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中图分类号查询-TN无线电电子学、电信技术

中图分类号查询-TN无线电电子学、电信技术

中图分类号查询--TN无线电电子学、电信技术 TN 无线电电子学、电信技术TN-9 电子工业经济TN0 一般性问题TN01 基础理论TN011 电波传播、传播机理TN011.2 电离层传播TN011.3 对流层传播TN011.4 表面波传播TN011.5 地下传播TN011.6 水下传播TN011.7 外层空间传播(宇宙传播)TN011.8 超低频电波传播TN011.91 城市电波传播TN011.92 建筑物内电波传播TN012 光波传播TN014 无线电技术TN015 微波与超高频技术TN02 设计、制图TN03 结构TN04 材料TN05 制造工艺及设备TN06 测试技术及设备TN07 无线电产品的维修、保养TN08 无线电工厂TN081 生产过程自动化TN082 技术安全及卫生措施TN1 真空电子技术TN10 一般性问题TN101 基础理论TN102 设计和计算TN103 结构和元部件TN104 电真空器件材料TN104.1 金属材料TN104.2 绝缘材料TN104.3 显示材料TN104.7 气体TN104.8 吸气剂及其他吸气材料[TN104.9] 真空密封材料TN105 电真空器件制造工艺TN105.1 部件制备TN105.2 管子制造TN105.3 管子处理TN105.4 真空工艺卫生TN105.5 工艺设备TN107 电真空测试技术与设备TN108 电真空排气系统TN108.1 设计原理TN108.3 结构TN108.4 操作及自动控制TN108.5 清洁过滤装置TN108.6 漏气及引入大气TN108.7 电路TN11/15 各种电真空器件TN11 电子管TN111 二极管TN112 三极管TN113 四极管TN114 五极管、多极管TN115 变频管、混频管TN116 复合管TN117 超小型管TN118 收讯放大管TN12 微波电子管TN121 超高频三极、四极管(栅控微波管)TN121+.1 金属陶瓷管TN121+.2 小型抗振管TN121+.3 铅笔管TN121+.4 叠层管TN121+.5 灯塔管TN121+.6 磁聚焦三极、四极管TN122 速调管TN122+.1 反射速调管TN122+.2 多腔速调管TN122+.3 倍频速调管TN122+.4 漂移速调管TN122+.5 多电子束速调管TN122+.6 静电聚焦速调管TN122+.7 分布作用速调管TN123 磁控管TN123+.1 脉冲磁控管TN123+.2 连续 竦 磁控管TN123+.3 同轴磁控管TN123+.4 反同轴磁控管TN123+.5 电压调谐磁控管TN123+.6 耦腔磁控管TN124 行波管TN124+.1 低噪声行波管TN124+.2 功率行波管TN124+.3 “M”型行波管TN124+.4 倍频与变频行波管TN124+.5 光电行波管TN125 返波管TN125+.1 “O”型返波管TN125+.2 “M”型返波管TN125+.3 磁铁返波管TN126 天线开关管(谐振放电管)TN127 正交场放大管TN128 相对论电子束微波管TN129 其他超高频、特高频器件TN13 气体放电器件、离子管TN131 辉光放电管TN131+.1 辉光放电稳压管TN131+.2 触发管TN131+.3 计数管TN131+.4 数字管TN131+.5 指示管TN131+.6 黑迹管TN132 冷阴极气体放电管TN133 弧光放电管、低压充气二极管 TN134 闸流管TN134+.1 充气闸流管TN134+.2 脉冲闸流管TN134+.3 冷阴极闸流管TN134+.4 辉光放电闸流管TN134+.5 整流闸流管TN135 脉冲放电管TN135+.1 火花放电管TN135+.2 电晕放电管TN135+.3 高频放电管TN136 等离子体器件TN14 电子束器件、X射线管、阴极射线管 TN141 显示器件TN141.1 示波管TN141.1+1 低压示波管TN141.1+2 高压示波管TN141.1+3 单束示波管TN141.1+4 双束与多束示波管TN141.1+5 非坐标示波管TN141.1+6 超高频示波管TN141.1+7 静电印刷示波管TN141.1+8 微光点示波管TN141.2 定位管TN141.2+1 单色定位管TN141.2+2 多色定位管TN141.3 电视显像管TN141.3+1 投影式显像管TN141.3+2 彩色显像管TN141.3+3 黑白显像管TN141.3+6 飞点扫描管TN141.3+9 特殊显像管TN141.4 校对管TN141.5 等离子体显示器件TN141.6 数码管TN141.7 符号显示管TN141.8 光阀投影管TN141.9 液晶显示器件TN142 电视摄像管TN142.2 超正析像管TN142.3 声电摄像管TN142.4 电像管TN142.5 视像管TN143 变像管TN144 像增强器TN144+.1 X射线像增强器TN144+.2 串联式像增强器TN144+.3 可拆式像增强器TN144+.4 照相式像增强器TN145 贮存管TN145+.1 阻挡栅式贮存管TN145+.2 积累式贮存管TN145+.3 直观式贮存管TN145+.4 信号转换管TN145+.5 记忆电子束管TN146 特种电子束器件TN146+.1 电子束换能管TN146+.2 电子注管TN146+.3 脉冲形成管TN146+.4 编码管与字码管TN146+.5 电子换接器TN15 光电器件、光电管TN151 光电管TN151+.1 真空光电管TN151+.2 充气光电管TN152 光电倍增管TN152+.1 能谱分析光电倍增管TN152+.2 闪烁计数光电倍增管TN152+.3 时间分辨光电倍增管TN152+.4 光电测量光电倍增管TN16 电子光学仪器TN2 光电子技术、激光技术TN20 一般性问题TN201 基础理论TN202 设计TN203 结构TN204 材料和工作物质TN205 制造工艺及设备TN206 测试、调整及其设备TN207 维修、保养TN208 工厂(车间)TN209 应用TN21/27 各种光电子技术及仪器 TN21 红外技术及仪器TN211 理论TN212 光源TN213 红外光学材料TN214 红外光学器件TN215 红外探测、红外探测器TN216 红外系统装置TN219 红外技术的应用TN22 夜视技术、夜视仪TN221 有源夜视TN222 无源夜视TN223 微光技术、微光夜视仪TN23 紫外技术及仪器TN24 激光技术、微波激射技术TN241 激光物理和基本理论TN242 激光器设计TN243 激光器结构TN244 激光材料及工作物质TN245 能源、光泵(浦)TN247 光检测技术TN248 激光器TN248.1 固体激光器TN248.1+1 红宝石激光器TN248.1+2 玻璃激光器TN248.1+3 钇铝石榴石激光器 TN248.1+4 塑料激光器TN248.1+5 色心激光器TN248.2 气体激光器TN248.2+1 原子气体激光器TN248.2+2 分子气体激光器TN248.2+5 离子气体激光器TN248.3 液体激光器TN248.3+2 无机液体激光器TN248.3+3 有机染料激光器TN248.3+4 调Q激光器TN248.3+5 锁模激光器TN248.3+6 腔倒空激光器TN248.4 半导体激光器TN248.5 化学激光器TN248.6 自由电子激光器TN249 激光的应用TN25 波导光学与集成光学TN252 光波导TN253 光纤元件TN256 集成光学器件[TN26] 全息术TN27 显示技术TN29 光电子技术的应用TN3 半导体技术TN30 一般性问题TN301 基础理论[TN301.1] 半导体物理[TN301.2] 半导体化学TN302 设计与计算TN303 结构、器件TN304 材料TN304.0 一般性问题TN304.01 理论TN304.02 计算TN304.05 制取方法与设备TN304.051 物理制取、物理提纯TN304.052 化学制取、化学提纯TN304.053 单晶拉制TN304.054 外延生长TN304.055 半导体薄膜技术TN304.057 废料中半导体材料的回收 TN304.07 参数测试与检验TN304.1/.99 各种半导体材料TN304.1 元素半导体TN304.1+1 锗TN304.1+2 硅TN304.1+3 硒TN304.1+4 碲TN304.1+5 灰锡TN304.1+6 硼TN304.1+7 磷TN304.1+8 碳、金刚石TN304.2 化合物半导体TN304.2+1 氧化物半导体TN304.2+2 Ⅱ-Ⅴ族化合物半导体TN304.2+3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体TN304.2+4 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体TN304.2+5 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体TN304.2+6 三元系化合物半导体TN304.3 稀土半导体TN304.5 有机半导体TN304.51 简单有机半导体TN304.52 聚合物有机半导体TN304.53 分子络合物半导体TN304.54 生物半导体TN304.6 离子晶体TN304.7 磁性半导体、磁阻半导体TN304.8 非晶态半导体TN304.81 玻璃半导体TN304.82 陶瓷半导体TN304.83 液态半导体TN304.84 无定型半导体TN304.9 其他半导体材料TN304.91 光敏半导体TN304.92 气敏半导体TN304.93 压敏半导体TN304.94 声敏半导体TN305 半导体器件制造工艺及设备TN305.2 表面处理TN305.3 掺杂TN305.4 扩散TN305.5 氧化层生长TN305.6 制版TN305.7 光刻、掩膜TN305.8 真空镀膜TN305.92 溅射TN305.93 装架TN305.94 封装及散热问题TN305.95 隔离技术TN305.96 引线技术TN305.97 洁净技术TN305.99 其他TN306 可靠性及例行试验TN307 测量和检验TN31/387 各种半导体器件TN31 半导体二极管TN311/315 各种二极管TN311 二极管:按工艺分TN311+.1 面接触二极管TN311+.2 合金二极管TN311+.3 扩散二极管TN311+.4 电化学二极管TN311+.5 薄膜二极管TN311+.6 互补二极管TN311+.7 热载流子二极管TN311+.8 金属-半导体二极管TN312 二极管:按结构和性能分TN312+.1 变容二极管TN312+.2 隧道二极管TN312+.3 反向二极管TN312+.4 PIN二极管TN312+.5 磁性二极管TN312+.6 双基极二极管TN312+.7 雪崩二极管TN312+.8 发光二极管TN313 二极管:按作用分TN313+.1 高压二极管TN313+.2 负阻二极管TN313+.3 稳压二极管TN313+.4 功率二极管TN313+.5 整流二极管TN313+.6 开关二极管TN313+.7 电荷贮存二极管( 自净 复二极管) TN313+.8 微波混频及检波二极管TN314 二极管:按形式分TN314+.1 台面型二极管TN314+.2 平面型二极管TN314+.3 外延式二极管TN315 二极管:按材料分TN315+.1 锗二极管TN315+.2 硅二极管TN315+.3 砷化镓二极管TN32 半导体三极管(晶体管)TN321/325 各种三极管TN321 晶体管:按工艺分TN321+.1 面接触晶体管TN321+.2 合金晶体管TN321+.3 扩散晶体管TN321+.4 电化学晶体管TN321+.5 薄膜晶体管TN321+.6 互补晶体管TN322 晶体管:按性能分TN322+.1 本征势垒晶体管TN322+.2 漂移晶体管TN322+.3 复合晶体管TN322+.4 负荷晶体管、电荷晶体管TN322+.5 磁性晶体管TN322+.6 低噪声晶体管TN322+.7 微功耗晶体管TN322+.8 双极性晶体管TN323 晶体管:按作用分TN323+.2 高频晶体管TN323+.4 功率晶体管TN323+.6 开关晶体管TN323+.7 模拟晶体管TN323+.8 高反压晶体管TN324 晶体管:按形式分TN324+.1 台面型晶体管TN324+.2 平面型晶体管TN324+.3 外延型晶体管TN324+.4 覆盖式晶体管、梳状(网状)晶体管 TN325 晶体管:按材料分TN325+.1 锗晶体管TN325+.2 硅晶体管TN325+.3 化合物晶体管、砷化镓晶体管TN335 PNPN四层结构器件TN34 晶闸管(可控硅)TN341 可控硅原理和设计TN342 可控硅器件TN342+.2 单向可控硅TN342+.3 双向可控硅TN342+.4 可关断可控硅TN342+.5 雪崩型可控硅TN342+.6 高速可控硅TN342+.7 光控可控硅TN344 控制线路TN345 参数及测量TN345+.1 额定正向平均电流及其测量TN345+.2 正向阻断峰值电压及其测量TN345+.3 反向阻断峰值电压及其测量TN345+.4 控制极触发电压及其测量TN345+.5 控制极触发电流及其测量TN349 可控硅的应用TN35 半导体整流器TN351 氧化亚铜整流器TN352 硒整流器TN353 锗整流器TN354 砷化镓整流器TN355 氧化物整流器TN356 硫化物整流器TN357 光控整流器TN358 电导调制整流器TN359.1 相敏整流器TN359.2 整流堆TN36 半导体光电器件TN361 光敏电阻TN362 红外线探测器件TN364 半导体光电管TN364+.1 硅光电管TN364+.2 半导体光电二极管TN364+.3 光电晶体管TN364+.4 微分半导体光电管TN365 半导体激光器件TN366 光转换器TN37 半导体热电器件、热敏电阻TN371 通用热敏电阻TN372 高温、低温热敏电阻TN373 正温度系数热敏电阻TN374 高频、低频热敏电阻TN375 玻璃态热敏电阻TN376 热敏电阻热辐射探测器TN377 温差电器件TN379 敏感器件TN382 