晶体二极管和三极管
电子元器件——二极管、三极管、集成电路介绍
电感
电感器的图形如上面所示。在电子制作中虽然使用得不是很多，但它们 在电路中同样重要。电感器和电容器一样，也是一种储能元件，它能把 电能转变为磁场能，并在磁场中储存能量。电感器用符号L表示，它的基 本单位是亨利(H)，常用毫亨(mH)为单位。它经常和电容器一起工作，构 成LC滤波器、LC振荡器等。另外，人们还利用电感的特性，制造了扼流 圈、变压器、继电器等。 电感器的特性恰恰与电容的特性相反， 它具有阻止交流电通过而让直流电通过的特性。 小小的收音机上就有不少电感线圈，几乎都 是用漆包线绕成的空心线圈或在骨架磁芯、铁 芯上绕制而成的。有天线线圈(它是用漆包线在 磁棒上绕制而成的)、中频变压器(俗称中周)、 输入输出变压器等等。
第三课 电子元器件—二极管、三级管、集成电路
根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到 电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡， 因为R× 1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而 R×10k挡 使用的电压太高，可能击穿管子 ) 。用表笔分别与二极管的 两极相接，测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次，与黑 表笔相接的一端为二极管的正极。同理，在所测得较大阻值 的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的 正、反向电阻均很小，说明管子内部短路；若正、反向电阻 均很大，则说明管子内部开路。在这两种情况下，管子就不 能使用了。
第三课 电子元器件—二极管、三级管、集成电路
2、开关元件
二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接 通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断 开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。
3、限幅元件
二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗 管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度 限制在一定范围内。
晶体二极管和三极管
正半周波形正常 低频调 制信号 加一小偏压
t
O O
u ui
O 负半周波形压扁 (b)检波后的电流波形
D
ui
C 偏 压 R
uo
t
(a)检波前调幅波形
(c)小信号检波电路
图 26 小信号检波原理图解
信号。实际电路中的负载可以是耳机，也可以是下一级低频放 大器，由于直流信号对耳机或低频放大器的隔直流电容不起作 用，只有低频调制信号被送到耳机中发出声音或被下一级放大 器放大。小信号检波的原理图解如图 26 所示，图中（ a）是 检波前的高频调幅波形， 经二极管检波后的电流波形如图 （b）， （c）是小信号检波的实际电路。 二极管的另一个重要的用途就是整流。 整流是把 50 赫兹的 交流电变成直流，这在本丛书的上一册中作过介绍，这里就不
玻壳 引线 金属电极 引线
晶片
金属细丝
PN 结 (b)面接触型
支架
(a)点接触型 图 28 二极管的内部结构
硅管和锗管。这两种管子在起始导通电压上差别较大，所谓起
始导通电压就是二极管正向伏安特性非线性区域中的拐弯点所 对应的电压。一般硅管的起始导通电压约为 0.6V，锗管约为 0.2V。由于硅管的导通电压较高，用它作小信号检波时灵敏度 低， 线性差。 但硅管的反向耐压较高 ， 允许的工作温度也较高， 因此适用于 整流和开关等大电流的场合。 锗管的 起始导通电压较小，反向耐压低，允 许的工作温度也较低， 因此适用于小 信号的检波电路。 晶体二极管有玻璃管壳、 金属管 壳、 塑料管壳和环氧树脂管壳等多种 封装形式。 （参见图 29）体积较小 的检波管一般都采用玻璃管壳（图 2 9 中最上面的那种） ，整流管多采用 图 29 几种常见的晶体二极管 塑料或环氧树脂管壳， 一些电流较大 的整流二极管采用金属管壳， 而且管壳的一端还做成螺杆状 （图 29 中最下面的那种） ，以便于在散热板上安装。 晶体二极管的种类和型号很多。 即使是同一型号的二极管， 因制造工艺等方面的原因，它们的实际性能也略有差别。用来 表明二极管性能的数据，叫作二极管的参数。二极管的主要参 数有下列几个： ⒈最大整流电流（IOM） ： 是指二极管长期安全工作时允许通过的正向平均电流的最 大值。因为电流流过 PN 结时要耗散一定的功率，使结温升高。 当电流过大，结温超过一定的限度时就会把 PN 结烧坏。为了 保证安全，二极管整流时的工作电流不能超过此值。 ⒉最高 反向工作电压（VRM） ： 这个参数又叫最大允许反向电压。是指允许加在二极管两 端反向电压的最大值， 它反映了二极管对反向电压的承受能力。
