晶体管符号与特性曲线大全
晶体管的特性曲线
晶体管的特性曲线晶体管特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。
为什么要研究特性曲线：(1) 直观地分析管子的工作状态(2) 合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线1.测量晶体管特性的实验线路图1 共发射极电路共发射极电路：发射极是输入回路、输出回路的公共端。
如图1所示。
2．输入特性曲线输入特性曲线是指当集-射极电压U CE为常数时，输入电路( 基极电路)中基极电流I B与基-射极电压U BE之间的关系曲线I B = f (U BE)，如图2所示。
图2 3DG100晶体管的输入特性曲线U CE=0V时，B、E间加正向电压，这时发射结和集电结均为正偏，相当于两个二极管正向并联的特性。
U CE≥1V时，这时集电结反偏，从发射区注入基区的电子绝大部分都漂移到集电极，只有小部分与空穴复合形成I B。
U CE>1V以后，I C增加很少，因此I B 的变化量也很少，可以忽略U CE对I B的影响，即输入特性曲线都重合。
由输入特性曲线可知，和二极管的伏安特性一样，晶体管的输入特性也有一段死区。
只有在发射结外接电压大于死区电压时，晶体管才会导通，有电流I B。
晶体管死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。
晶体管正常工作时发射结电压：NPN型硅管U BE0.6 ~ 0.7) VPNP型锗管U BE0.2 ~ 0.3) V3．输出特性曲线输出特性曲线是指当基极电流I B为常数时，输出电路(集电极电路)中集电极电流I C与集-射极电压U CE之间的关系曲线I C = f (U CE)，如图3所示。
变化曲线，所以晶体管的输出特性曲在不同的I B下，可得出不同的I C随UCE线是一族曲线。
下面结合图4共发射极电路来进行分析。
图3 3DG100晶体管的输出特性曲线图4 共发射极电路晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分为三个工作区(1) 放大区在放大区I C=βI B，也称为线性区，具有恒流特性。
晶体管的输入输出特性曲线详解
晶体管的输入输出特性曲线详解届别系别专业班级姓名指导老师二零一二年十月晶体管的输入输出特性曲线详解学生姓名：指导老师：摘要：晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
根据晶体管的结构进行分类，晶体管可以分为：NPN型晶体管和PNP 型晶体管。
依据晶体管两个PN结的偏置情况，晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。
晶体管的性能可以有三个电极之间的电压和电流关系来反映，通常称为伏安特性。
生产厂家还给出了各种管子型号的参数也能表示晶体管的性能。
利用晶体管制成的放大电路的可以是把微弱的信号放大到负载所需的数值晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。
晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。
由于其响应速度快，准确性，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。
晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
关键字：晶体管、输入输出曲线、放大电路的静态分析和动态分析。
【Keywords】The transistor, the input/output curve, amplifying circuit static analysis and dynamic analysis.一、晶体管的基本结构晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图1-1(a)、(b)所示。
从三个区引出相应的电极，发射极，基极，集电极，各用“E”（或“e”）、“B”(或“b”)、“C”(或“c”)表示。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
晶体管的输入输出特性曲线详解
晶体管的输入输出特性曲线详解届别系别专业班级姓名指导老师二零一二年十月晶体管的输入输出特性曲线详解学生姓名：指导老师：摘要：晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
根据晶体管的结构进行分类，晶体管可以分为：NPN型晶体管和PNP 型晶体管。
依据晶体管两个PN结的偏置情况，晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。
晶体管的性能可以有三个电极之间的电压和电流关系来反映，通常称为伏安特性。
生产厂家还给出了各种管子型号的参数也能表示晶体管的性能。
利用晶体管制成的放大电路的可以是把微弱的信号放大到负载所需的数值晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。
晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。
由于其响应速度快，准确性，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。
晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
关键字：晶体管、输入输出曲线、放大电路的静态分析和动态分析。
【Keywords】The transistor, the input/output curve, amplifying circuit static analysis and dynamic analysis.一、晶体管的基本结构晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图1-1(a)、(b)所示。
从三个区引出相应的电极，发射极，基极，集电极，各用“E”（或“e”）、“B”(或“b”)、“C”(或“c”)表示。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
晶体管伏安特性与开关特性图文说明
晶体管伏安特性与开关特性图文说明1. 晶体管伏安特性曲线⑴输入特性曲线输入特性曲线是指当集电极与发射极之间电压U CE 为常数时， 输入回路中加在晶体管基极与发射极之间的发射结电压u BE 和基极电流i B 之间的关系曲线，如图2.7所示。
用函数关系式表示为:常数==CE BE B u u f i |)(⑵输出特性曲线输出特性曲线是在基极电流i B 一定的情况下，晶体管的集电极输出回路中，集电极与发射极之间的管压降u CE 和集电极电流i C 之间的关系曲线，如图2.8所示。
用函数式表示为常数==B CE C i u f i |)(图2.7 晶体管的输入特性曲线 图2.7输出特性曲线①截止区习惯上把i B ≤0的区域称为截止区，即i B ＝0的输出特性曲线和横坐标轴之间的区域。
若要使i B ≤0，晶体管的发射结就必须在死区以内或反偏，为了使晶体管能够可靠截止，通常给晶体管的发射结加反偏电压。
②放大区在这个区域内，发射结正偏，集电结反偏i C 与i B 之间满足电流分配关系i C ＝βi B ＋I CEO ， 输出特性曲线近似为水平线。
③饱和区如果发射结正偏时，出现管压降u CE ＜0.7V (对于硅管来说)，也就是u CB ＜0 的情况，称晶体管进入饱和区。
所以饱和区的发射结和集电结均处于正偏状态。
饱和区中的i B 对i C 的影响较小，放大区的β也不再适用于饱和区。
2.晶体管的开关特性从上述可知，当U C >U B >U E 时，三极管集的电极电流与基极电流成C B I I β=关系，而且调整RX1电阻（集电极电阻），使U CE 从0-5V 变化，此时的I C 值已最大。
即：当U C >U B >U E 时，集电极电流I C 最大值。
所谓晶体管的开关特性是指，当U C >U B >U E 时，集电极到发射极相当于有大电流流过，U CE =0V ，电源电压全部作用于集电极电阻上；当U C >U B =U E 时（或U C >U E >U B ）时，集电极无电流流过，即I C =0A ，相当于晶体管的集电极与发射极断开，U CE 等于电源电压。
第二章-晶体管
（1）共基直流放大系数 IC
IE
（2）共基交流放大系数
IC
I E
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
二、极间反向电流
1 ICBO
发射极开路时，集电极—基极间的反向电流，称为集 电极反向饱和电流。
2 ICEO
基极开路时，集电极—发射极间的反向电流，称为集 电极穿透电流。
T
( 0.5 ~ 1) / C
2.3.2 晶体管的主要参数 一、电流放大系数
1.共射电流放大系数
（1） 共射直流放大系数 反映静态时集电极电流与基极电流之比。
（2） 共射交流放大系数 反映动态时的电流放大特性。
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
2. 共基电流放大系数
a. 受控特性：iC 受iB的控制
uCE＝uBE 4
放
IB＝40μ A
iC iB
饱 和3
30μ A
区
大 20μ A
iC iB
2
区
10μ A
1
b. 恒流特性:当 iB 恒定时，
0
uCE 变化对 iC 的影响很小
0μ A iB＝－ICBO
5
10
15
uCE/V
截止区
即iC主要由iB决定，与输出环路的外电路无关。
iC主要由uCE决定 uCE ↑→ iC ↑
iC /mA
=80μA =60μA =40μA
=20μA
25℃
uCE /V
（3）当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，运动 到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，
此后uCE再增加，电流也没有明显得增加，特 性曲线几乎平行于与uCE轴
晶体管常用符号对照表
符号对应中文
符号对应中文V CBO 集电极--基极电压V RM 反向峰值电压V CEO 集电极--发射极电压V R 反向工作电压V EBO 发射极--基极电压I FM 正向峰值电流I C 集电极电流I O 工作电流
P C 集电极耗散功率I PSM 正向不重复浪涌电流I j 结温P D 耗散功率T stg 储存温度T j 结温H FE 值流电流增益T stg 储存温度I CBO 集电极--基极截止电压V F 正向电压降I EBO 发射极--基极截止电压V (BR)反向击穿电压BV CBO 集电极--基极击穿电压I R 反向漏电流BV
CEO
