数字电路ch22TTL门电路
TTL门电路简单小结
TTL门电路简单⼩结以基集b和发射极e之间的发射结作为输⼊回路。
以集电极c和发射极e之间的回路作为输出回路。
V ON为开启电压。
硅三极管的开启电压V ON为0.5~0.7V，锗三极管的开启电压V ON为0.2~0.3V。
V BE为输⼊电压，i B为输⼊电流。
V CE为输出电压，i C为输出电流。
集电极电流i C不仅受V CE 影响，还受基极电流i B影响。
输出特性曲线分三个区：1、曲线右边的⽔平部分为放⼤区（线性区），特点是：i C随i B成正⽐变化，⼏乎不受V CE变化的影响。
2、靠近纵轴部分为饱和区，特点是：i C不随i B贝塔的⽐例增加，⽽是趋向饱和。
硅三极管饱和区的V CE值约为0.6~0.7V，深度饱和状态下的饱和压降在0.2V以下。
3、i B的⼀条输出特性曲线以下的区域为截⾄区。
截⽌区特点是i C⼏乎为0.双极型三极管的基本开关电路当V I=0，或者V I当V I>V ON时，三极管导通状态，输出电压为低电平V OL.硅三极管的深度饱和压降为0.3V，V CE（sat）饱和导通压降。
R CE（sat）饱和导通内阻。
锗三极管的深度饱和压降为0.1V 综上述，保证当V I=V IL时V BEV I=V IH时i B>I BS，三极管⼯作在深度饱和状态，相当于开关接通,在开关电路的输出端V O=V OL输出低电平。
则Y=Aˊ则三极管的c-e间就相当于⼀个受V I控制的开关。
晶体管⼯作在放⼤状态的外部条件是发射结正向偏置,且集电节反向偏置.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄.(幻灯⽚第114张和115张不明⽩).稳压管的稳压区是其⼯作在反向击穿.β=⊿i C/⊿i B ,β是交流电流的放⼤系数。
α=β/(1+β)当三极管截⽌时,发射结反偏,i C=0,相当于开关断开;当三极管饱和时,发射结正偏,V CE=V CE（sat）≈0.相当于开关闭合.图3.5.10 TTL反相器的TTL反相器的电压的传输特性1、 A~B 段：截⽌区：V I <0.6V, V B1<1.3VT 1导通，T 2，T 5截⽌，T 4导通→V OH =V CC —V R2—V BE4—V D2=3.4V 。
数字逻辑课件——TTL门电路
输出级等效电路为图 (b)，RL为后级（负载）TTL电路的等效 电阻。RL的阻值很大，即iL的数值很小。此时VT4和VD3导通。
结论：当输入中至少有一个为低电平 UY VCC uR2 uBE4 uVD3 （0.3V）时，输出为高电平（3.6V），由 5 0 0.7 0.7 3.6V 于T5截止，电路的工作状态称为截止状态10。
13
2. TTL非门
7404非门电路见图2-2-6，当输入A为低电平 （0.3V）时，电路工作于截止状态，相当于图
2-2-4，输出Y为高电平（3.6V）；
当输入为高电平（3.6V） 时，电路工作于导通状态，
相当于图2-2-5，输出Y
为低电平（0.3V）。因 此，7404实现非功能：
YA
图2-2-6 7404TTL非门电路
几百个：中规模集成电路 （Medium Scale Integration :MSI )
几千个：大规模集成电路 （ Large Scale Integration :LSI )
一万个以上：超大规模 集成电路 （ Very Large Scale Integration :VLSI )
3
早期的双极型数字集成电路是DTL电路，即二 极管 — 三极管逻辑电路，因工作速度低而 很少应用。
6
下图是T1000系列即74系列的典型电路，它由三部分组成：VT1
和R1组成的输入级，VT2和R2，R3组成的倒相级，VT4，VT5，VD3 和R4组成的输出级。 VD1，VD2为输入端钳位二极管，可限制输
入端可能出现的负极性干扰信号，以保护多发射极三极管。
5
输入级 倒相级 输出级
图2-2-2 T1000系列TTL与非门
电平；
图2-2-8 7451TTL与或非门电路
TTL逻辑门电路
TTL逻辑门电路
1.组成结构
TTL 电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文字头缩写。
它由NPN 或PNP 型晶体管组成，图1 是典型的TTL 中速与非门电路。
由于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因而是一种双极型晶体管集成电路。
