2005-2006(2)模拟电子技术基础-B卷(张根保出题)

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浙江传媒学院《模拟电子技术》期终试卷(A卷)

浙江传媒学院《模拟电子技术》期终试卷（A卷）2005–2006学年第一学期任课教师系班姓名学号得分一、单项选择题（每小题2分，共30分）1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示，当输入电压Ui=9V时，输出电压Uo为( )。

A.3VB.6VC.9VD.15V2.三极管的主要参数Iceo的定义是( )。

A.集电极—发射极反向饱和电流B.集电极—基极反向饱和电流C.集电极最大允许电流D.集电极—发射极正向导通电流3.场效应管的转移特性如下图，则该管为( )。

A.Ｎ沟道耗尽型FETB.Ｎ沟道增强型FETC.Ｐ沟道耗尽型FETD.Ｐ沟道增强型FET4.普通硅二极管的死区电压为( )。

A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.1.0V5. P型半导体可以在纯净半导体中掺入( )价元素实现。

A. 3B. 4C. 5D. 66. 某三极管处于放大工作状态，则其发射结和集电结的偏置为( )。

A. 正偏，正偏B. 正偏，反偏C. 反偏，正偏D. 反偏，反偏7.某三极管接在电路上，它的三个管脚的电位分别为U1=6V，U2=5.4V，U3=12V，则对应该管的管脚排列依次是( )。

A. E、B、CB. B、E、CC. B、C、ED. C、B、E8.共集电极放大电路的特点是( )。

A.输入电阻很小，输出电阻很大B.输入电阻很大，输出电阻很小C.电压放大倍数很高D.可用作振荡器9.下图所示电路是( )。

A.加法运算电路B.减法运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路10.下图的放大器输出Ｕo为( )。

A. U o=-U i R f/R iB. U o=U i R f/R iC. U o=(1+R f/R i)U iD. U o=- (1+R f/R i)U i11.测得某交流放大电路的输出端开路电压的有效值U o=4V,当接上负载电阻R L=6kΩ时，输出电压下降为U o=3V，则交流放大器的输出电阻R o是( )。

A.6kΩB.4kΩC.2kΩD.1kΩ12.在开环放大电路中引入( )负反馈，可使输入电阻增大。

全国2005年4月高等教育自学考试电子技术基础（二）试题课程代码02273

全国2005年4⽉⾼等教育⾃学考试电⼦技术基础（⼆）试题课程代码02273浙02273# 电⼦技术基础（⼆）试题第 1 页（共 5 页）全国2005年4⽉⾼等教育⾃学考试电⼦技术基础（⼆）试题课程代码：02273⼀、单项选择题（本⼤题共14⼩题，每⼩题1分，共14分）在每⼩题列出的四个备选项中只有⼀个是符合题⽬要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均⽆分。

1.N 型半导体是在本征半导体中掺⼊（）A.3价元素B.4价元素C.5价元素D.6价元素2.为提⾼⼯作点的稳定性，集成电路中普遍采⽤（）A.分压式电流负反馈偏置B.固定偏置C.恒流源偏置D.电压负反馈偏置3.某仪表放⼤电路，要求输⼊电阻⼤，输出电流稳定，应选⽤（）A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈4.在放⼤电路中，当f=f H 时，电压放⼤倍数A u 是中频时电压放⼤倍数A sm 的（） A.0.707倍 B.1倍C.0.9倍D.2倍5.为提⾼共模抑制⽐应采⽤（）A.共射放⼤电路B.共基放⼤电路C.多级放⼤电路D.差动放⼤电路6.电容三点式正弦波振荡器的振荡频率为（） A.C L 21f 10π= B. RC 21f 0π= C. C L 21f 0'π= D. 21210c c c c L 21f +π=7.单相桥式整流电路的输⼊电压tV sin 210u 2ω=时则输出电压平均值为（）A.20VB.10VC.9VD.V 2108.下列数据中，数值最⼤的数据为（）A.（32）16B.（61）8C.（110110）2D.（52）109.逻辑表达式)CA⊕写成与或形式为（）B(A.CA+ B.ABCBCBAA+BCC.CA+ D.ABCBABCA+CB10.下列门电路中输出端并联后可以正常⼯作的是（）A.TTL与⾮门B.CMOS与⾮门C.集电极开路的TTL与⾮门D.TTL或⾮门11.设集成⼗进制加法计数器的初始状态为Q4Q3Q2Q1=0000，当输⼊时钟CP频率为1KHZ 的脉冲时，经过12ms以后计数器的状态为（）A.0010B.0100C.1010D.110012.能够改变脉冲波形宽度的功能电路为（）A.译码器B.D/A转换器C.A/D转换器D.单稳态触发器13.D/A转换是（）A.模拟量到数字量的转换B.数字量到模拟量的转换C.⾼电平到低电平的转换D.低电平到⾼电平的转换14.可以随时读出数据和写⼊数据的存储器为（）A.ROMB.EEPROMC.RAMD.GAL⼆、填空题（本⼤题共10⼩题，每⼩题1分，共10分）请在每⼩题的空格中填上正确答案。