二极管、三极管和MOS管
一、二极管三极管MOS器件基本原理P-N结及其电流电压特性晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流：。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0 。
当外加的反向电压高到一定程度时， p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。
正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。
在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
首页[1][2][3]下一页尾页由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，现了双极晶实体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。
二极管,三极管,晶体管概念和用途
二极管、三极管、晶体管概念和用途一、二极管的概念和用途二极管是一种具有两个电极的半导体器件，它具有单向导电特性。
当施加正向电压时，二极管正向导通，电流通过；当施加反向电压时，二极管反向截止，电流基本不通过。
二极管主要用于整流、稳压、开关和检波等电路中。
1、整流在交流电路中，二极管可以将交流信号转换为直流信号。
通过二极管整流，可以将交流电源转换为直流电源，以满足电子设备对直流电源的需求。
2、稳压二极管还可以作为稳压器使用。
在稳压电路中，通过合理连接二极管和电阻，可以实现对电压的稳定。
3、开关由于二极管具有导通和截止的特性，可以将其应用到开关电路中。
在开关电路中，二极管可以控制电流的通断，实现对电路的控制。
4、检波二极管还可以用作检波器。
在无线电接收机中，二极管可以将射频信号转换为音频信号，实现信息的接收和解调。
二、三极管的概念和用途三极管是一种具有三个电极的半导体器件，分为发射极、基极和集电极。
三极管具有放大、开关等功能，是现代电子设备中不可或缺的器件。
1、放大在放大电路中，三极管可以对输入信号进行放大处理。
通过合理设置电路参数，可以实现对电压、电流和功率等信号的放大。
2、开关与二极管类似，三极管也可以用作开关。
通过控制基极电流，可以实现对集电极与发射极之间的电流通断控制。
3、振荡在振荡电路中，三极管可以实现信号的自激振荡。
通过反馈电路的设计，可以使三极管产生稳定的振荡信号。
4、调制在通信系统中，三极管可以用于信号的调制。
通过三极管的放大和调制功能，可以实现对射频信号等信息的传输。
三、晶体管的概念和用途晶体管是一种半导体器件，是二极管的发展和改进，是现代电子技术的重要组成部分，被广泛应用于放大、开关、振荡和数字逻辑电路等领域。
1、放大晶体管可以作为放大器使用，实现对信号的放大处理。
晶体管的放大能力较强，可以应用于音频放大、射频放大等领域。
2、开关晶体管也可以用作开关。
与三极管类似，晶体管可以实现对电路的控制，用于开关电源、数码电路等领域。
电路基础原理二极管与三极管
电路基础原理二极管与三极管电路基础原理：二极管与三极管在现代电子技术中，二极管与三极管扮演着重要的角色，是电路中最基本且不可或缺的元件之一。
它们的发展历程和原理理解对于电子工程师和爱好者而言都是至关重要的。
一、二极管二极管是由半导体材料制成的电子元件，它有两个端口，即两个引脚。
它的一端被称为阳极（也叫P端），另一端被称为阴极（也叫N 端）。
二极管的工作原理基于PN结，这是由P型薄层半导体材料和N 型薄层半导体材料之间形成的结构。
当二极管极性正向（P端连接正电压，N端连接负电压）时，电流可以顺利通过，这被称为导通状态。
而当二极管极性反向（P端连接负电压，N端连接正电压）时，电流会被阻断，二极管处于截止状态。
通过这种特性，二极管可以用来实现电流的整流功能。
它可以将交流信号转化为直流信号，通过只允许一个方向的电流流动，屏蔽了负半周期的信号。
二、三极管三极管是一种由PNP或NPN型晶体管构成的半导体器件。
它有三个引脚，被称为基极、发射极和集电极。
三极管有两种常见的工作模式：共射极和共集极。
在共射极模式下，基极与发射极之间的电压被用来控制集电极与发射极之间的电流。
而在共集极模式下，输入信号通过基极，被放大输出到集电极，集电极是输出端。