图1 典型的TTL 中速与非门电路
TTL 电路有好几种，其中速度最高的是STTL，即肖特基TTL 电路，其平均传输时间约3ns，比标准型TTL 约快6~7 倍；功耗最低的是LSTTL，其功耗不到标准型TTL 的十分之一。
TTL 电路与其他双极型电路相比，在性能、价格上可谓物美价廉，已基本上取代了RTL(电阻-晶体管)电路和DTL（二极管- 晶体管）电路，只是在超高速环路中仍要用ECL（发射极耦合）电路。
2.制造工艺
双极型集成电路是在平面晶体管基础上发展起来的，它的基本工艺仍然是平面工艺。
但由于电路中除有晶体管外，还要集成二极管、电阻、电容等元器件，因而在制造过程中首先要把各种元器件做在一块基片上，并使它们相互绝缘，最后再按要求将它们连成电路。
从制造工艺上看，它与平面晶体管的不同，仅是增加了隔离工艺和埋层工艺。
图2 是经过六次光刻、四次扩散和四次氧化制成的双极型集成电路芯片结构，工艺较复杂。
图2 六次光刻、四次扩散、氧化制成的双极型集成电路芯片结构{{分页}} 3.电路特点
表1 列出了国产TTL 和各种MOS 电路的四个主要参数，以便于比较。
TTL集成逻辑门电路 数电课件
；
VF VCES 0.3V
F
3. 逻辑功能
F AgB
4. 逻辑符号
OC门的逻辑符号如图3.3.4—2所示。
图3.3.4—2
5. 线与功能
OC门实现线与的电路如图3.3.4—3所示。
图3.3.4—3
F F1gF2
AgBgCgD AgB CgD
（公式3.3.1）
即在输出线上实现了与运算，通过逻辑变换可转换为与或非运算。
在工程实践中，有时需要将几个门的输出端并联使用，以实现与逻辑的功能，称为线 与。为满足实际应用中实现线与的要求，专门生产了一种可以进行线与的门电路——集电 极开路门，简称OC门（Open Collector）。
1. 电路图
TTL集电极开路门电路如图3.3.4—1所示。
图3.3.4—1
2. 工作原理
§3·3 TTL集成逻辑门电路
一、 TTL与非门 1. 电路图
TTL与非门电路如图3.3.1—1所示。
图3.3.1—1
2. 工作原理
Ⅰ. 为
当那输么入信号Vb不1 全为0.高3电；平0输.时，7出，如1为V高截电止平T；。2、TV4A
导 通0.，3：V输，出T3端、 VB的D电位3.6V
表3.3.1—1
F AgB
二、TTL非门 1. 电路图
TTL非门电路如图3.3.2—1所示。
图3.3.2—1
2. 工作原理
Ⅰ. 当输入 为低A电平时，
截止T2；、T4 导
为低电平。
F
3. 逻辑功能
饱和T2导、通T；4
截止；输出T3、D
FA
三、TTL或非门 1. 电路图
TTL或非门电路如图3.3.3—1所示。
TTL逻辑门电路
§2.2 TTL逻辑门电路在第一章中讨论过由二极管构成的与门和或门。
由于实际的二极管并不是理想的，正向导通时存在压降（硅管均为0.7V），所以低电平信号经过一级与门后，其电平将升高0.7V；高电平信号每经过一级或门其电平将下降0.7V。
也就是说由二极管构成的与门和或门均不能用以构成实用的逻辑电路。
为克服二极管门电路的上述缺点，可采用具有反相放大特性的三极管来构成门电路，即 TTL门电路。
在讨论TTL门电路之前，先简要回顾三极管反相器的基本特性。
一、三极管反相器1. 三极管的开关特性图2-10为基本的三极管电路及其输出特性。
该输出特性可划分成三个区——截止区、饱和区和放大区。
图2-10 三极管反相器①截止区发射结与集电结均反偏，，，，。
此时三极管的三个电极如同断开一样，其等效电路如图2-11（a）所示。
②饱和区发射结与集电结均正偏，此时C、E间的电压称为极电极饱和压降。
硅管的约为0.1V~0.3V。
几乎不随的变化而变化。
饱和条件可用≥来描述。
而表示管子的包和深度。
三极管饱和时的等效电路如图2-11（b）所示。
图2-11 三极管的开关特性③放大区发射结正偏，集电结反偏，随线性变化。
放大区与饱和区的交界处称为临界饱和。
这时，和分别被称为临界饱和集电极电流和基极电流。
在数字电路中，许多三极管都处于开关状态，即工作在截止区或饱和区或在两区之间转换。
提高这种转换速度就可提高电路的开关工作速度。
2. 三极管反相器的工作原理图2-10也是一种典型的反相器电路，其工作原理如下：①输入为低电平此时输入电平足够小;使得V, ，，晶体管处于截止状态，如曲线上D点所示，，电路输出高电平。
②输入为高电平此时输入电平足够大；使≥，晶体管处于饱和状态，如曲线上A点所示，，电路输出低电平。
