号波形的仪器，用于实验和测试。
5、示波器：示波器是一种用于显示信号波形的仪器，用于实验和测试。
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模电知识点总结笔试
模电知识点总结笔试一、基础理论知识1. 电子学基础（1）电子学的基本概念：电子、电荷、电流、电压等。
（2）半导体物理学：半导体材料的性质、PN结的特性等。
2. 电路基础（1）电路分析方法：基尔霍夫定律、戴维南定理、叠加原理等。
（2）电路中的元件：电阻、电容、电感等实际应用。
二、模拟信号处理1. 信号与系统（1）信号的分类：连续信号、离散信号、周期信号、非周期信号等。
（2）系统的分类：线性系统、非线性系统、时变系统、时不变系统等。
2. 模拟滤波（1）滤波器的分类：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。
（2）滤波器的设计：巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器等。
三、放大电路1. 放大器的基本概念（1）放大器的分类：按输入输出信号类型分为模拟放大器和数字放大器。
（2）放大器的性能参数：增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。
2. 放大电路设计（1）基本放大电路：共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
（2）放大电路稳定性分析：稳定性条件、负反馈、电容耦合等。
四、信号发生与调制1. 信号发生器（1）基本信号源：RC震荡器、LC震荡器、晶体振荡器等。
（2）信号源的稳定性分析：频率稳定度、振幅稳定度、相位噪声等。
2. 调制技术（1）调制原理：调频、调幅、调相等基本调制方式的原理和特点。
（2）调制电路设计：频率调制电路、幅度调制电路、相位调制电路等。
五、反馈电路1. 反馈的基本概念（1）反馈电路的分类：正反馈、负反馈。
（2）反馈电路的性能：增益稳定、带宽拓展、非线性失真降低等。
2. 反馈网络设计（1）反馈网络结构：电流负反馈、电压负反馈。
（2）反馈网络应用：放大电路、振荡器、滤波器等反馈电路的设计。
六、运算放大器1. 运算放大器的特性（1）运算放大器的基本原理：差分输入、单端输出、大增益、高输入阻抗等。
（2）运算放大器的理想模型：无输入偏置电流、无输入偏置电压等。
2. 运算放大器的应用（1）运算放大器在电路中的基本应用：比较器、积分器、微分器等。
模电基础知识
模拟电子技术基本知识第一章 半导体器件填空1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（杂质浓度）。
2、本征半导体中自由电子浓度（等于）空穴浓度。
.3、N 型半导体、P 型半导体均（呈中性）。
4、当PN 结正向偏置时，扩散运动（大于）漂移运动。
反向偏置时，扩散运动（小于）漂移运动。
5、在本征半导体中掺入少量（三 ）价元素可以构成P 型半导体。
掺入（五）价元素，构成N 型半导体。
6、当PN 结正向偏置时，空间电荷区（变窄 ），呈现的电阻性能（变小）。
7、当PN 结反向偏置时，空间电荷区（变宽 ），呈现的电阻性能（变大）。
8、P 型半导体中，电子浓度（小于）空穴浓度。
N 型半导体中，电子浓度（大于）空穴浓度。
9、当（发射结反向偏置、集电结反向偏置 ）时，晶体管工作在截止区。
10、当（发射结正向偏置、集电结反向偏置） 时，晶体管工作在放大区。
12、当（发射结正向偏置、集电结正向偏置）时，晶体管工作在饱和区。
13、晶体管发射结正偏，集电结反偏，若此时仅增大CE U ，则（I C 基本不变）。
14、场效应管是（电压控制电流）器件。
15、处于放大状态的NPN 型晶体管，各电极的电位关系是（E B CU U U >>）。
16、处于放大状态的PNP 型晶体管，各电极的电位关系是（C B EU U U >>）。
17O所示，则（VD 导通，U O =-10V ）18、二极管的死区电压（即开启电压）的大小与环境温度及材料有关，硅二极管的死区电压约为（0.5V ）。
19、锗材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压U D 为（0.2V ）。
20、某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（耗尽型NMOS ）场效应管。
21、测得工作在放大区的晶体管，各极对地电位分别为2.7V ，3V ，6.8V ，则对应的三个电极分别是（发射极，基极，集电极 ）22、测得工作在放大区的晶体管，各极对地电位分别为9V ，8.3V ，2V ，则对应的三个电极分别是（发射极，基极，集电极）23、在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U 1=3V ，U 2=﹣3V ，U 3=﹣2.7V ，则可知该管为（NPN 锗管）。
模电基础知识
