STF817中文资料
EL817S中文资料
PhotocouplerEL817L Series Features:• Current transfer ratio(CTR:MIN.50% at IF =5mA ,VCE =5V)• High isolation voltage between inputand output (Viso=5000 V rms )• Compact dual-in-line packageEL817L*:1-channel type• Pb free• UL approved (No. E214129)• VDE approved (No. 132249)• SEMKO approved (No. 0143133/01-03)• NEMKO approved (No. P0*******)• DEMKO approved (No. 310352-04)• FIMKO approved (No. FI 16763A2)• CSA approved (No. 1143601)• BSI approved (No. 8592 / 8593)• Options available:-Leads with 0.4”(10.16mm) spacing (M Type)-Leads bends for surface mounting (S Type)-Tape and Reel of TypeⅠ for SMD(Add”-TA” Suffix)-Tape and Reel of TypeⅡ for SMD(Add”-TB” Suffix)-The tape is 16mm and is wound on a 33cm reel• The product itself will remain within RoHS compliant version.DescriptionThe EL817 series contains a infrared emitting diode opticallycoupled to a phototransistor. It is packaged in a 4-pin DIP packageand available in wide-lead spacing and SMD option.Applications• Computer terminals• System appliances, measuring instruments• Registers, copiers, automatic vending machines• Cassette type recorder• Electric home appliances, such as fan heaters, etc.• Signal transmission between circuits of different potentialsPhotocouplerEL817L Series and impedancesPhotocouplerEL817L Series2. Factory code shall be marked (T: Taiwan / C: China)3. Year date code4. 2-digit work week5. All dimensions are in millimeters6. Specifications are subject to change without noticePhotocouplerEL817L SeriesAbsolute Maximum Ratings ( Ta=25°C )UnitRatingParameter SymbolmACurrent I F 80ForwardVInput Reverse Voltage V R 6mWPower Dissipation P 150mWCollector Power Dissipation P C 150mACurrent I C 50Output CollectorVoltageV CEO 35 VCollector-EmitterV ECO 6 VEmitter-CollectorVoltageTotal Power Dissipation Ptot 200 mW＊1 Isolation Voltage Viso 5000rmsV-55~+110°C Operating Temperature ToprStorage Temperature Tstg -55~+125 °C＊2 Soldering Temperature Tsol 260°C*1 AC for 1 minute, R.H= 40~ 60%RH-Isolation voltage shall be measured using the following method.) (1) Short between anode and cathode on the primary side and) between collector, emitter and base on the secondary side.) (2) The isolation voltage tester with zero-cross circuit shall be used.) (3) The waveform of applied voltage shall be a sine wave*2 For 10 secondsPhotocouplerEL817L SeriesElectro-Optical Characteristics (Ta=25°C)Parameter SymbolMin.Typ.Max.Unit ConditionForward VF- 1.2 1.4 V I F=20mAReverse Current I R - - 10 uA V R=4VInputTerminal Ct - 30 250 pF V=0,f=1kHzCollectorDark currentI CEO - - 100 nA V CE=20VOutput Collector-EmitterbreakdownvoltageBV CEO 80 - - V Ic=0.1mA CurrentTransfer ratio CTR 50-600 % IF=5mA ,V CE=5VCollector-Emitter saturation voltage V CE(sat) - 0.1 0.2 V IF=20mA ,Ic=1 mAIsolationresistanceR ISO5×10101011 - ΩDC500V,40~60%R.HFloation capacitance Cf - 0.6 1.0 pF V=0,f=1MHzCut-off frequency fc - 80 - kHzV CE=5V, I C=2 mAR L=100Ω, -3dBTransfer CharacteristicsRise time t r - 4 18 us V CE=2VI C=2mA,R L=100ΩPhotocouplerEL817L Series Fall time t f - 3 18 usSupplementPhotocouplerPhotocouplerEL817L SeriesRELIABILITY PLANz The reliability of products shall be satisfied with items listed below.Confidence