蚀刻 因子图片测试
蚀刻因子ipc标准
蚀刻因子ipc标准全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：蚀刻因子IPC标准是指在印刷电路板行业中用于评定蚀刻工艺质量的一种标准。
蚀刻是PCB制造中的一道重要工艺，其质量直接影响到电路板的性能和稳定性。
在PCB制造过程中，蚀刻因子IPC标准是一个非常重要的指标，对于保证产品质量、提高生产效率具有重要意义。
IPC是全球电子工业协会，致力于制定和推广电子行业的标准和规范。
蚀刻因子IPC标准是IPC制定的一项重要标准之一，它主要包括蚀刻速度、蚀刻均匀性、蚀刻残留物等指标，用来评定蚀刻工艺是否达到要求。
蚀刻因子IPC标准对于PCB制造企业有着重要的意义。
蚀刻因子IPC标准可以帮助企业评定蚀刻工艺的质量，及时发现问题并加以改进，从而提高产品质量。
蚀刻因子IPC标准可以规范蚀刻工艺的操作流程，减少生产过程中的人为失误，提高生产效率。
蚀刻因子IPC标准可以帮助企业进行质量控制，确保产品符合客户要求，提升企业的竞争力。
具体来说，蚀刻因子IPC标准包括以下几个方面：首先是蚀刻速度。
蚀刻速度是指在单位时间内蚀刻掉的铜层厚度。
蚀刻速度过快会导致孔壁不光滑、容易出现残留物，而蚀刻速度过慢则会增加生产周期、降低生产效率。
制定合理的蚀刻速度是非常重要的。
其次是蚀刻均匀性。
蚀刻均匀性是指整个PCB表面的铜层在蚀刻过程中是否均匀消失。
蚀刻不均匀会导致板材上出现不同厚度的部位，从而影响电路板的性能和稳定性。
保证蚀刻均匀性是确保产品质量的关键之一。
再者是蚀刻残留物。
蚀刻残留物是指在蚀刻过程中没有完全蚀刻掉的残留物，会导致电路板上出现杂质，影响电路的传导性能。
降低蚀刻残留物是保证产品质量的重要环节。
第二篇示例：蚀刻因子（Etch Factor）是光刻和蚀刻工艺中的一个重要参数，它表示了蚀刻过程中横向蚀刻深度与纵向蚀刻深度之间的比值。
蚀刻因子的大小直接影响了器件的尺寸精度和性能，因此它在集成电路制造中具有重要意义。
为了规范和统一蚀刻因子的测量方法，国际半导体技术联盟（International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS）提出了一系列蚀刻因子IPC标准。
蚀刻因子、蚀刻函数
蝕刻因子、蝕刻函數蝕銅除了要作正面向下的溶蝕外,蝕液也會攻擊線路兩側無保護的銅,稱之為側蝕(Undercut),因而造成如香菇般的蝕刻品質問題,Etch Factor即為蝕刻品質的一種指標。
Etch Factor一詞在美國(以IPC為主)的說法與歐洲的解釋恰好相反。
美國人的說法是”正蝕深度與側蝕凹鍍之比值”,故知就美國說法是”蝕刻因子”越大品質越好;歐洲則恰好相反,其因子卻是愈小愈好,很容易弄錯。
下圖為阻劑後直接蝕銅結果的明確比較圖。
不過多年以來,IPC在電路板學術活動及出版物上的成就。
早已在全世界業界穩占首要地位,故其闡述之定義堪稱已成標準本,無人能所取代。
氯 化 銅 蝕 刻 之 監 控前言:近年來印刷電路板製程﹐在內層板或單面板的直接蝕刻上﹐使用氯化銅藥液者﹐愈來愈多。
但也因缺乏活用氯化銅的基本知識﹐而拒此法於千里之外者﹐亦常有之。
以下簡單整理有關綠化銅蝕刻的反應及其控制管理的情形﹐以供業界參考。