霍尔器件、光磁电探测器件TN382+.1 霍尔回旋器TN382+.2 霍尔阻隔器TN382+.3 霍尔环形器TN383 发光器件TN383+.1 场致发光器件、电致发光器件TN383+.2 光致发光器件TN383+.3 高能粒子辐射发光器件TN383+.4 阴极发光器件TN383+.5 热致发光器件TN384 铁电及压电器件TN385 微波半导体器件TN386 场效应器件TN386.1 金属-氧化物-半导体(MOS)器件 TN386.2 绝缘栅场效应器件TN386.3 肖特基势垒栅场效应器件TN386.4 硅栅器件TN386.5 电荷耦合器件TN386.6 结型场效应晶体管TN386.7 静电感应场效应晶体管TN387 体效应器件TN387.1 甘氏效应器件、甘氏二极管TN387.2 限垒二极管TN387.3 撞雪崩渡越时间器件TN387.4 奥氏器件、玻璃半导体器件TN387.5 混合模式器件TN389 其他器件TN4 微电子学、集成电路(IC)TN40 一般性问题TN401 理论TN402 设计TN403 结构TN405 制造工艺TN405.95 隔离技术TN405.96 引线技术TN405.97 互连及多层布线技术TN405.98 干法腐蚀工艺TN405.98+1 离子洗削TN405.98+2 等离子刻蚀TN405.98+3 反应离子刻蚀TN405.98+4 分子束外延TN405.98+5 离子束曝光TN405.98+6 金属氢化物化学金相淀积 TN406 可靠性及例行试验TN407 测试和检验TN409 应用TN41/495 各种集成电路TN41 印刷电路TN42 微模组件TN43 半导体集成电路(固体电路)TN431 双极型TN431.1 线性集成电路、模拟集成电路 TN431.2 数字集成电路、逻辑集成电路 TN432 场效应型TN433 BICMOS(双极-MOS混合)集成电路 TN44 膜集成电路TN45 混合集成电路TN451 薄膜混合集成电路(薄膜电路)TN452 厚膜混合集成电路(厚膜电路)TN453 半导体混合集成电路TN454 微波混合集成电路(微波集成电路) TN455 微带电路TN46 中规模集成电路TN47 大规模集成电路、超大规模集成电路TN48 真空集成电路TN491 光学集成电路(集成光路)TN492 专用集成电路TN495 功能块(分子电路)TN6 电子元件、组件TN60 一般性问题TN601 理论TN602 设计、计算TN603 结构TN603.5 小型化、微型化TN604 材料TN605 制造工艺及设备TN606 测试、调整及设备TN607 维修、保养TN609 应用TN61/65 各种电子元件、器件TN61 微波元件、微波铁氧体元件TN62 微波传输控制元件TN621 环行器、环流器TN622 耦合器、定向耦合器TN622+.1 同轴定向耦合器TN622+.2 波导定向耦合器TN622+.3 阻抗匹配用定向耦合器TN622+.4 串联耦合器TN623 移相器、铁氧体移相器 TN624 变换器TN624+.1 阻抗变换器TN624+.2 短路式变换器TN624+.3 匹配器TN625 短路器TN626 功率分配器TN627 铁氧体隔离器TN628 扼制接头及旋转接头 TN629.1 空腔谐振器TN63 微波过渡元件TN63+1 换向开关TN63+1.1 同轴换向开关TN63+1.2 波导换向开关TN63+2 密封窗TN64 电声器件TN641 传声器(微音器)TN641+.1 变阻式传声器TN641+.2 电容式传声器TN641+.8 立体声传声器TN642 受话器TN642+.1 电磁受话器TN642+.2 电动受话器TN642+.3 静电受话器TN642+.8 立体声受话器TN643 扬声器TN643+.1 电磁扬声器TN643+.2 电动扬声器TN643+.3 无源扬声器TN643+.4 半导体扬声器TN643+.5 离子扬声器TN643+.6 组合扬声器TN643+.8 立体声扬声器TN644 拾声器(电唱头)TN644+.2 电动拾声器TN644+.3 压电拾声器TN644+.4 磁致伸缩拾声器 TN644+.5 瓷拾声器TN644+.8 立体声拾声器TN646 录音磁头TN65 声光器件TN7 基本电子电路TN70 一般性问题TN701 理论TN702 设计、分析、计算TN703 结构TN704 材料TN705 制造工艺及设备TN707 测试、检验TN709 应用TN710/79 各种电子电路 TN710 电子电路TN710.1 电子管电路TN710.2 晶体管电路{TN710.9} 计算机辅助电路 TN711 网络TN711.1 网络分析和网络综合 TN711.2 有源网络TN711.3 无源网络TN711.4 非线性网络TN711.5 数字网络TN711.6 网络图论TN712 变能器TN712+.1 电磁变能器TN712+.2 磁致伸缩变能器TN712+.3 电容式变能器TN712+.4 静电式变能器TN712+.5 压电式变能器TN713 滤波技术、滤波器TN713+.1 各形滤波器TN713+.2 谐振体TN713+.3 瓷滤波器TN713+.4 低通、高通滤波器 TN713+.5 带通、带阻滤波器TN713+.6 匹配滤波器TN713+.7 数字滤波器TN713+.8 有源滤波器TN713+.91 晶体滤波器TN713+.92 开关电容滤波器TN715 均衡器、衰减器(衰耗器)TN715+.1 衰耗补偿器TN715+.2 相位补偿器TN715+.3 回转器TN715+.4 固定均衡器TN715+.5 余弦均衡器TN715+.6 时延均衡器TN715+.7 可变均衡器TN72 放大技术、放大器TN721 放大技术TN721.1 增益放大TN721.2 反馈(回授)、反馈电路TN721.3 输入及输出回路TN721.4 屏蔽与去耦电路TN721.5 放大整形电路TN722 放大器TN722.1/.77 各种放大器TN722.1 放大器:按频率分TN722.1+1 低频放大器TN722.1+2 视频放大器TN722.1+3 中频放大器(频带放大器) TN722.1+4 高频放大器(调谐放大器) TN722.1+5 超高频放大器TN722.1+6 微波放大器TN722.3 低噪声放大器TN722.3+1 参量放大器TN722.3+2 量子放大器TN722.3+3 固态放大器TN722.3+4 隧道二极管放大器TN722.5 放大器:按工作原理分TN722.5+1 机械式放大器TN722.5+2 介质放大器TN722.5+3 流体放大器TN722.5+4 磁放大器TN722.5+5 反馈放大器TN722.5+6 交叉场放大器TN722.5+7 差动放大器TN722.5+8 对数放大器TN722.5+91 微分放大器、积分放大器 TN722.7 放大器:按作用分TN722.7+1 前置放大器TN722.7+2 直流放大器TN722.7+3 电流放大器TN722.7+4 电压放大器TN722.7+5 功率放大器TN722.7+6 缓冲放大器TN722.7+7 运算放大器(计算放大器) TN73 功率合成器TN74 频率合成技术、频率合成器TN741 直接法TN742 间接法(环路法)TN742.1 数字式TN742.2 脉冲鉴相式TN743 混合法TN75 振荡技术、振荡器TN751 振荡技术TN751.1 耦合、耦合电路TN751.1+1 非共振耦合(非周期)TN751.1+2 利用谐振线路的耦合TN751.1+3 反馈耦合TN751.1+4 寄生耦合TN751.2 谐振TN751.2+1 集中参数TN751.2+2 分布参数TN751.2+3 串联谐振TN751.2+4 并联谐振TN751.3 振荡现象TN751.3+1 线性振荡TN751.3+2 非线性振荡TN751.3+3 自由振荡TN751.3+4 自激振荡TN751.3+5 强迫振荡TN751.3+6 寄生振荡TN751.3+7 间歇振荡TN752 振荡器TN752.1 低频振荡器TN752.2 高频振荡器TN752.3 超高频振荡器TN752.4 多频振荡器TN752.5 微波振荡器TN752.6 超声波振荡器TN752.7 毫米波振荡器TN752.8 机械振荡器TN753.1 火花振荡器、电弧振荡器TN753.2 光振荡器TN753.4 磁振荡器TN753.5 反馈振荡器TN753.7 扫描振荡器(扫频振荡器)TN753.8 张弛振荡器TN753.9 低噪声振荡器TN753.91 参量振荡器TN753.92 量子振荡器TN753.94 隧道二极管振荡器TN753.95 热离子振荡器TN76 调制技术与调制器、解调技术与解调器 TN761 调制技术与调制器TN761.1 调幅、调幅器TN761.2 调频、调频器TN761.3 调相、调相器TN761.4 板极调制TN761.5 栅极调制TN761.6 单边带调制TN761.7 抑制载波双边带调制TN761.8 键控调制[TN761.91] 增量调制TN761.92 混合调制TN761.93 脉冲与数字调制[TN761.94] 脉冲编码调制(PCM)TN762 编码器TN763 解调技术与解调器TN763.1 检波、检波器TN763.2 鉴频、鉴频器TN763.3 鉴相、鉴相器TN764 解码器TN77 倍频器、分频器、变频器TN771 倍频器TN772 分频器TN773 变频器、混频器TN773.1 晶体变频器TN773.2 二极管变频器TN773.3 多极管变频器TN773.4 微波变频器TN78 脉冲技术、脉冲电路TN781 脉冲波形的频谱分析TN782 脉冲的产生、脉冲发生器TN782+.1 单稳态多谐振荡器TN782+.2 双稳态多谐振荡器TN782+.3 自激式多谐振荡器TN782+.4 间歇振荡器TN782+.5 幻象电路TN783 触发器TN784 脉冲形成、脉冲形成电路TN784+.1 窄脉冲形成电路TN784+.2 断续正弦波形成电路TN784+.3 锯齿波形成电路TN786 脉冲变换、脉冲变换电路TN786+.1 脉冲倍频与分频TN786+.2 脉冲延迟TN786+.3 脉冲选择TN786+.4 脉冲限幅TN787 脉冲调制、解调,脉冲调制器TN787+.1 脉冲幅度调制TN787+.2 脉冲宽度调制TN787+.3 脉冲相位调制[TN787+.4] 脉冲编码调制TN788 脉冲辐射TN789.1 超高速脉冲电路TN79 数字电路TN79+1 逻辑电路TN79+2 数模、数模转换电路TN8 无线电设备、电信设备TN80 一般性问题TN801 理论TN802 设计与计算TN803 结构TN803.5 小型化、微型化TN804 材料TN805 制造工艺、自动生产线TN806 测试、调整及设备TN807 维修、保养TN81/819.1 各种馈线设备TN81 馈线设备(传输线和波导)TN811 传输线、长线TN811+.1 单线传输线、多线传输线TN811+.2 带状传输线TN811+.3 耦合传输线TN811+.4 均匀、非均匀传输线TN811+.5 损耗、非损耗传输线TN811+.6 表面波传输线TN811+.7 毫米波传输线TN812 延迟线、仿真线TN812+.1 固态延迟线TN812+.2 液态延迟线TN812+.3 磁致伸缩延迟线TN813 同轴线TN814 波导、波导管、波导传输线TN814+.2 软波导TN814+.3 射束波导TN814+.4 均匀波导TN814+.5 介质波导、金属介质波导TN814+.6 光波导TN814+.7 各种结构形式的波导{TN815} 空腔谐振器、谐振腔TN816 慢波系统、慢波结构TN817 微带、微带传输线TN818 光纤传输线、光缆TN819.1 馈电网络TN82 天线TN820 一般性问题TN820.1 信号发送、辐射系统TN820.1+1 极化及圆极化技术TN820.1+2 方向性、方向图、方向性系数 TN820.1+3 旁瓣抑制TN820.1+4 天线泄漏、屏蔽、馈电TN820.1+5 天线阵与天线组合TN820.1+6 天线共用TN820.1+7 天线工作条件、参数TN820.2 扫描、扫描方式TN820.2+1 机械扫描TN820.2+2 机电扫描TN820.2+3 电子扫描TN820.3 伺服、伺服系统TN820.3+2 机电式TN820.3+3 液压式TN820.3+4 气动式TN820.3+8 混合式TN820.3+9 数字式TN820.4 跟踪、自动跟踪TN820.5 测距、测角、测速TN820.8 天线辅助设备TN820.8+1 天线罩TN820.8+2 天线底座TN820.8+3 天线开关TN820.8+4 反射器、辐射器、引向器TN820.8+5 天线调谐器TN820.8+8 天线支架、天线塔TN821+.1 极化天线TN821+.2 磁性天线TN821+.3 单极天线TN821+.4 振子天线、对称天线、偶极天线 TN821+.5 透镜天线TN821+.6 对数周期天线TN821+.7 低噪声天线TN821+.8 相控阵天线TN821+.91 智能天线TN822 天线:按波段和波的传播方式分TN822+.1 长波天线、极长波天线TN822+.2 中波天线TN822+.3 短波天线TN822+.4 超短波及微波天线TN822+.5 表面波天线TN822+.6 泄漏波天线TN822+.7 返波天线TN822+.8 宽频带和超宽频带天线TN823 天线:按各种结构形式分TN823+.11 顶负载天线TN823+.12 铁塔天线(桅杆式天线)TN823+.13 长线天线TN823+.14 笼形、鞭形、菱形天线TN823+.15 环形、盘形、锥形天线TN823+.16 鱼骨形、角形、三角形天线TN823+.17 刀形天线、八木天线TN823+.18 套筒天线、套管天线TN823+.21 张线天线TN823+.22 尾帽天线、尾帽探针天线TN823+.23 短棒天线TN823+.24 开槽天线,裂缝天线TN823+.25 圆柱形天线TN823+.26 可伸缩天线TN823+.27 面天线TN823+.28 卡塞格伦天线TN823+.31 螺旋天线TN823+.32 球天线TN823+.33 蝙蝠天线TN823+.34 充气天线TN823+.35 漂浮天线TN826 天线:按材料分TN827 天线:按作用分TN827+.1 发射天线TN827+.2 接收天线TN827+.3 扫描天线、搜索天线TN827+.4 定向天线、调谐天线TN827+.5 聚焦天线TN827+.6 