模拟电子技术ⅡB习题答案及评分标准

(模拟电子技术Ⅱ)课程考试试卷(B)卷考试时间 120分钟，满分100分要求：闭卷[√ ]，开卷[ ]；答题纸上答题[√]，卷面上答题[ ] (填入√)一、填空（20分）1．PN 结加反向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．当晶体管工作在放大区时，发射结电压偏，集电结电压应为偏。

3．工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到32μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为。

4．在本征半导体中加入五价元素，形成N 型半导体，其多数载流子为：。

5．放大电路的静态分析通常使用的两种方法是、。

6．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

7．差分放大电路主要用来抑制。

8．振荡电路一般有三种，分别是：、、。

9．互补对称式功率放大电路中，根据静态工作点的设置不同，电路可以处在甲类、乙类和甲乙类，则甲类功放电路缺点是：，乙类功放电路的缺点是：，甲乙类功放电路的优点是：。

10．整流的作用是将电转换成电。

11．集成运放理想化的三个条件是：、、。

二、（10分）如图示，tV u V E i ωsin 105==，，二极管正向压降忽略，画出输出电压uo 的波形。

（第二题图）三、（15分）电路如图所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。

（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的Au 和Ri 及Ro 。

四、（10分）已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数Au f ＝20，其基本放大电路的电压放大倍数Au 的相对变化率为10％，Au f 的相对变化率小于0.1％，试问F 和Au 各为多少？（第四题图）（第五题图）五、（10分）判断如图的电路为什么类型的负反馈？六、（10分）求如图输出U O 与输入U I2、U I2之间的关系。

（第六题图）（第七题图）七、（10分）计算如图中的阈值电压，并画出电压传输特性。

模拟电子技术模拟考题二及参考答案.doc

模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。

(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。

(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。

(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。

(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。

(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。

(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。

(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。

（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。

(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。

模拟电子技术基础试卷(含答案)

电路与电子技术基础复习资料一、填空（25分）1．二极管最主要的特性是。

2．三极管是控制型器件，而场效应管是控制型器件。

3．射极输出器具有______________恒小于1、接近于1，______________ 和__________同相，并具有_____________高和_______________低的特点。

5．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V，经过电容滤波后为________V二极管所承受的最大反向电压为 V。

6、在门电路中，最基本的三种门电路是门门和门。

7．时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为时序电路和时序电路。

8. 逻辑代数又称为代数。

最基本的逻辑关系有、、三种。

9、T触发器的特征方程为，JK触发器的特征方程为。

10、二进制码11000101表示的十进制数为，相应的8421BCD码为。

二、单项选择题（每小题 2分，总共20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为（）。

A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。

A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。

A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大4．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。

A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容 C．效率高 D．无交越失真5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。

