二晶体结构缺陷
晶体二维缺陷-位错
2.4 位错的性质
已滑移区与未滑移区的边界线就是位错线 位错线不能终止于晶体内部,只能露头于晶 体表面(包括晶界),或与其它位错线相连接、 或自成封闭线。 柏氏矢量与位错线垂直的位错是刃型位错, 分为正、负刃型位错 柏氏矢量与位错线平行的位错是螺型位错, 分为左、右旋螺位错
刃型位错正负的判定
第二章
晶体的缺陷
我国晶体缺陷研究的先驱—冯瑞
Baidu Nhomakorabea
基本内容
第一节 点缺陷 第二节 位错的基本性质 第三节 位错弹性性质 第四节 位错受力 第五节 位错运动与增殖 第六节 位错的塞积 第七节 实际金属晶体中的位错 第八节 金属晶体中的界面
第一节 点缺陷
1.1. 引言 1.2.
1 1 m G 10 50
引入位错概念 ﹡由上面的理论和实际的差别,可见规则整体
刚性滑移模型是不切合实际的。设想晶体具 有不完整性。引入位错概念: ☺缺陷运动符合滑移特征 ☺缺陷是易动的,但不如点缺陷那样易热激活 ☺说明这种缺陷的来源和增殖
1934年,M.Polany, E.Orowan, G.I.Taylor同时独立的提出位错的概念。以 后提出位错的各种模型、位错的应力场、相 互作用等。 有许多的方法可观察到位错:透射电镜、浸 蚀法、缀饰法、X射线衍射法、场离子显微 镜等。
第二章晶体结构缺陷(二)
其它带电缺陷:
1)CaCl2加入NaCl晶体时,若Ca2+离子位于Na+离子 位置上,其缺陷符号为CaNa ·,此符号含义为Ca2+离 子占据Na+离子位置,带有一个单位正电荷。 2)CaZr,,表示Ca2+离子占据Zr4+离子位置,此缺陷带 有二个单位负电荷。
i
纯净晶体:只有本征缺陷(即热缺陷) 能斯特—爱因斯坦(Nernst-Einstein)方程:
nz2e2 kT
[a2 c
exp(
Ec kT
)
a
2
a
exp(
Ea )] kT
nz2e2 kT
D
式中:D是带电粒子在晶体中的扩散系数;n为单位体积的电荷载流子数,即 单位体积的缺陷数。
综上所述,晶体的离子电导率取决于晶体中热缺陷的 多少以及缺陷在电场作用下的漂移速度的高低或扩散系数 的大小。通过控制缺陷的多少可以改变材料的导电性能。
O
V'' Mg
VO..
例4· AgBr形成弗仑克尔缺陷
其 中 半 径 小 的 Ag+ 离 子 进 入 晶 格 间 隙 , 在其格点上留下空位,方程式为:
AgAg Ag.i VA' g
晶体结构缺陷 (二)面缺陷
知识点059. 面缺陷及分类定义:
分类:
晶界及分类:定义:
分类:
1.按晶粒间位向差分类
晶界
小角度晶界
大角度晶界倾斜晶界(晶间)
扭转晶界(晶间)
对称倾斜晶界
不对称倾斜晶界亚晶界(晶内)
小角度晶界
对称倾斜晶界
形成:倾斜晶界为(100)面(晶界)。投影面为(001)面。两侧晶体的位向差为θ,相当于相邻晶粒绕[001]轴反向各自旋转θ/2而成。转轴是[001]。
对称倾斜晶界
几何特征:相邻两晶粒相对于晶界作旋转,转轴在晶界内并与位错线平行。
结构特点:由一系列平行等距离排列的同号刃位错所构成。
不对称倾斜晶界
形成:界面是绕[001]轴旋转角度φ的任意面,相邻两晶粒的取向差仍是很小的θ角,但界面两侧晶粒是不对称的。投影面为(001)面。两侧晶体的位向差为θ,相当于相邻晶粒绕[001]轴反向
各自旋转θ/2而成。转轴是[001]。
不对称倾斜晶界
几何特征:界面与左
侧晶粒 [100] 轴向夹角为φ-θ/2,与右侧晶粒的[100]成φ+θ/2夹角。
结构特点:由两组相互垂直的刃位错组成
扭转晶界
扭转晶界
几何特征:相邻两晶界关于001轴旋转,转轴不在晶界内,且与位错线相互垂直。
结构特点:由两组相互垂直的螺位错组成
*亚晶粒与亚晶界:
亚晶界也可以用位错模型描述。亚晶界两侧的亚晶粒取向差或位向差小于2度。亚晶粒大小一般不超过0.001mm。
大角度晶界
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2.按晶界两边原子排列的连贯性分
2.按晶界两边原子排列的连贯性分
3.按堆积方式描述的晶界为堆垛层错,包括反映孪晶
晶体结构缺陷(二)固溶体
知识点052 固溶体的定义与分类定义
分类
置换式固溶体:间隙式固溶体:
分类
无限固溶体:
有限固溶体:
实例
置换式实例:金属和金属形成的固溶体都是置换式的。如,Cu-Zn系中的α和η固溶体都是置换式固溶体。在金属氧化物中,主要发生在金属离子位置上的置换,如:MgO-
CaO,MgO-CoO,PbZrO
3-PbTiO
3
,Al
2
O
3
-Cr
2
O
3
等。
间隙式实例:金属和非金属元素H、B、C、N等形成的固溶体都是间隙式的。如,在Fe-C系的α固溶体中,碳原子就位于铁原子的BCC(体心立方)点阵的八面体间隙中。
实例 无限互溶实例: Cu-Ni 系、Cr-Mo 系、Mo-W 系、Ti-Zr 系, MgO-CoO 系统,分子式可写为Mg x Ni 1-x O ,x =0~1 。PbTiO 3与PbZrO 3,分子式可写成:Pb (Zr x Ti 1-x )O 3,x =0~1 有限互溶实例: Cu-Zn 系统、Cu-Sn 系统、Fe-C 系统、Pd-H 系统(储氢材料)、NaCl-KCl 系统、MgO-CaO 系统,ZrO 2-CaO 系统、MgO-Al 2O 3系统等。
为什么?
