(最新整理)4月全国自考电力电子变流技术试题及答案解析

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全国自考(-、数字及电力电子技术)-试卷4

全国自考（-、数字及电力电子技术）-试卷4

(总分：74.00，做题时间：90分钟)

一、单项选择题(总题数：15，分数：30.00)

1.二极管的主要特性是【】

（分数：2.00）

A.放大特性

B.恒温特性

C.单向导电特性√

D.恒流特性

解析：解析：二极管内部包含一个PN结，因此二极管的特性和PN结的特性相同，即具有单向导电性。

2.在题2图中，输出电压U的大小为(设二极管VD为理想二极管) 【

（分数：2.00）

A.4V √

B.6 V

C.8V

D.0

解析：解析：电路中二极管正向导通，且为理想模型，故正向导通电压为0V，则输出端电压U

3.某晶体管各个电极的对地电位如题3图所示，可判断其工作状态是【

（分数：2.00）

A.饱和

B.放大√

C.截止

D.已损坏

解析：解析：图中可看出V C＞V B＞V E，且晶体管为NPN型管，发射结正偏，集电结反偏，故晶体管工作在放大状态。

4.温度升高时，晶体管的极间反向电流I CBO将【】

（分数：2.00）

A.增大√

B.减少

C.不变

D.不能确定

解析：

5.下列对场效应管的描述中不正确的是【】

（分数：2.00）

A.场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点

B.场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET

C.场效应管工作时多子、少子均参与导电√

D.场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器

解析：解析：晶体管有两种载流子(多数栽流子和少数栽流子)参与导电，称为双极型器件；场效应管只有一种载流子参与导电，称为单级型器件。

6.在基本放大电路中，输入电阻最大的放大电路是【】

2020年4月自考模拟数字及电力电子技术试卷及答案解析

2018年4月自学考试模拟数字及电力电子技术试卷

（课程代码 2238）

一、单项选择题（本大题共16小题，每小题2分，共32分）

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1. 在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为6V 、11.8V 、12V ，则这只三极管属于

【】 A. 硅NPN 型

B. 硅PNP 型

C. 锗NPN 型

D. 锗PNP 型 2. 题2图所示理想运放组成的运算电路的电压放大倍数为

【】

u u o

A. –2

B. –1

C. 1

D. 2

3. 题3图所示反馈放大电路中R f 引入的反馈属于

【

】

-u o A. 电压并联负反馈B. 电压串联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电流串联负反馈

4. 逻辑函数()F AC ABD BCD E F =+++的最简与或式为

【】 A. AC BD +

AC ABD +

C. AC B +

D. A BD + 5. 逻辑函数F AB AB CB =++的标准与或式为

【】 A. Σ(0,1,2,3,5)

