模拟电子技术复习提纲资料
《模拟电子技术基本教程》课程复习提纲
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《模拟电子技术基本教程》课程复习提纲一、基本要求(一)基本要求1.掌握半导体器件的基本工作原理2.掌握放大电路的基本分析方法,能够正确估算基本放大电路的静态工作点和动态参数。
3.掌握多级放大电路的耦合方式的优缺点,正确估算多级放大电路的动态参数。
4.能够正确判断电路中反馈的性质和交流负反馈的组态。
5.掌握集成运放组成的基本运算电路的分析方法。
(二)重点掌握的内容常用半导体器件的工作原理,外特性;放大电路的基本概念及分析方法,放大电路中反馈的判断,基本运算电路的分析。
二、复习内容1.集成运算及其基本应用(1)放大的概念及其指标(2)集成运算放大电路(3)理想运放组成的基本运算电路(4)电压比较器2.半导体二极管及其应用(1)半导体基础知识(2)半导体二极管及其应用电路(3)其它二极管及应用电路3.晶体三极管及放大电路(1)晶体三极管(2)放大电路的组成原则(3)放大电路的基本分析方法(4)放大电路的三种组态4.场效应管及基本放大电路(1)场效应管(2)基本放大电路5.集成运算放大电路(1)多级放大电路(2)放大电路简介(3)差分放大电路(4)功率放大电路6.放大电路中的反馈(1)负反馈的基本概念和分析方法(2)负反馈电路的框图及一般表达式(3)放大倍数分析(4)负反馈对放大电路性能的影响7、直流稳压电源(1)直流稳压电源的组成及作用(2)单相整流电路(3)滤波电路(4)稳压管稳压电路(5)线性稳压电源(6)开关型稳压电源。
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
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模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论)信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
(放大倍数、输入电阻、输出电阻)第三章二极管及其基本电路)本征半导体:纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内,电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内,电子是多数载流子;在P型半导体内,空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移;载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结,在该区域中,多数载流子扩散到对方区域,被对方的多数载流子复合,形成空间电荷区,也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性,PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通;PN结加反向电压时,电阻值很大,PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿;PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容,前者是正向偏置电容,后者是反向偏置电容。
)二极管的V-I 特性(理论表达式和特性曲线))二极管的三种模型表示方法。
(理想模型、恒压降模型、折线模型)。
(V BE=)第四章双极结型三极管及放大电路基础)BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
(由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数))什么是直流负载线什么是直流工作点)共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高,输出信号顶部失真,饱和失真,工作点过低,输出信号底部被截,截止失真)。
)小信号模型中h ie和h fe含义。
)用h参数分析共射极放大电路。
(画小信号等效电路,求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。
)常用的BJT放大电路有哪些组态(共射极、共基极、共集电极)。
各种组态的特点及用途。
P147。
(共射极:兼有电压和电流放大,输入输出电阻适中,多做信号中间放大;共集电极(也称射极输出器),电压增益略小于1,输入电阻大,输出电阻小,有较大的电流放大倍数,多做输入级,中间缓冲级和输出级;共基极:只有电压放大,没有电流放大,有电流跟随作用,高频特性较好。