测距天线TN827+.7 信标天线、航标天线TN827+.8 接地天线、埋地天线TN827+.9 等离子区及各向异性介质中的天线 TN828 天线:按用途分TN828.1 广播天线[TN828.2] 电视天线TN828.3 电台天线TN828.4 微波通信天线TN828.5 卫星通信天线TN828.6 移动通信天线TN83 发送设备、发射机TN830 一般性问题TN830.1 自动化TN830.2 变频TN830.3 幅度、频率、相位稳定TN830.4 发射功率、波形TN830.5 冷却问题、寄生振荡TN830.6 失真及其消除TN830.7 激励及激励器TN830.8 闭锁TN832/839 各种发射机TN832 调制发射机TN832+.1 调幅、调频、调相发射机TN832+.2 单边带调制发射机TN832+.8 混合调制发射机TN834 晶体管、固态发射机TN835 激光发射机、红外发射机TN836 小型、微型发射机TN837 各种功率的发射机TN838 各种频率的发射机TN839 其他TN85 接收设备、无线电收音机TN850 一般性问题TN850.1 灵敏度、稳定度、保真度TN850.2 选择性TN850.3 自动增益控制TN850.4 自动频率、自动相位控制TN850.5 自动噪声控制TN850.6 自动跟踪TN850.7 高灵敏度接收TN850.8 低噪声接收技术TN850.9 分集接收TN851/859 各种接收设备TN851 接收机:按形式分TN851.1 简单收音机TN851.2 高放式收音机TN851.3 再生式收音机TN851.4 超外差式收音机TN851.5 分集式收音机TN851.6 多用机TN852 调制收音机TN852+.1 调幅、调频、调相收音机TN852+.2 单边带调制收音机TN852+.3 对数收音机、多卜勒收音机TN852+.4 脉冲调制收音机TN852+.8 混合调制收音机TN853 信标收音机TN853+.1 动目标选择收音机TN853+.2 低频连续波信标收音机TN853+.3 脉冲信标收音机TN854 晶体管、固态收音机TN855 激光、红外收音机TN856 小型、微型收音机,集成收音机TN857 低噪声收音机TN858 各种频率收音机TN859 其他TN86 电源TN87 终端设备TN871 输入和输出设备TN872 呼叫设备TN873 显示设备、显示器TN873+.1 一、二坐标显示器TN873+.2 直角坐标显示器、三坐标显示器 TN873+.3 电致发光显示器TN873+.4 环视显示器、运动目标显示器 TN873+.5 数字显示器TN873+.6 固体显示器TN873+.7 全息显示器TN873+.8 综合显示器TN873+.91 平面显示器TN873+.92 大屏幕显示器TN873+.93 液晶显示器TN873+.94 等离子体显示器TN873+.95 均发射显示器TN874 指示设备TN874+.1 时间测量系统指示设备TN874+.2 频率测量系统指示设备TN874+.3 相位测量系统指示设备TN874+.4 幅度测量系统指示设备TN874+.5 时差测量系统指示设备TN875 指针和音响设备TN876 控制和调整设备TN876.1 调整设备TN876.2 导频调整设备TN876.3 控制设备TN876.3+1 抑制装置TN876.3+2 记数装置、计费装置TN876.3+5 监听设备TN876.4 整步装置、同步装置TN876.5 传送装置TN876.7 辅助设备TN91 通信TN911 通信理论TN911.1 电信数学TN911.2 信息论TN911.21 信源编码理论TN911.22 信道编码理论TN911.23 信号检测与估计TN911.25 信号接收及选择性与灵敏度TN911.25+1 选择性TN911.25+2 灵敏度TN911.25+3 信号接收方式TN911.25+4 传输质量TN911.3 调制理论TN911.4 噪声与干扰TN911.5 信道均衡TN911.6 信号分析TN911.7 信号处理TN911.71 模拟信号处理TN911.72 数字信号处理TN911.73 图像信号处理TN911.74 光学信号处理TN911.8 相位锁定、锁相技术TN912 电声技术和语音信号处理TN912.1 电声学TN912.11 传输系统TN912.12 录音和重放TN912.13 电话声学TN912.14 广播声学TN912.15 电影声学TN912.16 信号声学TN912.2 电声技术与设备TN912.20 一般性问题TN912.201 原理TN912.202 设计TN912.203 结构TN912.203.1 电路TN912.205 制造工艺TN912.206 测试、调整及其设备TN912.207 维修、保养TN912.21/.27 各种电声技术与设备 TN912.21 扩音机、电唱机TN912.22 录音机TN912.22+1 磁性录音机TN912.22+2 光学录音机TN912.23 放音机TN912.23+1 光学放音机TN912.23+2 同步磁性放音机TN912.23+3 同步光磁两用放音机TN912.24 转录机TN912.25 涂磁机TN912.26 音箱TN912.27 立体声和多声道系统技术与设备 TN912.271 组合音响{TN912.29} 电声设备的维修TN912.3 语音信号处理TN912.31 语音波形编码TN912.32 语音参数编码TN912.33 语音合成TN912.34 语音识别与设备TN912.35 语音增强TN913 有线通信、通信线路工程TN913.1 线路勘测和设计TN913.1+1 路由的选择勘测TN913.1+2 线路形式的采用{TN913.2} 通信网{TN913.21} 通信网理论{TN913.22} 通信网的信号系统{TN913.23} 专用通信网{TN913.24} 数字网TN913.3 通信线路TN913.31 架空线路TN913.31+1 通信架空裸线线路TN913.31+2 通信架空电缆线路TN913.31+3 通信线和高压线混合架空线路 TN913.31+4 架空光缆线路TN913.32 通信电缆线路TN913.32+1 地下通信电缆线路TN913.32+2 水底通信电缆线路TN913.32+3 充油通信电缆线路TN913.32+4 充气通信电缆线路TN913.32+5 同轴通信电缆线路TN913.32+6 空心通信电缆线路TN913.33 通信光缆线路TN913.331 地下光缆线路TN913.332 水底光缆线路TN913.36 微波中继线路TN913.37 散射线路TN913.6 载波通信[TN913.7] 光纤通信TN913.8 电缆数字通信TN914 通信系统(传输系统)TN914.1 模拟调制通信系统TN914.2 脉冲调制通信系统TN914.3 数字通信系统TN914.31 脉码调制通信TN914.32 增量调制通信TN914.33 数字复接TN914.331 准同步数字系列(PDH)TN914.332 同步数字系列(SDH)[TN914.34] 数字传输网TN914.4 跳频与扩展频谱通信系统TN914.41 跳频通信TN914.42 扩频通信TN914.43 跳扩频通信TN914.5 多址通信系统TN914.51 频分多址(FDMA)通信TN914.52 时分多址(TDMA)通信TN914.53 码分多址(CDMA)通信TN915 通信网TN915.0 一般性问题TN915.01 通信网理论TN915.02 通信网结构与设计[TN915.03] 网络互联技术TN915.04 通信规程、通信协议TN915.05 通信网设备TN915.06 测试、运行TN915.07 网络管理TN915.08 网络安全[TN915.09] 网络应用程序TN915.1 数字通信网TN915.11 数字传输网[TN915.12] 数字数据网(DDN)TN915.14 综合业务数字网(ISDN)TN915.141 窄带综合业务数字网(N-ISDN) TN915.142 宽带综合业务数字网(B-ISDN) TN915.18 模拟通信网TN915.19 模拟-数字通信网TN915.2 ATM(异步传输方式)网[TN915.41] 数据通信网[TN915.43] 图像通信网、多媒体通信网TN915.5 智能网TN915.6 接入网TN915.61 铜线接入系统TN915.62 光纤电缆混合接入网(HFC)TN915.63 光缆接入网[TN915.65] 无线用户环路(无线接入网)TN915.81 公用通信网TN915.85 专用通信网TN915.851 军用通信网[TN915.852] 铁路通信网TN915.853 电力通信网TN916 电话TN916.1 电话传输理论TN916.2 电话线路、电话网TN916.3 电话机及设备TN916.31 人工电话机TN916.32 自动电话机TN916.33 保密电话机TN916.34 数字电话机TN916.35 投币电话机TN916.36 磁卡电话机TN916.37 录音电话机TN916.38 电话设备的维护及测试TN916.4 电话交换、电话交换机TN916.41 人工电话交换、人工电话交换机TN916.41+1 磁石交换机TN916.41+2 共电交换机TN916.41+3 复式塞孔交换机TN916.41+4 无塞绳交换机TN916.42 自动电话交换、自动电话交换机TN916.421 自动交换机的结构TN916.422 步进制自动电话交换机TN916.423 旋转制自动电话交换机TN916.424 继电器自动电话交换机TN916.425 纵横制自动电话交换机TN916.426 机械-电子自动电话交换机、半电子交换机 TN916.427 电子自动交换机TN916.428 数字程控交换机TN916.43 专用交换机TN916.5 长途电话、载波电话TN916.51 长途通信机械、长途通信机械室TN916.8 电话局TN916.8+1 电话局的设施TN916.8+2 服务台TN916.8+3 监察台TN916.8+4 业务联络台TN916.8+5 长途台TN916.9 无线电话TN916.9+1 单路无线电话TN916.9+2 多路无线电话TN917 电报、传真TN917.1 电报传输理论、电报网络TN917.11 电报传输理论TN917.11+1 频率分配TN917.11+2 传输速度和带宽TN917.11+3 信号畸变TN917.11+4 信号的同步TN917.12 电报通信网TN917.2 电报电码制度TN917.2+1 电报电码波形TN917.2+2 电报编码制式TN917.3 电报传输回路TN917.31 直流电路线路TN917.32 实线TN917.33 幻线TN917.4 电报机的结构{TN917.41} 发报机{TN917.42} 发报键盘{TN917.43} 电报呼叫和应答设备{TN917.44} 凿孔机、纸条作孔机{TN917.45} 输纸机{TN917.46} 复作机{TN917.47} 印字机、印字机构{TN917.51} 收报机{TN917.52} 收信选择机构{TN917.53} 电码收发电路机构{TN917.54} 电报机的控制设备TN917.6 电报中继及交换TN917.61 中继器TN917.62 电报交换系统TN917.63 人工转接系统TN917.64 自动转接系统TN917.65 电子式转接系统TN917.66 专用交换系统TN917.71 人工电报、人工电报机、莫尔斯电报机TN917.72 自动电报、高速电报、自动电报机TN917.73 印字电报、电传电报TN917.74 载波电报、载波电报电路、载波电报机{TN917.74+2} 各种调制制度的载波电报、载波电报机{TN917.74+3} 音频载波电报、音频载波电报机{TN917.74+4} 超音频(中频)载波电报、超音频载波电报机 {TN917.74+6} 多路载波电报{TN917.74+8} 电报和电话同时传输的载波电报TN917.75 单工电报TN917.76 半双工电报TN917.77 双工电报TN917.8 传真、传真机TN917.81 传真传送理论TN917.82 传真扫描机构TN917.83 传真记录方式TN917.83+1 照相式TN917.83+2 电势记录式TN917.83+3 磁电打印式TN917.83+4 波纹式TN917.83+5 电解记录式TN917.7 各种电报制式、电报机TN917.71 人工电报、人工电报机、莫尔斯电报机TN917.72 自动电报、高速电报、自动电报机TN917.73 印字电报、电传电报TN917.74 载波电报、载波电报电路、载波电报机{TN917.74+2} 各种调制制度的载波电报、载波电报机{TN917.74+3} 音频载波电报、音频载波电报机{TN917.74+4} 超音频(中频)载波电报、超音频载波电报机 {TN917.74+6} 多路载波电报{TN917.74+8} 电报和电话同时传输的载波电报TN917.75 单工电报TN917.76 半双工电报TN917.77 双工电报TN917.8 传真、传真机TN917.81 传真传送理论TN917.82 传真扫描机构TN917.83 传真记录方式TN917.83+1 照相式TN917.83+2 电势记录式TN917.83+3 磁电打印式TN917.83+4 波纹式TN917.83+5 电解记录式TN917.83+6 电热记录式TN917.83+7 静电记录式TN917.84 各种传真TN917.841 简易传真TN917.842 真迹传真TN917.843 像片传真TN917.844 模写传真TN917.845 彩色传真TN917.846 市内传真TN917.847 干线传真TN917.85 传真通信网TN917.91 各种用途的电报TN917.92 电报局TN917.95 无线电报TN917.95+1 无线印字电报TN917.95+2 无线传真电报TN917.95+3 多路无线电报TN918 通信保密与通信安全TN918.1 理论TN918.2 密码、密码机TN918.3 密码的编码与译码TN918.4 密码的加密与解密TN918.6 保密通信:按结构原理分TN918.6+1 调制式保密通信TN918.6+2 频分式保密通信TN918.6+3 时分式保密通信TN918.6+4 伪装式保密通信TN918.6+5 组合式保密通信TN918.6+6 声码加密式保密通信TN918.7 保密通信:按通信方式分。