B. Σ(1,2,3,4,6)

C. Σ(3,4,5,6,7)

D. Σ(2,3,4,5,7) 6. 逻辑函数F(A,B,C)= Σ(0,2,4,5)的最简与或非式为

【】 A. A C AB +

B. AC AB +

C. A C AB +

D. AC AB +

7. 逻辑函数F(A,B,C,D)=Σ(1,2,4,5,6,9)，其约束条件为AB+AC=0，则最简与或

式为【】

A. BC CD AC ++

(全新整理)7月全国自考电力电子变流技术试卷及答案解析

全国2018年7月高等教育自学考试

电力电子变流技术试题

课程代码：02308

一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分）

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1．将交流电能转换成直流电能的变换器为（）

A．整流器B．逆变器

C．斩波器D．交交变频器

2．电流型逆变器中间直流环节储能元件是（）

A．电容B．电感

C．蓄电池D．电动机

3．采用多重化电压源型逆变器的主要目的是（）

A．减小输出电压幅值B．增大输出电压幅值

C．减小输出电压谐波D．减小输出电压功率

4．若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是（）

A．增大三角波幅度B．增大三角波频率

C．增大正弦调制波频率D．增大正弦调制波幅度

5．快速熔断器可用于过电流保护的电力电子器件是（）

A．功率晶体管B．IGBT

C．功率MOSFET D．晶闸管

6．如下变流器中，输出电压可能出现负值的变流电路是（）

A．三相半波可控整流带阻感负载电路

B．单相桥式半控整流带电阻性负载电路

C．接有续流二极管的三相半控桥式整流电路

D．接有续流二极管的单相半波可控整流电路

7．三相桥式变流电路工作于有源逆变状态，其整流侧平均输出电压U o与直流反电动势电源E d的关系为（）

A．|U o|<|E d| B．|U o|>|E d|

C．U o=E d D．|U o|=|E d|

8．逆变电路的功能是将直流电能转换为（） A ．直流电能 B ．交流电能 C ．磁场能

D ．化学能

9．下面四个电力电子器件中，属于全控型电力电子器件的是（） A ．二极管 B ．晶闸管 C ．功率晶体管

《电力电子技术》测试题及答案

《电力电子技术》测试题及其答案

一、判断题

1、表示各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。（错）

2、对于门极可关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。（对）

3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流，称为该管的维持电流。

（错）

4、在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，也不论晶闸管的导通角是多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值，管子的发热就是允许的。

（错）

5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°～180°。（错）

6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。

（错）

7、正弦波脉宽调制（SPWM）是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。

（对）

8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。（错）

9、斩波器的定频调宽工作方式，是指保持斩波器通端频率不变，通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。

（对）

10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强，适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。

（对）

11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时，其触发延迟角的最大移相范围为0°～90°。

（对）

12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管，两者的电流容量是相同的。

（错）

13、晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。

（对）

14、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变参考信号正弦波的幅值，就可以调节逆变器输出交流电压的大小。

成人教育《电力电子变流技术》期末考试复习题及参考答案

电力电子变流技术练习题A

一、选择题

1.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )

A.导通状态

B.关断状态

C.饱和状态

D.不定

2.带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（）负载。

A 大电流，

B 高电压，

C 电动机

D 发电机

3．为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（）。

A 三极管，

B 续流二极管，

C 保险丝

D 电抗器

4..单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是

( )

A.90°

B.120°

C.150°

D.180°

5.单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )

A. 2

U2 B. 2 U2 C.22 U2 D. 6U2

6.三相半波可控整流电路的自然换相点是 ( )

A.交流相电压的过零点

B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处

C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°

D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°

7、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

A 有效值

B 最大值

C 平均值

D 不一定

8.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )

A.功率晶体管

B.IGBT

C.功率

MOSFET D.晶闸管

9、可实现有源逆变的电路为（）。

A、三相半波可控整流电路

B、三相半控桥整流桥电路，

C、单相全控桥接续流二极管电路

D、单相半控桥整流电路。

10.在大电感负载三相全控桥中，当α=90°时，整流电路的输出是( )

A.U2

B.0

C.1.414U2

D.1.732U2

11.属于半控型电力电子器件的是( )

2022年自考真题电力电子变流技术

全国4月高等教育自学考试

电力电子变流技术试题

课程代码：02308

一、单选题(本大题共26小题，每题1分，共26分)

在每题列出旳四个备选项中只有一种是符合题目规定旳，请将其代码填写在题后旳括号内。错选、多选或未选均无分。

1.功率晶体管旳安全工作区由( )

A.2条曲线限定

B.3条曲线限定

C.4条曲线限定

D.5条曲线限定

2.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变旳现象称为( )

A.一次击穿

B.二次击穿

C.临界饱和

D.反向截止

3.晶闸管旳正向不反复峰值电压U Dsm与转折电压U80旳关系是( )

A.U Dsm=U B0

B.U Dsm>U B0

C.U Dsm<U B0

D.U Dsm=1.2U B0

4.晶闸管在正常工作中，触发控制信号应加在( )

A.阳极

B.阴极

C.门极

D.漏极

5.晶闸管旳伏安特性是指( )

A.阳极电压与门极电流旳关系

B.门极电压与门极电流旳关系

C.阳极电压与阳极电流旳关系

D.门极电压与阳极电流旳关系

6.晶闸管是( )

A.2端器件

B.3端器件

C.4端器件

D.5端器件

7.三相半波可控整流电路中旳三个晶闸管旳触发脉冲相位互差( )

A.60°

B.90°

C.120°

D.150°

8.在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受旳最大正向电压为( )

A. B.2

C. D.2

9.在电感负载三相全控桥中，当α>60°时，在下一自然换相点之前整流输出u d为正值，交流电源提供能量，电感( )

A.释放能量

B.既不释放能量也不储能

C.储能

D.以储能为主

10.已知三相桥式不控整流电路旳相电压u A旳体现式为u A=sinωt，请写出u c旳体现式。

电力电子变流技术答案整理

一、简答题

1、晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?