模拟电子技术复习提纲1
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第一章1 二极管的单向导电性和伏安特性2 场效应管的基本原理3 三极管的基本放大原理第2章基本放大电路复习内容1 放大电路的基本概念2 单极放大电路能否放大动态信号的判断3 晶体管三个极的判断 npn and pnp4 各种放大电路的性能特点及其选用5 放大电路的静态工作点的计算6 放大电路的直流通路和交流通路的求解和交流等效电路7 共集,共射,共基,共源,共漏放大电路的静态和动态分析(电压放大倍数,输入电阻和输出电阻)8 基本接法的判断9 放大电路失真类型的判断和改善第三章多极放大电路复习内容1 多极放大电路的耦合方式(定型)2 多极放大电路的耦合方式阻容耦合放大电路的动态分析3 直接耦合放大电路的作用(抑制零点漂移)4 差分放大电路的分析计算(四种差分放大电路的电压放大倍数,输入电阻和输出电阻)5恒流源的主要作用第四章集成运算放大电路1 集成运放的组成和作用(基本了解)2 比例电流源和基本电流源的分析计算3 有源负载的分析(要掌握)4 集成运放的主要特点(开环差模增益,差模输入电阻,共模抑制比,输出电阻)5 特殊运放的性能特点高阻型高精度型(了解)第五章放大电路的频率响应1 放大电路的频率响应(高通和低通滤波器)2 波特图的应用(复习电路里面关于波特图的章节)3 单极放大电路的上限频率和下陷频率的求解(重点掌握)见课件4 放大电路频率响应的定性分析(多极)5 上限频率和下限频率的物理意义6 掌握单极放大电路的全频段的交流等效电路(重点)7 波特图的分析(掌握)习题5-1 5-7第6章负反馈1 反馈的概念见课件详细分析2 负反馈的四种组态的判断(见课件)要掌握方法连接位置判别法3 如何根据电路要求引入负反馈4 深度负反馈的计算(重点掌握)四种见课件或书5 负反馈的应用 (多极放大电路和运放的应用)6 负反馈的作用(重点掌握)7 差分放大电路加上运放如何引入负反馈和计算(重点)习题 6-5 6-6第七章1 反相和同相比例运算电路2 反相求和同相求和电路3 差分器和加法器 (重点)4 2-3个运放的组合,求出关系表达式 (重点) 见课件5 一阶有源滤波器的分析和计算6 模拟乘法器的运用第八章1 正弦波发生电路的判断2 RC正弦波振荡电路的分析(重点掌握)3 电压比较器(单限,滞回窗口)(会定性分析)电压传输特性4 非正弦发生电路的基本原理5 波形的变换和信号的转换重点电压和频率的转换会分析习题8-7 8-8 8-9第九章1 功率放大电路的特点和最大输出功率效率的有关概念2 功率放大电路类型的判别3 ocl otl 电路最大输出功率和效率的估算,功放管的选择4 功率放大电路的故障分析重点第九章的课后习题到9-13第10章直流电源1 直流电源的组成四部分2整流电路的基本原理和计算3 滤波电路的基本原理和计算4 稳压电路的基本原理和计算限流电阻的选择5 串联型稳压电路的组成,输出电压调节范围的估算,调整管的极限参数以及故障分析课后习题10-12到12-19 要掌握。
模拟电子技术课程复习提纲(复习必备)
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模拟电子技术课程复习提纲(复习必备)第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体:本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理;2、杂质半导体:杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子;3、PN 结:PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性;4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响;5、PN 结的伏安特性:)1(-=T U u S D e I I ,当T=300K 时mV U T 26=,伏安特性曲线:反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区;6、PN 结的反向击穿特性:击穿类型、击穿原因(雪崩击穿、齐纳击穿);7、PN 结的电容效应:势垒电容C T 、扩散电容C D ,PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号;2、二极管的伏安特性:)1(-=T D U u S D e I I ,⑴正向特性:死区开启电压U th =0.5V (Si )、0.1V (Ge ),正向导通电压U D(on)=0.7V (Si )、0.2V (Ge ),⑵反向特性:反向截止区,反向击穿区;3、二极管的温度特性;4、二极管的参数及其含义:F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=; 5、二极管的等效模型:理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号(微变等效)模型(注意微变等效模型的应用条件);6、二极管电路的分析方法:⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法(在Q 点附近i u 幅度较小时使用)、⑷微变等效电路分析法;7、稳压二级管:稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算;8、二极管应用(单向导电特性、二极管导通截止的判断)⑴静态工作分析、⑵整流电路(单管半波整流、双管全波整流、桥式整流)、⑶限幅电路(串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅)、⑷门电路;9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数,发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
模拟电子技术复习资料
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模拟电子技术复习资料模拟电子技术复习资料模拟电子技术是电子工程中的重要一环,它涉及到电子电路的设计、分析和优化。
在现代科技发展迅速的时代,模拟电子技术的应用范围越来越广泛。
为了更好地掌握这门学科,以下是一些模拟电子技术复习资料,希望对大家的学习有所帮助。
一、基础知识回顾1. 电路基本元件:电阻、电容、电感。
了解它们的特性和在电路中的应用。
2. 电路定律:欧姆定律、基尔霍夫定律、电流和电压的分布规律。
3. 放大器基础:了解放大器的基本概念和分类,如共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
4. 信号处理:了解滤波器的原理和分类,如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
二、放大器设计与分析1. 放大器的基本特性:增益、带宽、输入输出阻抗等。
掌握放大器的参数计算方法。
2. 放大器的稳定性分析:了解稳定性的概念和判据,如极点、零点的分布,掌握稳定性分析的方法。
3. 反馈放大器:了解反馈放大器的原理和分类,如电压串联反馈、电流串联反馈等。
4. 差分放大器:了解差分放大器的原理和应用,如差分放大器的共模抑制比、共模反馈等。
三、运算放大器及其应用1. 运算放大器的基本特性:了解运算放大器的输入输出特性,如输入阻抗、输出阻抗、放大倍数等。
2. 运算放大器的反馈电路:了解反馈电路的原理和分类,如电压反馈、电流反馈、电阻反馈等。
3. 运算放大器的应用:了解运算放大器在各种电路中的应用,如比较器、积分器、微分器等。
四、振荡器与频率特性1. 振荡器的原理:了解振荡器的基本原理和分类,如正弦波振荡器、方波振荡器、脉冲振荡器等。
2. 振荡器的稳定性:了解振荡器的稳定性条件和稳定性分析方法,如震荡幅度、相位噪声等。
3. 频率特性分析:了解频率响应的概念和分析方法,如Bode图、相频特性等。
五、模拟滤波器设计1. 模拟滤波器的分类:了解模拟滤波器的基本分类,如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
2. 滤波器的设计方法:了解滤波器的设计方法和参数计算,如阻抗匹配、频率响应等。
模拟电子技术总复习大纲-20121228
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典型习题
8.2、8.8
9.正弦波振荡器(6学时/10分)
知识点一:振荡的基本原理(正反馈基本方程、起 振条件、平衡条件)、振荡器分类 知识点二:RC振荡器电路工作原理与分析 知识点三:LC振荡器电路工作原理与分析 知识点四:石英晶体振荡器电路工作原理与分析 基本要求: 1)掌握正反馈的基本方程、振荡器的起振条件和 平衡条件。 2)掌握文氏桥振荡器的工作原理、电路分析方法。 3)掌握变压器耦合LC振荡器和三点式LC振荡器的 工作原理、电路分析方法。 4)掌握并联型和串联型石英晶体振荡器电路的特 点、工作原理、电路分析方法。
典型习题
3.1、3.3、3.5、3.10、3.12 例题3.3.2
4. 放大器的频率响应(4学时/5分)
知识点一:频率响应的概念(中频增益、上下限 频率、3dB带宽),放大器的低频、中频和高频 等效电路 知识点二:晶体管高频小信号模型和高频参数、 共射电路频率响应 知识点三:波特图 基本要求: 1)掌握频率响应的概念和基本分析方法。 2)掌握晶体管频率参数、共射电路频率响应特性 (了解密勒等效的概念及等效方法即可)。 3)了解波特图的概念及画法。
