高频-第2章 高频电路基础 (3)滤波器与阻抗变换

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高频2章

高频2章

第2章 小信号选频放大器在无线通信中,发射与接收的信号应当适合于空间传输。

所以,被通信设备处理和传输的信号是经过调制处理过的高频信号,这种信号具有窄带特性。

而且,通过长距离的通信传输,信号受到衰减和干扰,到达接收设备的信号是非常弱的高频窄带信号,在做进一步处理之前,应当经过放大和限制干扰的处理。

这就需要通过高频小信号放大器来完成。

这种小信号放大器是一种谐振放大器。

混频器输出端也接有这种小信号放大器,作为中频放大器对已调信号进行放大。

高频小信号放大器广泛用于广播、电视、通信、测量仪器等设备中。

高频小信号放大器可分为两类:一类是以谐振回路为负载的谐振放大器;另一类是以滤波器为负载的集中选频放大器。

它们的主要功能都是从接收的众多电信号中,选出有用信号并加以放大,同时对无用信号、干扰信号、噪声信号进行抑制,以提高接收信号的质量和抗干扰能力。

2.1 谐振回路谐振放大器常由晶体管等放大器件与LC 并联谐振回路或耦合谐振回路构成。

它可分为调谐放大器和频带放大器,前者的谐振回路需调谐于需要放大的外来信号的频率上,后者谐振回路的谐振频率固定不变。

集中选频放大器把放大和选频两种功能分开,放大作用由多级非谐振宽频带放大器承担,选频作用由LC 带通滤波器、晶体滤波器、陶瓷滤波器和声表面波滤波器等承担。

目前广泛采用集中宽频带放大器。

高频小信号放大器主要性能指标有:谐振增益、通频带、选择性及噪声系数等。

一、LC 并联谐振回路 信号源与电感线圈和电容器并联组成的电路,叫做LC 并联回路,如图2.1.1所示。

图中与电感线圈L串联的电阻R代表线圈的损耗,电容C的损耗不考虑。

为信号电流源。

为了分析方便,在分析电路时也暂时不考虑信号源内阻的影响。

1)并联谐振回路阻抗的频率特性其阻抗表达式为下面讨论并联回路阻抗的频率特性。

当回路谐振时,即ω=ω0时,ω0L -1/ω0C=0。

并联谐振回路的阻抗为一纯电阻,数值可达到最大值|Z|=R P =L /CR ,R P 称为谐振电阻,阻抗相角为φ=0。

第2章高频电路基础

第2章高频电路基础

(2)电容器 等效电路:
理想电容器
LC—— 分布电感、极间电感 RC—— 极间绝缘电阻
损耗一般用品质因数QC和损耗角 C 表示:
实际电容器 高频时
QC
电容储能 电阻耗能
UI C UI R
UI sin UI cos
tan
1
tan C
在高频电路中,电容损耗可以忽略不计,在微波波段,电容损耗必须考虑
Zp
1
1
R0
1 (Q 2 )2
1 2
0
B 2f f0 Q
Z arctan(2Q 0 ) arctan
并联回路谐振时的电流、 电压关系:
.
.
.
IC
I C jCU
. I 0
. IL
.
IL
.
U
jL
U
IR0
.
U
R0
Q0 L
Q
0C
IL IC QI
并联谐振回路选频应用:
并联振荡回路输入幅值相同、频率 不同的电流信号时,只有频率在通 频带内部的信号在回路两端产生的 电压较大。
接入系数:
1
p U C2 C1
UT
1
C1 C2
C1C2
C1 C2
输入端等效电阻:
R
U ( UT
)2 R0
p2 R0
①自耦变压器接入系数
p U N1
N1
UT N
(3)折算方法
UT
U
①电阻等效折算
UT2 U2 2RiT 2Ri
R iT
1 p2
Ri
p N 1 N
结论:电阻从低端向高端折合,阻值变大,是
. UC
Uc