答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A决定。

2、晶闸管的串联的目的是什么？存在什么问题？

当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上的同型号器件相串联。由于串联各器件的正向阻断（或反向）特性不同，但却流过相同的漏电流，因而各器件所承受的电压是不相等的。

目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。

问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀。3、晶闸管变流装置主电路对门极触发电路的要求是什么？

答：触发脉冲应有足够的功率，触发脉冲的电压和电流应大于晶闸管要求的数值，并留有一定的余量。触发脉冲的相位应能在规定范围内移动。

触发脉冲于晶闸管主电路电源必须同步，两者频率应相同，而且要有固定的相位关系，使每一周期在同样的相位上触发。

4、过电流有几种情况? 过流保护常采用什么方法？

过电流——过载和短路两种情况

常用措施：快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器，同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性

二、利用反馈控制做过流保护的原理图如下，说明工作原理，并指出这种保护的特点及常用于什么设备上？保护特点：动作速度比上述任何一种过流保护电器都快。常用于容易发生短路的设备如逆变器中。但内部发生短路时还得靠快熔来保护。

正常情况下，电流信号小于过电流整定值，电压比较器输出使控制门开，由给定电压控制触发系统工作，晶闸管正常导通。

电力电子技术试题(卷)20套与答案解析

考试试卷( 1 )卷

一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）

1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于

前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时，

_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为

_________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基

本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大

的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大

反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；

电力电子变流技术07年4月考题与答案

1 全国2007年4月高等教育自学考试

电力电子变流技术试题

课程代码：02308

一、单项选择题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1．若要增大SPWM 逆变器的输出电压，可采用的控制方法是（）