3. 三极管的开关时间由晶体管电路有关知识可知，当输入信号由高电平变为低电平或由低电平变为高电平时，晶体管不可能立即实现截止与饱和之间的转换。
第三章逻辑门2(TTL门电路)PPT课件
若以 VCE(sat) 表示 三极管深度饱和时的压 降，则深度饱和时所需 要的基极电流为
I BS
VCC
VCE (sat )
RC
IBS 称为基极饱和电流
所以，为使三极管处于饱和工作状态，开关电路 输出低电平，必须保证 iB I BS
由于饱和区内的 β 值比线性区内的β 值小得多， 而且不是常数，所以由上式计算出的 IBS 值比实际需 要的IBS值要小。
截止区特点：
1. i增C以加不而再c趋随和于iB饱e以和之β 倍间的的比例回路作为输12.. 出i仅B回=有0路，微i小C，几的可乎反等向得于穿到0透在电 不同iB
值特2. 下性深降表曲度VC饱示线E(和sa集。t)状在电(态i0下C.极3V，不电以饱仅下流和受压iCv和CE集的电影极响电，流 通常压I还CEIOC受vE流CO输E在过之1。入μ硅A间以i三B关下极的系管控的制输) 出
输入特性曲线近似于指数曲线，一般采用图中
虚线所示的折线来近似。
VON 称为开启电压
VON = 0.5 ~ 0.7V( 硅管) VON = 0.2 ~ 0.3V( 锗管)
2
（2）输出特性
放大区（线性区）特点：
1. iC 随 iB 成正比地变化，
2.
几乎不受 vCE 影响 电流放大系数
iC iB
饱和区特点：
3
3. 三极管的基本开关电路
Vcc
(1) 当 vI < VON 时， iB 0
RB
+
vI
iB
-
RC
由输入特性可知：
+
iB = 0，三级管截止
iC
vo 由输出特性可得：
-
iB = 0 时 iC 0
TTL门电路
遵守“括号、乘、加”的运算优先次序。 遵守“括号、 的运算优先次序。 不属于单个变量上的反号应保留不变。 不属于单个变量上的反号应保留不变。
4
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20102010-9-4
第四节 逻辑代数的基本定理
3.对偶定理 3.对偶定理
若两逻辑式相等，则它们的对偶式也相等。 若两逻辑式相等，则它们的对偶式也相等。 对偶式： 对偶式：对于任何一个逻辑式 Y， 若将其中的 “” 换成 “+”， “+” 换成 “”，0 换成 1，1 换成 0， 则得到一个新的逻辑式 YD， 则 YD 叫做 Y 的对偶式。 的对偶式。
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2
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第四节 逻辑代数的基本定理
2.反演定理 2.反演定理 对任一逻辑式 Y，若将其中所有的乘换成加， 若将其中所有的乘换成加， 加换成乘，0 换成 1 ，1 换成 0， 加换成乘， 原变量换成反变量，反变量换成原变量， 原变量换成反变量，反变量换成原变量， 则得到的结果就是 Y 的反。 的反。 [例2.４.2]： 2.４.2]：
5
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第四节 逻辑代数的基本定理
[例2.４.4]： 2.４.4]： 若 则
Y = A( B + C )
Y = A+ BC
D
[例2.４.5]： 2.４.5]： 若 则
Y = ( AB + CD )′
Y = (( A + B )(C + D ))′
D
6
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第四节 逻辑代数的基本定理
第四节 逻辑代数的基本定理
数字电子技术 TTL集成逻辑门电路
•
树立质量法制观念、提高全员质量意 识。20. 10.2220 .10.22 Thursday , October 22, 2020
•
人生得意须尽欢，莫使金樽空对月。0 0:32:34 00:32:3 400:32 10/22/2 020 12:32:34 AM
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安全象只弓，不拉它就松，要想保安 全，常 把弓弦 绷。20. 10.2200 :32:340 0:32Oc t-2022- Oct-20
4
3.4.2 TTL与非门工作原理(难点，一般了解)
内部结构
VCC