高频电子线路二版第二章.高频电路基础

高频电子线路二版第二章.高频电路基础

次级回路自阻抗
M2
Zf1 Z22
初级回路自阻抗
M2
Zf2
Z11
Z22 次级回路自阻抗
Z11 初级回路自阻抗
广义失谐量: 0L ( 0 ) 2Q
r 0
0
耦合因子: A Q
临界耦合 A 1
欠耦合 A<1
过耦合 A>1
理相
1
0.7
实际
0.1
0
ω0
ω
② 选择性: 表征了对无用信号的抑制能力,
Q值越高,曲线越陡峭,选择性越好,但通频
带越窄。
③ 理想回路:幅频特性在通频带内应完全
平坦。是一个矩型.
矩型系数: 表征实际幅频特性与理想幅
频特性接近的程度.谐振曲线下降为谐振值( f0 处 )的0.1时对应的频带宽度B0.1与通频带B0.707 之比:
+
IS
RS
C
N1 N2 RL
+
R'L
IS
RS
C
L
分析:
由 N1:N2=1:n ,得 n = N2 / N1(接入系数)。利用ⅰ 的方法,也可求得负载RL等效到初级回路的等效电阻是:
பைடு நூலகம்RL
1 n2
RL
或 gL n2gL
ⅲ. 电容分压式阻抗变换电路
Ú
+
IS RS
L
C1 ÚT
C2
IS RS C L
C1 R'L
⑷ 分析几种常用的抽头并联谐振回路
ⅰ.自耦变压器阻抗变换电路
Ú1
+
IS
RS
C
N1 Ú2 L
N2
RL

高频-第2章 高频电路基础 (3)滤波器与阻抗变换

高频-第2章 高频电路基础 (3)滤波器与阻抗变换

符号及等效电路
Lq 2L Cq Rq
图中C0 等效为压电陶瓷谐振子的固定 电容;Lq 为机械振动的等效质量; Cq 为机械振动的等效弹性模数;Rq Co 为机械振动的等效阻尼;其等效电路 与晶体相同。 1 其串联谐振频率 q Lq Cq
1 Lq Cq C0 Cq C0 1 Lq C
很大,一般为几万到几百万。这是
普通LC电路无法比拟的。 ② 由于 C0 Cq,这意味着等效电路中的接入系数很小,
因此外电路对它影响很小。
③ 晶体的内部参数受外界因素(温度、振动)的影响很
小,谐振频率很稳定。
阻抗特性(石英谐振器的等效电抗) 石英晶体有两个谐振角频率。一个是左边支路的串联谐振 角频率q,即石英片本身的自然角频率。另一个为石英谐振器 的并联谐振角频率0。 串联谐振频率
3. 薄膜体声(FBAR薄膜体声波谐振器)滤波器
这是一种体积更小、损耗更低、Q值更高、使用频率更高(高达20G) 新型滤波器。且结构与半导体技术工艺兼容,便于射频集成电路(RFIC) 的集成。在3G技术广泛应用。
2.2.5 高频衰减器
利用高频衰减器可以调整信号传输通道上的信号电平。 高频衰减器分为固定衰减器和高频可变(调)衰减器两种。 除了微波衰减器可以用其他形式构成外,高频衰减器通常 都用电阻网络、开关电路或PIN二极管实现 。 分固定衰减器和可变衰减器。器件的终端阻抗和线路的匹
RL (1 Q 2 ) 2 L2 Q
2.4 电子噪声
噪声是一种随机信号,其频谱分布于整个无线电工作 频率范围,因此它是影响各类收信机性能的主要因素之一。 噪声和干扰是两个不同的术语,但没有本质的区别。 习惯上,将外部的称为干扰,内部的称为噪声。 干扰与噪声的分类如下: (1)干扰一般指外部干扰,可分为自然的和人为的干扰。 自然干扰有天电干扰、宇宙干扰和大地干扰等。 人为干扰 主要有工业干扰和无线电器的干扰。

高频电路基础

高频电路基础

质因数为QL。 由带宽公式, 有
QL

f0 B
此时要求的带宽B=0.5 MHz, 故 QL 20
回路总电阻为
R0 R1 R0 R1
Q0L 20 2 107 5.07 106
6.37k
R1

6.37 R0 R0 6.37

7.97k
需要在回路上并联7.97 kΩ的电阻。
p 2 RL
U
UT
L1
C

R0

I1
R 信号源部分接入
第二节 高频电路中的基本电路
►阻抗变换和信号源变换
对于负载部分接入:
p U jL2 L2 UT jL1 jL2 L1 L2
由功率相等:
UT 2 U 2
2R 2RL

R

UT 2 U2
RL

1 p2
RL
R
UT IL
I L
C
R0
U
U
(a)
UT
C1
L
R0
C2
U
(b)
UT C2
L C1 R1
(c)
UT C
U1 L
R1
(d)
C1
UT
L
U1
C2 R1
(e)
L
I
C
RL
Ri
IT
L
C
RL
RiT
图 2 — 10 电流源的折合
IT pI
例 2 如图2 — 11, 抽头回路由电流源激励, 忽略回路
本身的固有损耗, 试求回路两端电压u(t)的表示式及回路带宽。
而可得3dB带宽为 :