A ．增大三角波频率

B ．增大三角波幅值

C ．增大正弦控制电压频率

D ．增大正弦控制电压幅值

2．三相全控桥式整流电路中，晶闸管可能承受的最大反向电压峰值为（其中U 2为变压器

二次侧相电压有效值）（）

A ．23U 2

B ．22U 2

C ．6U 2

D ．3U 2

3．按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（）

A ．全控型器件

B ．半控型器件

C ．不控型器件

D ．电压型器件

4．三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，其逆变角β的变化范围为（）

A ．0°~90°

B ．0°~120°

C ．90°~180°

D ．0°~150°

5．三相桥式不控整流电路交流侧三相相电压正半周波的三个自然换相点互相间隔（）

A ．60°

B ．90°

C ．120°

D ．180°

6．单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载的整流电路中，整流晶闸管的导通角为

（）

A ．60°

B ．90°

C ．120°

D ．180°

7．单相半控桥式带续流二极管阻感性负载电路，设触发角为α，则整流晶闸管导通角为

（）

A ．π-α

B ．

65π-α C ．

32π-α D ．2π -α

8．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是（）A．干扰信号B．触发电压信号

(完整版)电力电子技术试题20套及答案

1.考试试卷( 1 )卷

一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）

1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属

于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时，

_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为

_________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的

是_____________，应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大

反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；

2021年全国4月高等教育自学考试电力电子变流技术试题

全国4月高等教诲自学考试

电力电子变流技术试题

课程代码：02308

一、单项选取题（本大题共15小题.每小题1分，共15分）

在每小题列出四个备选项中只有一种是符合题目规定，请将其代码填写在题后括号内。错选、多选或未选均无分。

1.下而给出四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件（）

A.二极管C.功率晶体管

B.晶闸管D.逆导晶闸管

2.逆变电路功能是将直流电能转换为（

）

A.直流电能

B.交流电能

C.磁场能

D.化学能

3・在规立条件下，额左电流为1000A晶闸管，所容许持续通过正弦半波电流最大平均值为（

）1000

B. 1000A

C・IOOO X Q A D. mooxf

4.在SPWM逆变器中，假设正弦调制波频率为50H乙三角载波频率为5000Hz,则载波比为（

）A. 50 B. 100

C. 200

D. 5000

5.升压直流斩波电路中，已知输入直流电源电压U尸24V,负载平均电压U尸36V,则电路导通比Kt=（）

A.丄

B. 1

4 3

1 2

C. —

D.—

2 3

6.在大电感负载单相全控桥式整流电路中，当a=0°时，整流输出电压平均值为（设整流输入电压有效值为U2）

（）

A. 0

B. — U2

C.空U,

D. Mu,

JT - 兀

7.在三相桥式不控大电感负载整流电路中，整流输入电流是正、负半波对称脉宽为 _______ 矩形交变电流（

）

A.60°

B. 90°

C. 120°

D. 180°

8.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a最大移相范畴是（）

A. 90°

B. 120°

C・ 150°D・180°

9.单相半波可控整流电路中，晶闸管也许承受正向峰值电压为（）

全国4月高等教育自学考试模拟、数字及电力电子技术试题及答案解析历年试卷及答案解析.docx

全国 2018 年 4 月高等教育自学考试

模拟、数字及电力电子技术试题

课程代码： 02238

一、单项选择题(每小题 2 分，共 24 分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题

目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。

1.对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于()

A. 放大状态

B. 截止状态

C.饱和状态

D. 无法确定

2.下列功率放大电路中，效率最高的是()

A. 甲类功放

B. 乙类互补功放

C.甲乙类互补功放

D. 准互补功放

3.串联型稳压电源中，产生基准电压的部分是()

A. 比较放大器

B. 稳压管电路

C.调整管

D. 采样电路

4.电路如图所示，则输出函数 F 为 ()

A ．F=0

B．F=1

C．F= AB C

D．F=ABC

5.逻辑函数F(A ， B， C， D)= Σ (0， 1，4， 5， 7， 13， 15)的最简式与非式为()

A ．A

B ? BD B. AB ? BD

C. AB ? CD

D. AB ? AB

6.根据真值表中的对应关系，Y 与 A 、 B 之间的逻辑关系为()

A.Y=AB

B.Y= AB

C.Y=A+B

D.Y= A B

A B Y

001

010

100

110

7.CMOS 集成基本

Q n 1S RQ n

）RS 触发器的特性方程错误的解释是（

SR0

A. 不允许 S、 R 信号同时为1

B.S， R 信号不能同时为0

C.SR=10 时，触发器置1

D.SR=01 时，触发器置0

8．图示电路，输出Y 为（）

A. A B

B. AB

C.AB

D.A+B

9.电路如图所示，其功能是()

现代电力电子及变流技术+A+卷

现代电力电子及变流技术

+A+卷

-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

东北大学继续教育学院

现代电力电子及变流技术试卷（作业考核线上2） A 卷

（共 4 页）

一、单选题（每小题2分，共10分）

1. （ B ）是电流控制型电力电子器件。

A.GTR、SITH

B.TRIAC、GTR

C.P-MOSFET、IGBT

D.GTO、MCT

2. 180°导电型交-直-交电压变频器，任意时刻有（ C ）导通。

A. 一只开关管

B. 两只开关管

C. 三只开关管

D. 四只开关管

3. 三相半波可控整流电路，大电感负载，晶闸管的电流有效值是（ D ）。

A. B. C. D.

4. 三相桥式全控整流电路，电阻性负载，脉冲的移相范围是（ B ）。

A. 90°

B. 120°

C. 150°

D. 180°

5. 同步信号为锯齿波的触发电路，双窄脉冲中第一个主脉冲由本相触发单元产生，第二个补脉冲（ B ）。

A.由超前本相60°相位的前一相触发单元产生；

B.由滞后本相60°相位的后一相触发单元产生；

C.由超前本相120°相位的前一相触发单元产生；

D.由滞后本相120°相位的后一相触发单元产生。

二、问答题（每小题5分，共35分）

1. 列举出至少三种晶闸管变流装置的过电流保护方法。

答：用快速熔断器切断过电流；

用直流快速开关切断过电源；

用桥臂电抗器制元件过电流；

用过电流继电器控制过电流大小。

2. 触发电路中设置控制电压U ct和偏移电压U b各起什么作用如何调整

答：对于同步电压为锯齿波的触发电路，工作时，把负偏移电压Ub调整到某值固定后，改变控制电压U c，就能改变ub4波形与时间横轴的交点，就改变了V4由截止转为导通的时刻从而改变了触发脉冲产生的时刻也就是改变控制角a，达到移相控制的目的。通常设置