集电极--发射极击穿电压C D 电容BV EBO
发射极--基极击穿电压t rr
开关时间
V CE(sat)
集电极--发射极饱和压降V bE(sat)基极--发射极饱和压降f T 特征频率C ob 共基极输出电容NF 噪声系数
I CEX 集电极截止电流I BEX 基极截止电流t on 开启时间t off
关断时间
SOT-23
晶体管符号对照表
三极
管二极管。
二极管,晶体管,晶闸管的符号
一、引言二极管、晶体管、晶闸管作为电子元件，在现代电子科技中具有重要的作用。
它们的符号不仅仅是标识其外形，更是代表着其内部结构和工作原理。
本文将深入探讨二极管、晶体管、晶闸管的符号，帮助读者更全面地理解这些电子元件的特点和应用。
二、二极管的符号二极管是一种只能导通一个方向的半导体器件，常用于电子电路中的整流、变频和限幅等功能。
在电子元件的图纸或电路图中，二极管的符号通常由一个三角形和一条水平线组成。
其中，三角形一端的角表示二极管的P端，即阳极；另一端的水平线表示二极管的N端，即阴极。
这个符号简单直观，清晰地表示了二极管的工作原理。
三、晶体管的符号晶体管是一种放大信号的半导体器件，其符号通常由一组相互连接的箭头组成。
箭头的方向表示了晶体管中电流的流向，以及控制端与电流流向之间的关系。
晶体管分为NPN型和PNP型两种，对应的符号也有所不同。
NPN型晶体管的符号中，两个朝向晶体管内部的箭头表示了从基极到发射极的电流流向；而PNP型晶体管的符号中，两个背向晶体管内部的箭头表示了从发射极到基极的电流流向。
这种符号设计能够直观地反映晶体管的输电性质和工作原理。
四、晶闸管的符号晶闸管是一种可控硅器件，具有开关功能和放大功能，被广泛应用于电力电子等领域。
其符号通常由一个由两个箭头组成的三角形和一个控制极组成。
三角形的两个箭头表示了晶闸管中的PN结，控制极则表示了晶闸管的触发电路。
晶闸管的符号设计简单明了，能够清晰地表示其内部结构和工作原理。
五、总结通过深入探讨二极管、晶体管、晶闸管的符号，我们可以更全面地理解这些电子元件的特点和应用。
二极管的符号由三角形和水平线组成，简洁直观；晶体管的符号由一组箭头表示，能够清晰地反映其输电性质和工作原理；晶闸管的符号由三角形和控制极组成，简单明了。
这些符号设计不仅帮助工程师们更方便地理解电路图，也为电子元件的应用提供了便利。
六、个人观点和理解在我看来，电子元件的符号设计是非常重要的，它直接影响着工程师们对电路图的理解和设计。
(10)晶体管的伏安特性及主要电参数
晶体管的伏安特性及主要电参数
1.晶体管共射极接法的伏安特性曲线
三极管共射极接法 iC i
B
共射极输入特性
iB μA
uCE=0V uCE≥1V
uBE
uCE iE
（1）共射极输入特性
iB f ( uBE ) U CE一定
0
0.4
0.8
uBE V
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模拟电子技术基础
输入特性的特点: a. 输入特性是非线性的， 有死区。 b. 当uBE不变，uCE从零增大 时，iB将减小。
0
0.4
0.8
iB μA
uCE=0V uCE≥1V
uBE V
c. 当uCE≥1V，输入特性曲线几乎重合在一起， 即uCE对输入特性几乎无影响。
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模拟电子技术基础
(2) 共射极输出特性
(a) IB≈0 (b) IC≈0
1 0 6
2
4
8 u /V CE
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模拟电子技术基础
(3) NPN管与PNP管的区别
NPN管电路
iB
PNP管电路
iC
iB
iC
uBE
iE
uCE
uBE
iE
uCE
iB、uBE、iC、 iE 、uCE的极性二者相反。
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模拟电子技术基础
iC/ mA
4 3
iB =
μ 100 A 80
饱和区
60
2
40
1 0 6
20 0
2
4
8 u /V CE
晶体管伏安特性曲线(2.4)
2.4 晶体管伏安特性曲线各极电压与电流之间的关系-------外部特性各极电压：V BE 、V CB 、V CE ，由于V BE + V CB = V CE ，所以两个是独立的。
各极电流：I E 、I B 、I C 。
由于I B + I C = I E ，所以两个是独立的。
一、 共E 输入特性曲线共E ： 输入：I B 、V BE 。
输出：I C 、V CE 。
共E 输入特性曲线：当V CE 维持不同的定值，输入电流I B 随输入电压V BE 变化的特性1()CE B E BE V I f V =定值V BE 是自变量 I B 是因变量 V CE 是参变量 测试原理图：是一族曲线，每根都类似二极管的伏安特性曲线。
特点：（1） 当V CE = 0时，两PN 结并联，I B 较大 （2） 当V CE 从0→0.3V 时，曲线右移。
（3） 当V CE >0.3V 后，曲线基本重合（V CE 的影响很小），不完全重合的原因：基区宽度调制效应。
当V CE ↑，集电结空间电荷区宽度↑，基区宽度↓，复合几率↓，I B ↓。
实际影响很小，所以一般只画一根。
（4） 存在发射结正向导通电压V BE(on) ,类似二极管正向导通电压V D(on) 。
即发射结正向导通时，不管I B 多大，V BE = V BE(on) 基本不变（分析外电路时）。