第2章 高频电路基础 151页PPT文档

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15
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
一、高频振荡回路
是高频电路中应用最广的无源网络,它是构成高频 放大器、振荡器以及各种滤波器的主要部件。
完成功能:
阻抗变换、信号选择与滤波、相频转换和移相 等功能,并可直接作为负载使用。
下面分简单振荡回路、抽头并联振荡回路和耦合振荡 回路三部分来讨论。
第2章 高频电路基础
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的元器件 2.2 高频电路中的基本电路 2.3 电子噪声及其特性 2.4 噪声系数和噪声温度
1
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的元器件
各种高频电路基本上是由有源器件、 无源 元件和无源网络组成的。
高频电路中使用的元器件与在低频电路中使 用的元器件基本相同,但要注意它们在高频使用 时的高频特性。
iS
RS C
R0
L RL
并联 谐振回路的有载 Q 值: 空载Q值:
QL

Rs
// R0 //
oL
RL
二者关系: QL

1

Q0 GS
QO GL

R0
oL
G0
36
第2章 高频电路基础
37
第2章 高频电路基础
例 2-1 设一放大器以简单并联振荡回路为负载,信 号中心频率fs=10 MHz,回路电容C=50 pF,
②并联谐振回路
Kr 0 .1 1
B0.1
102 1 f0 Q
Kr0.1 102 1
结论: 单谐振回路的选择性很差。
30
第2章 高频电路基础
Q Kr0.1 B0.707 三者关系 需要注意:
回路的Q越高, 谐振曲线越尖锐,回 路的B0.707越窄,但其 Kr0.1并不改变。

高频电子线路 第2章-高频电路基础

高频电子线路 第2章-高频电路基础

1 1 L= 2 = ω0 C (2π ) 2 f 02C
以兆赫兹(MHz)为单位 C以皮法 为单位, 以皮法(pF)为单位 L以 为单位, 将f0以兆赫兹 为单位 为单位 以 微亨( )为单位, 上式可变为一实用计算公式: 微亨(µH)为单位, 上式可变为一实用计算公式:
1 2 1 25330 6 L = ( ) 2 × 10 = 2 2π f 0 C f0 C
(3) 求满足 求满足0.5 MHz带宽的并联电阻。 设回路上并联 带宽的并联电阻。 带宽的并联电阻 电阻为R 并联后的总电阻为R 电阻为 1, 并联后的总电阻为 1∥R0, 总的回路有载品 f0 质因数为Q 由带宽公式, 质因数为 L。 由带宽公式 有 Q =
L
B
此时要求的带宽B=0.5 MHz, 故 QL = 20 此时要求的带宽 回路总电阻为
主要包括电台、工业、空间电磁、天电等 主要包括电台、工业、空间电磁、
内部产生的一般称为噪声
人为:接地 回路耦合等 人为 接地,回路耦合等 接地 系统内:电阻 电子器件等的热噪声等 系统内 电阻,电子器件等的热噪声等 电阻
电子噪声:电子线路中普遍存在。 电子噪声:电子线路中普遍存在。指电子线路中的随 机起伏的电信号,与电子扰动有关。 机起伏的电信号,与电子扰动有关。 当噪声,干扰与信号可比拟时 称信号被噪声淹没 当噪声 干扰与信号可比拟时,称信号被噪声淹没 干扰与信号可比拟时 称信号被噪声淹没.
ωM M = 对于互感耦合: 对于互感耦合 k = 2 L1L2 ω L1L2
通常情况: 通常情况
M L1 = L2 = L 则 k = L
CC k= 对于电容耦合: 对于电容耦合 (C1 + CC )(C2 + CC )

第二章 高频电路基础

第二章 高频电路基础
非线性应用:大功率放大器、振荡器、调 制、解调
一、高频电路中的元件
1.高频电阻 (1)常用的电阻:金属膜电阻、碳膜电阻、线绕电阻 (2)主要参数:电阻值、额定功率和稳定性
电阻值:高频时电阻值将增加; 额定功率:在正常工作状态下电阻器容许消耗的功率; 稳定性:电阻器的工作条件变化时(eg.温度升高或 降低),其电阻值的变换应在容许的范围内。
VLom Isom
R2 2L2 Vsm R
R2 2L2 Vsm 1 Q2
故:VL0超前 I的0 角度小于 90o
O 90oVS VR VS
I0
VC0 jQVS
4.广义失谐系数:
广义失谐是表示回路失谐大小的量,
其定义为:
(失谐时的阻抗) X R
L 1
C
R
o L
R
o
o
Qo
Is
j C
1
L
vo Is Rp Is / GP
由此可作出谐振曲线
N( f
v )
vo
Is / Y Is / Gp
Gp Y
Gp
j
Gp
C
1
L
1
1
jQp
p
p
1
1 j
(Qp
pL)
R
在小失谐时:
Q
P
P
P
QP
p p P
QP
2 p
V V0
1
1
QP
2 P
2