形成置换型固溶体的条件(经验规则)
相似相溶
r = r1–r2
r
1小于介于
注意:只是必要条件而不是充分条件
实例
形成间隙型固溶体的条件(经验规则)
实例
随堂练习:答:
= r = r 1–r 2 r 1
随堂练习:
答:
经验规则!
知识点053.固溶体的性质
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随堂练习:
随堂练习:
知识点054 固溶体类型的实验判别
第二章-晶体结构与晶体中的缺陷
• 层内力远远大于层间力,容易形成片状解理。
• ⑷ 蒙脱石结构
• 单元层间:范德华力,弱。 • [SiO4]4-中的Si4+被Al3+取代(
同晶取代)为平衡电价,吸 附低价正离子,易解吸,使 颗粒荷电,因此使陶瓷制品 因带某些离子具有放射性。 • 性质: • 加水体积膨胀,泥料可塑性 好。
钙钛矿结构;
二、硅酸盐晶体结构 三、晶体结构缺陷
点缺陷
第二章 晶体结构与晶体中的缺陷
• §2.1 典型结构类型
• 1. 金刚石(C) • 立方晶系 • 2. 石墨(C) • 六方晶系 • 同质多晶现象:化学组成相同的物质,在不同
的热力学条件下,结晶成结构不同的晶体的现 象。
一、NaCl (岩盐型) 型结构
蒙脱石结构 三层型[Al(O4OH2)]7-
• 五、架状结构: • (1)结构特点: • [SiO4]4-以四个桥氧连接成三维方向架状。 • (2)种类 • 石英族:纯硅氧骨架形成 • 铝硅酸盐:一部分铝取代硅的位置。
石英族: [SiO4]4-排布方式不同,形成不同的变体, 从而产生同质多晶现象。
陶瓷材料如MgO,CaO, NiO,
CoO,MnO和PbO等都形成
该结构。岩盐型结构还是若干
1-晶体结构缺陷
间隙位置—间隙杂质原子
进入 正常结点—取代(置换)杂
固 溶
质原子。
体
12
空 位、填隙原子、原子取代示意图
取代原子
13
B 根据产生缺陷的原因分 热缺陷 杂 质 缺陷
非化学计量结构缺陷(电荷缺陷)
14
由于晶格上原子的热振动,使部分原子离 开正常位置而形成的缺陷 (热起伏→正常原子获得能量) Frenkel+Schottky
MX 表示M原子占据了应是X原子正常所处的平衡位置,不表示 占据了负离子位置上的正离子。 XM 类似。
(4)溶质原子(杂质原子):
LM 表示溶质L占据了M的位置。如:CaNa SX 表示S溶质占据了X位置。 (5)自由电子及电子空穴:
有些情况下,价电子并不一定属于某个特定位置的原子,在 光、电、热的作用下可以在晶体中运动,原固定位置称自由 电子(符号e/ )。同样可以出现缺少电子,而出现电子空穴 (符号h. ),它也不属于某个特定的原子位置。
2021/4/18
7
实例
白宝石
蓝宝石
材料的强化:铁-钢
陶瓷的增韧
硅半导体
宝石 硅半导体 陶瓷半导体
半导体陶瓷 集成电路阵列
半导体陶瓷电容器
2021/4/18
8
晶体的结构缺陷
总述——实际晶体中原子规则排列遭到破坏 而偏离理想结构的区域。
第二章晶体结构缺陷
e
图2.23 由于间隙正离子,使金属离子过剩型结构(II)
缺陷反应可以表示如下:
ZnO
Zni..
