模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

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模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1

模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1

第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。

如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO =4mA ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oU R i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↑。

u A ,↓。

u A ↓。

u A ④增大β,则I BQ 基本不变u A完美WORD 格式编辑i U +oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=Q 1完美WORD 格式编辑Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ,u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60,V ,R b =530k Ω,R L =5M Ω,试:①估算静态工作点;值;,输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档):直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管,已知第一个管子的,当该管的时,其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案

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在80℃时的反向电流约为� 23 �10� A � 80� A
+
习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3

I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA

I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向

模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)高等教育出版社1

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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80A μ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8C BO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案之欧阳理创编

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+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子基础简明教程第三版杨素行

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题1-13 (a)发射结正偏,集电结反偏,故BJT工作在放大区。

(b)发射结和集电结均反偏,故BJT工作在截止区。

(c)发射结正偏,集电结反偏,故BJT工作在放大区。

(d)发射结和集电结均正偏,故BJT工作在饱和区。

(e)发射结和集电结均反偏,故BJT工作在截止区。

(f)发射结正偏,集电结电压为0,故BJT处于临界饱和状态。

(g)发射结正偏,集电结反偏,故BJT工作在放大区。

(h)发射结正偏,集电结反偏,故BJT工作在放大区。

题2-1 判断图中放大电路有无放大作用,说明理由。

a)因为E结反偏,C结正偏,所以无放大作用。

应将+VCC改成-VCCb)电源未给发射结正偏——无放大作用。

应将Rb连在电源和基极之间c)输入交流信号会因交流通路中VCC的接地而被短路,无法作用在三极管的发射结——无放大作用。

应在电源和基极之间接一个电阻d)由于电容的隔直作用,发射结没有得到正偏——无放大作用。

应将电容C移走e)有放大作用f)无放大作用,原因:电容C2在交流时短路输出电压无法引出,而始终为零。

改正方法:将电容C2放在集电极和电压引出端之间。

g)无放大作用,原因:电容Cb在交流时短路而使输入交流信号被短路,无法作用在三极管的发射结。

改正方法:将电容Cb去掉。

h)无放大作用i)无放大作用题2-5题2-6VRIIVUmAImARRUVICEQ82.3)(7.2,027.0)1(cBQCQCCCQbcBEQCCBQ=+-===++-=β题2-13 1)I BQ=20uA, I CQ=2mA, U CEQ=-4V2) r be=1.5K, 3) A U=-100, 4)截止失真,应减小Rb 题2-15(2) 画出微变等效电路题2-16 1)I BQ =10uA, I CQ =1mA, U CEQ =6.4V2) r be =2.9K Ω,RL=∞时,R e /‘=5.6K ,A U =0.99, RL=1.2K 时,R e /‘=0.99K ,A U =0.979,3) RL=∞时,R i ‘=282K Ω, RL=1.2K 时,R i ‘=87K Ω 4) R o ‘=29Ω 题2-17R C ‘= R e 时,U O1 ‘≈ -U O2, 两者波形反相 题2-25e be e be L1)(1)(1R βr R βR βr R βU U C io ++-=++-='e be 2)(1)(1R βr R βU U e i o +++=题2-26第四章功率放大电路习题答案题4-6 分析OTL电路原理,已知V CC =10V,R3=1.2K,R L=16 Ω,电容足够大。

模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案

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+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)-杨素行-课后答案汇编

模拟电子技术基础简明教程(第三版)-杨素行-课后答案汇编

+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)

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3 U I I 2.2 A , U 0.8V
0 0.5 1 1.5 2 U/V (a)
可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二 极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题 1-4 已知在下图中, uI = 10sinω t (V), RL=1kΩ,试 对应地画出二极管的电流 i D、电压 uD以及输出电压 uO的波 形,并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 电流可以忽略。 uI/V 10 + uD 0 t + + i D/mA uI iD uD 10 RL 0 (a) t uI/V 0 t - 10 uo/V 10 0 t
3
10 A 1.25 A
在 80℃时的反向电流约为: 2
3
10 A 80 A
习题 1-3 某二极管的伏安特性如图 (a)所示: ①如在二极管两端通过 1kΩ的电阻加上 1.5V的电压,如图 (b),此时二极管的电流 I 和电压U各为多少? ②如将图 (b)中的 1.5V电压改为 3V,则二极管的电流和电 I/mA 压各为多少? 3 + U 解:根据图解法求解 ①电源电压为 1.5V时 2 I 1.5V 1kΩ (b) 1 1.5 U I I 0.8 A , U 0.7V ②电源电压为 3V时
0 1 1%
t t0
30 1 1%
50 20
30 1 30 1% 39
ICEO 1 ICBO 320 A 0.32mA
习题 1-12 一个实际 PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线分 别如图 P1-12(a)和 (b)所示。 ①查看该三极管的穿透电流 ICEO约为多大?输入特性的死区电 压约为多大? ②为了使 PNP型三极管工作在放大区,其 uBE和 uBC的值分别应 该大于零还是小于零?并与 NPN型三极管进行比较。 解:①查图可知, ICEO =0.5mA,死区电压约为 0.2V; ②为了使三极管工作在放大区, 对 PNP型: uBE<0, uBC >0; 对 NPN型: uBE>0, uBC <0。