C
Is
L
Rp
1 G
LC
Is
Vo
R +
其中由于外加信号源内阻很大,为了 分析方便,采用恒流源。

《高频电路基础》PPT课件

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f<SRF时,电容器呈正常的电容特性。(f升-z降)
频 电
f>SRF时,电容器等效为一个电感。 (f升-z升)

与电容器类似,高频电感器也具有自身谐振频率SRF。
原 是并联谐振。 SRF=

与►
相角


阻抗
阻抗
阻抗与相角
O
频率 f
理想电容器的阻抗特性
o
频率f
高频电感器也具有自身谐振频 3
第二章 高频电路基础
分 振荡回路的谐振特性: 析 简单振荡回路的阻抗在某一特定频率上具有最大或
最小值的特性称为谐振特性,这个特定频率称为谐
振频率。
7
第二章 高频电路基础
第二节 高频电路中的组件
电感、电容所组成的电路中,电抗为0时,电路达到谐
振。

频 电
(1)并联谐振回路(P16)

简单并联谐振回路电路
原 理
所示,L为电感线圈,r是其
6
第二章 高频电路基础
第二节 高频电路中的组件
无源组件:高频振荡回路、变压器、谐振器与滤波等, 完成信号的传输、频率选择和阻抗变换等功能。
高 其它组件:平衡调制器、正交调制器、移相器、匹配
频 电 路
器、衰减器、分配器与合路器、定向耦合器、隔离 器、双工器等。
原 1、高频振荡回路
理 与
高频振荡回路包括并联谐振回路和串联谐振回路。
L
C

原 理 与 分
L
L
1
Cr Q0 0
j
jQ0 0
1
Cr
jQ
0
0
(Q0
1
0C

第2章高频电路基础new

第2章高频电路基础new

第2章 高频电路基础
2. 高频电路中的有源器件 用于低频或其它电子线路的器件没有什么根本不同。 1) 半导体二极管在高频中主要用于检波、 调制、 解调 及混频等非线性变换电路中, 工作在低电平。 2) 晶体管与场效应管(FET) 在高频中应用的晶体管仍然是双极晶体管和各种场 效应管,这些管子比用于低频的管子性能更好, 在外形结 构方面也有所不同。 高频晶体管有两大类型: 一类是作 小信号放大的高频小功率管, 对它们的主要要求是高增益
回路有载品质因数
QL

R 0L

2000 100
20
回路带宽
B 0 5 10 5 rad / s QL
第2章 高频电路基础
3) 耦合振荡回路 在高频电路中, 有时用到两个互相耦合的振荡回路, 也称为双调谐回路。 把接有激励信号源的回路称为初 级回路, 把与负载相接的回路称为次级回路或负载回路。 图 2 — 12 是两种常见的耦合回路。 图 2 — 12(a)是 互感耦合电路, 图 2 — 12(b)是电容耦合回路。
0
( 2—14 )
式中, Δω=ω-ω0。
对应的阻抗模值与幅角分别为
Zp
R0

1(Q2)2
R0
12
0
(2 — 15
第2章 高频电路基础
Zarct2aQn 0 ()arctan(2 — 16)
IL IC QI
(2 — 17)
. IC
. I
0
.
U
. IL
图2 — 8表示了并联振荡回路中谐振时的电流、 电压关系。
第2章 高频电路基础
例 1 设一放大器以简单并联振荡回路为负载, 信号 中心频率fs=10MHz, 回路电容C=50 pF,

(高频电子线路)第二章高频电路基础

(高频电子线路)第二章高频电路基础
和适用场景。
低通滤波器的应用包括信号处理、 电源滤波等,可以有效地抑制高
频噪声,提高信号的信的电路。其特点是通带范围较 窄,阻带范围较宽。
高通滤波器的电路结构也有多种形式,如RC、LC等。不同结构的高通滤波器具有不 同的性能指标和适用场景。
对信号进行放大,提高信号的 幅度和功率。
振荡器
产生高频振荡,为电路提供所 需频率的信号。
信号源
产生高频信号,提供电路所需 输入信号。
滤波器
对信号进行滤波,提取所需频 率成分,抑制无用频率成分。
调制解调器
对信号进行调制和解调,实现 信号的传输和处理。
02
高频电子器件
电感器
01
02
03
04
电感器定义
差。
调相振荡器的应用
调相振荡器广泛应用于信号处理、 电子对抗和通信等领域。
锁相环路
锁相环路的定义
锁相环路是一种自动控制系统,它通过比较输入信号和输出信号的 相位差,自动调节输出信号的频率和相位。
锁相环路的工作原理
当输入信号和输出信号的相位差在一定范围内时,锁相环路会自动 调节其内部参数,使输出信号的频率和相位与输入信号保持一致。
标和适用场景。
带通滤波器的应用包括信号选频、 消除干扰等,可以有效地提取特 定频段的信号,提高信号的准确
度。
带阻滤波器
带阻滤波器是一种阻止某一频段内的信 号通过而允许其他频段信号的电路。其 特点是阻带范围较窄,通带范围较宽。
带阻滤波器的应用包括消除特定频段干 扰、抑制噪声等,可以有效地抑制特定 频段的噪声,提高信号的清晰度。
高频电路的应用领域
通信领域
高频电路广泛应用于通信 领域,如无线通信、卫星