模电基础知识目录一、模电概述 (2)二、模电基础知识 (2)1. 电路基本理论 (4)1.1 电路的基本概念 (5)1.2 欧姆定律与功率公式 (6)1.3 直流电路与交流电路 (7)2. 电子元器件 (8)2.1 电阻、电容、电感等被动元件 (9)2.2 二极管、晶体管等主动元件 (10)2.3 集成芯片与模块 (12)3. 信号与系统 (13)3.1 信号的概念及分类 (14)3.2 系统的基本概念 (16)3.3 信号传输与处理 (17)三、模电技术及应用领域 (19)1. 模电技术基础 (20)1.1 模数转换与数模转换 (21)1.2 放大、滤波、振荡等基础技术 (23)1.3 电路设计与调试 (24)2. 模电应用领域 (26)2.1 通信领域应用 (27)2.2 音频/视频领域应用 (28)2.3 自动化控制领域应用 (29)四、模电实验与项目实践 (31)1. 模电实验基础 (32)1.1 实验仪器介绍及使用方法 (33)1.2 实验设计与操作步骤 (34)1.3 实验数据分析与总结 (35)2. 模电项目实践 (36)2.1 项目选题及需求分析 (37)2.2 项目方案设计与实践过程介绍 (39)2.3 项目成果展示与评估 (39)五、模电技术发展趋势与挑战 (40)一、模电概述模拟电子技术（Analog Electronics）是电子工程领域的一个重要分支，主要研究模拟信号的生成、处理、传输和测量。
与数字电子技术相比，模拟电子技术主要处理连续变化的信号，如电压、电流等，而不是离散的数字信号。
在模拟电子技术中，基本的元件包括电阻、电容、电感、二极管和晶体管等。
这些元件通过电路设计组合在一起，形成各种复杂的模拟电路。
模拟电路可以对输入信号进行放大、滤波、调制、解调等多种操作，从而实现信号的处理、变换和传输等功能。
模拟电子技术在许多领域都有广泛的应用，如通信、音频处理、图像处理、自动控制等。
模电基础知识
模电基础知识模拟电路基础复资料一、填空题1.在P型半导体中，多数载流子是空穴，而少数载流子是自由电子。
2.在N型半导体中，多数载流子是电子，而少数载流子是空穴。
3.当PN结反向偏置时，电源的正极应接N区，电源的负极应接P区。
4.当PN结正向偏置时，电源的正极应接P区，电源的负极应接N区。
4.1 本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构完整的半导体。
掺入五价微量元素形成N型半导体，其电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
掺入三价微量元素形成P型半导体，其空穴为多数载流子，而电子为少数载流子。
4.2 二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少数载流子的漂移运动形成的。
4.3 二极管具有单向导电性，由PN结构成。
其主要特性有掺杂性、热敏性、光敏性。
可作为开关、整流、限幅等用途。
硅二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V，锗二极管的死区电压约为0.1V，导通压降约为0.2V。
5.三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态。
作为放大器时，应工作在放大状态；作为开关时，应工作在截止或饱和状态。
5.1 三极管具有发射结和集电结两个结，饱和时两个结都应正偏，截止时两个结都应反偏。
放大时，发射结应正向偏置，集电结应反向偏置。
5.2 三极管放大电路主要有三种组态，分别是共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。
共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。
共基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。
且共基接法的输入电阻比共射接法低。
5.3 共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器，其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。
5.4 单管共射放大电路中，交直流并存，有电压放大作用，有倒相作用。
5.5 微变等效电路法适用条件为微小交流工作信号和三极管工作在线性区。
5.6 图解法优点是既能分析静态，也能分析动态工作情况，直观形象，适合分析工作在大信号状态下的放大电路。
模电基础知识
1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点?答：频率特性好、体积小、功耗小，便于电路的集成化产品的袖珍化，此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出；但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。
2、什么是本征半导体和杂质半导体？答：纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。
在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。
