7.2热缺陷的统计理论-山东大学固体物理
固体物理基础第2章 缺陷理论
并考虑到N>>ns,即可得到
us
ns Ne kBT
10
第2章 缺陷理论
2.1.3 间隙(填隙)原子 同样是由于晶格的热运动,如果晶体表面格点上的原子
移动到晶格内部的间隙位置,则会在晶体内部形成间隙原子 这种缺陷。根据间隙原子的形成过程,有时也把这种缺陷称 为反肖特基缺陷。间隙原子的计算公式为
式中,ui
27
第2章 缺陷理论
图2.5 晶体中位错缺陷的形成过程
28
第2章 缺陷理论 从上面两种位错的形成过程不难看出,位错的形成主要
与晶体中存在的应力和形变有关,因此位错主要对晶体的机 械性能产生影响,并且在晶体生长中起着重要作用。另外, 由于位错线上的原子具有断裂的化学键(称为悬挂键),这种 未饱和的悬挂键可以通过向晶体释放电子或者从晶体中俘获 电子,从而对晶体的电学性质产生影响。由于位错线上的原 子化学性质比较活泼,因此其化学腐蚀速度比其他区域快, 当晶体表面经过一定的化学腐蚀液的腐蚀后,就会在有位错 的地方形成腐蚀坑,结合晶体的各向异性,这些腐蚀坑往往 具有特殊的形状,正如第1章中讲到的金刚石结构(100)和 (111)晶面的化学腐蚀坑分别为正方形和正三角形。
ui
ni Ne kBT
(2.3)
11
第2章 缺陷理论 从上面三种缺陷的形成过程不难理解,一个费仑克尔缺
陷其实就包含一个肖特基缺陷和一个间隙原子,即uf=us+ui, 而相对于肖特基缺陷,形成间隙原子时所引起晶格局部畸变 的程度更大,因此必然有uf>ui>us。同时我们还可以想到, 当晶体中存在肖特基缺陷时,相邻格点上的原子跳跃进入该 空位所需要的能量是很小的,即空位(肖特基缺陷)的迁移能
以肖特基缺陷为例,设晶体由N个原子构成,温度为T
热缺陷的数目统计
第三章 晶格振动和晶体的热学性质[引言]晶体中原子、离子实际上不是静止在晶格平衡位置上,而是围绕平衡位置作微振动,称为晶体振动。
对晶体振动的研究是从解释固体的热学性质开始的,最初把晶体中的原子看作是一组相互独立的振子,应用能量均分定理可以说明固体比热容服从杜隆-珀替定律,但与T=0K 时的0V C =的规律不符。
1906年爱因斯坦提出固体比热容的量子理论,认为独立谐振子的能量是量子化的,可以得到T=0K 时0V C =的规律的结论,但与低温下3~V C T 的实验结果不符。
1912年德拜提出固体的比热容理论,把固体当成连续介质,晶格振动的格波看连续介质中的弹性波,得到低温下3~V C T 的结果。
随后,玻恩及玻恩学派逐步建立和发展了比较系统的晶格振动理论成为最早发展的固体理论之一。
晶格振动理论不仅可以用来解释固体的热学性质、结构相变等许多物理性质都是极为重要的,是研究固体物理性质的基础。
因为固体是由大量原子组成的,原子又由价电子和离子组成,所以固体实际上是由大量电子和离子组成的多粒子体系。
由于电子之间、电子与离子以及离子之间的相互作用,要严格求解这种复杂的多体问题是不可能的,但注意到电子与离子的质量相差很大,离子的运动速度比电子慢得多,可以近似地把电子的运动与离子运动分开考虑,变成一个在晶格周期场中运动的多电子问题;在考虑离子的运动时,则认为电子能够即时跟上离子位置的变化,变成离子或原子如何围绕平衡位置运动的问题。
这种近似称为绝热近似。
晶格振动理论就是在这个近似的基础上建立的。
本章首先从最简单的一维晶格出发,说明晶格振动的基本性质,然后推广到三维情况,最后讨论晶体的热学性质。
[本章重点]一维单原子链晶格振动,一维双原子链晶格振动,声子,晶格比热的德拜模型,晶格振动的模式密度,N 过程与U 过程§3-1一维单原子链考虑由N 个相同的原子组成的一维晶格,如图3-1-1所示,相邻原子间的平衡距离为a ,第j 原子的平衡位置用x 0j 来表示,它偏离平衡位置的位移用u j 来表示,第j 原子的瞬时位置就可以表示为:j j j u x x +=0………………………………………………(3-1-1) 原子间的相互作用势能设为)(ij x ϕ,如果只考虑晶体中原子间的二体相互作用,则晶体总的相互作用能可表示为:()∑≠=Nji ij x U ϕ21……………………………………………(3-1-2)式中ij ij i j ij u x x x x +=-=0是i 、j 原子的相对距离,i j ij u u u -=是i 、j 两原子的相对位移,在温度不太高时,原子在平衡位置附近作微振动,相邻原子的相对位移要比其平衡距离小得多,可将ϕ展开为:………………(3-1-3)于是有:()∑∑∑≠≠≠+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂+⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂+=j i ij ij j i ij ijj i ij u x u x x U 202200412121ϕϕϕ……………(3-1-4) 式中第一项是所有原子处于平衡位置上时的总相互作用能,用U 0来表示,是U 的极小值,()∑≠=ji ij x U 0021ϕ…………………………………………………………………… (3-1-5) 第二项是i j u 的线性项,它的系数为:()∑≠⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂i j ijx 0ϕ,是所有其它原子作用在i原子的合力u u u 图3-1-1 一维单原子晶格()()()+⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂+⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂+=+=2220021ij ij ij ijijij ijij u x u x x u x x ϕϕϕϕϕ的负值,当所有原子处在平衡位置上时,晶体中任一原子所受到的净作用力应为零,所以在式(3-1-4)中不存在位移的线性项。