高频电子线路第二版第2章高频基础电路PPT课件

高频电子线路第二版第2章高频基础电路PPT课件
Yr01jLjCG 0()jB ()
B()Cr02L2L2
G0()
r02
r0
2L2
哈尔滨工程大1学6
高频电子线路
首页 上页 下页 退出
并联谐振回路谐振频率 B() 0
P
1 r02 LCL
0
1Q 102
其中, 0 1 LC 为回路无阻尼振荡频率
Q0 0L r0 为回路的空载品质因数
当 Q0 1时, P 0 ; Q 0 较低时,P 0 。
两种表示方式的结论是一致的。
哈尔滨工程大2学6
高频电子线路
3.双电容分压耦合连接的变比关系
首页 上页 下页 退出
首先将RL与C2组成的并联支路等效为串联支路, 在QC2 1条件下,X不变,即C2不变,电阻RLS为
R L SQ 1 c 22 R L(0C 1 2R L )2R L0 2C 1 2 2R L
高频电子线路
串联谐振的相对幅频特性与相频特性
首页 上页 下页 退出
相对幅频特性
QL1QL2
相对相频特性
QL1QL2
阻抗特性
0 等效纯电阻 0 等效感抗 0 等效容抗
哈尔滨工程大1学5
高频电子线路
2.2.3 并联谐振回路 1.无负载电阻的并联谐振回路
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并联回路的导纳
高频电子线路
首页 上页 下页 退出
电阻器是电子线路中最常用的无源元件之一。在 电子电路中,一个或多个电阻可构成降压或分压电路 用于有源器件的直流偏置,也可作为直流或电子电路 的负载电阻完成某些特定功能。
电阻的主要类型:
高密度碳介质合成的碳膜电阻;
鎳或其它材料的线绕电阻;
温度穏定材料的金属膜电阻; 铝或铍基材料薄膜片的表面贴装(SMD)电阻。

高频电子线路第2章 高频电路基础

高频电子线路第2章  高频电路基础

《高频电子线路》
19
第2章 高频电路基础
7)矩形系数:定义为阻抗的幅频特性下降为谐振值的0.1时 的频带宽度与阻抗的幅频特性下降为谐振值的0.707时的频带 宽度之比。即
B0.1 K r 0.1 B0.707
(2-11)
其中:B0.1谐振曲线下降为谐振值的0.1时的频带宽度
B0.707谐振曲线下降3dB的频带宽度
矩形系数是大于1的(理想时为1),矩形系数越小,回路的 选择性越好。 对于单级简单并联谐振回路,可以计算出其矩形系数为:
K r 0.1 102 1 9.96
《高频电子线路》
20
第2章 高频电路基础
需要说明的几点:通过前面分析可知 (1) 回路的品质因素越高,谐振曲线越尖锐,回路的通
频带越狭窄,但矩形系数不变。因此,对于简单(单级)
1、简单振荡回路(只有一个回路)
振荡回路就是由电感和电容串联或并联形成的回路。 只有一个回路的振荡电路称为简单振荡回路或单振荡回路。 (1)、并联谐振回路 1)电路结构
《高频电子线路》
12
第2章 高频电路基础
. I . IR R0 |z p|/R 0 1 . + IL . U L - 0 (a) (b) 1/ 2 Q1>Q2 Q1 Q2 0 -/2
1、电阻
一个实际的电阻器, 在低频时主要表现为电阻特性,但在 高频使用时不仅表现有电阻特性的一面, 而且还表现有电抗特
《高频电子线路》
3
第2章 高频电路基础
性的一面。 电阻器的电抗特性反映的就是其高频特性。 一个电阻R的高频等效电路如图2-1所示, 其中, CR为分
布电容, LR为引线电感, R为电阻。
0
《高频电子线路》