3、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。
空穴导电时等电量的电子会沿其反方向运动。
4、制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂？答：按百万分之一数量级的比例掺入。
5、什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象?答：多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体。
反之，多数载子为空穴的半导体叫P型半导体。
P型半导体与N型半导体接合后便会形成P-N结。
6、PN结最主要的物理特性是什么？答：单向导电能力和较为敏感的温度特性。
7、PN结还有那些名称？答：空间电荷区、阻挡层、耗尽层等。
8、PN结上所加端电压与电流是线性的吗?它为什么具有单向导电性?答：不是线性的，加上正向电压时，P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象，导致阻挡层变薄，正向电流随电压的增长按指数规律增长，宏观上呈现导通状态，而加上反向电压时，情况与前述正好相反，阻挡层变厚，电流几乎完全为零，宏观上呈现截止状态。
这就是PN结的单向导电特性。
9、在PN结加反向电压时果真没有电流吗?答：并不是完全没有电流，少数载流子在反向电压的作用下产生极小的反向漏电流。
10、二极管最基本的技术参数是什么？答：最大整流电流11、二极管主要用途有哪些？答：整流、检波、稳压等。
12、晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的?答：通过电流分配关系。
13、能否用两只二极管相互反接来组成三极管？为什么？答：否；两只二极管相互反接是通过金属电极相接，并没有形成三极管所需要的基区。
(完整版)模电知识总结
第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。
1、导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。
2、本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。
3、杂质半导体（1）N型半导体——掺入五价元素（2）P型半导体——掺入三价元素4、PN结——P型半导体和N型半导体的交界面在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压5、PN结的单向导电性——外加电压正向偏置反向偏置6、二极管的结构、特性及主要参数（1）P区引出的电极——阳极；N区引出的电极——阴极温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。
二极管的特性对温度很敏感。
其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压——0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电流<0.1μA，锗的开启电压——0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十μA。
（2）主要参数1）最大整流电流I：最大正向平均电流2）最高反向工作电流U：允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半3）反向电流I：二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对温度越敏感4）最高工作频率f：二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性7、稳压二极管在反向击穿时在一定的电流范围内（或在一定的功率耗损范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。
（1）稳压管的伏安特性（2）主要参数1）稳定电压U：规定电流下稳压管的反向击穿电压2）稳定电流I：稳压管工作在稳定状态时的参考电流。
电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，只要不超过稳压管的额定功率，电流越大稳压效果越好。
模电常见知识点总结
模电常见知识点总结一、基本概念1. 电压、电流、功率：电压是电势差，单位是伏特；电流是电荷在单位时间内通过导体的数量，单位是安培；功率是单位时间内能量的转化率，单位是瓦特。
2. 电路元件：电路元件主要包括电阻、电容和电感。
电阻是电流对电压的阻碍作用，单位是欧姆；电容是储存电荷的能力，单位是法拉；电感是存储磁场能量的元件，单位是亨利。
3. 信号处理：模拟信号是连续的信号，可以采用模拟电子技术进行处理。
模拟信号的处理包括滤波、放大、混频等操作。
4. 放大器：放大器是一种能够增加信号幅度的电路，通常包括运放放大器、功率放大器等类型。
5. 混频器：混频器是一种能够将两个不同频率的信号进行混合的电路，主要用于调频、调相和倍频等应用。