L1119L-50-TN3-I-T中文资料

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTDL1119 CMOS IC1.5A LOW DROPOUT REGULATORSDESCRIPTIONThe UTC L1119 is a fast ultra low-dropout linear regulator that developed in CMOS process which allows low quiescent current operation independent of output load current. This CMOS process also allows the device to operate under extremely low dropout conditions.The UTC L1119 allows to operate from a 2.5V~7.0V input supply. Wide range of preset output voltage options are available and respond very fast to step changes in load which makes them suitable for low voltage microprocessor applications.FEATURES* Low ground current* Load regulation of 0.04%* Output current of 1.5A DC is guaranteed * Accurate output voltage.(± 1.5%)* Extremely low output capacitor requirements * Over temperature/ Over current protection*Pb-free plating product number: L1119L-xxORDERING INFORMATIONOrder Number Pin AssignmentNormal Lead Free Plating Package 1 2 3PackingL1119-xx-AA3-A-R L1119L-xx-AA3-A-R SOT-223 G O I Tape Reel L1119-xx-AA3-C-R L1119L-xx-AA3-C-R SOT-223 G I O Tape Reel L1119-xx-AB3-A-R L1119L-xx-AB3-A-R SOT-89 G O I Tape Reel L1119-xx-AB3-B-R L1119L-xx-AB3-B-R SOT-89 O G I Tape Reel L1119-xx-AB3-C-R L1119L-xx-AB3-C-R SOT-89 G I O Tape Reel L1119-xx-AB3-D-R L1119L-xx-AB3-D-R SOT-89 I G O Tape Reel L1119-xx-TN3-D-R L1119L-xx-TN3-D-R TO-252 I G O Tape Reel L1119-xx-TN3-D-T L1119L-xx-TN3-D-T TO-252 I G O TubeMARKING INFORMATIONBLOCK DIAGRAMGNDABSOLUTE MAXIMUM RATINGSPARAMETER SYMBOL RATINGSUNIT Input Supply Voltage V IN-0.3 ~ +7.5 VOutput Voltage V OUT-0.3 ~ +7.5 VOutput Current I OUT Short Circuit ProtectedPower Dissipation P D InternallyLimitedOperating Junction Temperature T OPR-40 ~ +125Storage Temperature T STG-65 ~ +150Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.RECOMMENDED OPERATING RATINGSPARAMETER SYMBOL RATINGSUNIT Input Supply Voltage V IN 2.5 ~ 7.0 VMaximum Operating Current (DC) I OPR(MAX) 1.5 A Operating Junction Temperature T J-40 ~ +125Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T J=25°C, V IN =V OUT+1V, I L=10mA, C OUT=33µF,unless otherwise specified.)PARAMETER SYMBOL TESTCONDITIONSMINTYPMAX UNITI L = 150 mA 38 45Dropout Voltage (Note) V DI L = 1.5 A 870mVPeak Output Current I PEAK 2.0 2.5 AI L = 150 mA 4 9Ground Pin Current I GNDI L = 1.5 A 5 14mAOutput Voltage Tolerance V OUT 10 mA ≤ I L≤ 1.5AV OUT +1 ≤ V IN≤ 7.0V-1.5 0 +1.5 %Line Regulation ∆V OUT V OUT+1V<V IN<7.0V 0.1 % Load Regulation ∆V OUT10 mA < I L < 1.5 A 1.5 % SHORT CIRCUIT PROTECTIONShort Circuit Current I SC 4.5 A AC PARAMETERSOutput Noise Density ρN(l/f) f = 120Hz 0.8 µVBW = 10Hz – 100kHz 150Output Noise Voltage eNBW = 300Hz – 300kHz 100µV(rms)V IN = V OUT + 1.5VC OUT =100uF, V OUT = 3.3V 60Ripple Rejection RRV IN = V OUT + 0.3VC OUT =100uF, V OUT = 3.3V 40dBOVER TEMPERATURE PROTECTIONShutdown Threshold T SHDN165 °C Thermal Shutdown Hysteresis T HYS 10 °C Note: Dropout voltage is defined as the minimum input to output differential voltage at which the output drops 2% below the nominal value. Dropout voltage specification applies only to output voltages of 2.5V and above. For output voltages below 2.5V, the drop-out voltage is nothing but the input to output differential, since the minimum input voltage is 2.5V.TYPICAL CHARACTERISTICS(V IN =V OUT +1V, V OUT =2.5V, C OUT =33µF, I OUT =10mA, C IN =68µF, Ta =25°C.)-40-200204060801001201400.050.10.150.20.25Temperature (℃)D r o p -O u t (V )Drop-Out Voltage vs Temperature (I L )-40-200204060801001201400.150.1750.20.225Temperature (℃)D r o p -O u t (V )Drop-Out Voltage vs Temperature (V OUT )0.125V OUT vs Temperature0.00D e l t a V O U T (%)-0.10-0.20-0.30-0.40-0.50-0.60-0.70-0.80-0.90-75-50-25255075100125Temperature (℃)100.01010Frequency (Hz)N o i s e ( V / H z )Noise Density1.0000.10010010001000001000003V IN (V)V O U T (V )Input Voltage vs Output Voltage2.50.51.5211234TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)100Frequency (Hz)Output Noise Density100010000100000100Output Noise Density100010000100000Frequency (Hz)10-1090Frequency (Hz)Ripple Rejection vs Frequency1M100K10K1K1001020304050607080R i p p l e R e j e c t i o n (d B )Load Transient Response20 I O U T (A)VO U T (V )Line Transient Response10 s/DIV V I N (V )V O U T (V )Line Transient Response10 s/DIVV I N (V )V O U T (V )TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)Line Transient Response10s/DIVV I N (V )V O U T (V )Line Transient Response10 3.253.33.35V I N (V )V O U T (V ) 5.34.33.453.4。