固体物理总结
4.当电子(或光子)与晶格振动相互作用时,交换能量以
为单位。
晶体热容
1.固体比热的实验规律 (1)在高温时,晶体的比热为3NkB; (2)在低温时,绝缘体的比热按T3趋于零。
2.模式密度
定义:
D(
)
lim
0
n
m D()d3N 0
计算:D3 n12 V π c3
ds
s qq
3.晶体比热的爱因斯坦模型和德拜模型
2.线缺陷
当晶格周期性的破坏是发生在晶体内部一条线的周围近邻,
这种缺陷称为线缺陷。位错就是线缺陷。
位错
刃型位错:刃型位错的位错线与滑移方向垂直。 螺旋位错:螺旋位错的位错线与滑移方向平行。
位错缺陷的滑移
刃位错:刃位错的滑移方向与晶体受力方向平行。
螺位错:螺位错的滑移方向与晶体受力方向垂直。
第 五 章 能带理论 总结
Kn
(k
Kn 2
)
0
紧束缚近似
1.模型
晶体中的电子在某个原子附近时主要受该原子势场V(rR n)
的作用,其他原子的作用视为微扰来处理,以孤立原子的电子
态作为零级近似。
2.势场
1.晶体的结合能 晶体的结合能就是自由的粒子结合成晶体时所释放的能量, 或者把晶体拆散成一个个自由粒子所需要的能量。
EbU(r0)U(r0)
2.原子间相互作用势能
u(r)rAm rBn A、B、m、n>0
其中第一项表示吸引能,第二项表示排斥能。
3.原子晶体、金属晶体和氢键晶体
(1)原子晶体
结构:第Ⅳ族、第Ⅴ族、第Ⅵ族、第Ⅶ族元素都可以形成
k
r
e ik r
uk
r
固体物理 第三章_ 晶体中的缺陷
4
由以上讨论可知: 刃位错: 外加切应力的方向、原子的滑移方向和位错 线的运动方向是相互平行的。 螺位错: 外加切应力的方向与原子的滑移方向平行, 原子的滑移方向与螺位错的运动方向垂直。 在左右两部分受到向上和向下的切应力的作 用时,位错线向前移动,直到位错线移动到 尽头表面,这时左右两部分整个相对滑移b 的距离,晶体产生形变。
固体物理第三章
1. 热缺陷:由热起伏的原因所产生的空位和填隙原 子,又叫热缺陷,它们的产生与温度直接有关
(a) 肖脱基缺陷
(b)弗伦克耳缺陷
(c) 间隙原子
固体物理第三章
( a )肖特基缺陷 (vacancy) :原子脱离正常格点 移动到晶体表面的正常位置,在原子格点位置 留下空位,称为肖特基缺陷。 (b)弗伦克尔缺陷(Frenkel defect),原子脱离格 点后,形成一个间隙原子和一个空位。称为弗 伦克尔缺陷。 (c)间隙原子(interstitial):如果一个原子从正常 表面位置挤进完整晶格中的间隙位置则称为间 隙原子,由于原子已经排列在各个格点上,为 了容纳间隙原子,其周围的原子必定受到相当 大的挤压。
固体物理第三章 固体物理第三章
产生位错的外力: 机械应力:挤压、拉伸、切割、研磨 热应力:温度梯度、热胀冷缩 晶格失配: 晶体内部已经存在位错,只用较小的外力就 可推动这些位错移动,原来的位错成为了位错 源,位错源引起位错的增殖,有位错源的晶体 屈服强度降低。 晶体的屈服强度强烈地依赖于温度的变化。 T升高,原子热运动加剧,晶体的屈服强度下 降,容易产生范性形变。
固体物理第三章
在实际晶体中,由于存在某种缺陷,所以晶 面的滑移过程,可能是晶面的一部分原子 先发生滑移,然后推动同晶面的另一部分 原子滑移。按照这样的循序渐移,最后使 上方的晶面相对于下方的晶面有了滑移。 1934 年, Taylor( 泰勒 ), orowan( 奥罗万 ) 和 Polanyi( 波拉尼)彼此独立提出滑移是借助 于位错在晶体中运动实现的,成功解释了 理论切应力比实验值低得多的矛盾。
固体物理基础第2章 缺陷理论
固体物理基础第2章 缺陷理论 1
第2章 缺陷理论
2.1 点 缺 陷
点缺陷是晶体中以空位、间隙原子、杂质原子为中心, 在一个或几个晶格常数的微观区域内,晶格结构偏离严格周 期性而形成的畸变区域。简言之,点缺陷就是畸变区域在原 子尺寸范围的一种缺陷,也是晶体中最简单、最常见或者说 一定存在的缺陷形式。
14
第2章 缺陷理论 替位式杂质原子由于其原子半径与基质原子之间的差异,往 往也会引起晶格的畸变,如图2.3所示。当杂质原子的半径 与晶体的基质原子相当,且化学性质也很接近时,就有可能 得到很高的杂质固溶度,甚至可以形成无限固溶体,比如很 多的金属合金,以及GexSi1-x、GaAsxP1-x等,其中的x可以实 现从0到1的连续变化。可见,杂质原子能否进入晶体并处于 何种位置,除受制备工艺等外界条件限制外,最根本上取决 于两个方面:一方面是杂质原子本身的性质,包括原子负电 性、价态以及原子半径;另一方面则是基质材料的性质,包
8
第2章 缺陷理论
以肖特基缺陷为例,设晶体由N个原子构成,温度为T
时形成了ns个空位(肖特基缺陷),空位形成能为us,由此引 起系统内能的增加为ΔU=nsus。当晶体中具有ns个空位时, 将总共包含N+ns个格点(ns个空格点)。而N个原子占据N+ns 个格点的排列方式为
Wபைடு நூலகம்NNns
(Nns)! N!ns!
