第四章 固体物理-晶体缺陷
固体物理中的晶体缺陷
固体物理中的晶体缺陷在固体物理研究中,晶体缺陷是一个非常重要的课题。
晶体是由周期性排列的原子、分子或离子构成的固体,而晶体缺陷则是指晶体中的缺陷点、线和面。
这些缺陷对于晶体的性质和行为产生了显著的影响。
本文将从晶体缺陷的分类、形成机制以及对物性的影响等方面进行探讨。
一、晶体缺陷的分类晶体缺陷根据其维度可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷。
点缺陷是指晶体中存在的原子位置的空位(vacancy)和替位(substitution)缺陷。
线缺陷包括位错(dislocation)、脆性裂纹(brittle fracture)、折叠失配(folding fault)等。
面缺陷主要是晶界(grain boundary)、孪晶(twin boundary)和表面(surface)等。
二、晶体缺陷的形成机制晶体缺陷的形成机制多种多样。
其中,点缺陷的形成主要包括热激活、辐射效应、化学效应等。
线缺陷的形成可以通过应力场的作用和晶体生长过程中的失配等方式。
而面缺陷的形成则与晶体生长过程中的界面结构和生长条件等有关。
三、晶体缺陷对物性的影响晶体缺陷对物性的影响是多方面的。
首先,点缺陷会降低晶体的密度和导致电子、离子、空穴和电子空穴对的迁移,从而影响晶体的电导率。
其次,线缺陷会导致晶体的力学性能发生变化,影响其强度、塑性和断裂行为。
此外,面缺陷会引起界面的能量变化,影响晶体的界面迁移和晶粒生长等过程。
晶体缺陷还对光学性质、磁性和热导率等方面有影响。
四、应用和研究进展晶体缺陷的研究不仅对于基础科学的发展具有重要意义,而且在材料科学、电子器件、能源领域等方面也有广泛的应用前景。
例如,通过控制晶体缺陷可以改善材料的导电性能、光学性能和力学强度,从而提高材料的性能。
近年来,一些新型晶体缺陷的发现和调控方法的研究也取得了重要进展,为材料设计和制备提供了新的思路。
总结起来,固体物理中的晶体缺陷是一个复杂而又引人注目的研究领域。
通过对晶体缺陷的分类、形成机制以及对物性的影响的研究,我们可以更好地理解晶体的性质和行为,并为材料科学和其他相关领域的发展提供重要参考。
固体第四章
分类方式:
几何形态:点缺陷、线缺陷、面缺陷、体 缺陷等
形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计 量缺陷等
根据缺陷的作用范围把真实晶体缺陷分四类:
点缺陷:在三维尺寸均很小,只在某些位置发生, 只影响邻近几个原子。 线缺陷:在二维尺寸小,在另一维尺寸大,可被 电镜观察到。 面缺陷:在一维尺寸小,在另二维尺寸大,可被 光学显微镜观察到。 体缺陷:在三维尺寸较大,如镶嵌块,沉淀相, 空洞,气泡等。
二、热缺陷在晶体中的运动
空位和间隙原子生成后在晶体中是不断运动的, 下图表示了空位和间隙原子最简单的运动形式
(a)空位
(b)间隙原子
热缺陷在晶体中的运动
以间隙原子为例,用半定量的统计方法来描述缺陷运 动过程 稳定状态下,间隙原子在平衡位置
附近不断的热振动,其频
Ea
A
O
B
率 0 1012 ~ 1013 s 1 ,平均振动能量约
Solid State Physics 固体物理学
第四章
晶体的缺陷
第四章
第一节 第二节 第三节 第四节 第五节
晶体的缺陷
点缺陷 晶体中的扩散过程 离子晶体中的点缺陷与导电性 线缺陷——位错 面缺陷和体缺陷
理想晶体:结构基元严格按照空间点阵作 周期性排列。
实际晶体:晶体中的离子或原子总是或多 或少的偏离了严格的晶体周期性,即存在着 各种各样的结构的不完整性。 缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期 性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。
F (n) U TS
热缺陷的存在从两个方面改变晶体自由能:
U :热缺陷产生需要能量,使系统内能增加
S
:热缺陷存在使系统无序度增加,晶体熵增加
研究生固体物理 第四章 晶体中的缺陷和扩散
所需的能量。 由于u1 < u2 ,uf ,所以,在一般情况下,空位是晶
体中主要的热缺陷。
二、热缺陷的运动 1. 空位的运动
E1 E1:空位运动所需越过的势垒
空位运动的频率:
E1 1 10 exp k BT
E 1 0 exp 3 k BT
q a sh 2k BT
离子向右运动的漂移速度
E 1 v d 0 a exp 3 k BT
弱场条件,即
q a sh 2k BT
q a sh 2k BT q a 2k BT