典型习题
补充教材:11-3、11-4、11-15、11-16
典型习题
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
补充教材:10-3、10-9、10-11
10.调制与解调(7学时/10分)
知识点一:调制的概念、作用与分类 知识点二:幅度调制与解调的基本原理 知识点三:角度调制与解调的基本原理 基本要求: 1)了解调制的概念、作用、类型。 2)掌握AM、DSB、SSB调制的基于原理、已调信 号的时域和频域波形、已调信号功率和带宽的计算。 3)掌握FM、PM调制的基本原理,单音调制FM、 PM信号的时域表达式、调制指数和已调信号带宽 的计算。 4)了解幅度调制和角度调制信号的解调原理。
模电复习大纲(模拟)
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Ri
Vi Ii
+ Vs
–
Rs + Vi –
Ro
+
+
Ri
AVO号源吸取信号幅值的大小。
输入电压信号, Ri 越大,Vi 越大。 输入电流信号, Ri 越小, Ii 越大。
IT
外 加 测 试 信 号VT
R
i
VT IT
+ VT
+ VT
–
–
放 大 Ri 电
路
2. 输出电阻
重点掌握单管共射放大电路(包括分压式和射极偏置) 电路的组成和工作原理,
注意有Re时的计算 习题4.1.1;4.1.2;4.3.5;4.3.11;4.4.3;4.5.3
第五章 场效应管放大电路
双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。
1、能够根据转移特性判别场效应管的类型(P237 表5.5.1)
A f
≈
1 F
6、理解负反馈电路自激条件
••
A F 1
••
AF 1
••
arctg A F (2n 1)
1+AF或AF越大越容易自激。
习题7.1.1;7.1.2;7.2.1;7.4.5;7.5.2
第八章 功率放大电路
1、了解放大器的三种工作状态 甲类:在整个周期IC≥0导通角3600η高=50% 乙类:在半个周期IC≥0导通角1800η高=78.5% 甲乙类:在大半个周期IC≥0导通角1800<θ<3600
振幅平衡条件
••
AF 1
相位平衡条件 A F 2n
RC桥式振荡电路的组成,P437图9.6.1(RC串并联网络的作用) 振荡频率ω0=1/RC,F=1/3
模拟电子技术复习提纲2011-12
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《2011.12.10第一章一.基本概念和基本知识1.PN结具有单向导电性:加正向电压时导通,加反向电压时截止。
2. 二极管的伏安特性正向特性:U I<开启电压时,I D≈ 0 ,U I 大于开启电压后逐渐导通,I D增加,二极管导通后,正向压降≈0.7伏(对于硅管)。
反向特性:当U I < 反向击穿电压时,I D≈ 0 。
若U I≥反向击穿电压时。
反向电流急剧增加,将会使二极管击穿而损坏。
3.稳压二极管是一种特殊的二极管。
在电路中主要用于稳定电压。
稳压二极管工作于反向击穿状态。
使用时,必须与负载并联,并且串接有稳压和限流功能的电阻。
4.晶体三极管分为NPN和PNP型两大类。
要求熟练记住其符号以及正确加载电源电压的极性。
对于NPN管集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的正极。
对于PNP管则集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的负极。
5. 为了使晶体三极管实现电流放大作用,供电电源接法应保证:发射结正向偏置,集电结反向偏置。
6.三极管的电流关系:I E = I B+I C ; 在放大区I C =β I B7.三极管的输出特性曲线有三个区:截止区、放大区、饱和区。
三极管工作在放大状态时,必须保证在线性放大区,不能进入截止区和饱和区。
在数字电路中则工作于截止区和饱和区。
8.三极管的主要参数:(1)共射电流放大倍数β = ∆I C / ∆I B 共基电流放大倍数∆α = ∆I C / ∆I E ;α = β / (1+ β)β = α / (1 - α)(2)集电极最大电流I CM ; 集电极最大功耗P CM ;(3)反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CBO U(BR)EBO9场效应管(1)场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型效应管两大类。
从导电沟道分:分为N沟道和P沟道两大类;绝缘栅型效应管可分为耗尽性和增强型两大类。