()0.60.7:(0.60.7)BE on V NPNSi V V PNP ⎧=⎨-⎩例：如右上图求I B 。
等效电路如右下图()BB BE on B BV V I R -=（5） 反向特性 V BE <0 (NPN)发射结反偏，集电结反偏反向电流 I B =－（I EBO + I CBO ） 很小 I EBO ：发射结反向饱和电流I CI C I V V V VV BE CE CECE B=0=0.3V=10V(BR)BEOCBBCCR V V I BBBB BE(o n)R V V（6） 击穿特性当反向电压大到V （BR ）BEO 时，反向电流↑↑ 二、共E 输出特性曲线（P59）当I B 维持不同的定值，输出电流I C 随输出电压V CE 变化的特性2()C E CE I f V =B I 定值分四个区：放大区、饱和区、截止区、击穿区1、 放大区：发射结正偏，集电结反偏0,0BE CB V V >>()CB CE BE CE BE BE on V V V V V V =-∴>=特点：（1） 满足C B CEO B I I I I ββ=+≈， I B 对I C 有正向控制作用（2） 当I B 是等间隔时，曲线是平行等距的。
晶体三极管特性曲线
晶体三极管特性曲线1、集电极输出特性曲线和二极管一样，晶体管的特性曲线可以提供很多信息。
有许多类型的晶体管特性曲线。
集电极曲线族是最常见的曲线之一。
图10-9就是这种曲线的一个例子。
垂直轴表示集电极电流（IC），以毫安为单位；水平轴表示集电极-发射极偏置电压（UCE），以伏特为单位。
该图叫做集电极曲线族，因为它是同一个三极管在给定不同基极电流的条件下描绘的。
图10－10给出了一种电路可以用来测量一个集电极曲线族的数据的电路。
用三个表来分别测量基极电流IB，集电极电流IC，集电极-发射极电压UCE。
为了画出含有三个变量的曲线，将一个变量值固定为常数而使其它两个量改变。
对一个集电极曲线族来说，常量是基极电流。
如图10－10所示，先调整可变电阻器得到需要的基极电流，然后调整可变电源，每给定为一个UCE值，记录集电极电流的值。
接着，再改变UCE值，并记录IC的值。
在图上描出这些数据点就产生了一条IC-UCE的伏安特性曲线。
改变基极电流，重复前面的操作，就可以产生这一族中的其它曲线。
从图10-9所示的曲线可得到一些结型晶体管的重要参数。
注意到集-发极间电压对集电极电流的影响很小。
注意IB=20μA时的曲线，电压从2V到18V范围内集电极电流有多大变化？电压增加16V，电流大约增加0.3mA。
由此可见，集电极电压对电流的影响很小，仅在集电极电压很小的时候对集电极电流有影响（见图10-9中1V以下部分曲线称三机关报和区）。
由输出特性曲线图，我们定义三极管的动态电阻（也称三极管集电极输出电阻）：实际表示输出特性曲线的斜率。
对于上例可见三极管有较大的动态电阻。
你要学会利用图10-9读一些数据。
例如，当IC=10mA，VCE=4V时，求IB=?，这两个数据点在80μA的曲线上相交，所以答案是80μA。
读该图时，使用估值也是必要的。
例如，当UCE=10V，IC=7mA时，基极电流值为多少？这两个值的交点与族内的每条曲线都不相交，大约在40μA和60μA曲线之间，所以估值50μA是比较合理的。
3-1 双极型晶体管_2
(3) 共射截止频率fβ 低频时共发射极交流电流放大系数为β0。β下降到β0/ 2 时所对应的信号频率称为晶体管的共射截止频率，用fβ表 示。 (4) 共基截止频率fα 低频时共基极交流电流放大系数为α0。α下降到α0/ 2 时 所对应的信号频率称为晶体管的共基截止频率，用fα 表示。 特征频率、共射截止频率和共基截止频率三者之 间大致满足如下关系：
O
U th
i B /µA
UCE
0V
U CE
1V
uBE / V
NPN型晶体管的共射输入特性曲线
2. 输出特性曲线 输出特性曲线—— iC=f(uCE) iB=const 它是以IB为参变量的一族特性曲线。 当UCE=0 V时，集电极无收集作用， IC=0。 当UCE稍增大时，IC随着UCE 增加而增加。 当UCE继续增加使集电结 反偏电压较大时， UCE再 增加，电流也没有明显的 增加。
fα ≈ f T = β 0 ⋅ fβ
3. 极限参数 (1) 集电极最大允许电流 ICM 当集电极电流增加到一定程度，β 就要下降，使β 值 明显减小所对应的IC称为集电极最大允许电流ICM。 (2) 集电极最大允许功率损耗PCM pC= iC×uCE ，PCM表示集电结上最大允许耗散功率。
(3) 反向击穿电压 反向击穿电压表示晶体管电极间承受反向电压的能力。
0 2 4 6 8 10 12
UCE V
在输出特性曲线上求β
② 共基极交流电流放大系数α
∆ iC α= ∆i E
U CB = CONST
当ICBO和ICEO很小时， α ≈ α、 β ≈β，可以不加区分。 (2) 特征频率fT 晶体管的β 值不仅仅与工作电流有关，而且与工作频 率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，晶体管 的β 值将会下降。当 β 下降到 1 时所对应的频率称为特征 频率，用fT表示。
中国晶体管型号组成部分的符号及其意义
P型．锗材料
W
稳压管
A
高频大功率管
C
N型．硅材料
C
参量管
（fa≥3兆赫，Pc≥1瓦）
D
P型．硅材料
Z
整流管
T
半导体闸流管
L
整流管
（可控整流器）
S
隧道管
Y
体效应器件
N
阻尼管
B