level : 90 % , LTPD : 10 %PhotocouplerEL817L Series Classification Test Item Description & Condition (Acc.)SampleFailureCriteriaReferenceStandard Operation Life * Ta = 25±3°CIR: If = 50 mAPt: Pc = 130 mW ( Vf=1.4v) , 1000hrs0 / 22 MIL-S-750 : 1026MIL-S-883 : 1005JIS C 7021 : B-1High Temperature / HighHumidity Reverse Bias(H3TRB)Ta = 85 ±3°C , Humi. = 85 % rhPt: 80% * Vce (max rating) , 1000hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-11High TemperatureReverse Bias (HTRB)Ta = 105 ±3°CPt: 100% * Vce (Max rating) ,1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-8Low Temperature Storage Ta = -50 ±3°C , 1000 hrs 0 / 22 JIS C 7021 : B-12High TemperatureStorageTa = 125 ±3°C , 1000 hrs 0 / 22 JIS C 7021 : B-10MIL-S-883 : 1008 EndurancetestAuto clave P = 15 PSIG , Ta = 121 °C ,Humi. = 100 % rh , 48 hrs0 / 22 JESD 22-A102-BTemperature Cycling(Air to Air)125°C ~ - 55 °C30 ~ 30 min , 100 cycles0 / 22 MIL-S-883 :1010JIS C 7021 : A-4 Thermal Shock(Liquid to Liquid)125 ~ - 55°Ct (dwell) = 5 mint (trans.) = 10 sec , 100 cycles0 / 22 MIL-S-202 : 107DMIL-S-750 : 1051MIL-S-883 :1011 Solder Resistance Ta = 260 ±3°Ct (dwell) = 10 ±1 sec0 / 22 MIL-S-750 : 2031JIS C 7021 : A-1 EnvironmentalTestSolder Ability Ta = 230 ±3 °Ct (dwell) = 5 ±1 sec0 / 22CTR shift > 1.2Vf > U* 1.0Ir > U * 1.0Vce(sat) >U*1.0Bvceo < L*1.0Bveco < L*1.0L :LowSpec.LimitU : Up Spec.LimitMIL-S-883 : 2003JIS C 7021 : A-2z Packing Quantity1. 100 Pcs/ Per Tube2. 25 Tubes / Inner Carton3.12 Inner Cartons / Outside CartonPhotocouplerEL817L Seriesz Packing Quantity1. 1,000 Pcs / Per Reel2. 3 Reels / Inner Carton3. 10 Inner Cartons / Outside Carton。
ft 817 维修手册
ft 817 维修手册FT-817是一款非常受欢迎的便携型无线电通信设备。
它具有小巧轻便、多功能、易于操作等特点，被广泛应用于户外探险、露营、紧急救援和业余无线电爱好者之间的通信。
然而，由于长时间使用或者不当操作可能会导致设备出现故障，因此掌握FT-817的维修技巧和注意事项非常重要。
本篇论文将介绍FT-817的维修手册，包括常见故障的诊断与修复、设备保养和使用注意事项。
首先，我们将重点介绍FT-817的常见故障及其诊断与修复方法。
常见问题可能包括设备无法开机、无法接收信号、频率漂移、音频问题等。
在遇到这些问题时，我们可以首先检查设备的电源和电池是否正常工作，如果电源有问题，则可能需要更换电池或使用外部电源适配器。
如果电源正常，我们可以检查设备的天线系统是否连接良好。
若天线与设备连接不良，可能导致无法接收或者频率漂移的问题。
除此之外，如有出现音频问题，我们可以尝试调整设备的音量和控制台的设置。
其次，我们需要注意设备的保养。
FT-817是一款使用寿命较长的设备，但长时间使用和不恰当的保养可能会导致设备出现故障。
因此，定期检查设备的线路、插头和接头是否松动或脏污，并进行清洁和紧固。
同时，避免设备过热或者遭受严重的震动和冲击，以免对设备造成损害。
此外，保持设备的干燥和清洁也是非常重要的，避免在潮湿或者尘土较多的环境中使用设备。
最后，我们应该注意一些使用FT-817时的注意事项。
首先，正确地安装设备的天线是非常重要的，保证天线系统正常工作，同时避免对设备和人的伤害。
其次，正确地调整设备的频率和模式可以提高通信的质量和效果，并避免频率干扰。
在长时间使用设备时，请注意设备的散热情况，避免设备过热导致工作不稳定。
最后，如遇到故障无法自行修复时，建议及时联系专业维修人员进行检修，避免自行拆卸设备造成更严重的损坏。
总结来说，掌握FT-817的维修技巧和注意事项对于使用该设备的人来说是非常重要的。
知道如何诊断和修复常见故障，正确进行设备的保养，并注意使用设备的注意事项，能够保证设备的正常工作，延长设备的使用寿命，同时也能确保通信质量和效果。
AD817中文资料
Parameter
Conditions
VS
Min
DYNAMIC PERFORMANCE
Unity Gain Bandwidth
±5 V
30
± 15 V
45
0, +5 V
25
Bandwidth for 0.1 dB Flatness
Gain = +1
±5 V
18
± 15 V
40
0, +5 V
10
Full Power Bandwidth1
± 15 V ± 15 V ± 15 V
(RLOAD = 150 Ω)
Gain = +2
±5 V 0, +5 V
Differential Phase Error
NTSC
± 15 V
(RLOAD = 150 Ω)
Gain = +2
±5 V
0, +5 V
INPUT OFFSET VOLTAGE Offset Drift
f = 10 kHz
± 5 V, ± 15 V
AD817A Typ Max
35 50 29 30 70 20
15.9
5.6 250 350 200 45 45 70 70 63 0.04 0.08 0.05 0.1 0.11 0.08 0.1 0.06 0.1 0.14
0.5
2
3
10
3.3
6.6
10
TMIN to TMAX
± 5 V to ± 15 V
INPUT BIAS CURRENT
INPUT OFFSET CURRENT Offset Current Drift
S-817A50中文资料
2
Seiko Instruments Inc.