蝕刻之計算˙蝕銅反應(理論值):Cu(銅) + CuCl 2(氯化銅)→ 2CuCl(氯化亞銅) (1)二價銅 一價銅˙再生反應:2CuCl + 2HcL + H 2O 2→ 2CuCl + 2H 2O (2)˙由上述二式中氯化銅的再生循環﹐以說明再生及添加用量如下:銅厚35μm(1 oz)之單面基板上﹐其平均銅重量約312.2g/m 2﹐若假設蝕銅率為60%左右時﹐由(1)式中可得到所生成方程式上〝兩各單位〞的氯化亞銅﹐其重量應為:(312.2g/m 2 x 0.6 ÷63.5) x 2 x 98.9 = 583 g再由(1)式中知其CuCl 2應有的重量為:[(583 ÷2) + (583 ÷2 – 312 x 0.6)] = 396g由(2)式中可知﹐進行再生反應一必須使用之藥液量為:鹽酸 - - [583 ÷(2 x 98.9)] x 2 x 36.5 = 215g雙氧水 - - [583÷(2 x 98.9)] x 1 x 34 = 100g水 - - [583 ÷(2 x 98.9)] x 2 x 18.2 = 106gCuCl 2 - - [583 ÷(2 x 98.9)] x 2 x 134 = 792g另純鹽酸215g 換算成35%濃度的商品鹽酸時約為521cc 。
Metal Corrosion
光罩透射率对铝金属蚀刻腐蚀缺陷的影响 铝金属蚀刻工艺中最重要的缺陷是作铝者金：属姚残涛锋留，和上铝海金交属通大腐学蚀微。电铝子学金院属残留往往取决蚀刻腔体的环境， 而铝金属腐蚀往往要复杂的多，而造成起复杂性的一个重要原因就是在干法蚀刻工艺（主蚀刻步骤， 图1）中，它是一个使用氯等离子体的金属蚀刻工艺 (参见公式1) 。 Al + Cl2 => AlCl3 (可挥发性,主蚀刻气体) (1) BCl3=> BCl3+ + BClx(轰击) (2) BClx + Cl => BClx+1 (消耗侧壁上的氯) (3) CHF3 /CH4 =>生成聚合物层保护侧壁 (4)
8种腐蚀测试
8种腐蚀测试腐蚀测试是腐蚀工程师紧要的职责之一。
事实上，假如没有腐蚀评估，在任何行业中减轻或除去腐蚀几乎是不可能的。
腐蚀检查有几个原因。
有时，在工业应用的材料选择过程中，需要评估特定环境中的不同种类的材料。
评估不同类型环境中的新型合金，以与传统商业合金进行比较；估量抑制剂在降低金属腐蚀速率方面的效率；了解腐蚀机理是其他原因。
腐蚀测试通常分为两大类：试验室测试和现场测试，每种测试都有其优点和缺点。
例如，实际应用中的环境条件与试验室环境中的环境条件不同。
因此，很难将试验室测试的结果外推到行业环境中。
另一方面，在试验室测试中，可以加速环境的腐蚀性以更快地获得结果，这在现场测试中是不可能的。
试验室腐蚀测试浸入式测试试验室测试中常见和简单的方法之一是浸入测试。
在这种测试中，其程序由ASTM和NACE阐明，干燥试样的重量在暴露于腐蚀性环境特定时间段之前和之后通过分析天平进行测量。
在称量样品之前和之后，应进行特定的制备以去除任何腐蚀产物或有机污染物。
样品的耐腐蚀性通常计算为以每年密耳（0.001英寸）或毫米/年（毫米/年）为单位的重量损失或厚度损失的腐蚀速率。
结果取决于被测金属的类型（比重）、暴露表面积和测试持续时间因素。
目视检查还建议进行一些目视检查，以评估局部腐蚀，如点蚀或剥落。
此外，光学或扫描电子显微镜；元素和成分分析，如能量色散X射线光谱（EDX）；X射线衍射；能量色散X射线光谱（XPS）是更精准明确地评估腐蚀表面和腐蚀产物的有用技术。
有几种方法可以评估被测样品的点蚀。
确定凹坑密度（特定表面积内的凹坑数量）或点蚀系数（最深凹坑深度除以均匀腐蚀引起的厚度损失值之比）是评估点蚀的两种紧要方法。
有不同类型的应用工具来测量坑深。
当无法使用基坑测厚仪时，可以使用等高线测量仪来实现凹坑深度的轮廓。
盐雾/雾测试一些测试样品和程序旨在评估特定类型的腐蚀，例如缝隙腐蚀，应力腐蚀开裂和侵蚀腐蚀。