Q lnD(T ) lnD0 RT
Q tg R
lnD
0 1/T
Q Rtg
二、扩散的微观机制 d 圆柱体高:d d 底面面积:dS=1
1
> 2
由面1向面2流动的净原子流密度:
1 1 2 1 n1 n2 d 1 d 2 dn ja 6 6 6 dx
以正填隙离子为例 设其电荷为q,外电场:
U(x)
i
x qa/2
离子在电场中受的力:F=q,
附加电势能:U(x)=-qx
0
离子运动需越过的势垒:
向左: E 1 q a 2 向右: E 1 q a 2 a E
向右 离子越过势垒的频率
E 1 q a 2 1 exp 6 0 k BT
1: 空位越过势垒向邻近位置运动的频率 10:空位试图越过势垒的频率(原子振动频率)
或
E1 1 10 exp k BT
固体物理第四章_晶体的缺陷
习题测试1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?2.热膨胀引起的晶体尺寸的相对变化量与X射线衍射测定的晶格常数相对变化量存在差异,是何原因?3.KCl晶体生长时,在KCl溶液中加入适量的CaCl溶液,生长的KCl晶体的质量密度比理2论值小,是何原因?4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?5.金属淬火后为什么变硬?6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点?7.试指出立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数.8.离子晶体中正负离子空位数目、填隙原子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献完全相同吗?9.晶体结构对缺陷扩散有何影响?10.填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数, 哪一个大? 为什么?11.一个填隙原子平均花费多长时间才被复合掉? 该时间与一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间相比, 哪个长?12.一个空位花费多长时间才被复合掉?13.自扩散系数的大小与哪些因素有关?14.替位式杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?15.填隙杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?16.你认为自扩散系数的理论值比实验值小很多的主要原因是什么?17.离子晶体的导电机构有几种?习题解答1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?[解答]正常格点的原子脱离晶格位置变成填隙原子, 同时原格点成为空位, 这种产生一个填隙原子将伴随产生一个空位的缺陷称为弗仑克尔缺陷. 填隙原子与相邻原子的距离要比正常格点原子间的距离小,填隙原子与相邻原子的力系数要比正常格点原子间的力系数大. 因为原子的振动频率与原子间力系数的开根近似成正比, 所以填隙原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要高. 空位附近原子与空位另一边原子的距离, 比正常格点原子间的距离大得多, 它们之间的力系数比正常格点原子间的力系数小得多, 所以空位附近原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要低.2.热膨胀引起的晶体尺寸的相对变化量与X射线衍射测定的晶格常数相对变化量存在差异,是何原因?[解答]肖特基缺陷指的是晶体内产生空位缺陷但不伴随出现填隙原子缺陷, 原空位处的原子跑到晶体表面层上去了. 也就是说, 肖特基缺陷将引起晶体体积的增大. 当温度不是太高时, 肖特基缺陷的数目要比弗仑克尔缺陷的数目大得多. X射线衍射测定的晶格常数相对变化量, 只是热膨胀引起的晶格常数相对变化量. 但晶体尺寸的相对变化量不仅包括了热膨胀引起的晶格常数相对变化量, 也包括了肖特基缺陷引起的晶体体积的增大. 因此, 当温度不是太高时, 一般有关系式>.溶液,生长的KCl晶体的质量密度比理3.KCl晶体生长时,在KCl溶液中加入适量的CaCl2论值小,是何原因?[解答]由于离子的半径(0.99)比离子的半径(1.33)小得不是太多, 所以离子难以进入KCl晶体的间隙位置, 而只能取代占据离子的位置. 但比高一价, 为了保持电中性(最小能量的约束), 占据离子的一个将引起相邻的一个变成空位. 