2e
1 2
O2
(
g
)
或
Zn(g) Zni.. 2e
按质量作用定律 K [Zni..][e]2 PZn
间隙锌离子的浓度与锌蒸汽压的关系为(此为一种模型)
[Zni.. ]
P1/ 3 Zn
把这种经过辐照而变色的晶体加热,能使缺陷扩散掉, 使辐照破坏得到修复,晶体失去颜色。
举例
现象:白色的 Y2O3 在真空中煅烧,变成黑色,再退火,又变成白
色。
原因:晶体中存在缺陷,阴离子空位能捕获自由电子,阳离子空位能 捕
获电子空穴,被捕获的电子或空穴处在某一激发态能级上,易受激而发出 一定频率的光,从而宏观上显示特定的颜色。
色心、色心的产生及恢复
“色心”是由于电子补偿而引起的一种缺陷。
某些晶体,如果有x射线,γ射线,中子或电子辐照,往 往会产生颜色。由于辐照破坏晶格,产生了各种类型的点 缺陷。为在缺陷区域保持电中性,过剩的电子或过剩正电 荷(电子空穴)就处在缺陷的位置上。在点缺陷上的电荷,具 有一系列分离的允许能级。这些允许能级相当于在可见光 谱区域的光子能级,能吸收一定波长的光,使材料呈现某 种颜色。
2材料的结构-晶体结构和缺陷
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3、密排六方晶格 、
正六棱柱体, 正六棱柱体,除每个 顶角和上下底面中心 各何一个原子外, 各何一个原子外,在 两底面之间还有三个 原子。 原子。
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三、金属的实际结构和晶体缺陷 金属的多晶体结构: 金属的多晶体结构 : 由若干小晶体 构成 单晶体:其内部晶格方位完全一致。 单晶体:其内部晶格方位完全一致。 多晶体: 多晶体:多个晶粒组成的晶体
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二、晶格、晶胞和晶格常数 晶格、
晶格 : 为了便于理解和 描述晶体中原子排列的情 况,可以近似地把晶体中 的原子看成是固定不动的 刚性小球, 刚性小球,并用一些假想 的几何线条将晶体中各原 子的中心连接起来, 子的中心连接起来,构成 一个空间格架, 一个空间格架,各原子的 中心就处在格架的各个结 点上的几何空间格架。 点上的几何空间格架。
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晶胞和晶格常数
从晶体中,选取 晶胞 从晶体中 选取 一个能够完全反映品 格特征的最小的几何 单元。 单元。 晶体由许多大小、 晶体由许多大小、形 状和位向相同的晶胞 在空间重复堆积而形 成。 晶格常数 : 晶胞棱边 长度称为晶格常数
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2晶体结构与缺陷2014
晶体化学组成、 结构以及它们与性 能的关系 晶体的结构缺陷 对组成、结构和性 能的影响
2.1 典型结构类型
从对称角度讲,晶体结构存在230种不同 类型。化学组成不同的晶体可以具有相同的结 构类型,而同种化学组成的结构类型也可以不
同。
介绍与无机非金属材料相关的有代表性的
属纤锌矿型结构的晶体有:
对AX型晶体,从CsCl、NaCl到ZnS,r+/r-逐步下降。
由于CsCl、NaCl属于典型的离子晶体,配位关系符合 Pauling规则。而对ZnS,开始向共价键过渡。Zn2+是铜 型离子,最外层有18个电子,而S2-的α值高达10.2³103nm3,所以晶体中的离子极化明显,从而改变了阴、阳
近似的六方密堆积,Ti4+填充在½的八面
体空隙中。 Ti O
坐标:Ti4+:(000),(½ ½ ½ ) O2-:(uu0),((1-u)(1-u)0),
((½ +u)(½ -u)½ )
((½ -u)(½ +u)½ )
其中u=0.31
一个晶胞占有正、负离子的数目: Ti4+的数目=1/8³8+1=2 O2-的数目=1/2³4+2=4,晶胞中的“分子”数:Z=2
配位数 2 3
配位多面体 直线 三角形
0.225~0.414
晶体结构缺陷的类型
面缺陷-晶界
晶界示意图
亚晶界示意图
◼ 晶界: 晶界是两相邻晶粒间的过渡界面。由于相邻晶粒 间彼此位向各不相同,故晶界处的原子排列与晶内不同, 它们因同时受到相邻两侧晶粒不同位向的综合影响,而做 无规则排列或近似于两者取向的折衷位置的排列,这就形 成了晶体中的重要的面缺陷。
E原子 > E平均 在原来位置上产生一个空位