高频电子线路课件:阻抗变换电路

高频电子线路课件:阻抗变换电路

【例1.4】已知电阻性负载为R2,现利用图例1.4(a)所示 T型网络使该负载在工作频率f0处转换为R1,应该怎样确定三 个电抗元件的值?
Cs
Ls
Cs
Ls
R1
CP
R2
R1
L1
C1
R2
Re
(a)
(b)
图例1.4
解:(a)图所示T型网络可以分解为两个倒L型网络的组 合。由于串联臂上是异性质的元件Cs和Ls,故Cp应该等效分解 为两个异性质的元件L1和C1的并联,才能满足倒L型网络的组 成要求,如(b)图所示。设Q1、 Q2分别是左、右两个倒L型 网络的Q值,Re是负载R2在工作频率处经右网络转换后的等效 电阻,也就是左网络的等效负载。 由网络结构可知, 在工作频 率处, 左网络可以减小负载电阻的等效值, 而右网络可以增大 负载电阻的等效值。
交流电压的频率等于晶体的固有频率时, 晶体片的机械振动最
大, 晶体表面电荷量最多, 外电路中的交流电流最强, 于是产
生了谐振。

某些常用的陶瓷材料(如锆钛酸铅, 即PbZrTiO3)与
石英晶体一样,也具有类似的压电效应和谐振特性。
▪ 当输入电信号的频率与这些陶瓷材料(或石英晶体)的固 有频率一致时,会产生谐振。所以,压电陶瓷片和石英晶体均 具有谐振电路的特性, 其空载品质因数可达几百以上, 选择性 非常好。用压电陶瓷片和石英晶体分别可以做成陶瓷滤波器和 晶体滤波器。
图 1. 1.7 自耦变压器阻抗变换电路
图1.1.7(a)所示为自耦变压器阻抗变换电路,(b)图所示
为考虑次级负载以后的初级等效电路,RL′是RL等效到初级的
电阻。在图中,负载RL经自耦变压器耦合接到并联谐振回路上。
设自耦变压器损耗很小,可以忽略,则初、次级的功率P1、P2

高频教材第2章

高频教材第2章
2. 晶体管与场效应管(FET) 在高频中应用的晶体管仍然是双极晶体管和各种场效应管, 这些管子(guǎn zi)比用于低频的管子(guǎn zi)性能更好,在外形 结构方面也有所不同。
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第2章 高频电路基础
高频晶体管有两大类型: 一类是作小信号放大的高频小功率 (gōnglǜ)管,对它们的主要要求是高增益和低噪声; 另一类为高频功率 (gōnglǜ)放大管,除了增益外,要求其在高频有较大的输出功率 (gōnglǜ)。目前双极型小信号放大管,工作频率可达几千兆赫兹,噪 声系数为几分贝。小信号的场效应管也能工作在同样高的频率,且 噪声更低。一种称为砷化镓的场效应管,其工作频率可达十几千兆 赫兹以上。在高频大功率(gōnglǜ)晶体管方面,在几百兆赫兹以下频 率,双极型晶体管的输出功率(gōnglǜ)可达十几瓦至上百瓦。而金属 氧化物场效应管(MOSFET),甚至在几千兆赫兹的频率上还能输出几 瓦功率(gōnglǜ)。
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第2章 高频电路基础
若工作频率更高,电感内线圈匝与匝之间及各匝与地之间的分 布电容的作用就十分明显,等效电路应考虑(kǎolǜ)电感两端总的分 布电容,它应与电感并联。
与电容器类似,高频电感器也具有自身谐振频率SRF。在SRF 上,高频电感的阻抗的幅值最大,而相角为零,如图2-3所示。
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第2章 高频电路基础
在实际应用中,外加信号的频率ω与回路谐振频率ω0之 差Δω=ω-ω0表示频率偏离谐振的程度,称为失谐。当ω与 ω0很接近时,
0 0
2
02
0
0
00
2Δ 0 2Δ0
(2-7)
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第2章 高频电路基础

2Q2Qf
0
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其左边为发送换能器,is和Gs表示信号源。G中消耗的功率 相当于转换为声能的功率。右边为接收换能器,GL为负载电 导,GL中消耗的功率相当于再转换为电能的功率。
入 (a)