雪崩管
3
三极管ABiblioteka PnP型，锗材料U
光电器件
J
阶跃恢复管
B
NPN型，锗材料
K
开关管
CS
场效应管
C
PnP型，硅材料
X
低频小功率
BT
半导体特殊器件
D
NPN型，硅材料化合物材料
fa＜3兆赫，Pc＜1瓦
FH
复合管
E
G
高频小功率管
PIN
PIN管
fa≥3兆赫，Pc＜1瓦
JG
激光器件
中国晶体管型号组成部分的符号及其意义
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
用数字表示器
件的电极数目
用汉语拼音字母表示
器件的材料和极性
用汉语拼音字母表示器件的类型
用数字表示器件序号
用汉语拼音字母表示规格号
符号
意义
符号
意义
符号
意义
符号
意义
P
普通管
D
低频大功率管
2
二极管
A
N型，锗材料
V
微波管
fa＜3兆赫，Pc≥1瓦
场效应晶体管的电路符号
场效应晶体管的电路符号场效应晶体管（field-effect transistor，简称FET）是一种半导体器件，常用于放大和开关电路中。
它的电路符号如下：1. N沟道场效应晶体管符号：N沟道场效应晶体管（n-channel field-effect transistor，简称nFET）的电路符号由三个主要部分组成：一个直线轴表示源极（source），一个箭头表示漏极（drain），以及附加在直线轴和箭头之间的一条弧线表示栅极（gate）。
该符号用于表示N沟道型场效应晶体管的接线方向和主要结构。
2. P沟道场效应晶体管符号：P沟道场效应晶体管（p-channel field-effect transistor，简称pFET）的电路符号与N沟道型晶体管的符号相似，主要区别在于源极和漏极的位置与箭头反转了。
源极变为箭头，箭头变为直线轴，表示P型半导体。
在电路设计中，常用到场效应晶体管的两种接法，包括共源极接法和共漏极接法。
下面将分别对这两种接法的特点和用途进行详细介绍：共源极接法（source-follower configuration）：1. 特点：在共源极接法中，晶体管的源极与信号源相连，漏极直接通过负载电阻接地。
这种接法的特点是输入电阻较高，输出电阻较低，电压放大系数接近于1。
可以实现电压放大和阻抗匹配功能。
2. 用途：共源极接法常用于信号放大电路中，可以将低电平信号放大为高电平信号，同时提供较低的输出阻抗，以便驱动下级电路。
共漏极接法（drain-follower configuration）：1. 特点：在共漏极接法中，晶体管的漏极直接连接到负载电阻，源极通过电阻与地相连。
这种接法的特点是输入电阻较低，输出电阻较高，电流放大系数接近于1。
2. 用途：共漏极接法常用于电流放大电路中，可以实现电流放大和电阻匹配功能。
常见的应用场景包括光电探测器、放大器和电流源等。
除了以上两种常用接法外，场效应晶体管还可以用于开关电路中。
晶体管的输出特性曲线分为三个工作区.ppt
图解法
放大 电路 分析
微变等效电路法 动态分析 图解法
11
10.2.1静态分析: 确定静 态值（直流值） IB 、 UBE、 IC 、UCE、IE +VCC RC ICC2 RB C1 IB T UCE RL UBE IE
es
ui
RS
uo
用放大电路的直流通路来分析。
一、估算法
VCC–UBE IB= RB
晶体管的输出特性曲线分为三个工作区：
（1）放大区 I C
发射结处于正向偏置； β I B 集电结处于反向偏置
_
CE
_
（2）饱和区 I C β I B 发射结处于正向偏置； U =0 集电结处于正向偏置 （3）截止区
4 IC/mA 3 2
IB=0 ，IC=ICEO
100
发射结处于反向偏置； 集电结处于反向偏置 UCE=VCC
iC = iB
i
3
2.25
C
/ mA
80
i
2.25
C
/ mA
60
40
1.5
0.75 0.25
1. 5
Q1
ic
0.75
20
0.25
Q IB = 5 µ A
0 3
0
uo波形
t
0 0
6
9
Q212
t
截止失真
uce (uo)
uCE /V uCE /V
正半周 变平
28
小结： 放大电路中出现截止失真说明静态工作点Q太 低应减小RB, 即增大IB ；出现饱和失真说明静态工
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二极管晶体管类电子符号大全
二极管晶体管类电子符号大全肖特基二极管(Schottky Diode)Symbol Parameter 中文VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压VRWM Working peak reverse voltage 方向工作峰值电压VR DC Blocking Voltage 反向直流电压VR(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值IF(AV) Average Rectified Forward Current 正向平均电流IR Reverse Current 反向电流IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流VF Forward Voltage 正向直流电压Cj Typical Junction Capactiance 结电容PD Power Dissipation 耗散功率Tj Operating Junction Temperature 工作结温Tstg