热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时,热缺陷浓度增加
(a)单质中弗仑克尔缺陷的形 成(空位与间隙质点成对出现)
(b)单质中的肖特基缺陷的 形成
热缺陷产生示意图
① 间隙位置 (结构空隙大) ② 表面位置 (间隙小/结构紧凑)
M X:
Frenkel 缺陷
Schottky 缺陷
• Impurities must also satisfy charge balance
• Ex: NaCl
• Substitutional cation impurity
Ca2+ Na+
cation vacancy
initial geometry
Na+ Ca2+ impurity
Ca2+ resulting geometry
特点: 其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。 是一种半导体材料。
第二章晶体缺陷
Jiangsu University
组成缺陷(杂质缺陷)
材料科学基础
杂质缺陷 —— 由于外来原子进入晶体而产生的缺陷 • 杂质原子(掺杂原子)其量一般小于0.1%,进入晶体后, 因杂质原子和原有的原子性质不同,故它不仅破坏了原子 有规则的排列,且在杂质原子周围的周期势场引起改变,
因此形成一种缺陷。
材料科学基础
(5)自由电子及电子空穴 有些情况下,价电子并不一定属于某个特定位置的原子,在 光、电、热的作用下可以在晶体中运动,原固定位置称次自 由电子(符号e/ )。同样可以出现缺少电子,而出现电子空 穴(符号h. ),它也不属于某个特定的原子位置。
(6)带电缺陷 不同价离子之间取代如,Ca2+取代Na+——Ca · Na Ca2+取代Zr4+——Ca”Zr
Xi
表示X原子进入间隙位置。
(3)错放位置(错位原子): MX 表示M原子占据了应是X原子正常所处 的平衡位置,不表示占据了负离子位置上的正离子。XM 类 似。 (4)溶质原子(杂质原子): LM 表示溶质L占据了M的位置。如:CaNa SX 表示S溶质占据了X位置。
Jiangsu University
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材料科学基础
填隙(间隙)原子
间隙式 杂质原子 杂质原子 杂质原子取代 原来晶格中的 原子而进入正 常结点的位置 处于填隙(间隙) 位置上的原子
晶体结构缺陷
第三章晶体结构缺陷
内容提要
在讨论晶体结构时,人们认为质点在三维空间的排列遵循严格的周期性,这是一种仅在绝对零度才可能出现的理想状况。通常把这种质点严格按照空间点阵排列的晶体称为理想晶体。由于质点排列的周期性和规则性,使得晶体中的势场也具有严格的周期性。在实际晶体中,因其所处的温度高于绝对零度,因而其质点排列总会或多或少地偏离理想晶体中的周期性、规则性排列,即实际晶体中存在着各种尺度上的结构不完整性。通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。正是由于缺陷的存在,才使晶体表现出各种各样的性质,使材料制备过程中的动力学过程得以进行,使材料加工、使用过程中的各种性能得以有效控制和改变,使材料性能的改善和复合材料的制备得以实现。缺陷的产生、类型、数量及其运动规律,对晶体的许多物理与化学性质会产生巨大的影响。晶体材料所固有的电、磁、声、光、热和力学等性能和材料加工、使用过程中所表现出来的行为大都具有结构敏感性,晶体缺陷则是研究晶体结构敏感性的关键问题和研究材料质量的核心内容。有位科学家说过:―能够控制晶体中的缺陷,就等于拿到了控制实际晶体的钥匙‖。由此可见,了解和掌握各种缺陷的成因、特点及其变化规律,对于材料工艺过程的控制,材料性能的改善,新型结构和功能材料的设计、研究与开发具有非常重要意义。
本章从微观层次上介绍晶体中缺陷产生的原因和缺陷的类型,阐述缺陷的产生、复合、运动以及缺陷的控制与利用,建立缺陷与材料性质和材料加工之间的相互联系,为最终利用或控制缺陷对材料实施改性奠定科学基础。
2 晶体结构及缺陷(8)
一、 AB型结构
(1)NaCl型晶体
面心立方晶格 配位比 6 6 ׃ 晶胞中离子的个数: Na+: 4(1/12)+1=4个 Cl‾: 8(1/8)+6 (1/2) = 4 个
相当于较大的负离子作立方密堆, 24 而较小的正离子则占据所有的八面体间隙
(2) CsCl型晶体
属简单立方晶格(体心立方?) 配位比 8 8 ׃ 晶胞中离子的个数: Cs+: 1个 Cl‾: 8(1/8) = 1 个