Is Gs
C
G
(b)
G
C
GL
声表面滤波器的符号与等效电路
声表滤波器的主要特点:
① 工作频率高,中心频率在10MHz–1GHz之间,且频带宽, 相对带宽为0.5%~25%。 ② 尺寸小,重量轻。动态范围大,可达100dB。 ③ 由于利用晶体表面的弹性波传送,不涉及电子的迁移过程 所以抗辐射能力强。 ④ 温度稳定性好。 ⑤ 选择性好,矩形系数可达1.2。 在电视机的中频通道电路中作为中频通道滤波器使用,实 现集中滤波功能,免调试。
换能器的指宽a,指与指之间间距b决定声波波长.相邻两极 的电场相位差为180,当不同极指相邻指极的间距为声波长的 一半时,声波经传输延时的相位差刚好是180度,便形成同向 叠加。偏离此波长的其他频率,便会相互抵消,因此可以实 现滤波作用。
符号及等效电路
声表面波滤波器的符号如图(a)所示,图(b)为它的等效电路.
并联谐振频率 p
式中,C 为C0和C8串联后的电容。
陶瓷滤波器电路
四端网络陶瓷滤波器(由双电极或三电极陶瓷滤 波器构成): 如将陶瓷滤波器连成如图所示的形式,即为四 端(二端口网络)陶瓷滤波器。图(a)为由二个谐 振子组成的滤波器,图(b)为由五个谐振子组成四 端滤波器。谐振子数目愈多,滤波器的性能愈好。 图(C)为四端陶瓷滤波器(三电极陶瓷滤波器)
RL (1 Q 2 ) 2 L2 Q
2.4 电子噪声
噪声是一种随机信号,其频谱分布于整个无线电工作 频率范围,因此它是影响各类收信机性能的主要因素之一。 噪声和干扰是两个不同的术语,但没有本质的区别。 习惯上,将外部的称为干扰,内部的称为噪声。 干扰与噪声的分类如下: (1)干扰一般指外部干扰,可分为自然的和人为的干扰。 自然干扰有天电干扰、宇宙干扰和大地干扰等。 人为干扰 主要有工业干扰和无线电器的干扰。
2L1
2L2
(a)
(b)
2L1
2L2 (a)
图(a)选中心频率为串 臂的串联谐振和并臂的并 联谐振频率,串臂的并联 谐振和并臂的串联谐振分 别为上下截止频率.
2.声表面波滤波器(SAWF)
声表面波滤波器SAWF(Surface Acoustic Wave
Filter)是一种以铌酸锂、石英或锆钛酸铅等压电材 料为衬底(基体)的一种电声换能元件。
沿着不同的轴切下,有不同的切型,X切型、Y
切型、AT切型、BT、CT……等等。 石英晶体具有正、反两种压电效应。当石英晶 体沿某一电轴受到交变电场作用时,就能沿机械轴 产生机械振动,反过来,当机械轴受力时,就能在 电轴方向产生电场。且换能性能具有谐振特性,在 谐振频率,换能效率最高。
石英晶体和其他弹性体一样,具有惯性和弹性, 因而存在着固有振动频率,当晶体片的固有频率与 外加电源频率相等时,晶体片就产生谐振。
3. 薄膜体声(FBAR薄膜体声波谐振器)滤波器
这是一种体积更小、损耗更低、Q值更高、使用频率更高(高达20G) 新型滤波器。且结构与半导体技术工艺兼容,便于射频集成电路(RFIC) 的集成。在3G技术广泛应用。
2.2.5 高频衰减器
利用高频衰减器可以调整信号传输通道上的信号电平。 高频衰减器分为固定衰减器和高频可变(调)衰减器两种。 除了微波衰减器可以用其他形式构成外,高频衰减器通常 都用电阻网络、开关电路或PIN二极管实现 。 分固定衰减器和可变衰减器。器件的终端阻抗和线路的匹
第二章 高频电路基础
2.2.3 2.2.4 2.2.5 石英晶体谐振器 集中滤波器 高频衰减器与匹配器
作业:2.7 2.10
2.2.3
石英晶体谐振器(石英振子)
1。 石英晶体的物理特性: 石英是矿物质硅石的一种(也可人工制造), 化学成分是SiO2,其形状为结晶的六角锥体。图(a) 表示自然结晶体,图(b)表示晶体的横截面。为了便 于研究,人们根据石英晶体的物理特性,在石英晶 体内画出三种几何对称轴, 连接两个角锥顶点的一根 轴ZZ,称为光轴,在图(b) 中沿对角线的三条XX轴, 称为电轴,与电轴相垂直 的三条YY轴,称为机械轴。
利用带抽头的并联振荡回路,实现阻抗变换。另外,耦合
振荡回路中改变互感M,改变其反映阻抗。
2.3.2 LC网络阻抗变换
以串-并联阻抗变换为基础,有L型、Γ 型、T型和π 型阻 抗匹配网络。
2. L型网络阻抗变换
下图所示的匹配网络具有电路简单、容易实现的优点, 不足之处是电路的品质因数Q值很低(通常Q<10),因此电路 的滤波特性很差,所以在实际的发射机中,常常选用T型或 型网络作匹配之用。
配阻抗通常是50欧和75欧。
类似于滤波电路,固定 衰减器有L型、T型和π型。 表2-1 列出了50和75两种。 将固定电阻换成可变电阻或 开关电路或使用PIN二极管,就构成可变(或电调)衰减器。