元器件交易网
Rev.1.1
ULTRA COMPACT CMOS VOLTAGE REGULATOR S-817 Series
n Electrical Characteristics
1. S-817AXXANB Item
Table 4 Electrical Characteristics
元器件交易网
Contents
Features......................................................... 1 Applications ...................................................1 Block Diagram ...............................................1 Selection Guide..............................................2 Pin Assignment ..............................................2 Absolute Maximum Ratings............................2 Electrical Characteristics ................................3 Test Circuits...................................................4 Standard Circuit .............................................4 Technical Terms ............................................4 Operation .......................................................6 Selection of Output Capacitor (CL).................6 Applied circuit ................................................7 Design Considerations ...................................9 Typical Performance Curves ........................ 10 Transient Response Characteristics ............. 14 Dimensions, Taping ..................................... 19 Frequently Asked Questions........................22
光耦817基础制程-
EL 817 基礎製程介紹內容簡介:產品介紹生產流程簡介•產品介紹光藕合器是由一組發光元件及受光元件所組成的，在它的輸出入間作電氣性絕緣，是利用光來傳送信號方式，由功能來看coupler 時，•原物料明細•細部生產流程物料儲存環境1.工作環境溫度10~30溼度2.晶片儲存需儲存在溫度10~30度,溼度20~70%3.4.管制1.銀膠:需退冰1小時方可使用2.機台參數:每日每班作及維護人員需檢查並記錄之3.4.5.8 小時內6.規格檢驗每班生產前必須執行首件檢驗確認無誤後始可生產;每時需執行“主檢查隨機抽1顆1.2.3.4.•固晶站-4•固晶站-5管制1.金線:1.25MIL2.瓷嘴:UTF-46JI-CM1/16XL3.機台參數:每日每班維護人員4.5.6.•銲線站-3•銲線站-4止在壓模時IR結構因製程管制PPH(每小時產):15K1.矽膠:抽真空10分鐘常溫回溫一小時,最2.3.4.8 小時內5.規格檢驗每班生產前必須執行件檢驗確認無誤後可生產;每時需執行“自主檢查”,隨抽28 顆1.2.3.•點膠站-3點膠機管制1.膠餅儲存溫度及期限:<0度2.回溫時間及方法:24HR,每天分6次回溫3.使用期限:自回溫在常4.5.6.•壓模站-4規格檢驗每班正式生產前必須執行‘首件檢驗’256 顆並紀錄參數值,無誤後始可生產,每小時自主檢驗外觀•壓模站-5•壓模站-6膠餅預熱機•壓模站-7•壓模站-8•電鍍(委外)•切單顆TB站-1生產前須執行“首件檢驗”並無誤後始可生產,每4 時“自主檢驗,落抽數””100 料管)•切單顆TB站-1TB•測試站-1•測試站-2測試機•測試站-3做高壓1.62KV做全電性測試•測試站-6•外觀站-1上標籤•外觀站-2標簽上必須有料號,週別與LOT NO•外觀站-3。
光耦817d参数
光耦817d参数
光耦817D是一款常用的光耦器件，其参数如下：
1. 输入类型：NPN
2. 集电极-发射极电压：50V
3. 集电极电流：500mA
4. 集电极-基极电压：-2.5V ~ -60V
5. 最大工作频率：50MHz
6. 反向击穿电压：250V
7. 输出类型：NPN
8. 封装：SOT-23
9. 其他特性：高速、超低功耗、高效、高压大电流
10. 插件/贴片：贴片
此外，光耦817D具有高速、超低功耗、高效、高压大电流的特性，常用于开关电源、逆变器、充电器等。
以上参数仅供参考，具体参数可能会因生产厂商和批次不同而有所差异。
如需了解更准确的信息，建议查看器件的数据手册或向相关厂商咨询。
817电源的应用原理
817电源的应用原理一、介绍在电子设备中，电源是一个至关重要的组成部分。
电源的作用是将交流电转换为设备所需的直流电，并提供稳定的电压和电流供应。
817电源是一种常见的电源模块，被广泛应用于各种电子设备中。
二、817电源的工作原理817电源采用了开关电源的工作原理，其核心部件是开关电源芯片。
开关电源芯片利用高频振荡器产生的高频脉冲信号，通过变压器、整流电路和滤波电路等组件将交流电转换为直流电，并对电压和电流进行稳定调节。
三、817电源的主要组成部分817电源通常由以下几个主要部分组成：1.输入电路：负责接收交流电输入，并进行过滤和抑制干扰。
2.变压器：将输入电压转换为所需的直流电压，并提供绝缘保护。
3.整流电路：将交流电转换为直流电，并对电压进行整流。
4.滤波电路：对整流后的直流电进行滤波，去除电压中的纹波。
5.稳压电路：稳定输出电压，保证供电的稳定性。
6.保护电路：包括过载保护、短路保护和过温保护等，确保电源的安全可靠性。
7.输出电路：将稳定的直流电输出，供电给目标设备。
四、817电源的优势817电源相比传统的线性电源具有以下优势：•高效率：由于采用开关电源的工作原理，817电源的转换效率高达80%以上，大大降低了能量的损耗。
•体积小巧：817电源模块采用了集成化设计，占用空间小，适合于各种紧凑型电子设备。
•稳定性好：817电源具备较好的稳定性，能够提供稳定的电压和电流输出。
•多功能：817电源通常支持多种输出电压，能够满足不同设备的供电需求。
五、817电源的典型应用场景817电源广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于以下几个方面：1.工业设备：工业自动化设备、工控机、PLC等。
2.通信设备：路由器、交换机、光纤设备等。
3.医疗设备：医疗监护仪、医用电子设备等。
4.消费电子：电视机、音响等家用电器。
5.汽车电子：汽车导航、车载音响等。
六、总结817电源作为一种常见的电源模块，其应用范围广泛且优势明显。
ISP817中文资料
元器件交易网
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (25°C unless otherwise specified) Storage Temperature -55°C to + 125°C Operating Temperature -55°C to + 100°C Lead Soldering Temperature (1/16 inch (1.6mm) from case for 10 secs) 260°C INPUT DIODE Forward Current Reverse Voltage Power Dissipation 50mA 6V 70mW
4 3
18 18
Note 1 Note 2
Measured with input leads shorted together and output leads shorted together. Special Selections are available on request. Please consult the factory.