原子坐标为[0,0,0],[1/2,1/2,1/2]。(配位数=8;致密 度=0.68)晶胞中原子数为:
1 8 1 2 8
(a)
(b)
(a) 模型;
(c) 体心立方晶胞 (b) 晶胞; (c) 晶胞原子数
6
体心立方结构中的八面体间隙和四面体间隙。
金属原子 八面体间隙
金属原子 四面体间隙
(a)
晶胞中离子的个数: Zn2+: [1/3+1/3+1/6+1/6+1]*3 = 6个 S2‾ : [(1/6+1/6+1/6+1/6)/2 + (1/3+1/3)/2 + (1/3+1/3)/2 +1]*3 = 6个 阴离子密排六方密堆,阳离子填充一半的四面体间隙。
晶体结构与缺陷
• 2.5.2 热缺陷的浓度计算
• 2.5.3 线缺陷 (位错) 位错及其相关理论的研究是上世纪材料科学 研究中的最杰出的成果之一。 50年代后,透射电镜直接观测到了晶体中位 错的存在、运动、增殖。 位错的类型: 刃位错、螺旋位错、混合位错
• 1.位错学说的产生 • 1926年弗兰克尔利用理想晶体的模型估算了 理论切变强度,与实验结果相比相差3~4个数 量级。 • 1934年泰勒,波朗依和奥罗万三人几乎同时 提出晶体中位错的概念。 • 泰勒把位错与晶体塑变的滑移联系起来,认为 位错在切应力作用下发生运动,依靠位错的逐 步传递完成了滑移。 • 与刚性滑移不同,位错的移动只需邻近原子作 很小距离的弹性偏移就能实现,而晶体其他区 域的原子仍处在正常位置,因此滑移所需的临 界切应力大为减小。
• 非化学计量化合物的特点: • (1)产生的原因及其浓度与气氛性质、 压力等有关,这是有别于其他缺陷; • (2)可以看成是高价化合物与低价化合 物之间的固溶体,即不等价置换是发生 在同一种离子中的高价态与低价态之间 的相互置换;(如,四氧化三铁) • (3)缺陷的浓度与温度无关
点缺陷对材料性能的影响:
第二章 晶体结构与缺陷
• • • • • • 5.1.2 按产生原因的分类 (1) 热缺陷 (2) 杂质缺陷 (3) 非化学计量缺陷 (4)电荷缺陷 (5)辐射缺陷
• 热缺陷 当晶体的温度高于0K时, • 由于晶格上质点热振动,使一部分能量较 高的质点离开平衡位置而造成缺陷。 所以
晶体结构缺陷
缺陷种类名称
点缺陷
瞬变缺陷声子
电子缺陷电子、空穴
原子缺陷
空位
填隙原子
取代原子
缔合中心广泛缺陷
缺陷簇
切变结构
块结构
线缺陷位错
面缺陷
晶体表面
晶粒晶界体缺陷孔洞和包裹物
第二章晶体结构缺陷
我们在讨论晶体结构时,是将晶体看成无限大,并且构成晶体的每个粒子(原子、分子或离子)都是在自己应有的位置上,这样的理想结构中,每个结点上都有相应的粒子,没有空着的结点,也没有多余的粒子,非常规则地呈周期性排列。实际晶体是这样的吗?测试表明,与理想晶体相比,实际晶体中会有正常位置空着或空隙位置填进一个额外质点,或杂质进入晶体结构中等等不正常情况,热力学计算表明,这些结构中对理想晶体偏离的晶体才是稳定的,而理想晶体实际上是不存在的。结构上对理想晶体的偏移被称为晶体缺陷。
实际晶体或多或少地存在着缺陷,这些缺陷的存在自然会对晶体的性质产生或大或小的影响。晶体缺陷不仅会影响晶体的物理和化学性质,而且还会影响发生在晶体中的过程,如扩散、烧结、化学反应性等。因而掌握晶体缺陷的知识是掌握材料科学的基础。
晶体的结构缺陷主要类型如表2—1所示。这些缺陷类型,在无机非金属材料中最基本和最重要的是点缺陷,也是本章的重点。
表2—1 晶体结构缺陷的主要类型2.1点缺陷
研究晶体的缺陷,就是要讨论缺陷的产生、
缺陷类型、浓度大小及对各种性质的影响。60
年代,F.A.Kroger和H.J.Vink建立了比较
完整的缺陷研究理论——缺陷化学理论,主要
用于研究晶体内的点缺陷。点缺陷是一种热力
学可逆缺陷,即它在晶体中的浓度是热力学参
数(温度、压力等)的函数,因此可以用化学
晶体结构缺陷
56
第二章 晶体结构缺陷
我们在讨论晶体结构时,是将晶体看成无限大,并且构成晶体的每个粒子(原子、分子或离子)都是在自己应有的位置上,这样的理想结构中,每个结点上都有相应的粒子,没有空着的结点,也没有多余的粒子,非常规则地呈周期性排列。实际晶体是这样的吗?测试表明,与理想晶体相比,实际晶体中会有正常位置空着或空隙位置填进一个额外质点,或杂质进入晶体结构中等等不正常情况,热力学计算表明,这些结构中对理想晶体偏离的晶体才是稳定的,而理想晶体实际上是不存在的。结构上对理想晶体的偏移被称为晶体缺陷。