涂层样品的大气腐蚀可以通过盐雾或雾测试来检查。
(完整word版)蚀刻检验作业指导书Q022
目录一．目的二．范围三．职责四．内容五．缺陷定义、允收水准及判定六．相关文件与记录1．目的：制订电镀/蚀板首（抽）检作业方法、允收水准，使电镀/蚀板检验监控工作有所依据。
2．范围：适用於本司电镀/蚀板检验监控工作3．职责：QA组PQA负责工序首检、抽检以及判定生产部工序负责检验、检修或返工处理4．内容：4.1 蚀板工序首件板检查4.1.1检验设备及工具：80×放大镜、10×放大镜、3M胶纸、灯台4.1.2PQA人员须用10×放大镜检测蚀刻后的首件板线宽、线距是否符合MI要求；若为电镀（镍、金）板时，不需测量线宽、线距，但需用“3M”胶纸做抗拉试验，检验镀层结合力是否符合要求。
4.1.3借助灯台目视检查线路及板面外观是否符合要求；有无蚀板不净、过蚀、退膜不净等现象，必要时辅以10×放大镜进行检查。
4.1.4PQA员将首件板检验结果记录在“蚀板首检记录表”中，并依结果进行判定。
4.1.5若判定合格时，则可知会生产部继续生产，若判定不合格，则要求生产部立即做出相应措施处理，并处理后对品种首板进行重检直至合格为止，PQA员经对不能处理及判定的问题，立即呈报上级管理人员进行处理，并对已发现之不良品作标识、隔离等处理。
4.1.6首件板检查当日生产的每型号进行一次，如在设备暂停或修理后则要重做检查一次。
4.2 蚀刻抽检方法4.2.1检验所用的设备及工具：灯台、10×放大镜、标签纸、80×放大镜4.2.2蚀刻成形后依据AQL正常检验II级C=0，抽样计划从待验板区内抽取适当之样品进行检验，曝光板每架抽5PNL，C=0 进行判定，每架不足5PNL进行全检。
4.2.3借助灯台目视检查板面外观、线路、孔环等处理是否有缺陷；特别注意手指位及IC位，若是电镀板，还必须每批抽3-5PCS做3M胶纸抗拉试验，检查镀层结合力是否正常，并将检验结果记录在“附着力试验记录表”上，并依检验结果进行判定。
07图电、蚀刻工艺流程及检验标准
e.去墨
去墨前的板
去墨后的板
去除聚合的干膜, 使銅面顯露出來.
f.蝕刻
蝕刻前的板
蝕刻后的板
將顯露出來的銅使用鹼性蝕刻液(NH4CL)蝕掉。
g.退錫﹑清洗
退錫清洗前
去除線路保護錫層, 使線路銅裸露出來.
退錫清洗后
h.圖電﹑蝕刻完成品
2.圖電﹑蝕刻檢驗標准
表銅﹕板材上的銅箔 一銅﹕板電工序鍍的銅
3M膠帶Biblioteka 鍍層附著力測試不允許有線路及銅皮脫落。
基材白點﹑織紋顯露。
不允許基材白點﹑織紋顯露。
板材起泡﹑分層
NG
OK
不允許有板材起泡﹑分層。
白色板材
黃色板材
板材顏色需符合MI要求。
3.檢驗方式
• a.首件檢驗﹕5M1E(人員變更﹑重新開 機﹑型號變更﹑工藝變更﹑環境變更﹑ 測量方法變更)任何一種變更﹐均需做首 件檢驗。
• c.當在全檢﹑抽檢時發現不合格品時﹐需及時 通知工序負責人﹐要求在制品立即糾正改善或 停產﹐同時對同一批產出品進行驗証(包括已轉 序的板)。
• d.擋下的不合格板能返工的返工處理﹐不能返 工開偏差單由上級裁決。
5.檢驗報表填寫
6﹑注意事項
• 1.儀器使用后需放于包裝盒內﹔ • 2.拿板時需雙手戴棉白手套﹐兩手必須持板
圖電﹑蝕刻工藝流程及檢驗標准
制作﹕朱新軍 制作日期﹕2009-08-18
1.圖電﹑蝕刻制作工藝流程
a.圖電上料
待圖電的板
將待圖電的板在圖電前鎖于電鍍挂具上。
b.圖電鍍二銅
圖電鍍好二銅的板
加厚線路銅厚及孔內銅厚。
c.鍍錫
鍍好錫的板
在線路上鍍上一層薄薄的錫﹐以便蝕刻時保護線路.