也就是说, 加入的CaCl越多, 空位就越多. 又因为的原子量(40.08)与的2溶液引起空位, 将导致KCl 原子量(39.102)相近, 所以在KCl溶液中加入适量的CaCl2晶体的质量密度比理论值小.4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?[解答]形成一个肖特基缺陷时,晶体内留下一个空位,晶体表面多一个原子. 因此形成形成一个肖特基缺陷所需的能量, 可以看成晶体表面一个原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子的相互作用能的差值. 形成一个弗仑克尔缺陷时,晶体内留下一个空位,多一个填隙原子. 因此形成一个弗仑克尔缺陷所需的能量, 可以看成晶体内部一个填隙原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子相互作用能的差值. 填隙原子与相邻原子的距离非常小, 它与其它原子的排斥能比正常原子间的排斥能大得多. 由于排斥能是正值, 包括吸引能和排斥能的相互作用能是负值, 所以填隙原子与其它原子相互作用能的绝对值, 比晶体表面一个原子与其它原子相互作用能的绝对值要小. 也就是说, 形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量要低.5.金属淬火后为什么变硬?[解答]我们已经知道晶体的一部分相对于另一部分的滑移, 实际是位错线的滑移, 位错线的移动是逐步进行的, 使得滑移的切应力最小. 这就是金属一般较软的原因之一. 显然, 要提高金属的强度和硬度, 似乎可以通过消除位错的办法来实现. 但事实上位错是很难消除的. 相反, 要提高金属的强度和硬度, 通常采用增加位错的办法来实现. 金属淬火就是增加位错的有效办法. 将金属加热到一定高温, 原子振动的幅度比常温时的幅度大得多, 原子脱离正常格点的几率比常温时大得多, 晶体中产生大量的空位、填隙缺陷. 这些点缺陷容易形成位错. 也就是说, 在高温时, 晶体内的位错缺陷比常温时多得多. 高温的晶体在适宜的液体中急冷, 高温时新产生的位错来不及恢复和消退, 大部分被存留了下来. 数目众多的位错相互交织在一起, 某一方向的位错的滑移, 会受到其它方向位错的牵制, 使位错滑移的阻力大大增加, 使得金属变硬.6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点?[解答]在位错滑移时, 刃位错上原子受力的方向就是位错滑移的方向. 但螺位错滑移时, 螺位错上原子受力的方向与位错滑移的方向相垂直.7.试指出立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数.[解答]滑移面一定是密积面, 因为密积面上的原子密度最大, 面与面的间距最大, 面与面之间原子的相互作用力最小. 对于立方密积, {111}是密积面. 对于六角密积, (001)是密积面. 因此, 立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数分别为{111}和(001).8.离子晶体中正负离子空位数目、填隙原子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献完全相同吗?[解答]由(4.48)式可知, 在正负离子空位数目、填隙离子数目都相等情况下, 离子晶体的热缺陷对导电的贡献只取决于它们的迁移率. 设正离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为和, 正离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别为和, 负离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为和, 负离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别为, 则由(4.47)矢可得,,,.由空位附近的离子跳到空位上的几率, 比填隙离子跳到相邻间隙位置上的几率大得多, 可以推断出空位附近的离子跳过的势垒高度, 比填隙离子跳过的势垒高度要低, 即<,<. 由问题1.已知, 所以有<, <. 另外, 由于和的离子半径不同, 质量不同, 所以一般, .也就是说, 一般. 因此, 即使离子晶体中正负离子空位数目、填隙离子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献一般也不会相同.9.