A B C
A B C
R1 3k
b1 c1 T1
“与门”
F ABC
+5V
R2
R4 射极输
出器
T3
T2
T4
R5
F
T5 非门
中间级
R3
5
1、任一输入为低电平（0.3V）时
不足以让 T2、T5导通
R1 3k
A
1V b1 c1
B
T1
C
R2
•
安全在于心细，事故出在麻痹。20.10. 2220.1 0.2200:32:3400 :32:34 October 22, 2020
•
踏实肯干，努力奋斗。2020年10月22 日上午1 2时32 分20.10. 2220.1 0.22
•
追求至善凭技术开拓市场，凭管理增 创效益 ，凭服 务树立 形象。2 020年1 0月22 日星期 四上午1 2时32 分34秒0 0:32:34 20.10.2 2
•
牢记安全之责，善谋安全之策，力务 安全之 实。202 0年10 月22日 星期四1 2时32 分34秒 Thursday , October 22, 2020
第3章 门电路--TTL门电路
称为输入噪声容限。
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vo 1输出
VOH（min） VNH VIH（min） VIL（max） VNL
1输入 vi
0输出 VOL（max）
0输入
vo
vi
输入为高电平时的噪声容限为：
VNH VOH (min) VIH (min)
输入为低电平时的噪声容限为：
VNL VIL (max) VOL (max)
第三节 TTL门电路
半导体三极管的开关特性
TTL反相器的电路结构和工作原理
TTL反相器的静态输入、输出特性
其他类型的TTL门电路 TTL门电路的改进系列
退出 下页 总目录
1
3.5.1 半导体三极管的开关特性
1. 双极型三极管的结构、符号
NPN型三极管
PNP型三极管
2
2.
三极管的输入、输出特性
VCC
RL
' VCC
A B
T1
R3
T5 Y 1
A B C D
G1
RL
Y
线与
G2
VCC
R1
Y
R2
T2
Y Y1 Y2
C D
T1
( AB)(CD)
R3
T5 Y 2
( AB CD)
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36
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为了获得输出的高、低电平，需要将OC门的输出端经过一个上 拉电阻接至电源。 漏电流 VCC RL的选择---确保输出高电平时 RL IOH VCC (nIOH mIIH ) RL VOH IIH VIL
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ch22TTL门电路
2.2.1 二极管和三极管的开关特性
放大条件
VCC
iB
v I V BE RB
vI RB iB
iC C B E
RC vO T
iC=βiB
v O V CC i C R C
vI↑→iB↑→iC↑→v O↓
2.2.1 二极管和三极管的开关特性
RC
5 0.1 20 1
0.245 mA
iB＞iBS，∴三极管处于饱和状态，vO=VCES=0.1V。
2.2.1 二极管和三极管的开关特性
（2）vI=0V时，
vB v I V BB R1 R 2 R 2 V BB 0 8 10 3.3 10 8 2 V 0 . 7 V
与标准TTL门电路相比，LSTTL门电路有以下几方 面改进：
（1）提高电路中所有电阻阻值以降低功耗;
（2）将所有可能饱和的三极管用肖特基三极管代替
VCC R1 20kΩ VD1 A B VD2 VD5 VD6 R6 12kΩ R2 8kΩ VD3 VD4 VT2 RB 1.5kΩ RC 3kΩ VT6 VT5 R4 120Ω VT3 R5 4kΩ VT4 Y
+5V &
iI vI
∴三极管截止，vO≈5V。
2.2.2 分立元件门电路
1．与门
+5V
定义：低电平0~2V，高 电平3~5V。
A
R VD1 A VD2 B L
B
1V 4V 1V 4V
L
1.7V 1.7V 1.7V 4.7V
A B L
0 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1
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LSTTL与非门 2.2.3 LSTTL与非门