ISP817A,ISP827A,ISP847A ISP817B,ISP827B,ISP847B ISP817C,ISP827C,ISP847C ISP817D,ISP827D,ISP847D
100
Coupled
ISP817GB, ISP827GB, ISP847GB ISP817BL, ISP827BL, ISP847BL
35V 6V 150mW
200mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = 25°C Unless otherwise noted ) PARAMETER Input Forward Voltage (VF) Reverse Voltage (VR) Reverse Current (IR) MIN TYP MAX UNITS 1.2 6 10 1.4 V V µA V V nA TEST CONDITION IF = 20mA IR = 10µA VR = 6V IC = 1mA IE = 100µA VCE = 20V 5mA IF , 5V VCE 5mA IF , 5V VCE 5mA IF , 5V VCE 5mA IF , 5V VCE 5mA IF , 5V VCE 5mA IF , 5V VCE 5mA IF , 5VVCE 20mA IF , 1mA IC See note 1 See note 1 VIO = 500V (note 1) VCE = 2V , IC = 2mA, RL = 100Ω
FT-817ND使用手册
HF/VHF/UHF全模式收发信机FT-817ND操作手册各项参数一般参数频率范围接收：0.1～56MHz76～108Mhz（仅宽带调频）108～137Mhz（航空段）137～154MHz420～470MHz发射： 1.8～2MHz3.5～4MHz7～7.5MHz10～10.5MHz14～14.5MHz18～18.5MHz21～21.5MHz24.5～25MHz28～30MHz50～54MHz140～154MHz420～470MHz发射模式A1(CW) A3(AM) A3J(LSB/USB) F3(FM)F1(9600bps packet) F2(1200bps packet)频合步进10Hz(CW/SSB) 100Hz(AM/FM)天线阻抗50Ω非平衡工作温度-10℃～60℃频率稳定度±4ppm（开机后1～60 分钟）±1ppm/小时（25℃时）±0.5ppm/小时（25℃时，热机后，装有TCXO-9 选件）电源电压标准：直流13.8V±15%（负极接地，额定电流＞3A）可使用：8.0-16.0V（负极接地）使用FBA-28：12.0V（8 节碱性电池）使用FNB-85：9.6V（1400mAh 镍氢电池）电流消耗静噪时：约250mA接收时：450mA发射时：2.0A发射参数射频输出功率5W(SSB/CW/FM) 1.5W(AM) @13.8V 外接电源2.5W @内置电池（可设置强制输出5W）调制类型SSB：平衡式AM：前级低电平调幅FM：参量电抗调频FM 最大频偏±5kHz（FM-N：±2.5kHz）杂散辐射-50dB（1.8～29.7MHz）-60dB（50/144/430MHz）载波抑制＞40dB无用边带抑制＞50dBSSB 频响400～2600Hz（-6dB）MIC 阻抗200-10kΩ（常用：600Ω）接收参数电路类型二次变频超外差中频频率1：68.33MHz(SSB/CW/AM/FM) 10.7MHz(WFM) 2：455kHz灵敏度SSB/CW AM FM100kHz～500kHz ———500kHz～1.8MHz —32μV —1.8MHz～28MHz 0.25μV 2μV —28MHz～30MHz 0.25μV 2μV 0.5μV50MHz～54MHz 0.2μV 2μV 0.32μV144/430MHz 0.125μV —0.2μV（IPO ATT 关，SSB/CW/AM=10dB S/N，FM=12dB SINAD）静噪灵敏度SSB/CW/AM FM1.8MHz～28MHz2.5μV —28MHz～30MHz 2.5μV 0.32μV50MHz～54MHz 1μV 0.2μV144/430MHz 0.5μV 0.16μV（IPO ATT 关）镜像抑制HF/50MHz：70dB144/430MHz：60dB中频抑制60dB选择性SSB/CW：2.2kHz/4.5kHz（-6/-60dB）AM：6kHz/20kHzFM：15kHz/30kHzFM-N：9kHz/25kHzSSB（装有YF-122S 选件）：2.3kHz/4.7kHz（–66dB）CW（装有YF-122C 选件）：500Hz/2.0kHzCW（装有YF-122CN 选件）：300Hz/1.0kHz音频输出功率：1.0W（8Ω，±10%）阻抗：4～16ΩYAESU HF/VHF/UHF 全模式收发信机FT-817ND 中文操作手册by Bh4CWX接口定义。
817光耦引脚使用说明
817光耦引脚使用说明一、817光耦简介。
817光耦是一种常用的光电耦合器，它能够实现电气隔离的同时传递信号。
其内部由发光二极管（LED）和光敏三极管组成。
当输入端的发光二极管有电流通过时，会发光，照射到光敏三极管上，从而控制光敏三极管的导通状态，进而实现信号从输入侧到输出侧的传递，并且输入和输出之间是电气隔离的，这有助于提高电路的抗干扰能力和安全性。
二、引脚分布。
817光耦通常有4个引脚，引脚排列呈长方形。
从标记面看，引脚顺序如下：1. 引脚1（Anode）：为发光二极管的阳极。
电流从这个引脚流入发光二极管。
这是因为在二极管的工作原理中，阳极是电流流入的一端，当在阳极和阴极之间施加正向电压时，二极管才能导通并发光，从而实现光耦的信号输入功能。
2. 引脚2（Cathode）：是发光二极管的阴极。
电流从引脚1流入后从引脚2流出发光二极管。
3. 引脚3（Emitter）：为光敏三极管的发射极。
当光敏三极管受光导通时，电流从集电极流向发射极，这个引脚在输出电路中起到输出电流的一个端点的作用。
4. 引脚4（Collector）：是光敏三极管的集电极。