Silicon Digital Attenuator HMC1119数据手册说明书

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0.25 dB LSB, 7-Bit, Silicon DigitalAttenuator, 0.1 GHz to 6.0 GHz Data Sheet HMC1119Rev. C Document FeedbackInformation furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, noresponsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. T rademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. O ne Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 ©2016–2018 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Technical Support FEATURESAttenuation range: 0.25 dB LSB steps to 31.75 dBLow insertion loss:1.1 dB at 1.0 GHz1.3 dB at2.0 GHzTypical step error: less than ±0.1 dBExcellent attenuation accuracy: less than ±0.2 dBLow phase shift error: 6° phase shift at 1.0 GHzSafe state transitionsHigh linearity1 dB compression (P1dB): 31 dBm typicalInput third-order intercept (IP3): 54 dBm typicalRF settling time (0.05 dB final RF output): 250 nsSingle supply operation: 3.3 V to 5.0 VESD rating: Class 2 (2 kV human body model (HBM))24-lead, 4 mm × 4 mm LFCSP package: 16 mm2 APPLICATIONSCellular infrastructureMicrowave radios and very small aperture terminals (VSATs) Test equipment and sensorsIF and RF designsFUNCTIONAL BLOCK DIAGRAMVGND65432112962-1Figure 1.GENERAL DESCRIPTIONThe HMC1119 is a broadband, highly accurate, 7-bit digital attenuator, operating from 0.1 GHz to 6.0 GHz with 31.5 dB attenuation control range in 0.25 dB steps.The HMC1119 is implemented in a silicon process, offering very fast settling time, low power consumption, and high ESD robustness. The device features safe state transitions and is optimized for excellent step accuracy and high linearity over frequency and temperature range. The RF input and output are internally matched to 50 Ω and do not require any external matching components. The design is bidirectional; therefore, the RF input and output are interchangeable. The HMC1119 has an on-chip regulator that can support a wide supply operating range from 3.3 V to 5.0 V with no performance change in electrical characteristics. The HMC1119 incorporates a driver that supports serial (3-wire) and parallel controls of the attenuator.The HMC1119 comes in a RoHS-compliant, compact, 4 mm ×4 mm LFCSP package.A fully populated evaluation board is available.HMC1119Data SheetRev. C | Page 2 of 15TABLE OF CONTENTSFeatures .............................................................................................. 1 Applications ....................................................................................... 1 Functional Block Diagram .............................................................. 1 General Description ......................................................................... 1 Revision History ............................................................................... 2 Specifications ..................................................................................... 3 Electrical Specifications ............................................................... 3 Timing Specifications .................................................................. 4 Absolute Maximum Ratings ....................................................... 5 ESD Caution .................................................................................. 5 Pin Configuration and Function Descriptions ............................. 6 Interface Schematics..................................................................... 7 Typical Performance Characteristics ............................................. 8 Insertion Loss, Return Loss, State Error, Step Error, andRelative Phase ................................................................................8 Input Power Compression and Third-Order Intercept ......... 10 Theory of Operation ...................................................................... 11 Serial Control Interface ............................................................. 11 RF Input Output ......................................................................... 11 Parallel Control Interface .......................................................... 12 Power-Up Sequence ................................................................... 12 Applications Information .............................................................. 13 Evaluation Printed Circuit Board ............................................ 13 Packaging and Ordering Information ......................................... 15 Outline Dimensions ................................................................... 15 Ordering Guide .. (15)REVISION HISTORY4/2018—Rev. B to Rev CChanges to Figure 23 ...................................................................... 12 Change to PCB Description, Table 7 ............................................ 13 Updated Outline Dimensions . (15)9/2017—Rev. A to Rev. BChanged CP-24-16 to HCP-24-3 ................................. Throughout Updated Outline Dimensions ....................................................... 15 Changes to Ordering Guide .......................................................... 15 8/2017—Rev. 0 to Rev. AAdded Timing Specifications Section ............................................. 4 Moved Table 2 .................................................................................... 4 Changes to Figure 5 and Figure 6 .................................................... 7 Changes to Serial Control Interface Section ............................... 11 Moved Figure 22 and Table 6 ........................................................ 11 Changes to Figure 23 ...................................................................... 12 Moved Parallel Control Interface Section, Direct Parallel Mode Section, Latched Parallel Mode Section, Power-Up Sequence Section, and Power-Up States Section ......................................... 12 Updated Outline Dimensions . (15)9/2016—Revision 0: Initial VersionData SheetHMC1119Rev. C | Page 3 of 15SPECIFICATIONSELECTRICAL SPECIFICATIONSV DD = 3.3 V to 5.0 V , T A = 25°C, 50 Ω system, unless otherwise noted. Table 1.ParameterTest Conditions/Comments Min Typ Max Unit FREQUENCY RANGE0.1 6.0 GHz INSERTION LOSS 0.1 GHz to 1.0 GHz 1.1 1.8 dB 0.1 GHz to 2.0 GHz 1.3 2.0 dB 0.1 GHz to 4.0 GHz 1.6 2.3 dB0.1 GHz to 6.0 GHz 2.0 2.8 dB ATTENUATION 0.2 GHz to 6.0 GHzRange Delta between minimum and maximum attenuation states31.75dB AccuracyReferenced to insertion loss; all attenuation states−(0.05 + 4% of attenuation setting) +(0.05 + 4% of attenuation setting) dB Step Error All attenuation states±0.1 dB Overshoot Between all attenuation states ≤0.1 dB RETURN LOSSAll attenuation states ATTNIN, ATTNOUT 1.0 GHz 23 dBm 2.0 GHz 22 dBm 4.0 GHz 19 dBm6.0 GHz 17 dBm RELATIVE PHASE 1.0 GHz 6 Degrees 2.0 GHz 18 Degrees 4.0 GHz 38 Degrees6.0 GHz 58 Degrees SWITCHING CHARACTERISTICSt RISE , t FALL 10%/90% RF output60 ns t ON , t OFF50% CTL to 10%/90% RF output 150 ns Settling Time 50% CTL to 0.05 dB final RF output 250 ns50% CTL to 0.10 dB final RF output 200 ns INPUT LINEARITYAll attenuation states, 0.2 GHz to 6 GHz 0.1 dB Compression (P0.1dB) 30 dBm 1 dB Compression (P1dB)31 dBm Input Third-Order Intercept (IP3) Two-tone input power = 16 dBm/tone, ∆f = 1 MHz 54 dBm SUPPLY CURRENT (I DD ) V DD = 3.3 V 0.3 mAV DD = 5.0 V 0.6 mA CONTROL VOLTAGE THRESHOLD <1 µA typical Low V DD = 3.3 V 0 0.5 VV DD = 5.0 V 0 0.8 V High V DD = 3.3 V 2.0 3.3 VV DD = 5.0 V 3.5 5.0 V RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS Supply Voltage Range (V DD )3.0 5.4 V Digital Control Voltage Range For P/S, CLK, SERNIN, LE, D0 to D6 pins 0 V DD V RF Input PowerAll attenuation states, T CASE = 85°C 24 dBm Case Temperature (T CASE )−40+85°CHMC1119 Data SheetTIMING SPECIFICATIONSSee Figure 23 and Figure 24 for the timing diagrams.Table 2.Parameter Description Min Typ Max Unitt SCK Minimum serial period, see Figure 23 70 nst CS Control setup time, see Figure 23 15 nst CH Control hold time, see Figure 23 20 nst LN LE setup time, see Figure 23 15 nst LEW Minimum LE pulse width, see Figure 24 10 nst LES Minimum LE pulse spacing, see Figure 23 630 nst CKN Serial clock hold time from LE, see Figure 23 0 nst PH Hold time, see Figure 24 10 nst PS Setup time, see Figure 24 2 nsRev. C | Page 4 of 15Data SheetHMC1119Rev. C | Page 5 of 15ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTable 3.ParameterRating RF Input Power (T CASE = 85°C) 25 dBmDigital Control Inputs (P/S, CLK, SERNIN, LE, D0 to D6) −0.3 V to V DD + 0.5 V Supply Voltage (V DD )−0.3 V to +5.5 V Continuous Power Dissipation (P DISS ) 0.31 W Thermal Resistance (at Maximum Power Dissipation) 156°C/WTemperatureChannel Temperature 135°CStorage−65°C to +150°C Maximum Reflow Temperature 260°C (MSL3 Rating) ESD Sensitivity (HBM)2 kV (Class 2)Stresses at or above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the product. This is a stress rating only; functional operation of the product at these or any other conditions above those indicated in the operational section of this specification is not implied. Operation beyond the maximum operating conditions for extended periods may affect product reliability.ESD CAUTIONHMC1119Data SheetRev. C | Page 6 of 15PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONSV SERNIN NOTES1. THE EXPOSED PAD AND GND PINS MUST BE CONNECTED TO RF DC GROUND.CLK LE GND ATTNOUT GNDG N G N G N G N G N G N D 6D 5D 4D 3D 2D 112962-002Figure 2. Pin ConfigurationTable 4. Pin Function DescriptionsPin No. Mnemonic Description1, 19 to 24 D0, D6 to D1 Parallel Control Voltage Inputs. These pins attain the required attenuation (see Table 6). There is no internal pull-up or pull-down on these pins; therefore, these pins must always be kept at a valid logic level (V IH or V IL ) and must not be left floating. 2 V DD Supply Voltage Pin.3P/S Parallel/Serial Control Input. There is no internal pull-up or pull-down on this pin; therefore, this pin must always be kept at a valid logic level (V IH or V IL ) and must not be left floating. For parallel mode, set Pin 3 to low; for serial mode, set Pin 3 to high.4, 6 to 13, 15 GND Ground. The package bottom has an exposed metal pad that must connect to the printed circuit board (PCB) RF/dc ground. See Figure 4 for the GND interface schematic.5 ATTNIN Attenuator Input. This pin is dc-coupled and matched to 50 Ω. A blocking capacitor is required. Select the value of the capacitor based on the lowest frequency of operation. See Figure 5.14 ATTNOUT Attenuator Output. This pin is dc-coupled and matched to 50 Ω.A blocking capacitor is required. Select the value of the capacitor based on the lowest frequency of operation. See Figure 5.16 LE Serial/Parallel Interface Latch Enable Input. There is no internal pull-up or pull-down on this pin; therefore, this pin must always be kept at a valid logic level (V IH or V IL ) and must not be left floating. See the Theory of Operation section for more information.17 CLK Serial Interface Clock Input. There is no internal pull-up or pull-down on this pin; therefore, this pin must always be kept at a valid logic level (V IH or V IL ) and must not be left floating. See the Theory of Operation section for more information.18 SERNIN Serial interface Data Input. There is no internal pull-up or pull-down on this pin; therefore, this pin must always be kept at a valid logic level (V IH or V IL ) and must not be left floating. See the Theory of Operation section for more information.EPADExposed Pad. The exposed pad must be connected to RF/dc ground.Data SheetHMC1119Rev. C | Page 7 of 15INTERFACE SCHEMATICSD0TO D512962-021Figure 3. D0 to D6 Interface12962-022Figure 4. GND Interface12962-023Figure 5. ATTIN and ATTOUT InterfaceV 12962-024Figure 6. P/S, LE, CLK, and SERNIN InterfaceHMC1119Data SheetRev. C | Page 8 of 15TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICSINSERTION LOSS, RETURN LOSS, STATE ERROR, STEP ERROR, AND RELATIVE PHASE–4–3–2–1I N S E R T I O N L O S S (d B )FREQUENCY (GHz)12962-003Figure 7. Insertion Loss vs. Frequency at Various TemperaturesFREQUENCY (GHz)–50–40–30–20–100I N P U T R E T U R N L O S S (d B)12962-004Figure 8. Input Return Loss (Major States Only)–2.0–1.6–1.2–0.8–0.400.40.81.21.62.0043281216202428S T A T E E R R O R (d B )ATTENUATION STATE (dB)12962-007Figure 9. State Error vs. Attentuation State, 0.1 GHz to 0.5 GHzFREQUENCY (GHz)–35–30–25–20–15–10–50N O R M A L I Z E D A T T E N U A T I O N (d B )12962-005Figure 10. Normalized Attenuation (Major States Only)FREQUENCY (GHz)–60–50–40–30–20–10O U T P U T R E T U R N L O S S (d B )12962-006Figure 11. Output Return Loss (Major States Only)–1–0.8–0.6–0.4–0.200.20.40.60.81S T A T E E R R O R (d B )043281216202428ATTENUATION STATE (dB)12962-009Figure 12. State Error vs. Attentuation State, 1 GHz to 6 GHzData SheetHMC1119Rev. C | Page 9 of 15–2.0–1.5–1.0–0.500.51.01.52.0S T A T E E R R O R (d B )FREQUENCY (GHz)12962-008Figure 13. State Error vs. Frequency, Major States Only–60–40–20020406080R E L A T I V E P H A S E (d e g )FREQUENCY (GHz)12962-011Figure 14. Relative Phase vs. Frequency, Major States Only–1.0–0.8–0.6–0.4–0.200.20.40.60.81.0S T E P E R R O R (d B )FREQUENCY (GHz)12962-010Figure 15. Step Error vs. Frequency, Major States OnlyHMC1119Data SheetRev. C | Page 10 of 15INPUT POWER COMPRESSION AND THIRD-ORDER INTERCEPT152025303540P 1d B(d B m )FREQUENCY (GHz)12962-012Figure 16. P1dB vs. Frequency at Various Temperatures, MinimumAttentuation State, 0.05 GHz to 1 GHz152025303540P 0.1d B(d B m )FREQUENCY (GHz)12962-013Figure 17. P0.1dB vs. Frequency at Various Temperatures, MinimumAttentuation State, 0.05 GHz to 1 GHzFREQUENCY (GHz)3040506070I P 3(d B m )0.200.40.60.8 1.012962-014Figure 18. IP3 vs. Frequency at Various Temperatures, MinimumAttentuation State, 0.1 GHz to 1 GHz 152025303540P 1d B (dB m )FREQUENCY (GHz)12962-015Figure 19. P1dB vs. Frequency at Various Temperatures, MinimumAttentuation State, 0.05 GHz to 6 GHz152025303540P 0.1d B (dB m )FREQUENCY (GHz)12962-016Figure 20. P0.1dB vs. Frequency at Various Temperatures, MinimumAttentuation State, 0.05 GHz to 6 GHzFREQUENCY (GHz)3040506070I P 3(d B m )12962-017Figure 21. IP3 vs. Frequency at Various Temperatures, MinimumAttentuation State, 0.1 GHz to 6 GHzTHEORY OF OPERATIONThe HMC1119 incorporates a 7-bit fixed attenuator array that offers an attenuation range of 0.25 dB to 31.75 dB, with 0.25 dB steps. An integrated driver provides both serial and parallel mode control of the attenuator array (see Figure 22).The HMC1119 can be in either serial or parallel mode control by setting the P/S pin to high or low, respectively (see Table 5). The 7-bit data, loaded in either serial or parallel mode, then latches with the control signal, LE, to determine the attenuator value. Table 5. Mode Selection Table 1P/S Pin State Control Mode Low Parallel HighSerial1The P/S pin must always be kept at a valid logic level (V IH or V IL ) and must not be left floating.SERIAL CONTROL INTERFACEThe HMC1119 utilizes a 3-wire serial to parallel (SPI)configuration, as shown in the serial mode timing diagram (see Figure 23): serial data input (SERNIN), clock (CLK), and latch enable (LE). The serial control interface activates when the P/S pin is set to high.In serial mode, the 7-bit SERNIN data is clocked MSB first on rising CLK edges into the shift register; then, LE must betoggled high to latch the new attenuation state into the device. The LE must be set low to clock a set of 7-bit data into the shift register because CLK is masked to prevent the attenuator value from changing if LE is kept high.In serial mode operation, both the serial control inputs (LE, CLK, SERNIN) and the parallel control inputs (D0 to D6) must always be kept at a valid logic level (V IH or V IL ) and must not be left floating. It is recommended to connect the parallel control inputs to ground and to use pull-down resistors on all serial control input lines if the device driving these input lines goes high impedance during hibernation.RF INPUT OUTPUTThe attenuator in the HMC1119 is bidirectional; the ATTNIN and ATTNOUT pins are interchangeable as the RF input and output ports. The attenuator is internally matched to 50 Ω at both input and output; therefore, no external matching components are required. The RF pins are dc-coupled; therefore, dc blocking capacitors are required on RF lines.SERNIND0D1D2D3D4D5D6CLK P/S LERFOUTPUT12962-018Figure 22. Attenuator Array Functional Block DiagramTable 6. Truth TableDigital Control Input 1Attenuation State (dB) D6 D5 D4 D3 D2 D1D0 Low Low Low Low Low Low Low 0 (reference) Low Low Low Low Low Low High 0.25 Low Low Low Low Low High Low 0.5 Low Low Low Low High Low Low 1.0 Low Low Low High Low Low Low 2.0 Low Low High Low Low Low Low 4.0 Low High Low Low Low Low Low 8.0 High Low Low Low Low Low Low 16.0 HighHighHigh High HighHigh High 31.751Any combination of the control voltage input states shown in Table 6 provides an attenuation equal to the sum of the bits selected.12962-19 P/SSERNINCLKLEFigure 23. Serial Control Timing DiagramPARALLEL CONTROL INTERFACEThe parallel control interface has seven digital control input lines(D6 to D0) to set the attenuation value. D6 is the most significantbit (MSB) that selects the 16 dB attenuator stage, and D0 is theleast significant bit (LSB) that selects the 0.25 dB attenuator stage(see Figure 22).In parallel mode operation, both the serial control inputs (LE, CLK,SERNIN) and the parallel control inputs (D0 to D6) must always bekept at a valid logic level (V IH or V IL) and must not be left floating. Itis recommended to connect the serial control inputs to ground andto use pull-down resistors on all parallel control input lines ifthe device driving these input lines goes high impedance duringhibernation.Setting P/S to low enables parallel mode. There are two modes ofparallel operation: direct parallel mode and latched parallel mode.Direct Parallel ModeFor direct parallel mode, the latch enable (LE) pin must be kepthigh. Change the attenuation state using the control voltage inputs(D0 to D6) directly. This mode is ideal for manual control of theattenuator and using hardware, switches, or a jumper.Latched Parallel ModeThe latch enable (LE) pin must be low when changing thecontrol voltage inputs (D0 to D6) to set the attenuation state.When the desired state is set, LE must be toggled high to transferthe 7-bit data to the bypass switches of the attenuator array, thentoggled low to latch the change into the device (see Figure 24).LED6TO D0P/S12962-2Figure 24. Latched Parallel Mode Timing DiagramPOWER-UP SEQUENCEThe ideal power-up sequence is as follows:1.Power up GND.2.Power up V DD.3.Power up the digital control inputs (the relative order ofthe digital control inputs is not important).4.Power up the RF input.For latched parallel mode operation, LE must be toggled. Therelative order of the digital inputs is not important as long as theinputs are powered up after GND and V DD.Power-Up StatesThe logic state of the device is at maximum attenuation when, atpower up, LE is set to low. The attenuator latches in the desiredpower-up state approximately 200 ms after power up.APPLICATIONS INFORMATIONEVALUATION PRINTED CIRCUIT BOARDThe schematic of the evaluation board, EV2HMC1119LP4M , is shown in Figure 25. The PCB is four-layer material with a copper thickness of 0.7 mils on each layer. Each copper layer is separated with a dielectric material. The top dielectric material is 10-mil RO4350 with a typical dielectric constant of 3.48. The middle and bottom dielectric materials are FR-4 material, used for mechanical strength and to meet the overall board thickness of approximately 62 mils, which allows SMA connectors to beAll RF and dc traces are routed on the top copper layer. The RF transmission lines are designed using coplanar waveguide model (CPWG) with a width of 18 mils, spacing of 17 mils, and dielectric thickness of 10 mils to maintain 50 Ω characteristic impedance. The inner and bottom layers are solid ground planes. For optimal electrical and thermal performance, an ample number of vias are populated around the transmission lines and under the package exposed pad. The evaluation board layout serves as a recommenda-tion for the optimal performance on both electrical and thermal aspects.12962-026Figure 25. EV2HMC1119LP4M Evaluation PCBTable 7. Bill of MaterialsItem Value 1 DescriptionManufacturer 2 J1, J2 PCB mount SMA connector J318-pin dc connectorTP1, TP2Through hole mount test point C1, C3 100 pF Capacitor, 0402 package C6 10 μF Capacitor, 0603 package C71000 pF Capacitor, 0402 package R1 to R11 0 Ω Resistor, 0402 package R12 to R25 100 kΩ Resistor, 0402 packageSW1, SW2 SPDT four-position DIP switchU1 HMC1119 digital attenuator Analog Devices, Inc.PCB 3600-01280-00-1 evaluation PCB EV2HMC1119LP4M 4 from Analog Devices1 Blank cells in the Value column indicate that there is no specific value recommendation for the listed component.2Blank cells in the Manufacturer column indicate that there is no specific manufacturer recommendation for the listed component. 3Circuit board material is Arlon 25FR. 4Reference this number when ordering the full evaluation PCB. See the Ordering Guide section.12962-027Figure 26. Applications CircuitPACKAGING AND ORDERING INFORMATIONOUTLINE DIMENSIONS0.50BSC0.500.400.30BOTTOM VIEWTOP VIEWSIDE VIEW4.104.00 SQ 3.900.950.850.750.05 MAX 0.02 NOM0.20 REFCOPLANARITY0.08PIN 1INDICATORFOR PROPER CONNECTION OF THE EXPOSED PAD, REFER TO THE PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONSSECTION OF THIS DATA SHEET.12-08-2017-C0.300.250.180.20 MIN2.852.70 SQ 2.55EXPOSED PAD00SEATING PLANEDETAIL A (JEDEC 95)Figure 27. 24-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP]4 mm × 4 mm Body and 0.85 mm Package Height(HCP-24-3)Dimensions shown in millimetersORDERING GUIDEModel 1Temperature Range MSL Rating 2 Package DescriptionPackage Option HMC1119LP4ME −40°C to +85°C MSL3 24-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP] HCP-24-3 HMC1119LP4METR −40°C to +85°C MSL3 24-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP] HCP-24-3 EV2HMC1119LP4MEvaluation Board1 All models are RoHS compliant.2See the Absolute Maximum Ratings section.©2016–2018 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D12962-0-4/18(C)。

