模拟电子技术复习提纲资料
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β
αβ+=∆∆=⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅∆∆=
E C B C I I I I
模拟电子技术复习提纲
(各章重点及公式汇编) 第三章
1. 半导体
|
2.PN 结正偏时: 反
偏时 :
削弱内电场 增强内电场 PN 结变窄,导通; PN 结变宽,截止
>
第四章
1、三极管工作在放大区
2、电流分配关系
条件
关系式 NPN 型 PNP 型
]
BE 结正偏
BC 结反偏
Ic=βIb
放大功能
V = (Si)
(Ge)
;
U >1V
V =- (Si)
(Ge) U >-1V
I= I+I
3、三极管热稳定性差; I ≥ I >>I
,
半导体
N 型
>
P 型
掺杂 5价 施主杂质
3价
受主杂质
多子
电子
~
空穴
少子
空穴
电子
中小值
和取不产生饱和失真不产生截止失真om om om CES
CEQ om L
CQ om U U U U U U R I U -==L C L
b
BE
BQ R R R R V Vcc I //;='⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅-=
be be
L i O V r Rb Ri r R Rc V V A =-==
//)//(βbe be
L i O V r Rb Rb Ri r R Rc V V A =-==
//2//1)
//(β()[]Rb
R r Ri R r R V V A L be L
be L i O V //Re//11Re//)1())(Re//1(++=≈+++==
βββ
反向饱和电流I ;穿透电流I = (1+β) I
4、共射放大器 (2)最大不失真V om (振幅)计算 (1)图解方法:
U 为饱和压降
:
(3)NPN 管共射放大的失真
及消除方法
U (t )截止失真波形 、
U (t )饱和失真波形
(4)直流通路和交流通路要求能熟练掌握
(5)三极管小信号等效电路
—
(6)放大电路的计算
共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大
|
¥
电 路
静态工作点Q 的计算 动 态
!
①∣A v∣>1; Vo与Vi反相;①A v ≈1 电压跟随
②A i = Io/Ii≈β>1 ②A i =1+β
③Ri,Ro 中等. ③ Ri大,Ro小
、
应用于中间放大级应用于输入级,输出级,中间隔离级
、
(8)增益的db表示方法
第五章FET N沟道JFET 耗尽型N-MOS 增强型N-MOS
1、符号及等性
(包括转移特性
和输出特)
2、FET的特点:① Ri大(I=0); ② V控制I; ③多子导电为单极型晶体管,噪声小,热稳定性好.
3、参数及
&
等效电路
第8章
特
点
和
应
用
共基放大等点: ①A v>1; Vo与Vi同相, ②A i =α<1, ③ Ri小,Ro大
应用于高频放大
()O V T O V om im om L om O P P P P P Vcc V V V R V P -==⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅==⋅⋅⋅⋅⋅⋅=2
1
4)
(212单管功耗ηπη()%
5.782222=≈
-=m L
L CES om R cc V R V Vcc P ηOM
CM CC CEO BR L
CC
CM P P V V R V I 2.02)(≥≥≥OM
CM CC CEO BR L
CC Cm P P V V R V I 2.02
/)(≥≥≥
1、功放主要指标:①输出功率Po ② 效率 ③非线性失真小;④功放安全工作。
2、电路及指标计算:
类型 电 路 一般情况指标计算 尽限运用 选管原则
】 OCL
甲乙类
双电源
!
OTL
乙类 单电源
、
第六章
1、差分放大电路特点 ①克服温漂 ②抑制共模Vic ; ③放大差模信号Vid
)
I= I= Io/2
2、四种差分放大电路指标计算
3、FET 差分式放大器 特点: 输入电阻高, 输入偏置电流小。 `
4、集成运放的符号和组成框图
、
第七章
直流负反馈用于稳定静态工作点
1、负反馈交流负反馈①电压串联负反馈;输入端输出端
类型(改善性能)②电压并联负反馈;(ΣV=0)串联电压Uo; (X f∝Uo) |
③电流串联负反馈;
④电流串并负反馈;(ΣI=0)并联电流Io; (X f ∝Io)
2、负反馈放大框图
3、负反馈电路
4、交流负反馈对放大器性能的影响:
以牺牲增益为代价,换来以下各项性能的改善。
%