晶体结构对缺陷扩散有何影响?[解答]扩散是自然界中普遍存在的现象, 它的本质是离子作无规则的布郎运动. 通过扩散可实现质量的输运. 晶体中缺陷的扩散现象与气体分子的扩散相似, 不同之处是缺陷在晶体中运动要受到晶格周期性的限制, 要克服势垒的阻挡, 对于简单晶格, 缺陷每跳一步的间距等于跳跃方向上的周期.10.填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数, 哪一个大? 为什么?[解答]填隙原子机构的自扩散系数,空位机构自扩散系数.自扩散系数主要决定于指数因子, 由问题4.和8.已知, <,<, 所以填隙原子机构的自扩散系数小于空位机构的自扩散系数.11.一个填隙原子平均花费多长时间才被复合掉? 该时间与一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间相比, 哪个长?[解答]与填隙原子相邻的一个格点是空位的几率是, 平均来说, 填隙原子要跳步才遇到一个空位并与之复合. 所以一个填隙原子平均花费的时间才被空位复合掉.由(4.5)式可得一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间.由以上两式得>>1.这说明, 一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间, 比一个填隙原子从出现到被空位复合掉所需要的时间要长得多.12.一个空位花费多长时间才被复合掉?[解答]对于借助于空位进行扩散的正常晶格上的原子, 只有它相邻的一个原子成为空位时, 它才扩散一步, 所需等待的时间是. 但它相邻的一个原子成为空位的几率是, 所以它等待到这个相邻原子成为空位, 并跳到此空位上所花费的时间.13.自扩散系数的大小与哪些因素有关?[解答]填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数可统一写成.可以看出, 自扩散系数与原子的振动频率, 晶体结构(晶格常数), 激活能()三因素有关.14.替位式杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]占据正常晶格位置的替位式杂质原子, 它的原子半径和电荷量都或多或少与母体原子半径和电荷量不同. 这种不同就会引起杂质原子附近的晶格发生畸变, 使得畸变区出现空位的几率大大增加, 进而使得杂质原子跳向空位的等待时间大为减少, 加大了杂质原子的扩散速度.15.填隙杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]正常晶格位置上的一个原子等待了时间后变成填隙原子, 又平均花费时间后被空位复合重新进入正常晶格位置, 其中是填隙原子从一个间隙位置跳到相邻间隙位置所要等待的平均时间. 填隙原子自扩散系数反比于时间.因为>>,所以填隙原子自扩散系数近似反比于. 填隙杂质原子不存在由正常晶格位置变成填隙原子的漫长等待时间, 所以填隙杂质原子的扩散系数比母体填隙原子自扩散系数要大得多.16.你认为自扩散系数的理论值比实验值小很多的主要原因是什么?[解答]目前固体物理教科书对自扩散的分析, 是基于点缺陷的模型, 这一模型过于简单, 与晶体缺陷的实际情况可能有较大差别. 实际晶体中, 不仅存在点缺陷, 还存在线缺陷和面缺陷,这些线度更大的缺陷可能对扩散起到重要影响. 也许没有考虑线缺陷和面缺陷对自扩散系数的贡献是理论值比实验值小很多的主要原因.17.离子晶体的导电机构有几种?[解答]离子晶体导电是离子晶体中的热缺陷在外电场中的定向飘移引起的. 离子晶体中有4种缺陷: 填隙离子, 填隙离子, 空位, 空位. 也就是说, 离子晶体的导电机构有4种. 空位的扩散实际是空位附近离子跳到空位位置, 原来离子的位置变成了空位. 离子晶体中, 空位附近都是负离子, 空位附近都是正离子. 由此可知,空位的移动实际是负离子的移动, 空位的移动实际是正离子的移动. 因此, 在外电场作用下, 填隙离子和空位的漂移方向与外电场方向一致, 而填隙离子和空位的漂移方向与外电场方向相反.。
固体物理-第4章-晶体中的缺陷和扩散-4
(成对出现)
4、杂质原子 在材料制备中,有控制地在晶体中引入杂质原子
A、杂质原子取代基质原子而占据格点位置,称替代式杂质。
(二者相接近或前者大一些)
B、杂质原子占据格点间的间隙位置,称填隙式杂质。
(杂质原子比基质原子小)
点缺陷的运动 1、空位的运动
空位运动势场示意图
原子结合成晶体的源动力:原子间的吸引力. 理想晶体的生长
问题4:当初如何提出位错概念?位错滑移如何理解?