us
ns Ne kBT
(2.2)
6
第2章 缺陷理论
图2.2肖特基缺陷(空位)的形成过程
7
第2章 缺陷理论 根据热力学统计理论,晶体中热缺陷的存在,一方面由
于需要形成能而会使晶体的内能U增加,另一方面,由于原 子排列混乱程度的增加,又会使晶体的组态熵S增加。根据 系统自由能的表达式:F=U-TS,可以看出,一定量的热缺 陷有可能使晶体的自由能反而下降。根据自由能极小的条件,
固体物理学的基本原理
固体物理学的基本原理固体物理学是研究物质在固态下的性质和行为的一门科学。
它探索了固体的结构、化学成分、力学特性以及与其他相互作用的规律。
本文将介绍固体物理学领域中的一些基本原理。
一、晶格结构固体物理学中一个重要的概念是晶格结构。
晶格是由原子、离子或分子组成的排列有序的空间点阵。
晶格结构的类型决定了固体的性质。
晶体是晶格结构完整、周期性重复的固体,具有明确的平面和角度。
非晶体则没有长程有序的结构。
二、动力学理论固体物理学还涉及到动力学理论,研究物质中原子和分子的运动。
根据固体的特性,动力学理论可以描述其热膨胀、热导率以及声学振动等现象。
其中,布拉格方程描述了X射线和中子衍射的现象,通过分析衍射图案可以得到固体的晶格常数和晶格结构。
三、能带理论能带理论是固体物理学中的一项重要理论。
它解释了电子在固体中的行为,尤其是导电性质。
根据能带理论,固体中的电子填充到不同能级的能带中。
价带是已被填充的能级,而导带则是未被填充的能级。
固体的电导率与其能带结构密切相关。
四、热力学热力学是研究能量转化和物质性质的分支学科。
在固体物理学中,热力学理论解释了固体的热膨胀、热导率等性质。
根据热力学原理,固体内部的分子或原子在受热时会具有热运动。
熔化、升华和相变等现象也可以通过热力学理论来解释。
五、磁学固体物理学中磁学的研究也相当重要。
磁学理论解释了磁性物质的性质和行为。
固体中的原子或离子通过自旋形成磁矩,相互作用产生磁性。
磁学理论可以解释铁磁性、顺磁性和抗磁性等现象。
六、晶体缺陷晶体缺陷是指在晶体中存在的缺陷点、缺陷线和缺陷面。
这些缺陷对固体的性质和行为有着重要影响。
晶体缺陷可以是点缺陷,如原子空位或间隙原子;也可以是线缺陷,如晶格错位和螺旋位错。
晶体缺陷的存在使得固体具有导电性、热导率变化等特性。
七、半导体物理半导体是固体物理学中的重要研究对象。
半导体物理理论解释了半导体材料的导电性质。
半导体的电子结构被归类为价带和导带,其导电特性受到外加电场或掺杂的影响。
固体物理习题参考解答缺陷
固体物理习题参考解答 缺陷1. 设U f 为费仑克尔缺陷形成能证明在温度T 时,达到热平衡的晶体中费仑克尔缺陷的数目为:n f =NN 1e u f k b t -2 式中N 和N ‘分别为晶体的原子格点总数和间隙位置数,解: 已知 N :晶体的原子格点数, N ‘:间隙位置数U f =U 1+U ’其中U 1:空位形成能 U ‘:填隙缺陷形成能可知,温度为T 时,某一格点上形成空位的几率为 n Ne U K b T 11=- (1) 某一间隙位置上形成填隙原子的几率为n N e U K b T ''1=- (2) 费仑克尔缺陷是形成填隙原子一空位对,即n 1=n ’=U f其几率为(1)×(2): T b K e NN n n )'U 1U (111+-=⋅⋅ 又∵U 1+U 1=U f ∴ n f =NN 1e U f K b T -22. 已知某晶体肖特基缺陷的形成能是1ev ,问温度从T =290K 到T =1000K 时,肖特基缺陷增大多少倍?解:由式 n 1=N eU K b T -11 n 2=N e U K b T -12α=n n 21=e U K b T T --12111()=)11(121T T b K U e - 代入数据:U 1=1ev ≈1.60×10-19(J) T 1=290K K B =1.38×10-23(J/K) T 2=1000Kα=exp 16010138101290110001923..⨯⨯-⎛⎝ ⎫⎭⎪⎡⎣⎢⎤⎦⎥--≈exp(28.4)= 2.1×1012(倍) the end 3. 已知铜金属的密度为8.93g/cm 3,原子量为63.54,它在1000K 及700K 时自扩散系数分别为1.65×10-11及3.43×10-15 cm 2/s ,又知空位邻近的原子跳入空位必须克服的势垒高度为0.8ev 。
固体物理课件4.3
n Ne
u / 2 k BT
2)空位和填隙原子的数目 设晶体中空位和填隙原子的数目分别为n1和n2,形 成一个空位和一个填隙原子所需能量分别为u1和u2。 由自由能取极小值的条件得
n1 Ne
u1 / k BT
,
n2 N ' e
机动
u2 / k BT
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取N'=N,n2式化成
n1n2 P 2 N 2
其中
2
1
02
e E2 / kBT
从统计角度看,温度一定,晶体内热缺陷的数目一定, 那么,热缺陷的数目n1和n2又与哪些因素有关呢?