基于这两种模式，三极管可以被用作放大器、开关和电压比较器。
作为放大器，它可以放大小信号以便更好地驱动负载。
作为开关，三极管在输入电压高于某个阈值时导通，低于阈值时截止，用于控制电流的流动。
作为电压比较器，它可以接收两个电压信号并比较它们的大小，输出相应结果。
三、二极管与三极管的应用二极管和三极管在现代电子设备中应用广泛，成为无线通信、计算机科学、控制系统等方面的基本元件。
例如，在无线通信系统中，射频二极管被用来作为开关，控制高频信号的传输。
而三极管被用于收音机、电视机等电子设备中的放大电路，使得弱信号可以被放大后输出到扬声器。
此外，二极管和三极管还常用于电源电路中，用于整流、稳压和滤波等功能，确保设备能够正常工作。
二极管、三极管、晶闸管简介
5、 二极管作用： 整流：将交流电信号转换成直流电信号。 检波：用于高频信号的调解（信号转换）。 发光：用于装饰或各种信号指示。 变容：用于各种自动调谐电路。 光电：用于光的测量；当制成大面积的光电二极管，可当做一种能源，称为光电池。
整流（利用单向导电性）
把交流电变为直流电，称为整流。一个简单的二极管半波整流电路如图(a)所示。若二极管为理想二极管，当输入一 正弦波时，由图可知：正半周时，二极管导通(相当开关闭合)，vo=vi；负半周时，二极管截止(相当开关打开)， vo =0。其输入、输出波形见图(b)。整流电路是直流电源的一个组成部分。
vi
＋
D
＋
0
t
vi
RL
vo
vo
－
－
0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚未击穿前，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接 入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压 将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示
1、正常二极管
二极管、三极管、晶闸管简介
晶体二极管(Diode)
1、二极管的构成 核心是PN结， P性材料和N性材料结合， 有2个出线 端，即二极管有正、负两个极
应用电路
整
稳
流
压
正极
positive
PN
负极
negative
限
幅
(a)
正极
负极
(b)
2、二极管的电路符号： D VD 3、 基本特性：单向导电性
4、分类： 根据材质分为：1）硅二极管（导通电压：0.5~0.7V） 2) 锗二极管(导通电压：0.2~0.3V) 根据用途分：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等
晶体二极管和三极管的识别与检测
晶体二极管和三极管的识别与检测
内容
正向电阻
测试 方法
反向电阻
硅管：表针指示位置在中间或中 间偏右一点；锗管：表针指示在 测试右端靠近满刻度的地方，如上图 所示，表明管子正向特性是好的 情况。
如果表针在左端不动，则管子内 部已经断路
硅管：表针在左端基本不动，极靠近 “∞”位置，锗管：表针从左端起动一 点，但不应超过满刻度的1/4处，如上 图所示，则表明反向特性是好的。
如果表针指在“0”位，则管子内部已短 路
2021/8/7
2
晶体二极管和三极管的识别与检测
(a) 测PNP型管
(b) 测NPN型管
2021/8/7
小功率和中功率三极管
铁壳封装
大功率塑封三极管
3
Байду номын сангаас
电子技术基础与技能
电路常用元器件
电路常用元器件包括电阻器、电容器、晶体二极管、电感器、晶体三极管等。
1.电阻器：电阻器是一种限流元件，用字母R表示，单位为欧姆Ω。
它可限制
通过它所连支路的电流大小，阻值不能改变的称为固定电阻器，阻值可变的称为电位器或可变电阻器。
2.电容器：电容器用字母C表示，在电路中用来存储电荷及电能，其主要特征
就是通交流隔直流，电容对交流电的阻碍叫做容抗，属于电抗的一种。
3.晶体二极管：晶体二极管用字母D表示，属于半导体器件的一种，具有非线
性的伏安特性，主要作用是单向导电性。
4.电感器：电感器用字母L表示，结构与变压器相似，是一种把电能转化为磁
能存储起来的器件，在电路中主要作用：滤波、振荡、延迟、陷波、筛选信号、过滤噪声、稳定电流及抑制电磁波干扰等。
5.晶体三极管：晶体三极管全称为半导体三极管，是一种控制电流的半导体器
件，在电子电路中属于核心元件。
它具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
此外，还有一些可调电阻/微调电阻、电子元器件可调电阻、瓷盘可调电阻、贴片可调电阻、线绕可调电阻等等。
这些元器件在电路中通常起着分压、分流的作用。
常用电子元器件（电阻器、电容、电感、晶体二极管、晶体三极管）