Ax A d
a
x a 2
xa 2
弹性形变
范性形变 原子不能回到原来位置,易到A
即发生滑移
Ax A
d a
?有问题
最初认为: 滑移是相邻两晶面整体的相对刚性滑移
则可计算:使其滑移的最小切应力: c
第四章 晶体中的缺陷和扩散
原子绝对严格按晶格的周期性排列的晶体不存在
缺陷举例: 如晶体表面、晶粒间界、人为掺杂等
如金刚石
空位
点缺陷 填隙原子 (0维)
杂质原子
刃位错
线缺陷
晶体缺陷的基本类型 (1维)
(按维度或尺寸分类)
螺位错
大角晶界
晶粒间界
面缺陷
小角晶界
(2维) 堆垛间界(层错)
问题1:点缺陷的定义、分类、运动及其对晶体性能影响?
若某一晶面A丢失,则原子面排列: ABCABCBCABC………..
问题7:一定温度下,系统达统计平衡时,
热缺陷(空位.间隙原子)数目?
热力学平衡条件
平衡状态下晶体内的热缺陷数目
系统自由能F U TS 最小
F n T
0
热缺陷的数目
1、肖脱基缺陷(或空位)浓度
《固体物理学》房晓勇主编教材-习题解答参考04第四章 晶体结构中的缺陷
第四章 晶格结构中的缺陷4.1 试证明,由N 个原子组成的晶体,其肖托基缺陷数为sB k T s n Ne μ−=其中s μ是形成一个空位所需要的能量。
证明:设由N 个原子组成的晶体,其肖托基缺陷数为s n ,则其微观状态数为!()!s !s s N P N n n =− 由于s μ个空位的出现,熵的改变[]!ln lnln ()ln()ln ()!!B s B B s s s s s s N S k P k k N N N n N n n n N n n Δ===−−−−− 晶体的自由能变化为 []ln ()ln()ln s s s s B s s s F n T S n k T N N N n N n n n μμ=−Δ=−−−−−s要使晶体的自由能最小B ()ln 0s s s sT n F u k T n N ⎡⎤⎛⎞∂Δ=+=⎜⎟⎢⎥∂−⎣⎦⎝⎠n 整理得s B k T s s n e N n μ−=− 在实际晶体中,由于,s n N <<s s s n n N N n ≈−,得到 sB k T s n Ne μ−=4.2 铜中形成一个肖托基缺陷的能量为1.2eV ,若形成一个间隙原子的能量为4eV ,试分别计算1300K 时肖托基缺陷和间隙原子数目,并对二者进行比较。
已知,铜的熔点是1360K 。
解:(王矜奉4.2.4)根据《固体物理学》4-8式和4-10式,肖托基缺陷和间隙原子数目分别为 s B k T s n Neμ−= 11B k T n Ne μ−= 得19231.21.61051.38101300 2.2510sB k T s n Ne NeN μ−−××−−−××===× 191231.2410161.381013001 3.2110B k T n Ne Ne N μ−−××−−−××===×4.3 设一个钠晶体中空位附近的一个钠原子迁移时,必须越过0.5eV 的势垒,原子振动频率为1012Hz 。
固体物理课件4-1,2