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2、热缺陷的数目
热缺陷数目与晶体的原子数目相比是一个很小的数, 但其绝对数目也是很大的。对于讨论数目巨大的热力 学系统,热力学统计方法是一个简洁明了的方法。 热力学系统的自由能为
机动
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结束
假设τ2>>τ1,与空位相 邻的原子跳入空位所要等待 的时间
1
01
e
E1 / k BT
可得出单位时间内一个原
子由正常格点跳到间隙位 置变成填隙原子的几率为
n1n2 P 2 N 1
机动 目录 上页 下页 返回 结束
当τ1>>τ2时,即空位从一个格点跳到相邻格点所需 等待的时间比填隙原子从一个间隙位经跳到相邻间隙 位置所需等待的时间长得多时,可以近似把空位看作 相对静止.由类似的分析可得
F U T S
其中U为晶体内能,S代表熵.当系统达到平衡时,其 自由能为最小.
《固体物理学》教学大纲
《固体物理学》教学大纲
一、课程基本信息
二、课程教学目标
通过本课程的学习,使学生将能够了解固体物理学发展的基本情况,以及固体物理学对于近代物理和近代科技的发展起的作用,了解固体物理所研究的基本内容和固体物理研究前沿领域的概况,掌握固体物理学的基本概念和基本规律,掌握晶体宏观物理性质及其组成粒子之间相互作用与运动规律,并能解释晶体基本物理性质的微观机理,培养应用固体物理学理论分析和处理问题的能力。
三、理论教学内容与要求
四、考核方式
采用期末考试、平时考核的考核方式。
总成绩为100分,其中期末考试成绩占总成绩的70%,平时成绩(考核包括作业、出勤、课堂讨论等)占总成绩30%。
固体物理的研究内容
固体物理的研究内容固体物理是物理学中的一个重要分支,主要研究固体材料的性质和行为。
固体是由原子、分子或离子组成的宏观物体,具有一定的结构和各种不同的物理性质,固体物理通过研究这些性质来揭示固体材料的内部结构和行为规律。
以下是固体物理的主要研究内容:1.晶体结构和缺陷:晶体是具有高度有序排列、周期性重复的结构的固体。
固体物理研究晶体的各种结构和缺陷,包括晶格常数、晶胞结构、晶体缺陷、晶体生长等。
通过研究晶体的结构和缺陷可以揭示晶体物理性质的产生机制。
2.电子结构和能带理论:固体物理研究固体材料中电子的行为,包括电子的能带结构、价带和导带的形成,以及电子在能带中的运动和输运性质。
电子结构和能带理论是解释固体材料的电学、磁学、光学等性质的重要基础。
3.电子输运:固体物理研究电子在固体中的传输行为,包括载流子的形成和迁移、电导率、热导率等。
电子输运研究对于电子器件的设计和性能优化具有重要意义。
4.磁性和磁性材料:固体物理研究固体材料的磁性行为,包括磁相变、磁化强度、磁导率等。
磁性材料在信息存储、能源转换等领域具有重要应用。
5.光学性质:固体物理研究固体材料对光的吸收、散射、折射等光学性质,包括光的吸收谱、折射率、色散等。
光学性质的研究对于发展光电子学、激光技术等具有重要意义。
6.声学性质:固体物理研究固体材料的声学性质,包括声速、声波传播、声吸收等。
固体材料在声学传感、声学器件等领域有广泛应用。
7.表面和界面物理:固体物理研究固体材料的表面和界面的物理性质,包括表面态、界面反应、表面扩散等。
表面和界面物理的研究对于理解固体材料的表面现象和界面特性具有重要意义。
8.低温物理:固体物理研究固体材料在低温下的性质和行为,包括超导性、超流性、磁性等。
低温物理的研究对于技术领域的超导电器件、低温电子学等有着重要应用。
总之,固体物理研究的内容非常广泛,涉及到固体材料的结构、电子、力学、磁性、光学、声学等各个方面,对于理解和应用固体材料具有重要意义。
固体物理
a3
c b a
a2 a1
面心立方(FCC)
a=ai b=aj c=ak
a1 = 1/2 ( b + c) a2 = 1/2 ( a + c) a3 = 1/2 ( a +b)
c
a1 b a2
a3 a
六方(Hexagonal)
k
a4
a3
a2 a1
j i
a3
a2
a1
a1 = a/2 (31/2 i + j) a2 = a/2 (-31/2 i + j)
几种常见的晶胞
简立方(SC)
a1 = a i a2 = a j a3 = a k
a=ai b=aj c=ak
j i
k
c b a
体心立方(BCC)
a=ai b=aj c=ak
a1 = 1/2 (-a + b + c) a2 = 1/2 ( a – b + c) a3 = 1/2 ( a +b - c)
式过于复杂而难以求解。
--- 狄拉克 (1929)
参考书目
1. 《固体物理教程》 王矜奉 编著 (山东大学出版社) 2. 《固体物理导论》 基泰尔 (C. Kittel) (化学工业出版社) 3. 《固体物理学》 黄昆、韩汝琦 (高等教育出版社) 4. 《凝聚态物理学》上卷 冯端、金国钧 高等教育出版社) 5. 《Solid State Physics》 G. Grosso 、G. P. Parravicini (Elsevier)
a1
h1 : h2 : h3 = 1/r : 1/s : 1/t
(1). 晶面族的面指数可以有晶面组中任意晶面在基矢坐标轴上的截矩的系数 的倒数求出
固体物理学基础晶体缺陷与缺陷态