施耐德电气产品型号含义

施耐德电气产品型号含义

目录目录 (1)PCP产品选型 (3)第一章国产D2系列接触器型号说明 (4)第二章进口Tesys D系列接触器型号说明 (5)第三章进口Tesys F系列接触器型号说明 (6)第四章国产电容接触器系列接触器型号说明 (7)第五章国产LR2系列热继电器型号说明 (8)第六章进口LR9系列热继电器型号说明 (8)第七章进口LRD系列热继电器型号说明 (9)第八章热继电器和电子过流继电器的区别: (9)第九章 GV型号说明 (10)第十章 CA2系列继电器型号说明 (10)第十一章 CA*-KN 系列继电器型号说明 (11)第十二章 CAD系列继电器型号说明 (12)第十三章 XB6-E系列按钮/指示灯的选型 (13)第十四章 XVM系列组合信号指示灯(45mm型)的选型 (14)第十五章 XVB系列组合信号指示灯(70mm型)的选型 (15)第十六章标准K1/K2凸轮开关选型 (16)第十七章定制K1/K2凸轮开关选型 (17)第十八章继电器本体 (17)第十九章 XB2系列普通弹簧复位按钮 (18)第二十章 XB2系列带灯按钮 (18)第二十一章 XB2系列锁扣式急停按钮 (19)第二十二章 XB2系列指示灯 (20)第二十三章 XB2系列选择开关 (21)第二十四章 XB4系列普通弹簧复位按钮-螺钉夹紧接线 (21)第二十五章 XB4系列选择开关 (22)第二十六章 XB4系列钥匙开关 (22)第二十七章 XB4系列指示灯 (23)第二十八章 XB4系列带灯按钮 (23)第二十九章 XB4系列带LED灯的旋钮开关 (24)PCP产品选型第一章国产D2系列接触器型号说明第四章国产电容接触器系列接触器型号说明第六章进口LR9系列热继电器型号说明第八章热继电器和电子过流继电器的区别:第九章GV型号说明第十章CA2系列继电器型号说明第十一章CA*-KN 系列继电器型号说明第十二章CAD系列继电器型号说明第十三章XB6-E系列按钮/指示灯的选型1、XB6系列按钮及指示灯选型(经济型)选型提示型号说明型号组成XB6- E * * * * * C 开孔尺寸 16mm材料工程塑料A:圆形按钮外形C:方形D:长方形A:弹簧复位按钮D:选择开关G:钥匙开关产品类别F:自锁带灯按钮W:自复位带灯按钮V:指示灯1白色2黑色3绿色颜色4红色5黄色6蓝色8橙色LED灯电压J:带LED、12VB:带LED、24V触点形式1:1C/O2:2C/O产地C中国制造XVM系列组合信号指示灯(45mm型)选型提示型号说明型号组成XVM * * **** *外形尺寸mmB:24Vac/dc电压G:120VacM:230Vac光源类别1:白炽灯2:LEDR:红色注:颜色编码后缀发光类别颜色&发光A:橙色无后缀:恒定光源类别G:绿色后缀'5':闪烁光源B:蓝色后缀'6':闪光放电管蜂鸣器S:带蜂鸣器无标注则不带蜂鸣器XVM系列组合信号指示灯选型说明:XVM系列组合信号指示灯是完整供货指示灯组。

NJA1-L

NJA1-L

浙江正泰电器股份有限公司NJA1-L继电器使用说明书2019/1/17。

目录1前言 (3)2产品特性 (3)2.1型号解释 (3)2.2技术参数 (3)2.2.1控制电源电压 (3)2.2.2输出特性 (3)2.2.3输入特性 (4)2.2.4电气特性 (4)2.3功能特性 (4)2.3.1资源与配置 (4)2.3.2功能块 (5)2.3.3用户变量 (5)2.4接线 (5)3APP介绍 (7)3.1简介 (7)3.2编程 (8)3.2.1项目的建立等管理操作 (8)3.2.2功能块编辑 (10)3.2.3用户变量 (15)3.2.4设置 (17)3.2.5更多 (18)3.3设备操作 (18)3.3.1设备的添加等管理操作 (18)3.3.2设备控制 (21)3.3.3设备名称 (21)3.3.4设备时钟 (22)3.3.5运行状态 (23)3.3.6设备监控 (24)3.3.7通讯模块附件参数配置 (25)3.3.8程序下载 (25)3.3.9路由器设置 (26)4功能块介绍 (28)4.1开关量输入 (28)4.2模拟量输入 (28)4.3开关量输出 (28)4.4模拟量输出 (29)4.5日闹钟 (29)4.6年闹钟 (30)4.7接通延时 (30)4.8关断延时 (31)4.9接通关断延时 (31)4.10保持接通 (32)4.11脉宽输出 (33)4.12循环输出 (34)4.13非 (34)4.14与 (35)4.15或 (35)4.16异或 (36)4.17锁存继电器 (37)4.18脉冲继电器 (37)4.19计数器 (38)4.20加 (38)4.21减 (39)4.22乘 (39)4.23除 (39)4.24余 (40)4.25开方 (40)4.26大于 (40)4.27小于 (41)4.28等于 (41)4.29阀值触发器 (41)4.30通道切换器 (42)4.31限值器 (42)4.32积分器 (43)NJA1-L继电器1前言NJA1-L是一款小体积、采用手机APP实现编程、Wi-Fi无线通讯实现编程、控制、监控的可编程逻辑控制器,主机自带4路开关量/模拟量输入(开关量输入与模拟量输入共用端口资源)、4路开关量输出,并可通过扩展通讯接口实现最大32路(包括主机)开关量/模拟量输入、32路开关量输出、32路模拟量输出,配置灵活,满足大部分用户的需求。

