电路基础与集成电子技术-第4章习题解答
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第4章半导体二极管和晶体管
习题解答
【4-1】填空:
1.本征半导体是,其载流子是和。两种载流子的浓度。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3.漂移电流是在作用下形成的。
4.二极管的最主要特征是,与此有关的两个主要参数是
和。
5.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。它工作在。描述稳压管的主要参数有四个,它们分别是、、、和。
6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。
7.双极型晶体管可以分成和两种类型,它们工作时有
和两种载流子参与导电。
8.场效应管从结构上分成和两种类型,它的导电过程仅仅取决于载流子的流动;因而它又称作器件。
9.场效应管属于控制型器件,而双极型晶体管是控制型器件。
10.当温度升高时,双极性晶体管的β将,反向饱和电流I CEO将,正向结压降U BE将。
11.用万用表判断电路中某个晶体管的工作状态时,测出最为方便。
12.晶体管工作有三个区域,在放大区时,应保证和;在饱和区,应保证和;在截止区,应保证和。
13.当温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。
解:
1.化学成分纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。
2.杂质浓度,温度。
3.少数载流子,(内)电场。
4.单向导电性,正向导通压降U F和反向饱和电流I S。
5.反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(U Z),稳定电流(I Zmin),最大管耗(P Zmax),动态电阻(r Z)。
6.增大。
7.NPN,PNP,自由电子,空穴。
8.结型,绝缘栅型,多子,单极型。
9.电压,电流。
10.变大,变大,变小。
11.各管脚对地电压。
12.发射结正偏,集电结反偏;发射结正偏,集电结正偏;发射结反偏,集电结反偏。
13.左移,上移,增大。
【4-2】在题图4-2的各电路图中,U =5V ,u i =10t ωsin V ,二极管VD 视为理想二极管,试分别画出输出电压u o 的波形。
u i u o
R
VD U
u i
u o
R VD
U
(a) (b)
图4-2 题4-2电路图
解:
波形如解图4-2(a )(b )
u i
/V
u i /V
u o u o t
ωt
ωt
ωt
O
(a)
(b)
解图4-2
【4-3】 在题图4-3中,试求下列几种情况下输出端对地的电压U Y 及各元件中通过的电流。(1)U A =10V ,U B =0V ;(2)U A =6V ,U B =5V ;(3)U A =U B =5V 。设二极管为理想二极管。
U
Y
VD U A U B
解图4-3 题4-3电路图
解:
(1)A VD 导通,B VD 截止
D B D A R 10V
0,
1m A
(19)k
I I I ====+Ω Y R 9V U I R =⋅=
(2)A VD 导通,B VD 截止 D B D A R
6V
0,0.6mA 10k I I
I ====Ω
Y R 5.4V U I R =⋅= (3)A VD 、B VD 均导通
R 5V
0.526mA 9.5k I =
≈Ω
R
D A D B
0.263m A 2
I I I ==≈ Y R 4.74V U I R =⋅=
【4-4】设硅稳压管VD z1和VD z2的稳定电压分别为5V 和10V ,正向压降均为0.7V 。求题图4-4中各电路的输出电压U O 。
VD Z1VD Z225V
U O
1k Ω
( )
b 25V
U O
1k Ω( )
c ( )
d ( )a 25V
U O
1k Ω
25V
U O
1k Ω
VD Z1VD Z2VD Z1VD Z2
VD Z1VD Z2
图4-4 题4-4电路图
解:
图(a)15V; 图(b)1.4V; 图(c)5V; 图(d)0.7V 。
【4-5】有两个稳压管VD Z1和VD Z2,其稳定电压值分别为5.5V 和8.5V ,正向压降都是0.5V 。如果要得到3V 的稳定电压,应如何连接?
解:
连接方法如解图4-5所示。
VD Z1
VD Z2
U O
1k Ω
U I
R
解图4-5
【4-6】 有两个晶体管分别接在电路中,已知它们均工作在放大区,测得各管脚的对地电压分别如下表所示。试判别管子的三个电极,并说明是硅管还是锗管?是NPN 型还是PNP 型?
解:
晶体管Ⅰ为NPN 型硅管,1、2、3管脚依次是b 、e 、c ; 晶体管Ⅱ为PNP 型锗管,1、2、3管脚依次是c 、b 、e 。
【4-7】 如何用指针式万用表判断出一个晶体管是NPN 型还是PNP 型?如何判断出管子的三个管脚?锗管、硅管又如何通过实验区别出来? 解:
(1) 先确定基极:万用表调至电阻欧姆×100或×1k 挡,随意指定一个管脚为基极,把任一个表笔固定与之连接,用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻,若两次测得电阻都很大(或很小)。把表笔调换一下再测一次,若测得电阻都很小(或很大),则假定的管脚是基极。若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大,为NPN 型,反之为PNP 型。
(2) 判断集电极:在确定了基极和晶体管的类型之后,可用电流放大倍数β的大小来确定集电极和发射极。现以NPN 型晶体管为例说明判断的方法。
先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起,并用一只手的中指和大拇指捏住,红表笔与假定的发射极接在一起,再用捏集电极的手的食指接触基极。这相当通过人手皮肤的电阻给基极加电流。记下表针偏转的角度,然后两只管脚对调再测一次。这两次测量中,表针偏转角度大的一次所假设的晶体管电极是对的。因为集电区掺杂浓度低,现在集电极变成发射极,当然β 要降低,表针偏转角度小。
【4-8】在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如题图4-8所示,试确定晶体管各电极的名称;说明它是NPN 型,还是PNP 型;计算晶体
管的共射电流放大系数β。
解:
①-c ,②-b ,③-e ;PNP 型 ;
1.2mA
400.03mA
β=
=
图
图4-8 题4-8晶体管电极电流图
【4-9】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电压如题图4-9所示,试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)?
1
3I =