实际晶体或多或少地存在着缺陷,这些缺陷的存在自然会对晶体的性质产生或大或小的影响。晶体缺陷不仅会影响晶体的物理和化学性质,而且还会影响发生在晶体中的过程,如扩散、烧结、化学反应性等。因而掌握晶体缺陷的知识是掌握材料科学的基础。
晶体的结构缺陷主要类型如表2—1所示。这些缺陷类型,在无机非金属材料中最基本和最重要的是点缺陷,也是本章的重点。
表2—1 晶体结构缺陷的主要类型
2.1 点缺陷
研究晶体的缺陷,就是要讨论缺陷的产生、
缺陷类型、浓度大小及对各种性质的影响。60
年代,F .A .Kroger 和H .J .Vink 建立了比较
完整的缺陷研究理论——缺陷化学理论,主要
用于研究晶体内的点缺陷。点缺陷是一种热力
学可逆缺陷,即它在晶体中的浓度是热力学参
数(温度、压力等)的函数,因此可以用化学
热力学的方法来研究晶体中点缺陷的平衡问
题,这就是缺陷化学的理论基础。点缺陷理论
的适用范围有一定限度,当缺陷浓度超过某一
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请写出两种固溶体的化学式,并通过计算密度,判断生成的是哪一种固溶体。
1、解:钠原子空位;钠离子空位,带一个单位负电荷;氯离子空位,带一个单位正电荷; 最邻近的 Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心;Ca2+占据 K.位置,带一个单位正电荷;Ca 原 子位于 Ca 原子位置上;Ca2+处于晶格间隙位置。
(a)围绕两个位错柏格Biblioteka Baidu回路,最后得柏格斯矢量若干? (b)围绕每个位错分别作柏氏回路,其结果又怎样?
10、有两个相同符号的刃位错,在同一滑移面上相遇,它们将是排斥还是吸引? 11、晶界对位错的运动将发生怎么样的影响?能预计吗? 12、晶界有小角度晶界与大角度晶界之分,大角度晶界能用位错的阵列来描述吗? 13、试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。
1、 说明下列符号的含义: VNa,VNa’,VCl•,.(VNa’VCl•),CaK•,CaCa,Cai••
2、写出下列缺陷反应式: (1)NaCl 溶入 CaCl2 中形成空位型固溶体; (2)CaCl2 溶人 NaC1 中形成空位型固溶体; (3)NaCl 形成肖脱基缺陷; (4)AgI 形成弗仑克尔缺陷(Ag+进入间隙)。
金属
Ti Co Ni
原子半径 (nm)
晶体结构
金属
原子半径 (nm)
晶体结构
0.1461
六方 (<883 ℃ )
Zn
0.1332
六方
0.1251
体心立方 (>883 ℃ )
Ta
0.1430
体心立方
0.1246
六方 (<427 ℃ )
W
0.1370
体心立方
面心立方 (~427 ℃ )
Pt
0.1387
面心立方
O2(g) OO + VFe’’ + 2h k=[OO][ VFe’’][h·]/PO21/2=4[OO][ VFe’’]3/ PO21/2 , [ VFe’’] ∝PO2-1/6,
∴ PO2 [ VFe’’] ρ
8、解:刃位错:位错线垂直于 位错线垂直于位错运动方向;螺位错:位错线平行 于 位错线平行于位错运动方向。
2、解:(1)NaCl
NaCa’+ ClCl + VCl·
(2)CaCl2
CaNa·+ 2ClCl + VNa’
(3)O VNa’ + VCl· (4)AgAg VAg’ + Agi·
3、解:设有缺陷的 MgO 晶胞的晶胞分子数为 x,晶胞体积 V=(4.20)3,x=ρVN0/M=3.96, 单位晶胞的肖脱基缺陷数=4-x=0.04。
19、解:(1)晶体中间隙位置是有限的,容纳杂质质点能力≤10%;(2)间隙式固溶体 的生成,一般都使晶格常数增大,增加到一定的程度,使晶格变得不稳定而离解;置换固溶 体形成是同号离子交换位置,不会对接产生影响,所以可形成连续固溶体。
20、解:
Ta— W
r 大-r 小/ r 大=4.2%<15% 电负性:1.5-1.7=-0.2 结构类型:体心立方 相同
5、MgO 晶体的肖特基缺陷生成能为 84kJ/mol,计算该晶体在 1000K 和 1500K 的缺陷 浓度。
6、非化学计量化合物 FexO 中,Fe3+/Fe2+=0.1,求 FexO 中的空位浓度及 x 值。 7、非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分 压,非化学计量化合物 Fe1-XO 及 Zn1+XO 的密度将发生怎么样的变化?增大还是减小?为什么? 8、对于刃位错和螺位错,区别其位错线方向、柏氏矢量和位错运动方向的特点。 9、图 2.1 是晶体二维图形,内含有一个正刃位错和一个负刃位错。