2.3 阻抗变换和阻抗匹配
如果相连接的两部分高频电路阻抗匹配,则可以直接相 连。 但如果阻抗不匹配,就需要用高频匹配器或阻抗变换
结构与原理:
声表面波滤器是在经过研磨抛光的极薄的压电材 料基片上,用蒸发、光刻、腐蚀等工艺制成两组叉 指状电极,其中与信号源连接的一组称为发送叉指 换能器,与负载连接的一组称为接收叉指换能器。
当把输入电信号加到发送换能器上时,叉指间便会
产生交变电场。
声表面波滤器的滤波特性,如中心频率、频带宽度、频响特性等一般 由叉指换能器的几何形状和尺寸决定。这些几何尺寸包括叉指对数、指 条宽度a、指条间隔b、指条有效长度B和周期长度M等。上图是声表面波 滤波器的基本结构图。严格地说,传输的声波有表面波和体波,但主要 是声面波。在压电衬底的另一端可用第二个叉指形换能器将声波转换成 电信号。
上式忽略 rq 后可简化为
2 q2 1 z0 jx0 j C0 2 02
(1)当 = q时z0 = 0 Lq、Cq串谐谐振,当 = p,z0 = 回路并谐谐振。
(2)当 或 时, z jx 0 q 0 0 为容性。 (3)当 0 q 时,z0 = jx0 为感性。其电抗曲线如上图所示。
C0
C0
s
d
一般C0 在几PF ~ 几十PF。式中 —石英 介电常数,s —极板面积,d —石英片厚 a 度.接入系数为 Cq Cq P b Cq C0 C0
Cq
Co
Lq rq
石英晶体的特点是:
①等效电感Lq特别大、等效电容Cq特别小,因此,石英晶
1 Qq 体的Q值 rq Lq Cq
器来连接。
在高频电子线路中,经常要在信号源与电路、输出与负
载、级间进行阻抗变换和阻抗匹配。其目的是使负载得到最 大功率,滤波器得到最佳性能,接收机的灵敏度得到改善, 发射机的效率得到提高。
有LC网络阻抗变换、带抽头的并联谐振电路阻抗变换、 变 压器阻抗变换、电阻网络阻抗变换。
2.3.1 振荡回路的阻抗变换
1. 电阻的热噪声
电阻由导体等材料组成,导体内的自由电子在一定的温度 下总是处于“无规则”的热运动状态,这种热运动的方向和速 度都是随机的。 自由电子的热骚动在导体内形成非常弱的电 流。 电阻热噪声作为一种起伏噪声,具有极宽的频谱,从零频 一直延伸到1012~13Hz以上的频率,而且它的各个频率分量的强 度是相等的。 这种频谱与白色光的光谱类似,因此将具有均 匀连续的噪声叫做白噪声,电阻的热噪声就是一种白噪声。
(2)噪声一般指内部噪声,也可以分为自然的和人为的噪 声。 本章主要讨论自然噪声,对工业干扰和天电干扰只做 简略的说明。 抑制干扰的措施是消除、切断和躲避干扰。
2.4.2 噪声的来源和特点
理论上说,任何电子线路都有电子噪声,但是因为通常 电子噪声的强度很弱,因此它的影响主要出现在有用信号比 较弱的场合,在电子线路中,噪声来源主要有两方面: 电阻 热噪声和半导体管噪声,两者有许多相同的特性。
很大,一般为几万到几百万。这是
普通LC电路无法比拟的。 ② 由于 C0 Cq,这意味着等效电路中的接入系数很小,
因此外电路对它影响很小。
③ 晶体的内部参数受外界因素(温度、振动)的影响很
小,谐振频率很稳定。
阻抗特性(石英谐振器的等效电抗) 石英晶体有两个谐振角频率。一个是左边支路的串联谐振 角频率q,即石英片本身的自然角频率。另一个为石英谐振器 的并联谐振角频率0。 串联谐振频率
1 Le 2 2 C0 p / 2 1 必须指出,在q与p的角频率之间,谐振器所 呈现的等效电感 (数值非常大),并不等于石英 晶体片本身的等效电感Lq。
等效电感为
2 1 q / 2
石英晶体滤波器工作时,石英晶体两个谐振频
率之间感性区的宽度决定了滤波器的通带宽度。 为了展宽通带宽度,通 常的办法是用电感与石英 谐振器相串联或并联。
RL RS 1 Q 22
R Q2 L X L2
RS RL Q2 1
RS RL Re 1 Q12 RS 1 Q12 RL
RS




Re 1 Q12 RS


Q1
X 2C2
即Re 1 Q12 RL,或Q1


Re 1, 即Re RL RL

2. 等效电路、符号及阻抗特性
石英片相当一个串联谐振电路,可用 集中参数Lq、Cq、rq来模拟,Lq为晶体的 质量(惯性),Cq 为等效弹性模数,rg JT 为机械振动中的摩擦损耗。 右图表示石英谐振器的基频等效电路。 电容C0 称为石英谐振器的静电容。其 容量主要决定于石英片尺寸和电极面积。
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