6. 滤波器：滤波器可以根据频率特性对输入信号进行滤波，主要包括低通滤波器、带通滤波器和高通滤波器等。
7. 稳压器：稳压器是一种能够在负载变化时保持输出电压稳定的电路，主要包括线性稳压器和开关稳压器。
8. 模拟信号的采样与保持、量化与编码：在数字信号处理中，要将模拟信号转换为数字信号，需要进行模拟信号的采样与保持、量化与编码等操作。
二、基本电路分析方法1. 基尔霍夫定律：基尔霍夫定律是电路分析中的重要方法之一，包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。
2. 节点分析法和支路分析法：节点分析法和支路分析法是电路分析中常用的两种方法，用于求解电路中的电压和电流。
3. 物理尺解法：物理尺解法是一种将电路问题转化为几何问题进行求解的方法，通常用于分析长线搭接、三角形回路等特殊电路。
4. 电压源法和电流源法：电压源法和电流源法是一种简化复杂电路的方法，适用于求解电路中的等效电阻和电流分布。
5. 理想变压器：理想变压器是一个重要的电路模型，可以通过它来求解电路中的电压和电流。
6. 交流电路分析：交流电路分析是模拟电子技术中的重要内容，包括交流电路中的阻抗、功率、相位等内容。
7. 电路的频率响应：电路的频率响应是指电路对不同频率信号的响应情况，可以通过传递函数或频率特性曲线来描述。
模电基本知识点总结
模电基本知识点总结一、基本电子元件在模拟电子技术中，常用的基本电子元件包括电阻、电容、电感和二极管、晶体管等。
下面我们来介绍一下这些基本电子元件的特性和应用。
1. 电阻电阻是用来限制电流的一种电子元件，它的电阻值用欧姆（Ω）来表示。
电阻的大小取决于材料的电阻率和尺寸。
在实际电路中，电阻通常用来分压、限流、接地等。
电阻的连接方式有串联和并联两种。
2. 电容电容是用来存储电荷的一种电子元件，它的容量用法拉得（F）来表示。
电容的存储能力取决于材料的介电常数和结构。
在实际电路中，电容通常用来滤波、隔直、储能等。
电容的连接方式有串联和并联两种。
3. 电感电感是用来储存能量的一种电子元件，它的电感值用亨利（H）来表示。
电感的大小取决于线圈的匝数和磁芯的材料。
在实际电路中，电感通常用来滤波、隔交、振荡等。
电感的连接方式有串联和并联两种。
4. 二极管二极管是一种非线性元件，它的特性是只允许电流单向通过。
二极管的主要作用是整流、限流、反向保护等。
常见的二极管有硅二极管、锗二极管、肖特基二极管等。
5. 晶体管晶体管是一种半导体器件，它主要有三个端子：发射极、基极和集电极。
晶体管有两种类型：NPN型和PNP型。
晶体管可以作为信号放大、开关、振荡等。
常见的晶体管有通用型晶体管、场效应晶体管、双极型晶体管等。
二、放大器放大器是模拟电子电路中起放大作用的重要器件，其作用是放大输入信号的幅度，以便驱动负载。
根据放大器的工作方式和放大电路的结构，放大器大致可以分为三类：电压放大器、电流放大器和功率放大器。
1. 电压放大器电压放大器是将输入信号的电压放大到较大的幅度，以便驱动负载。
常见的电压放大器有共射放大器、共集放大器、共源放大器等。
这些电压放大器基本上由晶体管、耦合电容、电阻等元件组成。
2. 电流放大器电流放大器是将输入信号的电流放大到较大的幅度，以便驱动负载。
常见的电流放大器有共基放大器、共漏放大器、共栅放大器等。
这些电流放大器基本上由晶体管、耦合电容、电阻等元件组成。
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模拟电子技术基础知识1-6第一章半导体器件填空1.弄清半导体基本概念：本证半导体、在杂质半导体、N型半导体、P型半导体、多子、少子、扩散运动、漂移运动。
2.本征半导体中自由电子浓度（等于）空穴浓度。
杂质半导体多数载流子的浓度取决于（杂质浓度）。
N型半导体、P型半导体均（呈中性）。
3.当PN结正向偏置时，多子扩散运动（大于）少子漂移运动。
反向偏置时，多子扩散运动（小于）少子漂移运动。
4.当PN结正向偏置时，空间电荷区（变窄），呈现的电阻性能（变小）。
PN结反向偏置时，空间电荷区（变宽），呈现的电阻性能（变大）。
PN结中的内电场方向是（N区指向P区）。
5.当PN结正向偏置时，内电场（减弱）。
当PN结反向偏置时，内电场（增强）。
6.二极管的死区电压（即开启电压）的大小与环境温度及材料有关，硅二极管的死区电压约为（0.5V ）。
锗二极管的死区电压约为（0.1V ）。
7.锗材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压U D为（0.2V）。
硅管为（0.7v）。
8.O所示，则（VD 导通，U O =-10V ）9.二极管的电流方程是（/(1)T u U s I e - ）。
10.在图示电路中A 点电位为3V ，B 点电位为0V ，F 点的电位为（3V ）。
11. 在图示电路中A 点电位为3V ，B 点电位为0V ，F 点的电位为（0V ）。
12. 图示电路，当A=3V ，B=3V 时，二极管D1（导通 ），D2（导通 ）。
13.在图示电路中A 点电位为3V ，B 点电位为3V ，F 点的电位为（3V ）。
14. 图示电路， 3i U V =，电阻R ＝1k Ω，二极管的正向压降为0.7V ，则o U 为（0.7V ）。