(2)场效应管是电压控制器件;而双极型三极管则是电流控制器件。
(3)要求熟记各种类型场效应管的电路符号以及所加电源电压的极性。
《电子技术基础》复习提纲
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《电子技术基础》复习提纲电子技术基础是电子工程专业的一门基础课程,它是其他高级课程的基石,具有重要的理论和实践意义。
本文将为大家提供一份《电子技术基础》(模拟部分)的复习提纲,帮助大家系统地复习这门课程。
一、放大器基础知识1.放大器的基本概念和分类2.放大器的工作原理3.放大器的特性参数及定义4.放大器的增益和功率的计算5.放大器的频率响应6.放大器的电压与电流放大倍数二、放大器的基础电路1.单级放大器的基本电路2.双级放大器的基本电路3.电压放大器与电流放大器4.共射放大器、共集放大器和共基放大器5.三极管放大器的工作特性和基本电路三、运算放大器1.运算放大器的基本原理2.运算放大器的非线性特性及其补偿方法3.运算放大器的频率响应特性4.运算放大器的反馈电路基础知识5.理想运算放大器的特性与模型四、振荡电路1.振荡电路的基本概念和分类2.LC振荡器的工作原理及其频率稳定性3.RC振荡器的工作原理及其频率稳定性4.利用晶体谐振现象的谐振器5.压控振荡器的基本原理及应用领域五、滤波电路1.滤波电路的基本概念和分类2.一阶滤波器和二阶滤波器的工作原理3.滤波器的频率响应特性4.低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器的设计与应用5.有源滤波器和无源滤波器的比较六、功率放大电路1.功率放大电路的基本概念和分类2.A类功率放大器、B类功率放大器、AB类功率放大器和C类功率放大器的工作原理和特点3.功率放大电路的效率与失真4.功率放大电路的反馈设计与应用七、综合应用电路1.信号发生器的基本原理和电路设计2.信号检测电路的基本原理和电路设计3.比较器的基本原理和电路设计4.电压参考电路的基本原理和电路设计5.音频放大电路的基本原理和电路设计以上就是《电子技术基础》(模拟部分)的复习提纲,希望对大家的复习有所帮助。
复习过程中,可以结合教材和课堂笔记,进行有针对性的复习和问题解答。
此外,还可以通过做题、实验等方式进一步巩固知识,提高对电子技术基础的理解和应用能力。
模拟电子技术复习提纲
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第3章 二极管及其基本电路知识重点:1、杂质半导体的导电机理;2、PN 结的形成及其单向导电性;3、半导体二极管的伏安特性;4、稳压管的应用基本知识:1、空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点,在本征半导体中掺入三价元素杂质后即成为P 型半导体。
2、半导体二极管只有一个PN 结,它的基本特性是具有单向导电特性。
3、稳压二极管接入电路时,一定要串入一个电阻,其原因是利用电阻调节作用。
4、下面电路中电阻R 1=6kΩ,R 2=1kΩ,试判断理想二极管D 1与D 2是导通还是截止,并计算电压V ab ,。
()第4章 三极管及其放大电路知识重点:1、半导体三极管的放大条件以及电流控制和放大作用;2、BJT 的输入特性、输出特性及主要参数;3、BJT 的代表符号、BJT 的特性曲线,尤其是输出特性曲线的四个区域的理解;基本知识:1、双极性晶体管放大电路的三种基本放大方式为共射、共基与共集放大,其中共集放大 放大电路也叫做射极输出器。
2.三极管的输入电阻Rbe 是个动态电阻,但是与静态工作点是有关联的。
3、双极性晶体管对温度变化较敏感,硅管与锗管相比,硅管受温度影响较小。
aba b4.电压放大器的输出电阻越小,意味着放大器带负载能力越强。
5、双极性晶体管是一种电流型控制元件。
6.在基本共射电路中,若晶体管的β增大一倍,电压放大倍数也相应增大,但达不到一倍。
7、在放大电路中测得某管的3个电极电位分别为-2.5V, -3.2V,-9V,则这个三极管的管型是PNP型硅管。
8、单极放大电路的3种组态都有功率放大作用。
9、多极放大器的电压放大倍数为各级放大倍数之积。
10、一个NPN管在电路中正常工作,现测得Ube>0,Ubc>0,Uce>0,则此管的工作区为饱和区。
11、图示电路中β=50, V CC=6V, R b1=10KΩ, R b2=2KΩ , R c=2KΩ,R e=300Ω,R L=2 KΩ,试:①估算Q点(取V BE =0.7V);②画出小信号模型图;③r be=1KΩ时,计算Av、r i与r o。
模拟电子技术复习提纲