电路一： 电路一：二极管与门 + 三极管反相器 与门 非门
0V 0.7V 存在的问题： 低电平时， 存在的问题 ： 当 A或B加0V低电平时， VP=0.7V，VT 或 加 低电平时 ， 管已处于临界导通状态，只要输入电压稍一升高， 管 管已处于临界导通状态，只要输入电压稍一升高，VT管 即导通，使输出电平下降，因此无法正常工作。 即导通，使输出电平下降，因此无法正常工作。
CC
&
& &
GND
缺口标记
&
绝大多数 右下角GND
2011-4-20
1
7
LSTTL门电路的电气特性 2.2.4 LSTTL门电路的电气特性
电压传输特性： 电压传输特性：门电路输入电压取不同值时输出电压的变化 规律。 规律。
vO/V
+5V
V1
4.3
& V2
vO
0.3 0.8 1.1 2.0
vI/V
LSTTL门电路的电气特性 2.2.4 LSTTL门电路的电气特性
输入级的VT 输入级的 1为多发射极三极管 VD1、VD2构成输入保护电路。 构成输入保护电路。 输入级是三极管，输出级是三极管 逻辑电路。 输入级是三极管，输出级是三极管——TTL逻辑电路。 逻辑电路
LSTTL与非门 2.2.3 LSTTL与非门
(1) 输入有低电平时，输出为高电平(关态 关态) 该电位不输入有低电平时，输出为高电平 关态 VCC=+5V 足以使VT2及 R4 VT5导通，因 R2 R1 1V 此VT2及VT5截 VT4 VB1 VC2 止 VD3 VT2 0.3V A VT1
问题1：为什么输出高电平为 问题 ：为什么输出高电平为4.3V，低电平为 ，低电平为0.3V？ ？
vO/V 4.3
0.3 0.8 1.1 2.0
vI/V
LSTTL门电路的电气特性 2.2.4 LSTTL门电路的电气特性
问题2：为什么转折（阈值）电压为 问题 ：为什么转折（阈值）电压为1.1V？ ？
（2）负载特性差 ） 负载？ 负载特性？ 什么是负载 什么是负载特性 何谓负载特性好 什么是负载？什么是负载特性？何谓负载特性好？
• 当驱动门输出高电平时
负载电流流过R 将产生压降，使高电平输出电压下降， 负载电流流过 C将产生压降，使高电平输出电压下降，因 要求R 越小越好。 此，要求 C越小越好。
D
二极管
A
K
当二极管加正向电压时，二极管导通，压降维持在0.7V左 当二极管加正向电压时，二极管导通，压降维持在 左 当二极管加反向电压时，处于截止状态， 右，当二极管加反向电压时，处于截止状态，只有极微小的 电流I 电流 S（µA级）流过。 级 流过。 二极管的近似模型
VON=0.7V A K A K
L = A+ B
2.2.2 分立元件门电路
3．非门 ．
A 0V 5V
L 5V 0.3V
A 0 1
பைடு நூலகம்
L 1 0
A 1 L
L= A
2.2.2 分立元件门电路
分立元件门电路存在的问题: 分立元件门电路存在的问题
（1）高低电平偏移 ）
5V 1.7V
5V
既非高电平 也非低电平
2.4V
1V 4V
4V
2.2.2 分立元件门电路
2.2.2 分立元件门电路
• 放大条件
iB v I − V BE = RB
iC=βiB
v O = VCC − iC R C
vI↑→iB↑→iC↑→v O↓
2.2.2 分立元件门电路
开的条件（管子饱和） • 开的条件（管子饱和）
i B > i BS
i CS V CC − V CES = = β βR C
vO/V 4.3
1.1V
1.4V
0.3 0.8 1.1 2.0
vI/V
LSTTL门电路的电气特性 2.2.4 LSTTL门电路的电气特性
74LS系列门电路的几个极限参数 系列门电路的几个极限参数 ◆ 高电平输出电压VOH ，VOH（min）=2. 7V 高电平输出电压 ） （ 低电平输出电压V ◆ 低电平输出电压 OL ，VOL（max）=0. 5V ） （ 高电平输入电压V ◆ 高电平输入电压 IH ，VIH（min）= 2.0V ） （ 低电平输入电压V ◆ 低电平输入电压 IL，VIL（max）=0.8V ） （
VCC=+5V R1 VB1 R2 VC2 VT2 R4 VT4 VD3 Y (vO)
3.6V 3.6V
A B VD1
VT1
VD2
VT5 R3
只要电路参数设计合适，可使 处于饱和状态。 只要电路参数设计合适，可使VT2 、VT5处于饱和状态。 VC2 = VCES2+VBE5≈0.3+0.7=1V VC2电压不能同时使VT4和VD3导通，故VT4和VD3截止。 vO=VCES5≈0.3V