固体物理学基础晶体缺陷与缺陷态晶体是由原子、离子或分子的周期性排列构成的具有规则几何形状的固体物质。
在晶体中存在着各种各样的缺陷,这些缺陷对于晶体的性质和行为具有重要影响。
在本文中,我们将探讨晶体的缺陷以及与之相关的缺陷态。
一、晶体缺陷的分类晶体缺陷可以分为点缺陷、面缺陷和体缺陷三类。
其中,点缺陷是指晶体中出现的原子、离子或分子的局部位置异常,包括空位、间隙原子、替位原子和杂质原子等。
面缺陷是指晶体中的原子、离子或分子的排列在某一平面上出现了异常,比如晶体表面的步缺陷和堆垛层错。
体缺陷是指晶体中的原子、离子或分子排列出现了三维范围的异常,比如晶体内部的位错和晶界等。
二、晶体缺陷的形成机制晶体缺陷的形成可以通过多种机制实现。
在晶体的生长过程中,由于原子、离子或分子的扩散、沉积等过程中的非均匀性,会导致晶格的畸变,从而形成晶体缺陷。
此外,一些外界因素,如温度、压力和辐射,也可以引起晶体缺陷的形成。
例如,高温下的热震,会导致晶格的重排和变形,从而形成位错等缺陷。
三、晶体缺陷的性质和影响晶体缺陷对于晶体的性质和行为具有重要影响。
首先,晶体缺陷可以影响晶体的机械性质。
例如,在金属晶体中,位错是导致材料塑性变形的主要因素之一。
其次,晶体缺陷还可以影响晶体的导电性能。
在半导体中,掺杂杂质原子引入的缺陷会改变材料的导电行为。
此外,晶体缺陷还可以影响晶体的光学性质和热学性质等。
四、晶体缺陷态的产生与应用晶体中的缺陷可以形成一些电子态或离子态,称为缺陷态。
缺陷态对于晶体的物理和化学性质起着重要作用。
例如,在半导体材料中,空穴和电子缺陷态会影响材料的载流子浓度和导电性质。
此外,缺陷态还可以用于一些应用。
例如,在光学材料中引入掺杂原子产生的缺陷态可以改变材料的吸收和发射光谱特性,从而实现荧光材料或激光材料的设计与制备。
结论晶体缺陷是晶体物理学中一个重要的研究方向。
缺陷的形成机制、性质以及与之相关的缺陷态都对晶体的性质和行为产生着深远的影响。
大学固体物理考试题及答案参考
固体物理练习题1.晶体结构中,面心立方的配位数为 12 。
2。
空间点阵学说认为 晶体内部微观结构可以看成是由一些相同的点子在三维空间作周期性无限分布 。
3.最常见的两种原胞是 固体物理学原胞、结晶学原胞 。
4.声子是 格波的能量量子 ,其能量为 ħωq ,准动量为 ħq .5。
倒格子基矢与正格子基矢满足 正交归一关系 。
6。
玻恩-卡曼边界条件表明描述有限晶体振动状态的波矢只能取 分立的值 , 即只能取 Na的整数倍。
7.晶体的点缺陷类型有 热缺陷、填隙原子、杂质原子、色心 .8.索末菲的量子自由电子气模型的四个基本假设是 自由电子近似、独立电子近似、无碰撞假设、自由电子费米气体假设 。
9。
根据爱因斯坦模型,当T→0时,晶格热容量以 指数 的形式趋于零。
10.晶体结合类型有 离子结合、共价结合、金属结合、分子结合、氢键结合 。
11。
在绝对零度时,自由电子基态的平均能量为 0F 53E 。
12。
金属电子的 B m ,23nk C V = 。
13.按照惯例,面心立方原胞的基矢为 ⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧+=+=+=)(2)(2)(2321j i a a k i a a k j a a,体心立方原胞基矢为 ⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧-+=+-=++-=)(2)(2)(2321k j i a a k j i a a k j i a a。
14 。
对晶格常数为a 的简单立方晶体,与正格矢k a j a ia R ˆˆˆ22++=正交的倒格子晶面族的面指数为 122 , 其面间距为 a 32π 。
15。
根据晶胞基矢之间的夹角、长度关系可将晶体分为 7大晶系 ,对应的只有14种 布拉伐格子.16.按几何构型分类,晶体缺陷可分为 点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷、微缺陷 。
17. 由同种原子组成的二维密排晶体,每个原子周围有 6 个最近邻原子。
18.低温下金属的总摩尔定容热容为 3m ,bT T C V +=γ 。
19. 中子非弹性散射 是确定晶格振动谱最有效的实验方法。
固体物理学的基本原理及应用
固体物理学的基本原理及应用1. 引言固体物理学是物理学的重要分支之一,在材料科学、电子工程等领域中有着广泛的应用。
本文将介绍固体物理学的基本概念和理论,以及其中的一些典型应用。
2. 基本概念和理论2.1 晶体结构晶体是指由具有周期性重复结构的原子或分子构成的结晶固体。
晶体的结构可以用晶胞描述,晶胞是一种基本的结构单元,总共有14种不同的晶体结构,即布拉格格子。
其中,最常见的是立方晶系和六方晶系。
2.2 晶体缺陷在晶体结构中,可能存在着各种各样的缺陷,包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。
点缺陷包括弱点、间隙和替位三种。
其中,弱点缺陷是指晶体中一个原子被替换成了类似的原子,间隙缺陷是指晶体中有一些原子的空隙,替位缺陷是指晶体中一个原子被替换成了不同的原子。
2.3 电子结构固体物理学中的另一个重要概念是电子结构,它描述了固体中电子的行为。
一个固体的电子结构可以通过计算其能带结构来得到。