常⽤电⼦元器件（电阻器、电容、电感、晶体⼆极管、晶体三极管） 电⼦元器件是电⼦元件和电⼩型的机器、仪器的组成部分，其本⾝常由若⼲零件构成，可以在同类产品中通⽤；常指电器、⽆线电、仪表等⼯业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等⼦器件的总称。
常见的有⼆极管等。
电⼦元器件包括：电阻、电容器、电位器、电⼦管、散热器、机电元件、连接器、半导体分⽴器件、电声器件、激光器件、电⼦显⽰器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电⼦变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、⽯英、陶瓷磁性材料、印刷电路⽤基材基板、电⼦功能⼯艺专⽤材料、电⼦胶（带）制品、电⼦化学材料及部品等。
五个最常⽤的电⼦元器件识别及使⽤常识 ⼀、电阻 电阻在电路中⽤“R”加数字表⽰，如：R13表⽰编号为13的电阻。
电阻在电路中的主要作⽤为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使⽤）和阻抗匹配等。
电阻器使⽤注意事项： （1）为提⾼电阻器的稳定性，电阻器使⽤前应进⾏⼈⼯⽼化处理。
常⽤的⽼化处理⽅法是给电阻器两端加⼀直流电压，使电阻器承受的功率为额定功率的1.5倍，处理时间为5分钟，处埋后测量电阻值。
M36LLR8760D1ZAQ;;; （2）电阻器在使⽤前，应对电阻器的阻值及外观进⾏检查，将不合格的电阻器剔除掉，以防电路存在隐患。
（3）电阻器的安装。
电阻器安装前应先对引线挂锡，以确保焊接的牢固性。
电阻器安装时，电阻器的引线不要从根部打弯，以防折断。
较⼤功率的电阻器应采⽤⽀架或螺钉固定，以防松动造成短路。
电阻器焊接时动作要快，不要使电阻器长期受热，以防引起阻值变化。
电阻器安装时，应将标记向上或向外，以便于检及维修。
（4）电阻器的功率⼤于10W时，应保证有散热的空间。
（5）存放和使⽤电阻器时，都应保证电阻器外表漆膜的完整，以免降低它们的防潮性能。
（6）电阻器的更换。
电阻器的符号： 参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。
part1 二极管和三极管的特性
集电极最大允许电流ICM 若三极管的工作电流超过ICM，其ß值将下降到正常 值的2/3以下。
集电极最大允许耗散功率PCM 它是三极管的最大允许平均功率。 集—射反向击穿电压V（BR）CEO 它是基极开路时，加在集电极和发射极之 间的最大允许电压。若管子的VCE超过V（BR）CEO，会引起电击穿导致管子损坏。
反向饱和电流IR ：它指管子未进入击穿区的反向电流，其值 越小，则管子的单向导电性越好。
最高工作频率fM ：是保证管子正常工作的最高频率。
4．万用表检测二极管的好坏
将万用表拨到电阻挡的R×100或R×1k，，将万用表的红、黑表笔分别 接在二极管两端，若测得电阻比较小(几kΩ以下)，再将红、黑表笔对调后连 接在二极管两端，而测得的电阻比较大(几百kΩ)，说明二极管具有单向导电 性，质量良好。测得电阻小的那一次黑表笔接的是二极管的正极。
如果测得二极管的正、反向电阻都很小，甚至为零，表示管子内部已短路。 如果测得二极管的正、反向电阻都很大，则表示管子内部已断路。
稳压管的伏安特性曲线如的正
向特性与普通二极管相同。
反向特性曲线在击穿区域比普
通二极管更陡直，这表明稳压管击
穿后，通过管子的电流变化(ΔIz)很 大，而管子两端电压变化(ΔVz)很小， 或说管子两端电压基本保持一个固
第一章 晶体二极管及整流电路
1.1.1 半导体的主要特性 1．掺杂性 2．热敏性 3．光敏性
1.1.2 P型半导体和N型半导体
1．P型半导体
特点是：空穴数量多，自由电子数量少，参与导电的主要是带正电的 空穴。
2．N型半导体
特点是：自由电子数量多，空穴数量少，参与导电的主要是带负电的 自由电子。
二极管三极管的基础知识
二极管三极管的基础知识
二极管和三极管是电子学中两种常见的元件。
它们都是半导体器件，
具有不同的特性和应用。
二极管是一种只允许电流在一个方向上通过的器件。
它由两个不同掺
杂的半导体材料（P型和N型）组成，形成PN结。
当正向偏置时，
电子从N区域流入P区域，并且空穴从P区域流入N区域，形成电流。
当反向偏置时，PN结会形成一个高阻值区域，几乎没有电流通过。
这种特性使得二极管可以用于整流、稳压和开关等应用。
三极管也被称为双极晶体管（BJT），是由三个掺杂不同的半导体层组成的器件。
它有两个PN结，其中一个被称为发射结，另一个被称为
集电结。
发射结连接到P型半导体层，集电结连接到N型半导体层。
当发射端加正向偏置时，少量的电子注入基区，并且在集电端产生大