Storage Temperature Range 存储温度Rth(j-a) Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻Pin二极管(Pin Diode)Symbol Parameter 中文VR Continuous reverse voltage 反向直流电压IF Continuous forward current 正向直流电流VF Forward voltage 正向电压IR Reverse current 反向电流Cd diode capacitance 二极管电容rd diode forward resistance 二极管正向电阻Ptot total power dissipation 总的功率损耗Tj Junction Temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度TVS二极管(TVS Diode)Symbol Parameter 中文IPP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流VC Clampling voltage 钳位电压IR Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流VBR Breakdown voltage 击穿电压VRWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压VF Forward voltage 正向电压IF Forward current 正向电流IT Test current 测试电流可控硅(SCR)Symbol Parameter 中文VDRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压IT(RMS) RMS On-state current 额定通态电流ITSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流IGM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流VTM peak forward on-state voltage 通态峰值电压IGT Gate trigger current 控制极触发直流电流VGT Gate trigger voltage 控制极出发电压IH Holding current 维持电流IDRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流IRRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流PG(AV) Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温Tstg Tstg storage temperature range 存储温度三端稳压管(Three T erminal Voltage Regulator)Symbol Parameter 中文VI input voltage 输入电压Vo output voltage 输出电压△Vo Load regulation 输出调整率△Vo Line regulation 输入调整率Iq quiescent current 偏置电流△Iq q uiescent current change 偏置电流变化量VN Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripple rejection 纹波抑制比Vd dropout voltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peak current 峰值输出电流Topr operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)Symbol Parameter 中文VKA Cathode voltage 阴极电压IK Cathode current range(continous) 阴极电流Iref Reference input current range,continous 基准输入电流PD Power dissipation 耗散功率Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Topr operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度Vref Reference input voltage 基准输入电压△Vref(dev) Deviation of reference input voltage over full temperature range 全温度范围内基准输入电压的偏差△Vref/△VKA Ratio of change in reference input v oltage to the change in cathode voltage 基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比△Iref(dev) Deviation of reference input current over full temperature range 