蚀刻详解
蚀刻详解 (2)一、名词定义 (2)二、Clamping 和拱形电极 (3)1. Clamping：目的 (3)2. Clamping：clamp设计 (3)3. 为什么使用氦气？ (3)4. Clamp所用的材料 (3)5. Clamping ：氦气冷却设计 (4)6. Clamping: clamp的特性 (4)7. Clamp漏率/clamp流量 (4)8. Clamp降压 (4)9. clamp相关的问题 (5)10. 拱形电极：目的 (5)11. 拱形电极：发展 (5)三、SIO2特性 (5)1. SIO2描述 (5)2. 二氧化硅在VLSI中的应用 (6)3. Oxide 制造 (6)4. 二氧化硅选用的考虑事项 (7)5. 蚀刻蚀刻数率会在以下情况增加： (8)四、二氧化硅蚀刻机理 (8)1. 化学蚀刻 (8)2. 物理蚀刻 (9)3. 聚合反应 (9)4. 工艺机理各向异性 (10)5. 离子辅助蚀刻 (10)6. SIO2蚀刻工艺机理：蚀刻速率 (11)7. 工艺机理：各向异性 (11)8. 工艺机理：选择比 (12)9. 工艺机理：均匀性 (12)五、其他 (12)1. 二氧化硅蚀刻的四个基本机理： (13)2. 4500：低频二氧化硅蚀刻 (13)3. 400KHZ Vs 13.56MHZ：间距 (13)4. 400KHZ Vs 13.56MHZ：惰性：活性、气流 (13)5. 400KHZ Vs 13.56MHZ：聚合物累积 (14)6. 4500：clamping和氦气冷却 (14)7. CD和剖面控制/剖面各向异性 (14)8. 硅损失 (14)9. 衬底损伤/接触阻抗 (14)10. 均匀性 (15)11. 蚀刻速率/ 产量 (15)12. 颗粒 (16)13. SOFT ETCH (16)蚀刻详解一、名词定义均匀性（Uniformity）-- 相对平均值的变化，常在描述蚀刻速率，CD和淀积物厚度时使用。
CGCE蚀刻线去膜点测试(2007.06.27)
CGCE蝕刻線去膜點測試(2007.06.27)
一.測試目的:考慮蝕刻線與長興乾膜的搭配性,去膜點需重新測試
二.測試條件:
外層乾膜前處理1#線線速:2.5m/min
刷痕:1.2cm
微蝕濃度:H2SO4:205g/L
H2O2:31.5g/L
CU2+:44.17g/L
微蝕壓上力:2.0kg/cm2
微蝕壓下力:2.0kg/cm2
水洗1上壓:2.5kg/cm2
水洗1下壓:2.5kg/cm2
水洗2上壓:2.3kg/cm2
水洗2下壓:2.3kg/cm2
烘乾:80℃
壓膜機1#線線速:2.5m/min
燠熱機:200℃
熱壓:上壓 105℃
下壓 108℃
出板: 65℃
曝光機1#能量:6.5/7級
外層蝕刻去膜段線速:3.84m/min
NaOH濃度:2.96%去膜2上壓力:1.35kg/cm2新液洗上壓力:
去膜1上壓力:2.9kg/cm2去膜2下壓力:1.30kg/cm2新液洗下壓力:
去膜1下壓力:2.8kg/cm2去膜2溫度:54.5℃新液洗溫度:54
去膜1溫度:49.7℃
三.測試結果:
有效長度:去膜1為1.5M ; 去膜2為4.0M ; 新液洗為0.8M ; 總長6.3M
去膜點3.5M/6.3M=55%
四.測試人員:
ME葛軍海(濕製程)
張建榮(影像轉移)
製造谷雷
長興乾膜劉現國
李慶哨
新液洗上壓力:2.4kg/cm2新液洗下壓力:2.35kg/cm2新液洗溫度:54.7℃。
蚀刻检验规范