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模拟电子技术复习提纲第一章1 对半导体基础知识的理解2 二极管、稳压管、晶体管和场效应管工作状态的判断及输出电压的求解3 pn 结的单向导电性及二极管的电压和电流关系方程4 三极管的参数如何受温度的影响?5场效应管的特点和特性?讨论题 第三讲 1 1.3V 3.7V 2 有解答第二章1 放大电路的基本概念2 各种基本放大电路的性能特点及选用3 放大电路的交流通路和直流通路的画法4 共集、共射、共基、共源和共漏放大电路的静态和动态分析当输入信号增大时,空载情况下输出电压首先出现饱和失真;当接上负载时输出电压首先出现截止失真。
5 单管放大电路基本接法的主要特点,及如何选取电路。
讨论题 第四讲 有解答第5讲 有解答第六讲讨论2 94页 讨论3 1 空载时首先出现饱和失真,当接上负载时出现截止失真。
讨论4,5均有答案。
第7讲 课本上有答案第8讲 习题13 讨论2 有答案第9讲 书上有答案第三章1 多级放大电路的定性分析2 多级放大电路的分析计算3 差分放大电路的分析计算第10讲 讨论2第11讲 有答案第四章1电流源电路及其应用电路的分析2 有源负载的应用第13讲 讨论2 课件第五章1 对频率响应有关概念的正确理解2 放大电路频率响应的定型分析3 放大电路上限频率和下限频率的求解4 根据波特图求放大电路的频率参数及电压放大倍数。
自测题 二 答案 (1) 178-=usm A (2) pf c 1602/=π(3) Hz f H 175= Hz f L 14=三 (1) 60,310± (2) 10,410第六章1 反馈和反馈性质的判断方法,判断电路中引入反馈的类型,如何根据电路性能要求引入反馈;2 深度负反馈条件下放大倍数的估算方法3 根据需求引入合适负反馈的原则及方法第17讲 讨论题 课件上有答案第18讲 讨论题 课件上有答案第七章1 运算电路的识别2 运算电路的分析计算3 根据需求选择运算电路4 有源滤波器的识别及电路分析(只要求一阶电路)5 工作在线性区的集成运放的其它应用电路的分析第21讲讨论1 111011i f u R R u ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+= 232013201i f f u R R u R R u ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++-= 讨论二 1 根据基本运放电路的分析可以求出2 差分放大电路 02010u u u -=讨论三 1 课件上有答案 2 绝对值电路 ,具体见书上例题第8章1 rc 桥式正弦波振荡电路的组成特点以及振荡频率和幅值的估算,电路是否产生自激振荡的判断,改正电路中的错误使之有可能产生正弦波振荡;2 电压比较器电路的识别及电压传输的求解,已知电压传输特性判断电压比较器的类型及其主要参数,已知电压传输特性设计电压比较器电路等;3矩形波、三角波和锯齿波发生电路的工作原理和波形的分析,振荡频率和幅值的求解和调节、改错等。
模电复习大纲(P.95)

ICBO ICBO( T0 25 C) e k (T T0 )
温度T 输出特性曲线上移
总之: 2. 温度变化对输入特性曲线的影响
VBE VBE( (T T0 ) 2.2 10 V ITCBO ICEO 0 25 C)
温度T 输入特性曲线左移
半导体三极管极放大电路基础
1、基本结构 半导体三极管的结构示意图如图 03.1.01 所示。它有 集电极, 用C或 c 发射极, 用E或 e 两种类型 :NPN 型和PNP型。 表示(Collector)。 集电区 发射区 表示(Emitter );
基区 发射结(Je) 集电结 基极,用B或b表示( Base(Jc) )
5、基本放大电路动态分析 一般用测试仪测出; rbe 与Q点有关,可用图 示仪测出。 一般也用公式估算 rbe
其中对于低频小功率管 而
rb≈200
(T=300K)
VT (mV) 26(mV) re I EQ (mA) I EQ (mA)
则
26( mV ) rbe 200 (1 ) I EQ ( mA )
3
Q Q1 1Q Q
I IB B i iB =0 =0
B
v /V vCE CE/V
3. 温度变化对 的影响
T VBE IB IC
温度每升高1 ° C , 要增加0.5%1.0% 温度T 输出特性曲线族间距增大
分压式偏置电路
+EC RB1
C1
一、静态分析
4、理解二极管 单向导电性、特性方程及曲线PN结相同 主要参数:最大整流电流 IF、反向峰值电压 VBR、反向峰值电流IR 。 分析题型:计算二极管电路参数、判断二极管状态、二极管选择 、画波形图(理想模型、恒压模型) 5、特殊二极管——稳压管(一段为反向连接) 反向偏置 且VI>VZ 稳压原理:无论输入变化或负载变化,引起的电流变化都 加于稳压管上,从而使输出稳定 参数:VZ、IZ、PZM、