15. 图示电路， 3i U V =，电阻R ＝1k Ω，二极管的正向压降为0.7V ，则o U 为（1.5V ）。
16. 图示电路， 3i U V =，电阻R ＝1k Ω，二极管的正向压降为0.7V ，则o U 为（4.3V ）。
17. 晶体管工作在截止区时，（发射结反向偏置、集电结反向偏置 ）。
晶体管工作在放大区时，（发射结正向偏置、集电结反向偏置）。
晶体管工作在饱和区时，（发射结正向偏置、集电结正向偏置）。
18. 晶体管发射结正偏，集电结反偏，若此时仅增大CE U ，则（I C 基本不变）。
19. 处于放大状态的NPN 型晶体管，各电极的电位关系是（E B C U U U >>）。
测到三极直流电位，介于中间的为（基极），与基极相近的为（射极），剩余的为（集电极）。
20. 处于放大状态的PNP 型晶体管，各电极的电位关系是（C B E U U U >>）。
测到三极直流电位，介于中间的为（基极），与基极相近的为（射极），剩余的为（集电极）。
21. 测得工作在放大区的晶体管，各极对地电位分别为2.7V ，3V ，6.8V ；9V ，8.3V ，2V ；－10V ，－6V ，－6.2V ，则对应的三个电极分别是（发射极，基极，集电极 ）；（发射极，基极，集电极）；（集电极，发射极，基极）。
22.在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（NPN锗管）。
某一正常工作的晶体三极管测得三个管脚对“地”的电位分别为：－10V，－6V，－6.2V，则该三极管为（PNP 锗管）。
23.BJT管是（电流控制电流）器件。
测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA、3.66mA和3.6mA。
则该管的β值为（60）。
24.某硅半导体三极管各电极对地的电压值为V C＝6V，V B＝0.7V，V E＝0V，晶体管工作在（放大区）。
25.某硅半导体三极管各电极对地的电压值为V C＝6V，V B＝2V，V E＝1.3V，晶体管工作在（放大区）。
26.当温度升高时，半导体三极管的参数将发生的变化是（β增加，Iceo增加，U减小）。
温度升高时，BJT的BE输出特性曲线（上移）。
27.根据晶体管的工作状态不同，可以将输入输出伏-安特性曲线分为(放大区、饱和区、截止区)三个区。
28.某工作在放大状态的三极管，当基极电流I由60μA降B 低到40μA时，集电极电流I由2.3mA降低到1.5mA，C则此三极管的动态电流放大系数β为（40）。
29.晶体管能够放大的内部条件是（发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大）。
30.某晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为（0.98 ）mA。
31.场效应管是（电压控制电流）器件。
32.N沟道JFET正常工作时，栅极与源极间所加电压的极性为（负）。
33.场效应管的三个工作区域包括（可变电阻区、恒流区、夹断区）。
34.N沟道JFET符号为（）。
35.对于结型场效应管，栅、源极之间的PN结（必须反偏）。
36.某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（耗尽型NMOS）场效应管。
37.当场效应管的漏极直流电流I从2mA变为4mA时，D它的低频跨导g将（增大）。
m38.N沟道增强型MOSFET符号为（）39.MOSFET是利用栅源电压的大小来控制（漏极）电流的大小。
判断1.半导体导电机理与导体导电机理一样，都是仅仅由于自由电子的定向移动形成。
（N ）2.温度对本征半导体的导电性能几乎没有影响。
（N ）3.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（Y ）4.稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在正向导通状态。
（N ）5.半导体共价键中的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子的现象称为本征激发。
（Y ）6.在本征半导体中，自由电子与空穴总是成对出现的。
（Y ）7.在本征半导体中掺入少量5价元素杂质，可以构成N型半导体。
（Y ）8.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（Y ）9.PN结正偏时，内电场与外电场方向相反。
（Y ）10.PN结正偏时，内电场与外电场方向相同。
（N ）11.在电场力作用下，载流子的运动称为扩散运动。
（N ）12.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电；P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（N ）13.稳压二极管的稳定电流是稳压管工作在稳压状态时的参考电流，只要不超过额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。