变压器的型号和符号含义

变压器的型号和符号含义

表1:变压器的型号和符号含义型号含义:SCZ(B)9-XXXX/** SC--三相固体成型(环氧浇注)Z--有载调压B--低压箔式线圈9--性能水平代号XXXX--额定容量(kVA)**--额定高压电压(按额定值填入)变压器的型号:变压器绕组数+相数+冷却方式+是否强迫油循环+有载或无载调压+设计序号+“-”+容量+高压侧额定电压组成。

例如4:SFPZ9-120000/110指的是三相(双绕组变压器省略绕组数,如果是三绕则前面还有个S)双绕组强迫油循环风冷有载调压,设计序号为9,容量为120000KVA,高压侧额定电压为110KV的变压器。

例如5:SCB9-2000/10SC----三相固体成型(环氧浇注)B-----低压箔式线圈9-----性能水平代号2000--额定容量10----额定高压电压例如6:SCB9-2000/0.4~0.23 Dyn11此为干式变压器的型号表示S是代表三相;C代表环氧树脂浇注绝缘;B配电变压器;2000是容量KVA ;0.4-0.23KV低压侧额定线电压、额定相电压;Dyn11接线方式表示的是一次侧三相三角形接线,低压侧星形接线,低压侧线电压为11点,即:低压侧线电压超前高压侧线电压30度。

二、关于中频变压器和低频变压器型号说明如下:(1)中频变压器的命名方法晶体管收音机(调幅) 中的中频变压器命名方法由三部分组成:第一部分:主称,用几个字母组合表示名称、特征、用途。

第二部分:外形尺寸,用数字表示。

第三部分:序号,用数字表示。

"1"表示第一中放电用中频变压器,"2"表示第二中放电路用中频变压器;"3"表示和三中放电路用中频变压器,型号中的主称所用字母、外形尺寸所用数字的意义,如表1所示.表1所示中频变压器型号主称用字母与外形尺寸用数字的意义表。

变压器产品详细参数

变压器产品详细参数

产品详细参数:◆?产品介绍??Overview该产品执行国家标准GB1094《电力变压器》和GB/T6451《三相油浸式电力变压器技术参数密封式性能水平代号三相◆?产品特点??Features节能:S11型比GB/T6451空载损耗平均降低30%,负载损耗平均降低25%,运行费用平均下使用寿命长:变压器油箱采用全密封结构,油箱与箱沿可用螺栓联接或焊死,变压器油不与YB预装式箱式变电站(欧式箱变)产品详细参数:◆?产品介绍??Product?introductionYB型箱式变电站又称欧式箱变,产品符合GB17467—1998《高低压预装式变电站》和IEC13作为一种新型供配电装置,它比传统土建变电站具有许多优越性:由于它体积小,占地面积凑,便于搬迁,因而大大缩短了基建的周期和占地面积,也减少了基建费用。

同时,箱式变装简单,供电迅速.设备维修简单,无须专人值守,特别是它可以深入负荷中心,对提高供电能损失,增强供电的可靠性以及对配电网络改选都是十分重要的。

箱变完成电能的变换、计量、补偿,系统的控制、保护及通讯功能。

YB型变电站由高压开关柜,低压配电屏,配电变压器及外壳四部分组合而成高压是空气负荷器为干式变压器或油浸式变压器。

箱体采用了良好的隔热通风结构,外观美观大方,隔热性箱体设有上下通风的风道,户外隔射对变压器室及高低压室造成的温升可减少到最低限度。

设温控强迫通风装置以及太阳温度自动控制装置。

各独立单元装设完善的控制,保护,带电预装式◆?外形尺寸??Dimension注:提供的外形尺寸仅为选型设计时参考,最终尺寸以产品外形为准。

全密封油浸式非晶合金配电变压器产品详细参数:◆?产品介绍??Product?introduction该产品是全充油密封型。

原理同密封型电力变压器。

非晶合金的基础元素是铁、镍、钴、硼是一种向同性的软磁材料,磁化功率小,不存在阻碍畴壁移动的结构缺陷,厚度极薄,只有充系数相应变小,只有0.75-0.8,电阻率很高,是硅钢片的3-6倍,硬度是硅钢片的5倍,料对应力特别敏感。

中频变压器大全

中频变压器大全

-收音机中频变压器(中周)结构图及应用注意事项中频变压器(俗称中周),是超外差式晶体管收音机中特有的一种具有固定谐振回路的变压器,但谐振回路可在一定范围内微调,以使接入电路后能达到稳定的谐振频率(465kHz)。

微调借助于磁心的相对位置的变化来完成。

收音机中的中频变压器大多是单调谐式,结构较简单,占用空间较小。

由于晶体管的输入、输出阻抗低,为了使中频变压器能与晶体管的输入、输出阻抗匹配,初级有抽头,且具有圈数很少的次级耦合线圈。

双调谐式的优点是选择性较好且通频带较宽,多用在高性能收音机中。

晶体管收音机中通常采用两级中频放大器,所以需用三只中周进行前后级信号的耦合与传送。

实际电路中的中周常用BZ1、BZ2、BZ3符号表示。

在使用中不能随意调换它们在电路中的位置。

振荡线圈(中波)的外形和中周相似,它和相应的元器件组成晶体管收音机的变频级。

采用等容双连(270pF×2),同时调节输入调谐回路的谐振频率与本机振荡电路的本振频率,保证在整个接收波段范围内都有:f振-f信=465kHz。

常用型号为LTF-2-1(初级144+8.5匝,次级11.5匝)和LTF-2-3(初级4.5+82匝,次级8匝)。

最后提及一点:调谐中应尽可能采用无感改刀调谐。

每次调整中频变压器或振荡线圈的磁帽范围不要过大,用力要注意,以防磁帽破裂半导体超外差式收音机用中频变压器收音机中频变压器的结构如图a所示,它一般由磁心、线圈、底座、支架、磁帽及屏蔽罩组成。

由于使用磁心和磁帽构成闭合磁路,使得变压器具有高Q值和小体积的特点,而且只要调节磁帽就可改变电感量的大小。

半导体超外差式收音机中频变压器结构收音机中的中频放大器工作频率为465kHz,用谐振回路作为负载,采用LC并联谐振方法,使回路在谐振时阻抗最大。

回路产生的谐振电压用中频变压器鹅合到下一级电路。

半导体收音饥使用的中频变压器有单调回路中频变压器和双调谐中频变压器两种,它们的电路如图b所示。

伊顿电子产品参考手册说明书

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发动机型号详解

发动机型号详解

潍柴发动机
重汽发动机
需要解释的是:
东风康明斯发动机
西安康明斯发动机
解释:欧二、欧三、欧四编号字母或数字次序不同,但所表含义一样
重庆康明斯发动机
上柴发动机
玉柴发动机
一汽锡柴发动机系列、
珀金斯发动机)
扬柴发动机
云内发动机
四达发动机
三、四达发动机型号编制规则
1、产品型号的组成
产品型号由阿拉伯数字和大写英文字母表示,其组成结构如下:
功率代号
系列代号
缸数代号
企业代号
2、编号方法
2.1 企业代号
企业代号统一用江苏四达集团公司的标志“SD”表示。

2.2 缸数代号
缸数代号按发动机的缸数用阿拉伯数字表示,如6缸用“6”表示,4缸用
“4”表示。

2.3 系列代号
发动机产品用一至二个大写英文字母(其中I、O不用)表示,其编号按下
功率代号按发动机的实际功率(用千瓦表示)用阿拉伯数字表示, 发动机的
实际功率(用千瓦表示)取整数表示
编制示例
2.5 产品型号编制示例
示例2. SD4W45表示四缸、W(85)系列、功率为45kW基本型柴油机;示例3. SD4M60 表示四缸、M(100)系列、功率为60kW基本型柴油机;
SD4BW52 表示四缸、BW(90)系列、功率为52kW基本型柴油机;
说明:国三发动机在后面加-3U(单体泵)或-3R(共轨)
如:SD4M75-3U。

LM1117 中文PDF资料

LM1117 中文PDF资料

VOUT 22 F
R2 VOUT=VREF x (1+R2/R1)+IADJ x R2
图 2. 典型可调输出电压
注:以上线路及参数仅供参考,实际的应用电路请在充分的实测基础上设定参数。

输出电压变化(%)
典型电气特性曲线
温度稳定性
负载瞬态反应(VOUT=5 V)
可调管脚电流 ( A)
参数符号测试条件最小值典型值最大值单位x1117adj基准电压vrefiout10mavinvout2vtj25c123812501262v10maiout1a14vvinvout10v122512501270x111712iout10mvin32vtj25c1176121224v10maiout1a30vvin10v1152121248x111715iout10mvin35vtj25c148515001515v10maiout1a30vvin10v147015001530x111718iout10mavin38vtj25c178218001818v0iout1a32vvin10v176418001836输出电压voutx111725iout10mavin45vtj25c247525002525v0iout1a39vvin10v245025002550x111733iout10mavin5vtj25c326733003333v0iout1a475vvin10v323533003365x111750iout10mavin7vtj25c49505000505v0iout1a65vvin12v49005000510输出电压温度稳定性tsout03vinminvin12v线性调整rline37mvvoutfixedadjiout10ma负载调整rload10maiout1avoutfixedadj612mviout100ma100120漏失电压vdropiout500ma105125viout1a110130静态电流iq425vvin65v510mafripple120hzvinvout3v纹波抑制比psrr6075dbvripple1vpp可调管脚电流iadj60120a可调管脚电流变化0iout1a14vvinvout10v025a温保点tsd150c限流点ilimit121415ax1117参数符号测试条件最小值典型值最大值单位温度稳定性05长期稳定性tamb125c1000hrs0

LD1117中文资料

LD1117中文资料
输出电压
LD1117
符号
测试条件
Vin=3.8V,Iout=10mA, Tj=25℃(图 1) Vin=3.1V∼12V, Iout=1mA∼1A,(图 1) Vin=3.8V,Tj=25℃ (图 1) Vin=3.8V,Iout =1mA, ΔT=0℃∼125℃,图 1 VKA =VREF, ΔVin=3.3V∼8V,图 1 ΔIout =1mA∼800mA, Vin=3.3V,图 1 图1 Vin>8V,图 1 Iout=0.1A,图 1 Iout=0.5A,图 1 Iout=1A,图 1 1% 6%
Vin=3.2V,Iout=10mA, Tj=25℃(图 1) Vin=2.5V∼12V, Iout=1mA∼1A,(图 1) Vin=3.2V,Tj=25℃ (图 1) Vin=3.2V,Iout =1mA, ΔT=0℃∼125℃,图 1 VKA =VREF, ΔVin=2.7V∼8V,图 1 ΔIout =1mA∼800mA, Vin=2.7V,图 1 图1 Vin>8V,图 1 Iout=0.1A,图 1 Iout=0.5A,图 1 Iout=1A,图 1 1% 7.5%
赛 普 微 电 子 有 限 公 司
Super Microelectronics
低压差线性稳压器
基本特性: � 此稳压源输入最高电压 16V。 � 提供固定电压输出 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V 和可调电压输出。 � 输出电压精度可控制在 1%范围内。 � 较宽输出电流范围 1mA ~ 1A 。 SOT-223 PKG � 非常好线性调整率和负载调整率。 � 低开启电压。 � 提供封装 SOT-223,TO-252。 应用范围:
1000
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lw12系列万能转换开关

lw12系列万能转换开关

LW12系列万能转换开关LW12-16系列万能转换开关用途主要用于交流50Hz、额定工作电压380V及以下,直流电压220V及以下的电路中,转换电气控制线路(电磁铁、电气测量仪表和伺服电动机等),也可直接控制380V、5.5KW及以下的三相交流鼠笼型异步电动机。

符合标准号符合 GB14048.5-1993。

正常工作条件a)周围空气温度上限为+40℃,下限为-25℃,且其24小时内的平均温度不超过+35℃;b)海拔高度不超过2000m;c)安装地点的最高温度为+40℃时空气的相对湿度不超过50%,在较低的温度下可允许有较高的相对湿度,例如+20℃时可达90%。