最新模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-汇编

最新模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-汇编

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-[1]

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-[1]

习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用,简单说明理由。

答:(a无放大作用(发射结反偏);
(b不能正常放大(发射结无直流偏置);(c无放大作用(集电结无直流偏置);(d无放大作用(发射结无直流偏置);(e有放大作用(是射极跟随器);(f 无放大作用(输出交流接地);(g无放大作用(输入交流接地);(h不能正常放大(栅极无直流偏置);(i无放大作用(电源极性接反);
习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。

①增大R b ;②增大V CC ;③增大β。

答:①增大R b ,则I BQ 减少,I CQ 减少,U CE Q 增大。

②增大V CC ,则I BQ 增大,I CQ 增大,U CE Q 不确定。

③增大β,则I BQ 基本不变,I CQ 增大,U CE Q 减少。

习题2-19 P107
解:(a共基电路
(b共射电路(c共集电路(d共射电路(e共射-共基电路

②时

③当时,如果
去掉射极输出器,则
习题2-
微变等效电路:
Rb①
②RL=∞时,
Rb12=时,
③如果去掉射极输出器,则时,
时,
习题2-27 P110 答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档②测电压放大倍数Au :直流稳压电源、正弦波信号发生器、示波器、交流毫伏表。

③测最大输出电压幅度Uom :同②④测输入电阻Ri :同②⑤测输出电阻Ro :同②。

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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

解:①查图可知,I CE O =0.5mA ,死区电压约为0.2V ;②为了使三极管工作在放大区,对PNP 型:u BE <0,u BC >0;对NPN 型:u BE >0,u BC <0。

FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。

如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO=4mA ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图习题1-19图习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用,简单说明理由。

答:(a)无放大作用(发射结反偏);(b)不能正常放大(发射结无直流偏置);(c)无放大作用(集电结无直流偏置);(d)无放大作用(发射结无直流偏置);(e)有放大作用(是射极跟随器);(f)无放大作用(输出交流接地);(g)无放大作用(输入交流接地);(h)不能正常放大(栅极无直流偏置);(i)无放大作用(电源极性接反);R b(a)交流通路R e i U +--o UR (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。

①增大R b ;②增大V CC ;③增大β。

答:①增大R b ,则I BQ 减少,I CQ 减少,U CE Q 增大。

②增大V CC ,则I BQ 增大,I CQ 增大,U CE Q 不确定。

③增大β,则I BQ 基本不变,I CQ 增大,U CE Q 减少。

定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↓,↑。

u A ,↓。

u A ↓。

u A ④增大β,则I BQ 基本不变,r be ↑,基本不变u Ai U +--oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处,0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3放大电路如图P2-7(a)所示,试按照给定参数,P2-7(b)中:①画出直流负载线;R b 211k Ωi U oU _(b)图P2-7(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU +C图P2-6(b),输入电阻u A iU o U +_10A μ=0.6BQ I mAβ=0.61mA CC CQ C V I R -26)2.9k I ≈(u R A β=-//b be R r =≈2-11 利用微变等效电路法估算图大倍数、输入电阻及输出电阻。

已知:(u R A β=-//i b be R R r ==10k Ω,则电压放大倍数?ou iU A U == 6.6o iu i i oU R A U R R =≈-+i U o U +_1.5k Ω(u R A β=-④是截止失真,应减少iU o U +_R e 2k Ω(u be A r β=-+//i b be R R r =⎡⎣r beR eβ习题2-15 设图CC =10V, R c =3R b 1+-R i U sU oU +-5.3V≈i UR b-sU +-2.89k Ω6.5≈-R +-oU iU (10.99(1u be A r +=+时,(1(1u be A r +=+习题2-17 P107R +-1o U iU 2o U r beR cR eR b+-iU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1)o i be eU U r R β+=++R c =R e 时,12o o U U ≈-it1toU R b 2=10R c =3k R L =3β=50U BE Q =0.6V r bb ’=300I =2mA ΩA μ(//c u beR A r β=3c R k =Ω习题2-19 P107解:(a)共基电路(b)共射电路(c)共集电路(d)共射电路(e)共射-共基电路R 1i U oU +-R Lg m =1.5mS(1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(//)91o m d L u i m sU g R R A U g R ==-≈-+P109RR SDgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+0.7761o m su i m sU g R A U g R ∴==≈+P109=U BE Q2=0.7,12u be A r =-22k =ΩP109R c1C R E 1R SsU b 1r be 1解:微变等效电路:习题2-27P110答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档)②测电压放大倍数A u :直流稳压电源、正弦波信号发生器、示波器、交流毫伏表。

③测最大输出电压幅度U om :同②④测输入电阻R i :同②⑤测输出电阻R o :同②。

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