它是输出电路中电流的另一个端点，在光敏三极管导通时，电流从这里流入，经过内部三极管结构后从发射极流出。
三、典型应用电路中的引脚连接。
（一）输入侧连接。
1. 信号源连接。
- 在数字电路中，如果将817光耦用于信号隔离传输，例如将一个微控制器的数字信号通过光耦传输到另一个电路部分。
当微控制器的输出引脚为高电平时，需要通过一个限流电阻连接到817光耦的引脚1（阳极），引脚2（阴极）则连接到微控制器的地。
这样做的原因是为了限制流入发光二极管的电流，防止电流过大损坏二极管。
一般根据电源电压和发光二极管的正向导通电压以及所需的工作电流来计算限流电阻的阻值，计算公式为R=(V_CC-V_F)/I_F，其中V_CC是电源电压，V_F是发光二极管正向导通电压，I_F是所需的发光二极管工作电流。
FT-817ND使用手册
by Bh4CWX
发射： 1.8～2MHz 3.5～4MHz 7～7.5MHz 10～10.5MHz 14～14.5MHz 18～18.5MHz 21～21.5MHz 24.5～25MHz 28～30MHz 50～54MHz 140～154MHz 420～470MHz
发射模式
A1(CW) A3(AM) A3J(LSB/USB) F3(FM) F1(9600bps packet) F2(1200bps packet)
音频输出
功率：1.0W（8Ω，±10%） 阻抗：4～16Ω
YAESU HF/VHF/UHF 全模式收发信机 FT-817ND 中文操作手册
by Bh4CWX
YAESU HF/VHF/UHF 全模式收发信机 FT-817ND 中文操作手册
接口定义
by Bh4CWX
YAESU HF/VHF/UHF 全模式收发信机 FT-817ND 中文操作手册
dw双信道守候yaesuhfvhfuhf全模式收发信机ft817nd中文操作手册bh4cwx前面板控制旋钮及按键sqlrf外圈为静噪控制旋钮用45号菜单可以把功能改为高放增益控制vm键vfo和频道状态转换banddwnbandup波段降升按键mode模式转换键lsbusbcwcwramfmdigpkt模式循环转换home最爱频道短按调出最爱频道长按将当前频率存为当前波段最爱频道sel钮频率粗调频道状态为切换频道及菜单翻页按下后可以mhz为单位调频率频道状态为切换频道组clar键接收频率微调短按就可以使用sel钮来微调接收频率999khz发射不受影响长按启动中频移频功能此时可用sel钮改变接收带通位置an
常用功能表
by Bh4CWX
A/B 在VFOa和VFOb之间切换
ft 817 维修手册
ft 817 维修手册ft 817是一款广泛应用于工业领域的机械设备，其稳定性和可靠性对于生产过程至关重要。
为了确保ft 817的正常运行和延长其使用寿命，维修保养工作至关重要。
本文将介绍ft 817的维修手册，包括维修步骤、常见故障及解决方法、维修注意事项等。
一、维修步骤1. 准备工作：在进行维修前，需要准备好所需的工具和备件，如扳手、螺丝刀、钳子等。
同时，还需要了解故障现象，确定故障原因。
2. 拆卸：按照顺序拆卸损坏的部件，并清理干净现场，确保工具和设备的完整性。
3. 检查：对拆卸下来的部件进行检查，确定损坏的原因和程度。
4. 更换或修复：根据检查结果，进行部件的更换或修复。
5. 组装：按照拆卸的顺序将部件重新安装，确保正确性和稳定性。
6. 测试：对修复后的设备进行测试，确保其功能正常。
7. 清洁和调试：对设备进行清洁和调试，确保其外观和性能达到最佳状态。
二、常见故障及解决方法1. 机械故障：如传动带磨损、链条磨损、轴承损坏等。
解决方法是更换相应的部件，并定期检查和维护。
2. 电气故障：如电机过热、电路短路、接触不良等。
解决方法是检查电路和电机，进行维修或更换。
3. 液压故障：如液压油泄漏、液压泵异常等。
解决方法是检查液压系统，进行维修或更换液压部件。
4. 温度过高：温度过高可能是由于散热不良、电机过载等原因引起的。
解决方法是检查散热系统、电机负载等，进行相应的维修或调整。
三、维修注意事项1. 确保安全：在进行维修时，必须确保现场安全，遵守安全操作规程。
2. 遵循顺序：在进行拆卸和安装时，必须按照规定的顺序进行，以确保设备的稳定性和安全性。
3. 保持清洁：在维修过程中，必须保持设备和工作环境的清洁，以避免二次损坏和降低维护成本。
4. 定期维护：定期进行设备维护和保养，可以及时发现并解决潜在问题，确保设备正常运行。
总之，《ft 817 维修手册》旨在为维修人员提供ft 817的维修步骤、常见故障及解决方法、维修注意事项等指导。
BC817中文资料_数据手册_参数
MARKING CODE(1)
6D∗ 6A∗
TYPE NUMBER
BC817-25 BC817-40
Note
1. ∗ = p : Made in Hong Kong. ∗ = t : Made in Malaysia.
MARKING CODE(1)
6B∗ 6C∗
handbook, halfpage
3
1999 Jun 01
5
Philips Semiconductors
NPN general purpose transistor
PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package; 3 leads
Product specification
BC817
SOT23
IC = 500 mA; VCE = 1 V; note 2
collector capacitance
IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz;
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz;
Notes 1. Pulse test: tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02. 2. VBE decreases by approx. 2 mV/K with increasing temperature.