1、目的：蚀刻产品首件、巡检、检验规范化2、适用范围：适用于ITO蚀刻线3、职责：制造部：首件制作与自检品管部：首件、巡检确认及产品的品质判定4、工具：滴定台 方阻仪 万用表 光台 目测5、检验方式：（仅针对外观检验部分）眼睛距离待检产品的距离应为300~400mm， 在产品的检验上方400~500mm处放置一盏12~20瓦的冷白色的荧光灯，产品与检验员视线成45度角，产品平放光台上进行检验 ；如图:6、 抽样频率：正常生产1-3片后需做首件确认；每次抽样5片7、作业内容：7.1.蚀刻前准备工作:(1) 生产设备的检查:酸蚀段、碱蚀段的洁净度及风干段水洗部分的各个喷头要畅通,不能有堵塞现象, 风干段传送须运转良好,吸水海棉要干净,喷淋压力和运转速度按 《ITO蚀刻生产工艺》要求来设定。
(2) 酸碱浓度的检测:每次开启机器,加热到规定温度后,蚀刻前需由相关人员对槽内的酸碱溶液进行浓度的检测,若浓度符合《 ITO蚀刻生产工艺》规定的蚀刻浓度,则可进行蚀刻,反之若浓度不符规格要求,则按《 ITO蚀刻生产工艺》酸碱溶液的添加数量,由制造部添加, 添加完后,再由品管部检测浓度,若槽液之酸碱浓度符合规格要求后,方可蚀刻.否则,再重复上述步骤。
(3) 纯水:检测按" ITO蚀刻生产工艺"要求检测,符合要求则可生产。
7.2.蚀刻首件确认:(1) 严格按工程规格书之要求进行检查:a. 外观:蚀刻的材料分Film和Glass两种,蚀刻后Film和Glass之保留图案正确,其蚀刻区应无污渍、水渍,导电膜应无折伤、刮花,蚀刻区无残留的耐酸油墨,导电面干净,无杂质,导电膜无脱落。
b. 电气性能:蚀刻后的Film和Glass各导电膜之电阻符合工程规格书要求,蚀刻区各导电膜间阻抗>100MΩ, 100V。
c. 导电膜电阻:需按《工程规格书》要求.(用万用表测试)。
(2) 首件由ITO机手制做完成后并自检，同时在首件记录单上签名以示完成首件制做, 制程品管人员需审核首件,并签名确认后方可投产。
显影蚀刻工艺调试
显影蚀刻工艺调试显影蚀刻工艺调试目录一. 名词解释 (2)1. CD (2)2. DOF (2)3. DOSE (2)4. ISOFOCAL DOSE (2)5. CD Uniformity (2)6. CD Range： (2)7. ADI： (2)8. AEI： (2)9. ASI： (2)二. 工艺调试内容 (3)1. Etch to clear 测试 (3)1.1. 测试目的 (3)1.2. 测试条件 (3)1.3. 测试步骤， (3)1.4. 数据处理 (3)2. ISOFOCAL DOSE测试 (3)2.1. 测试目的 (3)2.2. 测试步骤 (3)2.3. 数据处理 (3)2.4. 其它 (5)3. CD uniformity 测试 (5)3.1. 测试目的 (5)3.2. 测试条件 (5)3.3. 测试步骤 (6)3.4. 数据处理 (6)一.名词解释1. CDCritical Dimension，关键尺寸，也称线宽。
衡量芯片制造工艺的指标。
线宽越小，芯片的集成度越高，其性能越好。
2. DOFDepth of Focus，焦深，指光学镜头的可聚焦范围。
在该范围内图像能够清晰成像。
为能够保证光胶完全曝光，焦深必须能够覆盖光刻胶层的上下表面。
3. DOSE曝光剂量。
DOSE＝曝光强度×曝光时间，单位：mJ/ cm2。
4. ISOFOCAL DOSE最佳感光剂量。
用此剂量曝光，聚焦误差对CD影响最小。
曝光机在生成图形时，由于存在机械运动，会造成FOCUS偏移。
采用ISOFOCAL DOSE曝光，可获得CD Uniformity最优的图形。
5. CD UniformityCD均匀性。
是对所有CD测量值统计的标准偏差6. CD Range：CD误差。
是所有CD测量值最大值和最小值的差值。
7. ADI：After Develop Inspection。
显影后CD测量。
ADI一般用于检测曝光机和显影机的性能指标。
蚀刻印义中铜含量的测量(三种方案)