2020年4月全国自考试卷及答案解析电力电子变流技术试题及答案解析

全国2018年4月自学考试试卷电力电子变流技术试题

课程代码：02308

一、单项选择题（本大题共12小题，每小题1分，共12分）

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1．造成晶闸管在不加门极触发信号时从阻断状态转为导通状态的非正常转折有两种因素，一是阳极的电压上升率du/dt 太快，二是（） A ．阳极电流上升太快 B ．阳极电流太大 C ．阳极电压过高 D ．电阻过大 2．晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（）

A ．阳极电流

B ．门极电流

C ．阳极电流与门极电流之差

D ．阳极电流与门极电流之和

3．晶闸管过电压保护元器件是（） A ．快速熔断器 B ．RC 电路 C ．快速开关 D ．电抗器 4．三相半波可控整流电路带电阻性负载时的移相范围是（）

A ．0°～90°

B ．0°～120°

C ．0°～150°

D ．0°～180° 5．设变压器二次相电压有效值为U 2，三相半波可控整流电路带电阻性负载的晶闸管承受的

最大反向电压为（） A ．2U 2 B ．3U 2 C ．6U 2

D ．2U 2 6．单相半控桥式有续流二极管且带阻感性负载整流电路的触发角为α，则晶闸管导通角为

（）

A ．α2π

B ．π-α

C ．

π3

2 D ．π

7．功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（） A ．一次击穿 B ．二次击穿 C ．临界饱和 D ．反向截止

8．逆导型晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成的（）A．大功率三极管B．逆阻型晶闸管

电力电子变流技术试题参考答案

课程代码：02308

一、填空题(每小题1分，共14分)

1.大于(或≈(2～4))

2.智能功率集成电路

3.小于(或<)

4.U Fm=U2

5.120°

6.下降

7.静态均压 8.Y形和△形 9.储能元件

10.同一相 11.输出电压基波12.(一个)较大的负电流

13.减小存储时间 14.快速恢复

二、单项选择题(每小题1分，共16分)

15.B 16.B 17.A 18.B 19.D

20.B 21.C 22.A 23.C 24.A

25.B 26.A 27.D 28.C 29.C 30.B

三、简答题(每小题5分，共30分)

31.意义：利用电感的储能作用来平衡电流的脉动和延长晶闸管

的导通时间。

原则：在最小的负载电流时，保证电流连续，即使晶闸管导

通角θ=180°。

32.

33.(1)横向控制原理

(2)1A为同步变压器

1B为同步信发发生器

1C为移相控制电路

F为6倍频脉冲信号发生器

E为环形分配器和译码器

1D～6D为脉冲整形与功放电路

34.设u r为正弦调制波，u c为负向三角形载波。

在u r的负半周，关断V31、V34，使V32始终受控导通，只控制V33。在u r<u c时，控制V33导通，输出电压u0为-U d，在u r>u c时，使V33关断，输出电压为0V。

35.改变导通比Kt即可改变直流平均输出电压U0又可改变负载上消耗功率的大小，这就是斩波电路的直流调压和调功原理。

降压斩波电路U0=Kt·Ud

升压斩波电路U0=

36.V12为换相辅助晶闸管

L1、C、V22构成换相单方向半周期谐振电路，C为换相电容V22为单方

(完整版)电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷

一．填空（共15分，1分/空）

1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。

2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。

3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U

，忽略主电路

各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。

4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。

5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。

6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。

7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。

二．单选（共10分，2分/题）

1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。

A.直流断路器

B. 快速熔断器

C.过电流继电器

2．晶闸管属于（）。

A.不可控器件

B. 全控器件

C.半控器件

3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。

A．180O B.90O C.120O

4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。

A.60

B. 180

C. 120

5．把交流电变成直流电的是（）。

A. 逆变电路

B.整流电路

C.斩波电路

三．多选（共10分，2分/题）

1．电力电子器件一般具有的特征有。

A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数

B.一般工作在开关状态

C.一般需要信息电子电路来控制

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