Austria: Computerstr. 6, A-1101 WIEN, P.O. Box 213, Tel. +43 1 60 101 1248, Fax. +43 1 60 101 1210
D
B
E
A
X
3
FOD817中文资料
FOD817 Series • Power supply regulators • Digital logic inputs • Microprocessor inputs
4 1
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
ANODE 1 CATHODE 2
4 COLLECTOR 3 EMITTER
INDIVIDUAL COMPONENT CHARACTERISTICS
Parameter
Test Conditions Symbol Min Typ* Max Unit
EMITTER Input Forward Voltage Reverse Leakage Current Terminal Capacitance DETECTOR Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Collector Breakdown Voltage Collector-Emitter Dark Current
Page 1 of 9
8/19/04
元器件交易网
4-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
FOD817 Series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C Unless otherwise specified.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C Unless otherwise specified.)
Parameter
Symbol
Value
TOTAL DEVICE Storage Temperature Operating Temperature Lead Solder Temperature Total Device Power Dissipation EMITTER Continuous Forward Current Reverse Voltage LED Power Dissipation Derate above 25°C DETECTOR Collector-Emitter Voltage Emitter-Collector Voltage Continuous Collector Current Detector Power Dissipation Derate above 25°C
BC817DPN中文资料
BC817DPN
QUICK REFERENCE DATA SYMBOL VCEO IC ICM PINNING PIN 1, 4 2, 5 6, 3 emitter base collector DESCRIPTION TR1; TR2 TR1; TR2 TR1; TR2 PARAMETER collector-emitter voltage collector current (DC) peak collector current MAX. 45 500 1 UNIT V mA A
MBL750
VCEsat (mV)
(1)
800 102 600
(1) (2) (3) (3) (2)
400
10 10−1
1
10
102 IC (mA)
103
200 10−1
1
10
102
IC (mA)
103
TR1 (NPN) IC/IB = 10. (1) Tamb = 150 °C. (2) Tamb = 25 °C. (3) Tamb = −55 °C.
Philips Semiconductors
Product specification
NPN/PNP general purpose transistor
THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-a Note PARAMETER thermal resistance from junction to note 1 ambient CONDITIONS
Fig.5
Base-emitter voltage as a function of collector current; typical values.
M81716FP;中文规格书,Datasheet资料
Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272HVICGeneral Purpose Driver 24 Volts/+0.8A/-0.6AM81716FP18/05Description:M81716FP is a dual inverting general purpose driver.Features:£ Power Supply Range of Operation (4.5V ~ 24V)£ High Speed Switching Time (22ns Typical, CL = 1000pF)£ Dual Inverting £ SOP-8 Package£ +0.8A to -0.6A Output Current Applications:£ HID Ballast £ PDP£ MOSFET DriverOrdering Information:M81716FP is a +0.8A/-0/6A, 24 Volt HVIC, General Purpose DriverOutline Drawing and Circuit Diagram Dimensions InchesMillimeters A 0.24±0.01 6.2±0.3 B 0.2±0.008 5.0±0.2 C 0.17±0.008 4.4±0.2 D 0.08 Max. 1.9 Max. E 0.05 1.27 F 0.015±0.0020.4±0.05 G 0.004 0.1 H 0.06 1.5 J0.002 Min.0.05 Min.Dimensions InchesMillimetersK 0.04 0.9 L 0.015±0.008 0.4±0.2 M 0.006±0.002 0.15±0.05 N 10° Max. 10° Max. P 0.03 0.745 Q 0.023 0.595 R 0.05 Min. 1.27 Min. S 0.23 5.72 T0.760.76/Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272M81716FPHVIC, General Purpose Driver24 Volts/+0.8A/-0.6AAbsolute Maximum Ratings, T a = 25°C unless otherwise specifiedCharacteristics Symbol M81716FP Units Supply Voltage V DD0 ~ 24 Volts Logic Input Voltage (IN A/B Terminal) V IN GND-0.3 ~ V DD+0.3 Volts Package Power Dissipation (T a = 25°C, On Board) P d— Watts Junction Temperature T j-40 ~ 125 °C Storage Temperature T stg-40 ~ 125 °CRecommended Operating ConditionsCharacteristics Symbol Test Conditions Min. Typ. Max. Units Supply Voltage V DD 4.5 — 17 Volts Logic Supply Voltage V IN IN A/B T erminal GND — V DD Volts Operating Temperature T opr-40 — 100 °CElectrical AC Characteristics, V DD = 15V, V IN = 0V, 5V unless otherwise specifiedCharacteristics Symbol Test Conditions Min. Typ. Max. Units Turn-On Rise Time t r CL = 1000pf — 35 — ns Turn-Off Fall Time t f CL = 1000pf — 25 — ns Delay Time 1 t D1 CL = 1000pf — 22 — ns Delay Time 2 t D2 CL = 1000pf — 22 — nsElectrical DC Characteristics, V DD = 4.5 ~ 17V unless otherwise specifiedCharacteristics Symbol Test Conditions Min. Typ. Max. Units Logic "1" Input Voltage V IH V DD = 15V 4.4 — — Volts Logic "0" Input Voltage V IL V DD = 15V — — 1.8 Volts Input Bias Current I IN V IN = 0V or V DD-1.0 — 1.0 μA Output Protection Diode Current Capability I