方案一：（碘量法）1.实验原理试样经酸分解后，用乙酸铵调节酸度，氟化氢铵掩蔽铁，在PH3.0—4.0的微酸性溶液中，铜(Ⅱ)在碘化钾作用游离出碘，再以淀粉为指示剂，用硫代硫酸钠标准溶液滴定。
其反应式如下：2Cu2++4I-→CuI2+I2I2+2S2O32-→2I-+S4O62-钙、镁、镍、铝、锌、铅等通常为无价态变化的元素，一般不干扰测定。
砷、锑氧化呈五价，不干扰测定。
150mg钼(Ⅵ)，0.5mg钒(Ⅴ)不干扰测定。
NO2-干扰测定使终点不稳定，可在分解试样时，冒硫酸烟将其蒸干驱尽。
2.试剂配制乙酸铵溶液 300g/L 称取90 g乙酸铵置于400ml烧杯中加入150ml水和100ml冰乙酸，待溶解后，用水稀释至300ml，混匀。
此溶液的PH值为5。
淀粉溶液 5g/L 称取0.5 g 可溶性淀粉置于200ml烧杯中，用少量水调成糊状，将100ml沸水徐徐倒入其中，继续煮沸至透明，取下冷却。
现用现配。
硫氰酸钾溶液 400 g/L 称取40 g硫氰酸钾置于400 ml烧杯中，加100ml水溶解后(PH<7)加2 g碘化钾，待溶后，加入2ml5g/L淀粉溶液，滴加约0.04mol/L1/2I溶液至刚好呈蓝色，再用硫代硫酸钠标准溶液滴定至蓝色消失。
硫代硫酸钠标准溶液c(Na2S2O3)≈0.04mol/L称取10g硫代硫酸钠(Na2S2O3·5H2O)置于300ml烧杯中，加入煮沸过的的冷水溶解，加入0.1g碳酸钠，溶解后移入1L容量瓶中，加水定容。
于暗处放置一周后标定。
标定：称取3份0.05g金属铜(99.99%)分别置于3个300ml锥形瓶中加10ml硝酸(1+1)盖上表皿，低温溶解完全，加入1ml100g/L三氯化铁溶液混匀。
加热至近干，以下操作同分析步骤。
3.实验步骤称取0.1－0.5g试样于250ml缩口烧杯中，加少量水润湿，加10－15ml盐酸，低温加热3－5min(若试样中硅含量较高时，需加入0.5g氟化氢铵，继续加热片刻)，取下稍冷。
酸性蚀刻工艺流程教材推荐PPT资料
CuCl + 2HCl → 2H2CuCl3 (可溶) ---------- (4)
（3）式中因产生CuCl沉淀，会阻止蚀刻反应继续发生，但因HCl的存在溶解 CuCl，维持了蚀刻的进行。
[Cu2+]--- 是二价铜离子浓度
氯离子浓度高，蚀刻速率快，在氯化铜蚀刻液中二价铜和一价铜实际上都以和氯离子的络合形式存在的。
4.电路的几何形状：电路图形导线在X方向和Y方向的分布位 置如果不均衡，会直接影响蚀刻液在板面上的流动速度。同样 如果在同板面上的间隔窄的导线部位和间隔宽的导线部位状态 下，间隔宽的导线分布的部位，蚀刻就会过度。所以，这就要 求设计者在电路设计时，就应首先了解工艺上的可行性，尽量 做到整个板面电路图形均匀分布，导线的粗细程度应尽量相一 致。
• 氧化剂为自动添加方式控制，众所周知，蚀刻 铜的过程实际上是一个氧化一还原过程，随着 蚀刻的进行，一价铜离子不断增加，其氧化一
还原电位也发生变化。根据奈恩斯特方程： 氧化剂为自动添加方式控制，众所周知，蚀刻铜的过程实际上是一个氧化一还原过程，随着蚀刻的进行，一价铜离子不断增加，其氧
化一原电位也发生变化。
络合反应： 2Cucl+4cl-→ 2[Cucl3]2-
• 随着铜的蚀刻，溶液中的一价铜越来越 多，蚀刻能力很快就会下降，以至最后 失去效能。
• 为了保持连续的蚀刻能力，可以通过各 种方式对蚀刻液进行再生，使一价铜重 新转变成二价铜，达到正常蚀刻的工艺 标准。
3.影响蚀刻速率的因素
影响蚀刻速率的因素较多，但影响较大的是蚀刻 液中的氯离子、一价铜的含量，蚀刻液的温度 及二价铜的浓度等。
4)温度
• 温度升高，蚀刻速率增加，但温度过高 会引起盐酸过多的挥发，导致溶液组分 比例失调。