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;1;ββαβ+=∆∆=⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅∆∆=E C B C I I I I模拟电子技术复习提纲(各章重点及公式汇编) 第三章1. 半导体|2.PN 结正偏时: 反偏时 :削弱内电场 增强内电场 PN 结变窄,导通; PN 结变宽,截止>第四章1、三极管工作在放大区2、电流分配关系条件关系式 NPN 型 PNP 型]BE 结正偏BC 结反偏Ic=βIb放大功能V = (Si)(Ge);U >1VV =- (Si)(Ge) U >-1VI= I+I3、三极管热稳定性差; I ≥ I >>I,半导体N 型>P 型掺杂 5价 施主杂质3价受主杂质多子电子~空穴少子空穴电子中小值和取不产生饱和失真不产生截止失真om om om CESCEQ om LCQ om U U U U U U R I U -==L C LbBEBQ R R R R V Vcc I //;='⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅-=be beL i O V r Rb Ri r R Rc V V A =-==//)//(βbe beL i O V r Rb Rb Ri r R Rc V V A =-==//2//1)//(β()[]RbR r Ri R r R V V A L be Lbe L i O V //Re//11Re//)1())(Re//1(++=≈+++==βββ反向饱和电流I ;穿透电流I = (1+β) I4、共射放大器 (2)最大不失真V om (振幅)计算 (1)图解方法:U 为饱和压降:(3)NPN 管共射放大的失真及消除方法U (t )截止失真波形 、U (t )饱和失真波形(4)直流通路和交流通路要求能熟练掌握(5)三极管小信号等效电路—(6)放大电路的计算共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大|¥电 路静态工作点Q 的计算 动 态!①∣A v∣>1; Vo与Vi反相;①A v ≈1 电压跟随②A i = Io/Ii≈β>1 ②A i =1+β③Ri,Ro 中等. ③ Ri大,Ro小、应用于中间放大级应用于输入级,输出级,中间隔离级、(8)增益的db表示方法第五章FET N沟道JFET 耗尽型N-MOS 增强型N-MOS1、符号及等性(包括转移特性和输出特)2、FET的特点:① Ri大(I=0); ② V控制I; ③多子导电为单极型晶体管,噪声小,热稳定性好.3、参数及&等效电路第8章特点和应用共基放大等点: ①A v>1; Vo与Vi同相, ②A i =α<1, ③ Ri小,Ro大应用于高频放大()O V T O V om im om L om O P P P P P Vcc V V V R V P -==⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅==⋅⋅⋅⋅⋅⋅=214)(212单管功耗ηπη()%5.782222=≈-=m LL CES om R cc V R V Vcc P ηOMCM CC CEO BR LCCCM P P V V R V I 2.02)(≥≥≥OMCM CC CEO BR LCC Cm P P V V R V I 2.02/)(≥≥≥1、功放主要指标:①输出功率Po ② 效率 ③非线性失真小;④功放安全工作。
2、电路及指标计算:类型 电 路 一般情况指标计算 尽限运用 选管原则】 OCL甲乙类双电源!OTL乙类 单电源、第六章1、差分放大电路特点 ①克服温漂 ②抑制共模Vic ; ③放大差模信号Vid)I= I= Io/22、四种差分放大电路指标计算3、FET 差分式放大器 特点: 输入电阻高, 输入偏置电流小。
`4、集成运放的符号和组成框图、第七章直流负反馈用于稳定静态工作点1、负反馈交流负反馈①电压串联负反馈;输入端输出端类型(改善性能)②电压并联负反馈;(ΣV=0)串联电压Uo; (X f∝Uo) |③电流串联负反馈;④电流串并负反馈;(ΣI=0)并联电流Io; (X f ∝Io)2、负反馈放大框图3、负反馈电路4、交流负反馈对放大器性能的影响:以牺牲增益为代价,换来以下各项性能的改善。
%第二章】1、理想运放应满足:2、理想运放线性运用时(电路上有负反馈)A=∞; R= ∞; 有:①虚短 V=V (∵V id=V o/A= 0)R o = 0 ; K= ∞ ; ②虚断 I=I= 0 (R id=∞)V= 0及温漂为0 ; I= 03、基本电路第九章·第十章1、整流(半波整流、全波整流和桥式整流)2、滤波(电容滤波和电感滤波)~模拟电子技术模拟试卷题号及题型一⒇二⑩判别题>分析回答计算题总分填空题选择题1⑥2④1⑩}2⑩3⑩4⑩5⑩6⑩得分(;一、填空题(20分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素,其多数载流子是 __ 。