在能带结构中,每个原子都有不同的能级,电子可以占据其中的一个或多个能级。
电子的运动在能带中是周期性的,并且会受到晶体缺陷和杂质的影响。
3. 典型应用3.1 半导体材料半导体材料是电子学和光电学等领域的重要材料。
半导体在温度较高时有很小的电阻,但在较低温度下,电阻会急剧下降。
这是因为在半导体中,电子能带之间存在禁带,只有在一定条件下,电子才能穿过禁带,从而形成电流。
半导体材料广泛应用于电子器件中,比如晶体管、太阳能电池等。
3.2 金属合金金属合金是由两种或两种以上的金属元素组成的固体。
金属合金的力学性能、化学性质和热力学性质等会随着合金中各元素的含量和相互作用的变化而发生改变。
因此,金属合金具有广泛的应用前景,比如制造各种航空器件、汽车车身等。
3.3 磁性材料磁性材料在磁罗盘、电动机、计算机硬盘等设备中有着广泛的应用。
在固体物理学中,磁性材料是一类可以磁化的材料。
磁性材料的磁化程度可以用它们的磁滞回线来表示。
例如,当磁场的大小从0增加到最大,然后又减少到0时,磁滞回线上的曲线将形成一个环形。
热缺陷的统计理论
研究晶体中原子的 输运现象
必须研究缺陷的 运动
必须研究热缺陷的产生和 复合过程
设晶体有N个原子构成,空位数目为n1,填隙原子数目为n2 。 P---单位时间内一个在正常格点上的原子跳到间隙位置,成为填隙原子的概率;
---在正常格点位置的原子成为填隙原子所需等待的时间;
P
1
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P2 2
设势垒的高度为E2 ,按玻尔兹曼统计,在温度T时粒子具有能量E2的概率与
e 成正比。如果填隙原子在间E隙2 / k位BT置的热振动频率为02,则单位时间内填隙原子越过势
垒的次数为:
第10页/共15页
P eE2 / kBT
2
02
填隙原子跳到相邻间隙位置所必须等待的时间为:
2
1 P2
1 e E2 / kBT
第9页/共15页
我们以填的位置,从 能量观点来看,这时填隙原子的能量最低,以图中 能谷表示。
•
•
•
•
•
•
•
E2
填隙原子运动势场示意图 (E2是势垒的高度)
填隙原子要从一个间隙位置向另一个间隙位置运动,必须克服周围格点所造成
的势垒。由于热振动能量的起伏,填隙原子具有一定的概率越过势垒。
因此填隙原子的平均寿命为2 N/n1。
第12页/共15页
单位时间内填隙原子的复合概率为n1/2N, 每秒复合掉的填隙原子数为n1n2/2N。 平衡时,每秒产生和复合的填隙原子数相等, 由上式得,正常格点形成填隙原子的概率
NP n2n1
2N
P 1 e( u1 u2 ) / kBT
2
或者
P 1 e( u1 u2 E2 ) / kBT
02
固体物理最重要的知识点
固体物理最重要的知识点固体物理是物理学的一个重要分支,研究物质的结构、性质和行为。
它涉及到固体的各种性质,如力学、热学、电学和光学等。
在固体物理中,有一些关键的知识点对于我们理解和应用固体的特性非常重要。
1.晶体结构:固体物理的一个核心概念是晶体结构。
晶体是由原子、离子或分子有序排列而成的固体。
晶体结构决定了固体的物理和化学性质。
晶体结构的研究可以帮助我们了解固体的原子排列方式和空间群,从而推导出其特性和行为。
2.基态与激发态:固体中的原子或分子可以处于不同的能级,其中最低能级对应于基态,而其他能级对应于激发态。
基态和激发态之间的能量差异决定了固体的光学和电学性质。
通过研究基态和激发态之间的相互作用,我们可以理解固体的导电性、磁性和光学吸收等特性。
3.晶格振动:固体中的原子或离子不仅存在于静态位置,还会发生振动。
这种振动称为晶格振动,它是固体中的重要能量传递方式。
晶格振动的特性与固体的结构和原子间的相互作用密切相关。
通过研究晶格振动,我们可以了解固体的热导率、声学性质和相变等行为。
4.能带理论:能带理论是解释固体导电性的重要理论。
根据能带理论,固体中的电子存在于能带中,而能带之间存在禁带。
禁带中没有电子能级,因此电子不能在禁带中传导。
固体的导电性质与能带的结构密切相关。
通过调控能带结构,我们可以改变固体的导电性质,例如将绝缘体转变为导体。
5.界面和缺陷:固体中的界面和缺陷对于固体的性质和行为具有重要影响。
界面是不同晶体或不同相之间的交界面,而缺陷是固体中的缺失原子或离子。
界面和缺陷可以影响固体的机械性能、导电性和光学特性。
研究界面和缺陷有助于我们理解固体中的局域效应和微观结构变化。
总结起来,固体物理中的几个关键知识点包括晶体结构、基态与激发态、晶格振动、能带理论以及界面和缺陷。
这些知识点对于我们理解固体的结构和性质非常重要。
通过深入研究这些知识点,我们可以更好地解释和应用固体的各种特性和行为,为材料科学和工程技术提供基础支持。
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F = n1u1 TS
由统计物理可知, 由统计物理可知,熵
S = k B尔兹曼常量。 代表相应的微观状态数, 是玻尔兹曼常量。 代表相应的微观状态数
熵S0是由振动状态决定的,现在由于空位的出现,原子排 是由振动状态决定的,现在由于空位的出现, 列的可能方式增加为W 而每一种排列方式中, 列的可能方式增加为 1,而每一种排列方式中,都包含了原 来振动所决定的微观状态数W 来振动所决定的微观状态数 0,所以
n W ' = CN
N! = ( N n)!n!