LSTTL门电路的电气特性 2.2.4 LSTTL门电路的电气特性
输入特性： 电流i 之关系， 输入特性：输入电压 vI 和输入 电流 I 之关系， 即输入端的伏安特性。 即输入端的伏安特性。
+5V &
iI vI
vO
重点分析3种情况：输入短路、输入低电平、输入高电平 重点分析 种情况：输入短路、输入低电平、 种情况
电路三：用三极管代替 电路三：用三极管代替RC，中间加一倒相级
VCC=+5V R1 VB1 A B VT5 R3 VT1 R2 VC2 VT2 R4 VT4 VD3 Y (vO)
输入部分： 输入部分：与 门。 中间VT2、R2 、 R3组成倒相级。
由 R4 、 VT4、 VD3、 VT5 组成输出级。
思考题
R1 4kΩ VB1 A B VD1 VD2 R3 1kΩ VT5 VT1 R2 1.6kΩ VC2 VT2 R4 130Ω VT4 VD3 Y (v ( O) VCC=+5V
1.如何改善负载特性的？ 如何改善负载特性的？ 如何改善负载特性的 2.VD3起何作用？ 起何作用？ 3.R4 起何作用？ 起何作用？ 4. VT4在工作中饱和吗？ 在工作中饱和吗？
LSTTL门电路的电气特性 2.2.4 LSTTL门电路的电气特性
当vI=0V时，输入电流称为输入短路电流 IS 时 输入电流称为输入短路电流I
I IS = −
5 − 0.3 20 × 10
3
= − 0.235 mA
LSTTL门电路的电气特性 2.2.4 LSTTL门电路的电气特性
当vI=0.3V时，输入电流 IL ： 时 输入电流I
LSTTL与非门 2.2.3 LSTTL与非门
集成TTL门电路是通过特殊工艺方法将所有电路元 集成 TTL门电路是通过特殊工艺方法将所有电路元 TTL 件制造在一个很小的硅片上，其优点是体积小、 件制造在一个很小的硅片上，其优点是体积小、重量轻 、功耗小、成本低、使用起来焊点少、可靠性提高。 功耗小、成本低、使用起来焊点少、可靠性提高。 TTL——Transistor Transistor Logic三极管三极管逻辑 三极管三极管逻辑 TTL分以下 个系列： 分以下4个系列 分以下 个系列： 74系列 经典系列 系列: 系列 74H系列：高速系列 系列： 系列 74S系列：肖特基系列 系列： 系列 74LS系列 ：低功耗、肖特基系列 系列 低功耗、
vO/V 4.3
0.3 0.8 1.1 2.0
vI/V
LSTTL门电路的电气特性 2.2.4 LSTTL门电路的电气特性
噪声容限
G1 1 VOL（max） （ ） VOH
） （ min
VIH（min） （ ） VIL（max） （ ）
G2 1
低电平噪声容限 高电平噪声容限
VNL=VIL（max）－VOL（max） （ ） （ ） VNH= VOH（min） － VIH（min） （ （ ）
TTL门电路 2.2 TTL门电路
2.2.1 二极管和三极管的开关特性 2.2.2 分立元件门电路 LSTTL与非门电路 2.2.3 LSTTL与非门电路 LSTTL门电路的电气特性 2.2.4 LSTTL门电路的电气特性 TTL集电极开路门和三态门 2.2.5 TTL集电极开路门和三态门
2.2.1 二极管和三极管的开关特性
理想二极管模型
数字电路中二极管模型
2.2.1 二极管和三极管的开关特性
三极管在电路中有三种工作状态：放大状态、 三极管在电路中有三种工作状态：放大状态、截止状 态、饱和状态。 饱和状态。
VCC
iC=0 vI RB iB=0 C B E
RC vO =VCC
关的条件（管子截止） • 关的条件（管子截止） 当vI＜0.7时，vBE＜0.7V，iB≈0，iC≈0，vO≈VCC 。 时 ， ， ，
B VD1 VD2 VT5 R3 Y (v ( O)
VCC经R2有电流向VT4的基极流去， 得电压方程式：
VCC = VR2 + VBE4 +VVD3 + vO
vO = VCC − VR2 − VBE 4 − VVD3 ≈ 5 − 0 − 0.7 − 0.7 = 3.6V
(2) 输入全为高电平时，输出为低电平(开态 输入全为高电平时，输出为低电平 开态 开态) 1V 2.1V
RB足够小，RC足够大或 足够大 足够小， 足够大或β足够大
2.2.2 分立元件门电路
1．与门 ． 定义：低电平 定义：低电平0~2V，高 ， 电平3~5V。 电平 。
+5V R VD1 A VD2 B L
A 1V 1V 4V 4V
B 1V 4V 1V 4V