量载流子（电子或空穴）输出信号放大器；当发射端加反向偏置时，
则会将输入信号阻断。
三极管有两种类型：NPN和PNP。
NPN型三极管中，发射区域是N
型半导体，而基区域是P型半导体；而PNP型三极管中，则相反。
这种特性使得三极管可以用于放大、开关和振荡器等应用。
总的来说，二极管和三极管都是非常重要的半导体器件，具有广泛的应用。
了解它们的基础知识对于电子学学习者来说是非常重要的。
二极管及三极管的介绍
二极管（diode）和三极管（triode）二极管的应用非常广泛。
几乎所有的电路中，都要用到二极管。
①二极管的特点、原理和表示。
晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体形成的P-N结，在界面处两侧形成空间电荷层，有自建电场。
二极管最重要的特性就是单向导电性。
在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
当没有外加电压时，由于P-N结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等，这样就处于电平衡状态。
当施加正向电压时，外界电场和自建电场的互相抵消使载流子的扩散电流增加引形成正向电流。
当施加反向电压时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
当外加的反向电压增高到一定程度，P-N结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，这就是二极管的击穿现象。
二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D8表示编号为8的二极管。
②二极管的分类。
按照所用的半导体材料，可分为硅二极管（Si管）和锗二极管（Ge管）。
按照用途，可分为稳压二极管、开关二极管、检波二极管、整流二极管等。
按照管芯结构，可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
三极管内部含有2个P-N结，并且具有放大能力的的器件。
①三极管的原理、分类和表示。
三极管顾名思义具有三个电极。
前面我们提到的二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。
其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。
由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补。
比如OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q10表示编号为10的三极管。
晶体二极管与晶体三极管
第四章晶体二极管与晶体三极管本章概述：晶体管是采用半导体晶体材料（如硅、锗、砷化镓等）制成的，在电子产品中应用十分广泛。
本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面，对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。
第一节晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法一、中华人民共和国国家标准（GB249-74）国标（GB249-74）半导体器件型号命名由五部分组成，见表4-1。
表4-1 国标半导体器件型号命名方法例如：锗PNP高频小功率管为3AG11C，即３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法三、日本半导体器件型号命名方法表4-3 日本半导体器件型号命名方法第二节半导体器件的外形识别一、晶体二极管的外形识别1.晶体二极管的结构与特性定义：晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。
所以，二极管实际就是一个PN结。
电路图中文字表示符号为用V表示。
基本结构：PN结加上管壳和引线，就成为了半导体二极管。
图4-1 二极管的结构和电路符号二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图4-2所示。
1）正向特性当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。
不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
2）反向特性二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。