n W '' = CN'
N′! = ( N′ n)!n!
晶体熵的改变为
N ! N ′! S = kB ln ( N n)! ( N ′ n)! ( n! ) 2
晶体自由能改变为
F = nu TS
(F) 可得: 由 n = 0 可得: T
单位时间内填隙原子的复合概率为n 单位时间内填隙原子的复合概率为 1/τ2N, , 每秒复合掉的填隙原子数为n 每秒复合掉的填隙原子数为 1n2/τ2N。 。 平衡时,每秒产生和复合的填隙原子数相等, 平衡时,每秒产生和复合的填隙原子数相等, NP = n2n1 τ2N 由上式得, 由上式得,正常格点形成填隙原子的概率
P1 ---一个空位在单位时间内从一个格点位置跳到相邻格 ---一个空位在单位时间内从一个格点位置跳到相邻格 点位置的概率; 点位置的概率; ---空位从一个格点位置跳到相邻格点位置所需等 ---空位从一个格点位置跳到相邻格点位置所需等 待的时间; 待的时间; P2---一个填隙原子在单位时间内从一个间隙位置跳到相邻 ---一个填隙原子在单位时间内从一个间隙位置跳到相邻 间隙位置的概率; 间隙位置的概率; ---填隙原子从一个间隙位置跳到相邻间隙位置必须等 ---填隙原子从一个间隙位置跳到相邻间隙位置必须等 待的时间; 待的时间; 由于空位和填隙原子的跳跃依靠的是热涨落, 由于空位和填隙原子的跳跃依靠的是热涨落,因此和温度 有密切的关系。 有密切的关系。
P= 1 e( u1 +u2 ) / kBT
τ2
或者
P=
1
τ 02
e( u1 +u2 +E2 ) / kBT
除上面讨论的填隙原子的运动外,空位也在运动, 除上面讨论的填隙原子的运动外,空位也在运动,这将使 复合率增加。但在实际过程中,这两种运动只有一种是主要的。 复合率增加。但在实际过程中,这两种运动只有一种是主要的。
利用斯特令公式 d ln( x!) = lnx(当x是大数时得 )
d( F ) = u1dn1 + kBT [d ln( N n1 )!+ d lnn1 !]
= u1dn1 + kBT [ ln( N n1 ) + lnn1 ]dn1
( F ) n1 = u1 + kBTln N n = 0 n1 T 1
因此考虑复合时,只需考虑一种缺陷在运动,另一种缺陷 可相对地看作是静止的。
当空位的运动为主要时, 当空位的运动为主要时,原子脱离格点形成填隙原子的概 率
P= 1
τ 01
e( u1 +u2 +E1 ) / kBT
把下标略去, 把下标略去,可以写成
P =
1
τ0
e ( u + E ) / k BT
的值, 的值 要看哪一种缺陷的运动为主而定。 式中τ0和E的值,要看哪一种缺陷的运动为主而定。
(F) n = 0 T
可求热缺陷的数目。 可求热缺陷的数目。
1.空位和填隙原子的数目 首先假设晶体中仅存在空位,且空位数 首先假设晶体中仅存在空位,且空位数n1比晶体的原子数 N小得多; 小得多; 小得多 另外假设空位的出现,不影响晶格的热振动状态。 另外假设空位的出现,不影响晶格的热振动状态。 若每形成一个空位所需要的能量为u 并且由于这n 若每形成一个空位所需要的能量为 1,并且由于这 1个空 位的形成, 位的形成,晶体的熵改变量为 s,则自由能的改变量为
P2 = ν 02e E2 / kBT
填隙原子跳到相邻间隙位置所必须等待的时间为: 填隙原子跳到相邻间隙位置所必须等待的时间为: 1 1 E /k T = τ 02 e E 2 / k B T e τ2 = = ν02 P2
2 B
经过上面的讨论,我们可以得到如下结论: 经过上面的讨论,我们可以得到如下结论:
u = u1 + u2
设晶体有N个原子构成,空位数目为n1,填隙原子数目为 2 。 填隙原子数目为n 设晶体有 个原子构成,空位数目为 个原子构成 P---单位时间内一个在正常格点上的原子跳到间隙位置, ---单位时间内一个在正常格点上的原子跳到间隙位置, ---单位时间内一个在正常格点上的原子跳到间隙位置 成为填隙原子的概率; 成为填隙原子的概率; ---在正常格点位置的原子成为填隙原子所需等待 ---在正常格点位置的原子成为填隙原子所需等待 的时间; 的时间;
dx
即
n1 = eu1 / kBT N n1
根据假设n 远小于N, 根据假设 1远小于 ,所以
n1 ≈ Neu1 / kBT
与空位的讨论类似,可以得出填隙原子的数目 与空位的讨论类似,
n 2 ≈ N e u2 / k BT