对由于湿度变化偶尔产生在产品上的凝露情况必须采取特殊的措施。

d)污染等级3级;安装类别Ⅱ类、Ⅲ类。

型号及其含义主令控制用时型号:直接控制电动机时型号:分类按用途分:a)主令控制用;b)直接控制电动机用。

按操作方式分:a)定位型;b)自复型;c)定位自复型;d)定位自复型带闭锁装置。

按接触系统节数分:有1 ~ 12节共12种。

按操动器外形分:有T型、枪型和钥匙型手柄.按操作方式和操动器位置组合分:见表1。

主要技术参数1、额定绝缘电压为500V;约定自由空气发热电流为16A。

2、各种使用类别下额定工作电压、额定工作电流、电寿命见表2。

3、机械寿为100×104次(120次/ h)。

自复型转换开关的自复扭簧为易损件,其寿命应不低于相应的有载操作循环次数10×104次。

外型尺寸和安装尺寸1、外型尺寸见图1L=30+13.2n(定位型)式中n-接触系统节数 L=42+13.2n(自复型、定位自复型) L=58+13.2n(带45°自由行程触头的定位自复型) =33 ~ 46(各种手柄和不同安装板厚度) 2、安装尺寸:安装板开孔尺寸见图2。

三极管参数中文与英文对照精

三极管参数中文与英文对照精

电阻模型参数R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数二极管模型参数IS 饱和电流RS 寄生串联电阻N 发射系数TT 渡越时间CJO 零偏压 PN 结电容VJ PN 结自建电势M PN 结剃度因子EG 禁带宽度XT1 IS 的温度指数FC 正偏耗尽层电容系数BV 反向击穿电压(漆点电压 IBV 反向击穿电流(漆点电流 KF 闪烁躁声系数AF 闪烁躁声指数双极晶体管(三极管IS 传输饱和电流EG 禁带宽度XTI (PT IS 的温度效应指数 BF 正向电流放大系数NF 正向电流发射系数V AF (V A 正向欧拉电压IKF (IK 正向漆点电流ISE (C2 B-E 漏饱和电流NE B-E 漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数V AR (VB 正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C 漏发射系数RB 零偏压基极电阻IRB 基极电阻降致 RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零偏发射结 PN 结电容VJE PE 发射结内建电势MJE ME 集电结剃度因子CJC 零偏衬底结 PN 结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部 Rb 的内部CJS CCS 零偏衬底结 PN 结电容VJS PS 衬底结构 PN 结电容MJS MS 衬底结剃度因子FC 正偏势垒电容系数TF 正向渡越时间XTF TF 随偏置变化的系数VTF TF 随 VBC 变化的电压参数ITF 影响 TF 的大电流参数PTF 在 F=1/(2派 TF Hz 时超前相移 TR 反向渡越时间XTB BF 和 BR 的温度系数KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数Is=14.34f 反向饱和电流。

N1211三极管

N1211三极管

(R1) 10kΩ 22kΩ 47kΩ 10kΩ 10kΩ 4.7kΩ 22kΩ 0.51kΩ 1kΩ 47kΩ 47kΩ 47kΩ 4.7kΩ 10kΩ 4.7kΩ
(R2) 10kΩ 22kΩ 47kΩ 47kΩ — — — 5.1kΩ 10kΩ — 10kΩ 22kΩ 10kΩ 4.7kΩ 4.7kΩ
1000 300 100 30 10 3
10 3 1 0.3 0.1 0.03 0.01 0.1
3
2
1
0 0.1
0.3
1
3
10
30
100
1 0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
Collector to base voltage
VCB (V)
Input voltage VIN (V)
120 100 80
0.7mA 0.6mA 0.5mA 0.4mA
Forward current transfer ratio hFE
Collector current IC (mA)
300
Ta=75˚C
200 25˚C –25˚C
0.3mA 60 40 20 0 0 2 4 6 8 10 12 0.2mA
(Ta=25˚C)
Symbol ICBO ICEO Conditions VCB = 50V, IE = 0 VCE = 50V, IB = 0 min typ max 0.1 0.5 0.5 0.2 0.1 IEBO VEB = 6V, IC = 0 0.01 1.0 1.5 2.0 VCBO VCEO IC = 10µA, IE = 0 IC = 2mA, IB = 0 50 50 35 60 hFE VCE = 10V, IC = 5mA 80 160 30 20 VCE(sat) VOH IC = 10mA, IB = 0.3mA VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 1kΩ VCC = 5V, VB = 2.5V, RL = 1kΩ VOL VCC = 5V, VB = 3.5V, RL = 1kΩ VCC = 5V, VB = 10V, RL = 1kΩ VCC = 5V, VB = 6V, RL = 1kΩ fT VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz 80 10 22 R1 (–30%) 47 4.7 0.51 1 0.8 0.17 0.08 R1/R2 1.0 0.21 0.1 4.7 2.14 0.47 2.13 1.2 0.25 0.12 (+30%) kΩ 4.9 0.2 0.2 0.2 0.2 MHz V 0.25 V V 460 V V mA Unit µA µA

REACH list

REACH list

高度关注物质第一批SVHC物质清单发布日期:2010年1月13日清单颁布机构:ECHA3月30日,丙烯酰胺正式列入SVHC候选物质清单,至此候选物质清单达30项2010年6月18日,第三批SVHC正式被加入候选列表中2010 年12 月15 日,欧盟化学品管理局(ECHA)新增8 项物质进入SVHC 候选清单,此举使得该清单中2011 年2 月21 日,欧盟化学品管理局公布了包含7 项物质的第五批高关注物质(SVHC )候选清单提案,开始接受公众评议,评议期为45 天,即由2011年 2 月21 日至4 月7 日。

该候选清单提案中的新增加的7 种物质及常见用途如下:第五批SVHC 候选清单提案(2011 年2月21公布)第六批SVHC 候选清单提案(2011年12月19正式公布)2011年12月19日,欧洲化学品管理局(ECHA)正式宣布将第六批20种新物质加入SVHC候选清单。

符合下述条件的生产企业和进口上需在2012年6月19日前向ECHA进行通知;(1)在生产者或进口商的全部物品种上述物质的总量超过1吨每年;(2)上述物质在物品种的浓度超过0.1%(w/w 重量百分比)。

如果物质已经注册使用或是能够排除接触的时候,豁免通知义务。

第7批SVHC 候选清单(2012年6月12日发布)欧洲化学品管理局(ECHA)于2012年6月12日发布信息,成员委员会(MSC)一致统一确认5种争议物质加入SVHC候选清单,第七批SVHC候选清单将含有13中化学物质。

ECHA将适时公布第七批SVHC 候选清单,更新后的SVHC候选请单届时将达86种物质。

*:只有所含米氏酮(EC号202-027-5)或米氏碱(EC号202-959-2)的浓度≥0.1%(W/W),这些物质才满足REACH法规第57(a)条要求-致癌类1A或1B。

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTDL1119 CMOS IC1.5A LOW DROPOUT REGULATORSDESCRIPTIONThe UTC L1119 is a fast ultra low-dropout linear regulator that developed in CMOS process which allows low quiescent current operation independent of output load current. This CMOS process also allows the device to operate under extremely low dropout conditions.The UTC L1119 allows to operate from a 2.5V~7.0V input supply. Wide range of preset output voltage options are available and respond very fast to step changes in load which makes them suitable for low voltage microprocessor applications.FEATURES* Low ground current* Load regulation of 0.04%* Output current of 1.5A DC is guaranteed * Accurate output voltage.(± 1.5%)* Extremely low output capacitor requirements * Over temperature/ Over current protection*Pb-free plating product number: L1119L-xxORDERING INFORMATIONOrder Number Pin AssignmentNormal Lead Free Plating Package 1 2 3PackingL1119-xx-AA3-A-R L1119L-xx-AA3-A-R SOT-223 G O I Tape Reel L1119-xx-AA3-C-R L1119L-xx-AA3-C-R SOT-223 G I O Tape Reel L1119-xx-AB3-A-R L1119L-xx-AB3-A-R SOT-89 G O I Tape Reel L1119-xx-AB3-B-R L1119L-xx-AB3-B-R SOT-89 O G I Tape Reel L1119-xx-AB3-C-R L1119L-xx-AB3-C-R SOT-89 G I O Tape Reel L1119-xx-AB3-D-R L1119L-xx-AB3-D-R SOT-89 I G O Tape Reel L1119-xx-TN3-D-R L1119L-xx-TN3-D-R TO-252 I G O Tape Reel L1119-xx-TN3-D-T L1119L-xx-TN3-D-T TO-252 I G O TubeMARKING INFORMATIONBLOCK DIAGRAMGNDABSOLUTE MAXIMUM RATINGSPARAMETER SYMBOL RATINGSUNIT Input Supply Voltage V IN-0.3 ~ +7.5 VOutput Voltage V OUT-0.3 ~ +7.5 VOutput Current I OUT Short Circuit ProtectedPower Dissipation P D InternallyLimitedOperating Junction Temperature T OPR-40 ~ +125Storage Temperature T STG-65 ~ +150Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.RECOMMENDED OPERATING RATINGSPARAMETER SYMBOL RATINGSUNIT Input Supply Voltage V IN 2.5 ~ 7.0 VMaximum Operating Current (DC) I OPR(MAX) 1.5 A Operating Junction Temperature T J-40 ~ +125Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T J=25°C, V IN =V OUT+1V, I L=10mA, C OUT=33µF,unless otherwise specified.)PARAMETER SYMBOL TESTCONDITIONSMINTYPMAX UNITI L = 150 mA 38 45Dropout Voltage (Note) V DI L = 1.5 A 870mVPeak Output Current I PEAK 2.0 2.5 AI L = 150 mA 4 9Ground Pin Current I GNDI L = 1.5 A 5 14mAOutput Voltage Tolerance V OUT 10 mA ≤ I L≤ 1.5AV OUT +1 ≤ V IN≤ 7.0V-1.5 0 +1.5 %Line Regulation ∆V OUT V OUT+1V<V IN<7.0V 0.1 % Load Regulation ∆V OUT10 mA < I L < 1.5 A 1.5 % SHORT CIRCUIT PROTECTIONShort Circuit Current I SC 4.5 A AC PARAMETERSOutput Noise Density ρN(l/f) f = 120Hz 0.8 µVBW = 10Hz – 100kHz 150Output Noise Voltage eNBW = 300Hz – 300kHz 100µV(rms)V IN = V OUT + 1.5VC OUT =100uF, V OUT = 3.3V 60Ripple Rejection RRV IN = V OUT + 0.3VC OUT =100uF, V OUT = 3.3V 40dBOVER TEMPERATURE PROTECTIONShutdown Threshold T SHDN165 °C Thermal Shutdown Hysteresis T HYS 10 °C Note: Dropout voltage is defined as the minimum input to output differential voltage at which the output drops 2% below the nominal value. Dropout voltage specification applies only to output voltages of 2.5V and above. For output voltages below 2.5V, the drop-out voltage is nothing but the input to output differential, since the minimum input voltage is 2.5V.TYPICAL CHARACTERISTICS(V IN =V OUT +1V, V OUT =2.5V, C OUT =33µF, I OUT =10mA, C IN =68µF, Ta =25°C.)-40-200204060801001201400.050.10.150.20.25Temperature (℃)D r o p -O u t (V )Drop-Out Voltage vs Temperature (I L )-40-200204060801001201400.150.1750.20.225Temperature (℃)D r o p -O u t (V )Drop-Out Voltage vs Temperature (V OUT )0.125V OUT vs Temperature0.00D e l t a V O U T (%)-0.10-0.20-0.30-0.40-0.50-0.60-0.70-0.80-0.90-75-50-25255075100125Temperature (℃)100.01010Frequency (Hz)N o i s e ( V / H z )Noise Density1.0000.10010010001000001000003V IN (V)V O U T (V )Input Voltage vs Output Voltage2.50.51.5211234TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)100Frequency (Hz)Output Noise Density100010000100000100Output Noise Density100010000100000Frequency (Hz)10-1090Frequency (Hz)Ripple Rejection vs Frequency1M100K10K1K1001020304050607080R i p p l e R e j e c t i o n (d B )Load Transient Response20 I O U T (A)VO U T (V )Line Transient Response10 s/DIV V I N (V )V O U T (V )Line Transient Response10 s/DIVV I N (V )V O U T (V )TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)Line Transient Response10s/DIVV I N (V )V O U T (V )Line Transient Response10 3.253.33.35V I N (V )V O U T (V ) 5.34.33.453.4。

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