不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
3）击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。
长晶二三极管
长晶二三极管：详细解析一、长晶二三极管概述长晶二三极管，也称为晶体二极管或晶体三极管，是一种固态电子器件。
它由半导体材料制成，利用其独特的电学特性实现电子信号的放大、调制、检测等功能。
长晶二三极管在电子电路中扮演着至关重要的角色，广泛应用于通信、消费电子、工业控制等领域。
本文将对长晶二三极管进行详细解析，以期为相关研究和应用提供参考。
二、长晶二极管工作原理长晶二极管是由一个PN结组成的半导体器件。
当正向电压加在二极管两端时，电流可以顺利通过；而当反向电压加在二极管两端时，电流几乎为零。
这一特性使得长晶二极管在电路中能够起到整流、检波等作用。
三、长晶三极管工作原理长晶三极管由三个半导体区域构成，分别是集电极、基极和发射极。
电流通过基极和发射极，控制集电极电流的放大。
通过改变基极电流，可以控制集电极电流的大小，从而实现信号的放大。
这一特性使得长晶三极管在电路中能够起到放大器的作用。
四、长晶二三极管的应用整流器：利用长晶二极管的整流特性，将交流电转换为直流电，广泛应用于电源供应、电机控制等领域。
放大器：利用长晶三极管的放大特性，对微弱信号进行放大，广泛应用于音频放大、通信系统等领域。
开关电路：利用长晶二三极管的开关特性，实现电路的通断控制，广泛应用于逻辑门电路、数字电路等领域。
检波器：利用长晶二极管的检波特性，从调制信号中提取出低频信号，广泛应用于无线电接收等领域。
传感器：利用长晶二三极管的敏感特性，将非电量转换为电量，广泛应用于压力、温度、湿度等传感器的制作。
调制解调：利用长晶二三极管的调制解调特性，实现信号的调制和解调，广泛应用于通信系统等领域。
混频器：利用长晶二三极管的非线性特性，将两个不同频率的信号进行混合，产生新的频率信号，广泛应用于频谱搬移等领域。
电子仪表：利用长晶二三极管的测量特性，实现对电压、电流、电阻等电学量的测量，广泛应用于示波器、万用表等电子仪表的制作。
自动控制：利用长晶二三极管的反馈控制特性，实现电路的自动控制，广泛应用于温度控制、速度控制等领域。
二极管和三极管深入学习心得
二极管和三极管二极管二极管又称晶体二极管，简称二极管（diode），它是一种能够单向传导电流的电子器件。
在半导体二极管中有一个PN（Positive-Negative）结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。
一般来讲，晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体烧结形成的P-N结界面。
在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。
当外加电压等于零时，由于P-N结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
二极管特性：正向性：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。
这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随着电压增大而迅速增大。
在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。
当二极管两端的正向电压超过一定的阈值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增大，二极管正向导通。
该电压叫门坎电压或者阈值电压。
反向性：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。
由于反向电流很小，二极管处于截止状态。
这个反向电流又称为反向饱和电流或者漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。
引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。
电击穿时二极管失去单向导电性。
硅二极管伏安特性曲线：三极管三极管可以分为PNP型三极管与NPN型三极管2个PN结的方向不一致。
PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。
NPN则共阳极，即两个PN结的P结相连做为基极，另两个N结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝外的三极管。