u2 ---形成一个填隙原子所需要的能量。 ---形成一个填隙原子所需要的能量。 形成一个填隙原子所需要的能量 比较n1,n2可以看出,如果造成一个填隙原子所需要的能 比较 可以看出, 比造成一个空位所需要的能量u 大些, 量u2比造成一个空位所需要的能量 1大些,则填隙原子出现的 可能性比空位出现的可能性小得多。 可能性比空位出现的可能性小得多。 2. 弗仑克尔缺陷的数目 假设形成一个弗仑克尔缺陷所需的能量是u( 是将格点上 假设形成一个弗仑克尔缺陷所需的能量是 (u是将格点上 的原子移到间隙位置上所需的能量) 的原子移到间隙位置上所需的能量)。
假设:晶体中有 个原子 个原子, 个间隙位置。 假设:晶体中有N个原子,有N′个间隙位置。 当晶体中存在n个弗仑克尔缺陷时,晶体内能的变化为 , 当晶体中存在 个弗仑克尔缺陷时,晶体内能的变化为nu, 个弗仑克尔缺陷时 熵的改变与微观状态的改变有关。 熵的改变与微观状态的改变有关。 个原子中取出n个原子形成 个空位的可能方式数目W 从N个原子中取出 个原子形成 个空位的可能方式数目 ′ 个原子中取出 个原子形成n个空位的可能方式数目 和这n个原子在 个间隙位置上形成填隙原子的方式数目W″分 和这 个原子在N′个间隙位置上形成填隙原子的方式数目 分 个原子在 别为: 别为:
N! ' = Cn = W N ( N n)!n!
n W '' = CN'
N′! = ( N′ n)!n!
每一种排列都包含了原来振动所决定的微观状态数, 每一种排列都包含了原来振动所决定的微观状态数,所以 有弗仑克尔缺陷后,晶体的微观状态数目为: 有弗仑克尔缺陷后,晶体的微观状态数目为:
N! N′! W = W ′ ′′ 0 = WW W0 ( N n)!( N′ n)!(n!)2
我们以填隙原子为例来加以讨论。
间隙位置是填隙原子在平衡时所在 的位置,从能量观点来看, 的位置,从能量观点来看,这时填隙原 子的能量最低,以图中能谷表示。 子的能量最低,以图中能谷表示。
E2
填隙原子运动势场示意图 是势垒的高度) (E2是势垒的高度)
填隙原子要从一个间隙位置向另一个间隙位置运动, 填隙原子要从一个间隙位置向另一个间隙位置运动,必 须克服周围格点所造成的势垒。由于热振动能量的起伏,填隙 须克服周围格点所造成的势垒。由于热振动能量的起伏, 原子具有一定的概率越过势垒。 原子具有一定的概率越过势垒。 设势垒的高度为E 按玻尔兹曼统计,在温度T时粒子具 设势垒的高度为 2 ,按玻尔兹曼统计,在温度 时粒子具 有能量E 成正比。 有能量 2的概率与eE2 / kBT成正比。如果填隙原子在间隙位置的热 振动频率为ν 则单位时间内填隙原子越过势垒的次数为: 振动频率为ν02,则单位时间内填隙原子越过势垒的次数为:
W = WW 1 0
个原子中取出n 从N个原子中取出 1个空位的可能方式数 个原子中取出
n1 W1 = CN
N! = ( N n1 )!n1!
由于n 个空位的出现, 由于 1个空位的出现,熵的改变
S = kBlnW kBlnW0
N! = kBlnW1 = kBln ( N n1 )!n1!
N! F = n1u1 kBTln ( N n1 )!n1!
第 二 节 热缺陷的统计理论
本节主要内容: 本节主要内容: 7.2.1 热缺陷的数目 热缺陷的运动、 7.2.2 热缺陷的运动、产生和复合
§7.2 热缺陷的统计理论
7.2.1 热缺陷的数目
平衡状态下晶体内的热缺陷数目可以通过热力学的平衡条 件求得。 件求得。 系统处于热平衡的条件是:系统的自由能F最小。 最小。 系统处于热平衡的条件是:系统的自由能 最小 自由能F可表示成如下形式: 自由能 可表示成如下形式:F = U TS 可表示成如下形式 U是内能,S是熵,T是绝对温度。 是内能, 是熵 是熵, 是绝对温度 是绝对温度。 是内能 由
n ≈ N Ne
'
u / 2kBT
≈ Ne
u / 2kBT
7.2.2 热缺陷的运动、产生和复合
由于填隙原子和空位的无规则运动, 由于填隙原子和空位的无规则运动,使得晶格中格点上的 原子容易从一处向另一处移动。 原子容易从一处向另一处移动。因此 研究晶体中原 子的输运现象 必须研究缺 陷的运动 必须研究热缺陷的 产生和复合过程
P =ν01e 1
E1 / kBT
1 1 E1 / kBT = τ 01eE1 / kBT τ1 = = e P ν01 1
下面我们来求从正常格点成为填隙原子的概率P。