溶 入 MgO 中 AL2O3 的 mol 数 : AL2O3 mol%=
=0.08=8%, MgO
mol%=1-8%=92%,固溶体组成:8% AL2O3,92%MgO,固溶体组成式:Al0.16Mg0.92O1.16
(a) AL2O3
2ALMg·+ 2OO + Oi’’
X 2x x 固溶体化学式:Al2xMg1-2xO1+x 将化学式与组成式一一对应,求出待定参数 x,由于 O2-的量不同,将 O2-的量化为 1 Al0.16/1.16Mg0.92/1.16O Al2x/1+xMg1-2x/1+xO x=0.074,化学式 Al0.148Mg0.852O1.074
4、解:(a)根据热缺陷浓度公式 n/N=exp(-E/2RT),E=6eV=6×1.602×10-19=9.612×10-19J, T=298k:n/N=1.92×10-51,T=1873k:n/N=8.0×10-9;
(b)在 MgO 中加入百万分之一的 AL2O3,AL2O3
2ALMg· + VMg’’ + 3OO,
19、说明为什么只有置换型固溶体的两个组份之间才能相互完全溶解,而填隙型固溶体 则不能。
20、如果(1)溶剂和溶质原子的原子半径相差超过±15%;(2)两元素的电负性相差超过 ±0.4%,通常这一对元素将不利于形成置换型固溶体,其中前一因素往往起主导作用。 仅根据提供的资料提出哪一对金属大概不会形成连续固溶体:Ta—W,Pt—Pb.Co 一 Ni, Co—Zn,Ti—Ta。
17、Al2O3 在 MgO 中形成有限固溶体,在低共熔温度 1995℃时,约有 18 重量%Al2O3 溶入 MgO 中,假设 MgO 单位晶胞尺寸变化可忽略不计。试预计下列情况的密度变化。
(a) O2-为填隙离子。 (b) A13+为置换离子。
18、对磁硫铁矿进行化学分析:按分析数据的 Fe/S 计算,得出两种可能的成分:Fe1-xS 和 FeS1-x。前者意味着是 Fe 空位的缺陷结构;后者是 Fe 被置换。设想用一种实验方法以 确定该矿物究竟属哪一类成分。
Fe3+2yFe2+1-3yO,
X=1-y=1-0.0435=0.9565,Fe0.9565O
[VFe’’]=
=
=2.22×10-2
7、解:Zn(g) Zni·+ e’, Zn(g) + 1/2O2 = ZnO , Zni·+ e’+ 1/2O2 ∴PO2 [Zni·] ρ
ZnO , [ZnO]=[e’],
形成连续固溶体
Pt—P d
r 大-r 小/ r 大=20.7%>15% 电负性差=2.2-2.2=0 结构类型:面心立方
形成有限固溶体
Co— Ni
r 大-r 小/ r 大=0.4%<15% 电负性差:1.8-1.6=0.2 当 T<427℃,Co Zn 结构类型
可形成连续固溶体 相同
Ti—T a
r 大-r 小/ r 大=2.12%<15% 电负性差=1.5-1.5=0 当 T>883℃,Ti Ta 结构类型相
可形成连续固溶体 同
21、解:(a)∵r 大-r 小/ r 大=10%<15%,∴AL2O3 和 Cr2O3 能形成连续固溶体; (b)MgO—Cr2O3 中,r 大-r 小/ r 大=15%,加之两者结构不同,∴固溶度是有限的。
22、解:设非化学计量化合物为 NixO,
Ni2O3
2NiNi·+ 3OO + VNi’’
∵[AL2O3]= 10-6,∴[杂质缺陷]=3×10-6/2=1.5×10-6,∴比较可知,杂质缺陷占优。
5、解:n/N=exp(-E/2RT),R=8.314,T=1000k:n/N=6.4×10-3;T=1500k:n/N=3.5×10-2。
6、解:Fe2O3 y 2y y
2FeFe·+ 3OO + VFe’’
分类
形成条
形成原因
缺陷反应
件
化学式 溶解度、缺陷浓度
热 缺 肖特基
热起伏
陷
弗伦克尔
T>0k
O VM’’+ Vx··
MX
MM
Mi··+
MX
VM’’
无限,有
固溶
搀杂
限,置换,
体
溶解
间隙
大小,电 负性,电 价,结构
只受温度控制
无:受温度控制 有:搀杂量<固溶度 受温度控 制 搀杂量>固溶度 受固溶度控 制
23、在 MgO-Al2O3 和 PbTiO2-PbZrO3 中哪一对形成有限固溶体,哪一对形成无限固溶 体,为什么?