DI —300 — — mA High Level Output Voltage V OH I O = 0 V DD-0.1 — — Volts Low Level Output Voltage V OL I O = 0 — — 0.1 VoltsV DD Supply Current I supp V DD = 15V, V IN = 3V (Both Inputs) — 4.0 8.0 mAV DD = 15V, V IN = 0V (Both Inputs) — — 0.05 mA Output High Level Short-Circuit Pulsed Current IO+ V DD = 15V, PW* ≤10μs, V OUT = 0V 0.8 1.0 — Amperes Output Low Level Short-Circuit Pulsed Current IO- V DD = 15V, PW* ≤10μs, V OUT = 9V 0.6 0.8 — Amperes Output High Level ON Resistance R OUT V DD = 15V, I load** = 10mA, V OUT = "H" — 7.0 12.0 ΩOutput Low Level ON Resistance R OUT V DD = 15V, I load** = 10mA, V OUT = "L" — 6.0 11.0 Ω*PW : Input Pulse Width**I load : Supply Input and Output Current to the OUT A/B T erminal28/05 /M81716FPHVIC, General Purpose Driver 24 Volts/+0.8A/-0.6APowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-727238/0510080604020T U R N -O N R I S E T I M E , t r , (n s )TURN-ON RISE TIME VS. OPERATING TEMPERATURE 010080604020-50100050150OPERATING TEMPERATURE, T opr , (°C)D E L A Y T I M E “2”, t D 2, (n s )0-50100050150OPERATING TEMPERATURE, T opr , (°C)TURN-ON RISE TIME VS. SUPPLY VOLTAGE10080604020T U R N -O F F F A L L T I M E , t f , (n s )0152051025SUPPL Y VOLT AGE, V DD , (VOLTS)TURN-OFF FALL TIME VS. OPERATING TEMPERATURE /M81716FPHVIC, General Purpose Driver 24 Volts/+0.8A/-0.6APowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-727248/051.21.00.80.60.4-50100050150OPERATING TEMPERATURE, T opr , (°C)O U T P U T L O W L E V E L S H O R T C I R C U I T P U L S E D C U R R E N T , I O -, (A M P E R E S )OUTPUT LOW LEVELSHORT CIRCUIT PULSED CURRENT VS. OPERATING TEMPERATURE24.03.53.02.51.52.0-50100050150OPERATING TEMPERATURE, T opr , (°C)L O G I C “1” I N P U T V O L T A G E , V I H , (V O L T S )LOGIC “1” INPUT VOLTAGE VS. OPERATING TEMPERATURE1.0-50100050150OPERATING TEMPERATURE, T opr , (°C)LOGIC “0” INPUT VOLTAGE VS. OPERATING TEMPERATURESWITCHING TIME EXAMINATION CIRCUIT DIAGRAM+0.4V+5VINPUT INPUT RISE AND FALL TIMES = 5nsOUTPUT0V +15VINPUT A INPUT BOUTPUT A OUTPUT B/分销商库存信息: POWEREXM81716FP。
PCS817中文资料
Refkrtotheattachcdeheet-I. 8. Others Any doubt as ~FJd spazifkatian shall be determined upon mutual COMUI~~I of the both par&s. In gwd l%th
元器件交易网
Refer to the attached
drawing
No. CY537OKfI2.
3. Rating8sndclxmxctQistiw Ref’ to the attached she& pege 4.6.
4. Reliabilig Rekrbtheattachedsheet.page7.
5. Incoming
6.4 Tfde product b not designed against irradiation.
Thi¶pOdUCtls
assanbled with electrIcal Input and output
incorporates non-coherent light czmMbg d$ade.
MODEL No. PAGE
PC847
32 Elcc~-opticalc-Ii8~ Taz25C
5
元器件交易网
SIMRPCORPORATION
I I
--.
I
MODEL No. PC847
1
I
PAGE
I
6
1
Pig.
11 FormudcurrentvB.
rprg. 2) Dlodc power disB1pation
Factmy
idcrW.tcation
mark shall
BC817_06中文资料
BC817/BC818 NPN Epitaxial Silicon TransistortmNovember 2006BC817/BC818NPN Epitaxial Silicon Transistor Features•Switching and Amplifier Applications•Suitable for AF-Driver stages and low power output stages •Complement to BC807/ BC808Absolute Maximum Ratings* T a= 25°C unless otherwise noted* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.Electrical Characteristics* T a =25°C unless otherwise noted* Pulse Test: Pulse Width ≤300µs, Duty Cycle ≤2%SymbolParameterValueUnitsV CBOCollector-Base Voltage: BC817 : BC8185030V V V CEOCollector-Emitter Voltage: BC817 : BC8184525V V V EBO Emitter-Base Voltage 5V I C Collector Current (DC)800mA P C Collector Power Dissipation 310mW T J Junction Temperature 150°C T STGStorage Temperature-65 ~ 150°CSymbolParameterTest ConditionMin.Typ.Max.UnitsBV CEOCollector-Emitter Breakdown Voltage: BC817: BC818I C =10mA, I B =04525V V BV CES Collector-Emitter Breakdown Voltage: BC817: BC818I C =0.1mA, V BE =05030V V BV EBO Emitter-Base Breakdown Voltage I E =0.1mA, I C =05VI CES Collector Cut-off Current V CE =25V, V BE =0100nA I EBO Emitter Cut-off Current V EB =4V, I C =0100nAh FE1h FE2DC Current GainV CE =1V, I C =100mA V CE =1V, I C =300mA 10060630V CE (sat)Collector-Emitter Saturation Voltage I C =500mA, I B =50mA 0.7V V BE (on)Base-Emitter On Voltage V CE =1V, I C =300mA 1.2V f T Current Gain Bandwidth Product V CE =5V, I C =10mA f=50MHz100MHz C obOutput CapacitanceV CB =10V, f=1MHz12pF1. Base2. Emitter3. CollectorSOT-23123BC817/BC818 NPN Epitaxial Silicon Transistorh FE ClassificationOrdering InformationNote1 : Affix “-16,-25,-40” means hFE classification. Affix “-M” means the matte type package. Affix “-TF” means the tape & reel type packing.Classification162540h FE1110 ~ 250160 ~ 400250 ~ 630h FE260~100~170~Device (note1)Device MarkingPackagePacking MethodQty(pcs)Pin DifinitionsBC81716MTF 8FA SOT-23Tape & Reel 3000 1.Base 2.Emitter 3.Collector BC81725MTF 8FB SOT-23Tape & Reel 3000 1.Base 2.Emitter 3.Collector BC81740MTF 8FC SOT-23Tape & Reel 3000 1.Base 2.Emitter 3.Collector BC81816MTF 8GA SOT-23Tape & Reel 3000 1.Base 2.Emitter 3.Collector BC81825MTF 8GB SOT-23Tape & Reel 3000 1.Base 2.Emitter 3.Collector BC81840MTF8GCSOT-23Tape & Reel30001.Base2.Emitter3.CollectorBC817/BC818 NPN Epitaxial Silicon TransistorBC817/BC818 NPN Epitaxial Silicon TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.BC817/BC818 NPN Epitaxial Silicon TransistorDISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY , FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS. THESE SPECIFICATIONS DO NOT EXPAND THE TERMS OF FAIRCHILD’S WORLDWIDE TERMS AND CONDITIONS, SPE-CIFICALLY THE WARRANTY THEREIN, WHICH COVERS THESE PRODUCTS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet IdentificationProduct StatusDefinitionAdvance InformationFormative or In DesignThis datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.Preliminary First ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.FACT Quiet Series™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™i-Lo ™ImpliedDisconnect™IntelliMAX™ISOPLANAR™LittleFET™MICROCOUPLER™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerEdge™PowerSaver™PowerTrench ®QFET ®QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™µSerDes™ScalarPump™SILENT SWITCHER ®SMART START™SPM™Stealth™SuperFET™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TCM™TinyBoost™TinyBuck™TinyPWM™TinyPower™TinyLogic ®TINYOPTO™TruTranslation™UHC ®UltraFET ®UniFET™VCX™Wire™ACEx™ActiveArray™Bottomless™Build it Now™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™FACT ®FAST ®FASTr™FPS™FRFET™Across the board. Around the world.™The Power Franchise ®Programmable Active Droop™Rev. I21。
usrg817手册
usrg817手册在这个信息爆炸的时代，我们每天都会接触到大量的数据和信息，有时候甚至让人感到眼花缭乱。
在这种情况下，我们需要一个usrg817手册来帮助我们更好地管理和利用这些信息。
首先，我们需要了解usrg817手册的作用和意义。
usrg817手册是一个指导性的工具，可以帮助我们更好地了解和使用usrg817。
它不仅可以提供基本的操作指南和使用技巧，还可以帮助我们解决一些常见问题和困惑。
通过usrg817手册，我们可以更快地上手，更高效地使用usrg817，提高我们的工作效率和生活质量。
其次，我们需要注意usrg817手册的更新和维护。
随着usrg817的不断发展和更新，usrg817手册也需要及时更新和完善。
只有保持usrg817手册的及时性和准确性，我们才能始终掌握最新的信息和技巧，确保我们的工作和生活始终在正确的轨道上。
此外，我们还需要注意usrg817手册的使用方法和技巧。
在使用usrg817手册时，我们应该注重方法和技巧，灵活运用各种功能和工具，充分发挥usrg817的潜力。
只有熟练掌握usrg817手册的使用方法和技巧，我们才能更好地应对各种复杂情况，更快地解决问题，更高效地完成任务。
最后，我们还需要注意usrg817手册的保密和安全。
在使用usrg817手册时，我们应该注意保护个人信息和机密信息，避免泄露和丢失。
只有做好usrg817手册的保密和安全工作，我们才能放心使用usrg817，享受更加便捷和安全的服务。
总的来说，usrg817手册是我们学习和使用usrg817的重要工具，我们应该重视和善加利用。
通过usrg817手册，我们可以更好地了解和掌握usrg817，提高我们的工作效率和生活质量。
希望我们每个人都能认真阅读usrg817手册，灵活运用usrg817的各种功能和工具，享受更加便捷和高效的服务。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
STF817STN817
PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS
s
SURFACE-MOUNTING DEVICES IN
MEDIUM POWER SOT-223 AND SOT-89PACKAGES
s
AVAILABLE IN TAPE & REEL PACKING
APPLICATIONS s VOLTAGE REGULATION s RELAY DRIVER s GENERIC SWITCH
DECRIPTION The STF817 and STN817 are PNP transistors manufactured using Planar Technology resulting in rugged high performance devices.
April 2002
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
®
1/5
STF817 - STN817
THERMAL DATA
C unless otherwise specified)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T case = 25 o
STF817 - STN817
STF817 - STN817
Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specification mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.
The ST logo is a trademark of STMicroelectronics © 2002 STMicroelectronics – Printed in Italy – All Rights Reserved
STMicroelectronics GROUP OF COMPANIES
Australia - Brazil - Canada - China - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Israel - Italy - Japan - Malaysia - Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - United States.
STF817 - STN817。