2、(图1-3)所示电路,二极管D的工作状态为_______,输出电压Uo =_______。
3、某三极管已知α=,当I E=2mA时,I B=_________, β=__________。
(图1-3)4、测得某三极管V BE= -,V CE=-,则该管工作在_______区,管型和材料为_______________。
$测得某三极管V E= 3V,V B=,V C=6V,则该管工作在_______区,管型和材料为_______________。
5、三种基本组态的放大电路中,既有电压增益又有电流增益的是__________放大电路;带负载能力最强的是______放大电路。
6、已知某放大电路,电压增益A V=1000,折合分贝数为_______db,其上限频率f H处电压增益为_____db。
7、(图1-7)所示放大电路,由Uo(t)波形可知产生了______失真,消除失真的办法是_________________。
(图1-7)8、(图1-8)示运放构成的是_________电路,通带增益等于________。
^9、晶体振荡器的特点是________-______高,在并联型晶振电路中,晶体等效为_________________元件。
(图1-8) 二、单项选择题(10分)1、 已知某FET 的转移特性如(图2-1)所示,该管的符号为________。
#2、已知某FET 的输出特性如(图2-2)所示,可求得g m 等于_____________。
(图2-1) (图2-2) ① 2ms , ②6ms , ③3ms , ④4ms3、为获得输入电压控制的电流源,应引入__________负反馈。
①电压串联 ②电压并联 ③电流串联 ④电流并联4、放大电路中,其信号源内阻R S 较大,为使负反馈效果好,且带负载能力强应引入_____负反馈。
【①电流串联 ②电流并联 ③电压串联 ④电压并联5、下列电路中组成NPN 型复合管的是_________。
(图2-6)6、如(图2-6)所示电路,输出电压UO 等 于________。
①12V ②-12V ③9V ④-9V$7、(图2-7)所示,由理想运放构成的“电流-电压”变换电路,已知I S =1mA ,则V O 等于________。
①+10V ②—10V ③—5V ④+5V (图2-7) 8、(图2-8)所示振荡电路,变压器同名端和振荡频率fo 应 为上述__________所示。
$(图2-8)9、理想运放构成的电路如(图2-9)所示,V O 等于_________。
① ②- ③10V ④-10VLCf o π21=LCf o π21=LCf o 1=LC f o π21=?10、互补对称功率放大电路选择甲乙类工作状态的主要原因是为了___________。
①输出功率大②保护功放管③提高效率④消除交越失真(图2-9)三、判断题(10分)1、判别下开列电路的级间反馈类型、(a)_______________________ (b)____________________ (c)____________________]2、用瞬时极性法判别下列电路是否满足相位平衡条件能够振荡(a)__________________________________ (b)_________________________________四、问答计算题(60分)1、2、图示放大电路,电容C1,C2Ce对交流可视作短路;①②③画出直流通路静态ICQ,IBQ,VCEQ值;画出交流通路和小信号模型等效电路求A V=V O/V i;输入电阻R i,输出电阻R O⑤⑥求A VS=V O/V S;⑦⑧如将R b2逐渐减小,首先出现何种非线性失真输入正弦波时画V O(t)失真波形图。
《3、理想运放构成的电路如图所示① A 1,A 2,A 3各组成何种电路② 求V O1,V O2,V O3值。
!3、理想运放构成的求和积分电路如图所示① 写输出电压U O 的表达式[设U C (t=0)=0]② 已知二个输入信号V i1(t ),V i2(t )波形如图所示。
试画出输出电压波形。
4、放大电路如图所示① 判断图(a )(b )电路级间反馈的类型② 图(a )电路满足深度负反馈时,估算值iO VF V V A5、如图所示电路,已知R=100KΩ,C=μF,R1=10 KΩ,①求输出电压U O的频率f o值;②电路正常工作时电阻R2选多大若要求U O1幅度稳定,电阻R2可选哪种热敏电阻代用(正温度系数或负温度系数)③若忽略三极管U CES,求最大输出功率和相应的效率;④二极管D1,D2的作用是什么6、图(a)所示的直流电路,①已知U BE=,稳压管V Z=,求UO的调节范围;②若要求调整管UCE1≥4V,求变压器次级U2有效值至少为多大图(b)所示电路,①求VO值;②求W7812耗损功率P为多大。