A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。

A7.同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者。

A.没有触发器B.没有统一的时钟脉冲控制C.没有稳定状态D.输出只与内部状态有关8. 基本RS触发器的原始状态Qn为“0”态，只要SD来负脉冲触发，就会使触发器。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）

（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（）a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。

a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）。

a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。

a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（）。

(完整版)模拟电子技术复习题(含答案)

模拟电子技术复习题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。

）第二章（× ）1. 运算电路中一般引入正反馈。

（ √ ）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

第三章（× ）1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（× ）2. 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（× ）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。

（√ ）4. N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（× ）5. 二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。

（√ ）6. PN 结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。

（ × ）7. 未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。

第四章（√ ）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（√ ）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。

（× ）3. 晶体管的参数不随温度变化。

（√ ）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。

（ × ）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。

（√ ）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。

（ × ）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（× ）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。

（× ）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。

（× ）10. 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT 特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。

（× ）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。

（ √ ）12. 射极输出器的输入电流是B i ，输出电流是E i ，因此具有较高的电流放大倍数。

06级计本《模电》统考试题B

2007～2008 学年度第一学期《模拟电子技术》试卷（B 卷）适用专业年级：2006级计算机科学与技术注：学生在答题前，请将密封线内各项内容准确填写清楚，涂改及模糊不清者、试卷作废。

一、填空题（每空1分，共 13 分。

请将答案填在下面的横线上）1．当PN 结外加正向电压时，P 区接电源极，N 区接电源极，此时，扩散电流漂移电流。

2．三极管能起放大作用的外部条件是：发射结，集电结。

3．共发射极电路又可称为，共集电极电路又可称为，共基极电路又可称为。

（A 电压跟随器；B 反相电压放大器；C 电流跟随器）4．场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

5．正弦波振荡电路通常由放大电路，，和四部分组成。

二、判断题（对的打“∨”，错的打“⨯”。

每小题 1分，共 10分） 1.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）2.稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。

（）3.反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。

（） 4.电压比较器中的集成运放工作在非线性区。

（） 5.集成运放是直接耦合的多级放大电路。

（） 6.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）7.放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。

（） 8.共集放大电路A U <1，电路不可能有反馈。

（） 9.只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。

（） 10.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

（）三、单项选择题（每空2分，共 32 分）注：请将答案填在下表相应表格中！1、N 型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

Ａ.空穴Ｂ.三价元素硼 C.五价元素锑2、测得放大电路中三极管的各极电位如图1所示，则该三极管为( ）。

A.NPN ，硅管 B.PNP ，硅管 C. NPN ，锗管 D. PNP ，锗管图1 图23、一个晶体管的极限参数为P CM =100mW ，I CM =20mA ，U (BR)CEO =15V ，则下列( ）是正常工作状态。

2005—2006学年第二学期《模拟电子技术》试卷A卷

2005—2006学年第二学期《模拟电子技术》试卷A卷一、（20分）放大电路如图所示，设各电容对交流可视为短路。

已知BJT的VBE=0.6V，β=50，1．试估算各静态值IB 、IC和VCE；2．求晶体管的输入电阻rbe；3．画出小信号等效电路；4．求电压放大倍数5．求该放大电路的输入电阻Ri和输出电阻RO；6．若该放大电路出现饱和失真，应该改变哪个电阻，怎么改变（增大、减小）？v - 二、（10分）电路如图所示，已知RL=8Ω，设vi为正弦波，BJT的饱和压降VCES可以忽略不计，电源电压VCC=15V。

（1）说明D1和D2的作用。

（2）此电路是何种类型电路（甲类、甲乙类、乙类、丙类）？（3）求最大输出功率Pom 。

（4）若选择BJT功率管参数为ICM=2A ,V(BR)CEO=28V, PCM=3W , 该功放的BJT能否安全工作?共 5 页第 1 页三、（5分）图示电路中，已知输入电压vi=10sinωt V，E＝5V，请画出输出电压vo的波形。