全温度范围内基准输入电流的偏差Imin Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流Ioff Off-state cathode current 关断状态阴极电流|ZKA|Dynamic impedance 动态阻抗普通晶体管(Transistor)Symbol Parameter 中文VCBO Collector-Base voltage 发射极开路,集电极-基极电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极电压IC Collector current 集电极电流PC Collector power dissipation 集电极耗散功率Tj Junction temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压ICBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流IEBO Emitter cut-off current 集电极开路,发射极-基极截止电流ICEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流hFE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值VCEsat Collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和电压VBEsat Base-emitter saturation voltage 基极-发射极饱和电压VBE Base-emitter voltage 基极-发射极电压fT Transition frequency 特征频率Cobo Collector output capacitance 共基极输出电容Cibo Collector input capacitance 共基极输入电容F Noise figure 噪声系数ton Turn-on time 开通时间toff Turn-off time 关断时间tr Rise time 上升时间ts Storage time 存储时间tf Fall time 下降时间td Delay time 延迟时间数字晶体管(Digital Transistor）Symbol Parameter 中文VCC Supply voltage 直流电压VIN input voltage 输入电压IO output current 输出电流PD Power dissipation 功率损耗VI(off) Input-off voltage 输入截止电压VI(on) Input-on voltage 输入开启电压VO(on) output voltage 输出电压II input current 输入电流IO(off) output current 输出截止电流GI DC current gain 直流增益R1 Input resistance 输入电阻R2/R1 Resistance ratio 电阻率fT Transition frequency 传输频率Tj junction temperature 结温Tstg storage temperature range 存储温度VCBO Collector-base voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压场效应管(MOSFET)Symbol Parameter 中文ID Continous drain current 漏极直流电流VGS Gate-source voltage 栅-源电压VDS Drain-source voltage 漏-源电压EAS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Rth(j-c) Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压IGSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流IDSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流rDS(on) Drain-source on-resistance 漏源通态电阻gfs Forward transconductance 跨导VSD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降Ciss Input capacitance 栅-源电容Coss Output capacitance 漏-源电容Crss Reverse transfer capacitance 反向传输电容Rg Gate resistance 栅极电阻td(on) Turn-on delay time 开通延迟时间tr Rise time 上升时间td(off) Turn-off delay time 关断延迟时间tf Fall time 下降时间IDM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流PD Power dissipation 耗散功率Tj operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度。