24、将 CaO 外加到 ZrO2 中去能生成不等价置换固溶体,在 1600℃时,该固体具有立 方萤石结构,经 x 射线分析测定,当溶入 0.15 摩尔 CaO 时,晶胞参数 a=5.131A,实验测定 密度 D=0.5477 克/cm3,对于 CaO-Zr02 固溶体来说,从满足电中性来看,可以形成氧离子 空位的固溶体也可形成 Ca2+嵌入阴离子间隙中的固溶体,其固溶方程为:
14、从化学组成、相组成考虑,试比较固溶体与化合物、机械混合物的差别。
15、试阐明固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物三者之间的异同点,列出简明表格比 较。
16、在面心立方空间点阵中,面心位置的原子数比立方体顶角位置的原子数多三倍。原 子 B 溶入 A 晶格的面心位置中,形成置换型固溶体,其成分应该是 A3B 呢还是 A2B?为什 么?
3、MgO 的密度是 3.58 克/厘米 3,其晶格参数是 0.42nm,计算单位晶胞 MgO 的肖脱 基缺陷数。
4、(a)MgO 晶体中,肖脱基缺陷的生成能为 6eV,计算在 25℃和 1600℃时热缺陷的浓 度。(b)如果 MgO 晶体中,含有百万分之一摩尔的 A12O3 杂质,则在 1600℃时,MgO 晶体 中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势,说明原因。
9、略。
10、解:排斥,张应力重叠,压应力重叠。
11、解:晶界对位错运动起阻碍作用。
12、解:不能,在大角度晶界中,原子排列接近于无序的状态,而位错之间的距离可能 只有一、两个原子的大小,不适用于大角度晶界。
13、解:(1)原子或离子尺寸的影响,△ r<15%时,可以形成连续固溶体;△ r=15%~ 30%时,只能形成有限型固溶体;△ r>30%很难或不能形成固溶体;△ r 愈大,固溶度愈小; (2)晶体结构类型的影响,只有两种结构相同和△ r<15%时才是形成连续固溶体的充分必 要条件;(3)离子类型和键性,相互置换的离子类型相同,化学键性质相近,容易形成固溶 体体;(4)电价因素,不等价置换不易形成连续固溶体。
面心立方
Pd
0.1750
面心立方
21、对于 MgO、Al2O3,和 Cr2O3,其正、负离子半径比分别为 0.47、0.36 和 0.40,则 A1203 和 Cr23 形成连续固溶体。
(a)这个结果可能吗?为什么? (b)试预计,在 MgO—Cr2O3 系统中的固溶度是有限的还是无限的?为什么?
22、某种 NiO 是非化学计量的,如果 NiO 中 Ni3+/Ni2+=10-4,问每 m3 中有多少载流子。
非 化 阳缺 学 计 阴间 量 化 阳间 合物 阴缺
环境中气 愤性质和 压力变化
Fe1-xO UO2+x Zn1+x O TiO2_x
[h·]∝PO2-1/6 [Oi’’] ∝PO2-1/6 [Zni··] ∝PO2-1/6 [VO··] ∝PO2-1/6
16、略。
17、解:设 AL2O3、MgO 总重量为 100g,则 AL2O318g,MgO82g,
y 2y y Ni3+2yNi2+1-3yO Ni3+/Ni2+=2y/(1-3y)=10-x 则 y=5×10-5, x=1-y=0.99995, Ni0.99995O 每 m3 中有多少载流子即为空位浓度:[VNi’’]=y/(1+x)=2.5×10-5。
23、解:MgO-AL2O3:r 大-r 小/ r 大=15%,即 rMg、rAl 半径相差大,MgO(NaCl 型)、 AL2O3(刚玉)结构类型差别大,形成有限固溶体; PbTiO3-PbZrO3 形成无限固溶体,因为尽管 Ti4+、Zr4+半径相差较大(15. 28),但都是(ABO3) 钙钛矿型结构,Ti4+、Zr4+都填充八面体空隙,该空隙体积较大,可填入的阳离子的半径 r 值可在一定范围内变化,而不至于使结构变化。
14、解:
固溶体
机械混合物
化合物
形成原因 以原子尺寸“溶解”生成
粉末混合
原子间相互反映 生成
相数
单相均匀
多相
单相均匀
化学计量 不遵守定比定律
/
遵守定比定律
化学组成 不确定
有几种混合物就 确定
有多少化学组成
15、解:固溶体、晶格缺陷、非化学计量化合物都是点缺陷,是晶体结构缺陷,都是单 相均匀的固体,结构同主晶相。 热缺陷——本征缺陷;固溶体——非本征缺陷;
d 理想 =
,
=1.04
(b)AL2O3 x 2x x
Al2xMg1 -3xO
2ALMg·+ 3OO + OMg’’
Al0.16/1.16Mg0.92/1.
x
16O
=
Al0.138Mg0.7 93O
=0.97
18、解:Fe1-xS 中存在 Fe 空位,VFe’’非化学计量,存在 h·P 型半导体;FeS1-x 中金属 离子过剩,存在 S2-空位,存在 e’,N 型半导体;因 Fe1-xS、FeS1-x 分属不同类型半导体,通 过实验确定其半导体性质即可。