（Y ）14.稳压二极管的动态电阻愈大，稳压管的稳压特性愈好。
（N ）15.稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，称这个电阻为限流电阻。
（Y ）16.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（N ）17.物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。
（Y）18.当PN结的反向电压超过一定数值后，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。
击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种。
（Y）19.在一定条件，PN结具有电容效应，根据产生原因的不同分为势垒电容和扩散电容。
（Y ）20.最大整流电流是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。
（Y）21.二极管最高反向工作电压就是击穿电压。
（N ）22.晶体管比效应管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
（N ）23.半导体之所以被重视，是因为其导电能力在不同的条件下有显著的差异。
（Y ）24.二极管可以长期使用，通过它的电流不受限制。
（N ）25.二极管正偏导通时可以用开路取代，反偏截止时可以用短路取代。
（N ）26.当晶体管工作在饱和区时，晶体管失去线性放大作用。
（Y ）27.工作在放大区的晶体管具有线性放大作用。
（Y ）28.在晶体管中发射结是指基区与集电区之间的PN结。
（N ）29.在开关电路中，晶体管工作在截止区或饱和区，相当于一个开关的断开或接通。
（Y ）30.不论何种类型的晶体管，其内部均有发射区、基区和集电区3个区。
（Y ）31.硅管比锗管受温度影响要大的多。
（N ）32.场效应管靠半导体中的多数载流子导电，称双极型晶体管。
（N ）33.N沟道结型场效应管中的载流子是电子和空穴。
（N ）34.P沟道结型场效应管中的载流子是电子和空穴。
（N ）35.所谓耗尽型场效应管是指当栅源间不加电压时，就存在导电沟道。
（Y ）36.当栅源间不加电压时，没有导电沟道的场效应管属于增强型场效应管。
（Y ）37.对于JFET管，在可变电阻区改变栅源电压的大小可以有效地控制沟道电阻的大小。
（Y ）38. 当JFET 工作特性进入恒流区时，漏极电流基本保持不变。
（Y ）39. JFET 是电压控制电流器件，漏极电流受栅源间电压的控制。
（Y ）40. 利用场效应管做放大管时，应使其工作在恒流区。
（Y ）第二章 基本放大电路填空1、对于基本共射放大电路的特点，输出电压与输入电压相位关系是（输出电压与输入电压相位相反 ）。
2、在基本共射极放大电路中，集电极电阻C R 的作用是（将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量）3、在放大电路中，若负载电阻R L 越大，则其电压放大倍数（ 越大）。
4、共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位关系为（同相）。
5、电路如下图所示，已知U CC ＝12V ，R C ＝3k Ω，β＝40,忽略BE U ，若要使静态时V U CE9 ，则B R 应取（ 480k Ω）。
6、如下图所示放大电路中，电容C断开后电路的E电压放大倍数将（减小）。
7、用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如图所示，判断其属于何种类型的失真（截止失真）。
8、由NPN管组成的单极共射放大电路，当输入正弦波电压时，输出U O如下图所示，可确定输出波形产生的失真为（饱和失真）。
9、放大电路的哪一个性能指标决定了放大电路放大能力的大小。
（电压增益）10、放大电路的哪一个性能指标决定了放大电路从信号源吸取信号辐值的大小。
（输入电阻）11、放大电路的哪一个性能指标决定了放大电路带负载能力的大小。
（输出电阻）12、输入端信号的峰－峰值电压为5mV，输出端测到的信号峰—峰值电压为1V，则电压增益为（200 ）。
13、射极输出器的电压放大倍数( 小于1但接近于1 )。
14、交流信号放大电路产生饱和失真的原因是（静态工作点选择过高）。
15、作放大电路的交流通路时，电路中的电容相当于（短路），直流电源相当于（短路）。
16、作放大电路的直流通路时，电路中的电容相当于（开路），信号源相当于（短路）。
17、共集电极放大电路的电压放大倍数（小于1），而电流放大倍数（很大）。
18、既能放大电流又能放大电压的放大组态是（共射放大电路）。
19、常用于电压放大电路的输入级和输出级的电路是（共集放大电路）。
20、常用于宽频带放大电路的是（共基放大电路）。
21、常做为低频电压放大电路的单元电路的是（共射放大电路）。
22、如下图所示的放大电路中，如果放大电路的所有参数均不变，但去掉旁路电容C e，则电路的电压放大倍数和输入电阻将怎样变化（电压放大倍数减小、输入电阻增大）。