（稳压管Vz=7V）+15V四、（15分）下图是一个双端输出的差动放大电路。

已知Vcc=10V，-VEE=-10V，R c1= R c2=5kΩ，RL=10kΩ，T1和T2的β=60，VBE=0.6V。

IO＝2mA, rO =100 kΩ。

1. 求Q点（IB1、IC1、VCE1 ）；2. 求差模增益Avd=？差模输入电阻Ri和输出电阻RO3.若vi1=10sinωt mV，vi2=5sinωt mV,求电路的差模输入电压、共模输入电压和输出电压vo ；+VCC +v--VEE共 5 页第 2 页五、（12分）图示电路中的A1、A2为理想的集成运放。

1. 试说明级间反馈元件及引入的反馈是正反馈还是负反馈、是串连反馈还是并联反馈、是电压反馈还是电流反馈；2. 该反馈的引入,对输出电压、输出电流、输出电阻和输入电阻有无性能改善作用？并说明之。

3. 求深负反馈条件下的闭环电压增益vO。

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。

在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。

）1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（）a.Lm R g ' b.s m Lm 1R g R g +'-C.L m R g '- d.m L /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i 为（）a. R g +(R g1//R g2)b. R g //(R g1+R g2)c. R g //R g1//R g2d.[R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S7. 直流负反馈是指（） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。

(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

模拟电子技术基础习题册.docx

模拟电⼦技术基础习题册.docx专业姓名学号成绩1-1 、写出如图所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝。

1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。

（1）变压器副边电压有效值U2≈（2）设电⽹电压波动范围为±10％。

在选择⼆极管的参数时，其最⼤整流平均电流 I F和最⾼反向电压 U R的下限值约为多少1-3 、电路如图所⽰，变压器副边电压有效值为 2U2。

（1）画出u2、u D 1和u O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）⼆极管的平均电流I D（AV）和所承受的最⼤反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所⽰，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。

试问：（1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（2）各⼆极管承受的最⼤反向电压为多少1-5 、试在如图所⽰电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得⼏倍压的输出。

1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最⼩值IZmin ＝ 5mA。

求图所⽰电路中U和 UZ O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩I Zmin＝5mA，最⼤稳定电流1-7 、已知图所⽰电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最⼩稳定电流I Zmax＝25mA。

（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么1-8 、电路如图所⽰。

（1）分别标出u O1和u O2对地的极性；（2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流（3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少1-9 、电路如图所⽰，已知稳压管的稳定电压为 6V，最⼩稳定电流为 5mA，允许耗散功率为240mW，动态电阻⼩于 15Ω。

模拟电子技术基础-试题(B)附答案

第1页共5页一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上）1、场效应管被称为单极型晶体管是因为。

2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在区时， b I Ic β<。

3、场效应管可分为型场效应管和结型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路只能放大电压不能放大电流。

5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的视为开路，视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、和耦合等。

7、晶体管是利用极电流来控制极电流从而实现放大的半导体器件。

8、放大电路的交流通路用于研究。

9、理想运放的两个输入端虚断是指。

10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。

若输出电压置零后反馈不复存在则为。

11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为。

12、通用集成运放电路由、、输出级和偏置电路四部分组成。

13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是相输入端，否则该输入端是相输入端。

14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的，越大越好，越小越好。

二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上）、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将。

A ：稳压效果变差B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降C ：截止D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为。

A ：饱和状态B ：截止状态C ：放大状态D ：不能确定3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为。

A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管C ： NPN 型硅管D ：PNP 型锗管图1 图24、电路如图2所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，关于输出电压的说法正确的是。

模拟电子技术教程(张剑平) 课后习题答案

第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。

（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

（×）（3）线性电路一定是模拟电路。

（√）（4）模拟电路一定是线性电路。

（×）（5）放大器一定是线性电路。

（√）（6）线性电路一定是放大器。

（×）（7）放大器是有源的线性网络。

（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。

（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。

（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。

（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。

（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。

（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。

（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。

（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。

（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。

（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。

（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。

（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。

3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。