第四章晶体的缺陷晶体缺陷的分类点缺陷线缺陷面缺陷理想晶体理想晶体::结构基元结构基元严格按照空间点阵作周期性严格按照空间点阵作周期性排列排列。
实际晶体实际晶体::晶体中的离子或原子总是或多或少的偏离了严格的晶体周期性偏离了严格的晶体周期性,,即存在着各种各样的结构的不完整性构的不完整性。
缺陷的含义缺陷的含义::通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷畸变称为晶体的结构缺陷。
§4-1 晶体缺陷的基本类型分类方式分类方式::几何形态几何形态::点缺陷点缺陷、、线缺陷线缺陷、、面缺陷面缺陷、、体缺陷等形成原因形成原因::热缺陷热缺陷、、杂质缺陷杂质缺陷、、非化学计量缺陷等一、点缺陷空位 间隙原子 杂质原子 色心基本缺陷形式基本缺陷形式((热缺陷热缺陷))晶格中的填隙原子晶格中的填隙原子、、空位空位、、俘获电子的空位俘获电子的空位、、杂质原子等子等,,称为点缺陷称为点缺陷..这些缺陷约占一个原子的尺寸这些缺陷约占一个原子的尺寸,,引起晶格周期性在一到几个原胞范围内发生紊乱引起晶格周期性在一到几个原胞范围内发生紊乱..点缺陷是对晶体结构的干扰仅限于几个原子间距范围内的晶体缺陷的晶体缺陷,,缺陷尺寸处于原子大小的数量级上缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,,即三维方向上缺陷的尺寸都很小维方向上缺陷的尺寸都很小。
空位和间隙原子是晶体中最小也是最基本的缺陷形式的缺陷形式。
热作用下热作用下,,完整晶体中会自发出现空位和间隙原子完整晶体中会自发出现空位和间隙原子,,这种本体性的结构缺陷称为本征结构缺陷。
杂质原子:根据出现位置不同分为替位杂质和填隙杂质。
杂质原子改变了晶体的化学成分杂质原子改变了晶体的化学成分,,称为化学点缺陷。
色心色心::是一种非化学计量比引起的空位缺陷是一种非化学计量比引起的空位缺陷,,该空位能够吸收可见光使原来透明的晶体出现颜色够吸收可见光使原来透明的晶体出现颜色,,故称它们为色心点缺陷与材料的电学性质点缺陷与材料的电学性质、、光学性质光学性质、、材料的高温动力学过程等有关学过程等有关。
固体物理第四章 晶体的缺陷与缺陷运动
若晶体中的空位与填隙原子的数目相等,这样的热缺 陷称为弗仑克尔(Frenkel)缺陷。(P148图4-7) 弗仑克尔缺陷——空位和填隙原子可以成对地产生的点缺陷。 特点:1)空位和填隙原子数目相等。 2)一定温度下,缺陷的产生和复合
过程达到平衡。
若脱离格点的原子变成填隙原子,经过扩散跑到晶体表 面占据正常格点位置,则在晶体内只留下空位,而没有填 隙原子,仅由这种空位构成的缺陷称之为 肖特基(Schottky) 缺陷。(P149图4-2) 肖特基缺陷——晶体内只有空位。
第四章
晶体的缺陷与缺陷运动
晶体的主要特征是其中原子(或分子)的规则排列, 但实际晶体中的原子排列会由于各种原因或多或少地偏离 严格的周期性, 于是就形成了晶体的缺陷。
缺陷——偏离了晶体周期性排列的局部区域。
晶体中缺陷的种类很多,它影响着晶体的力学、 热学、 电学、光学等各方面的性质。本章主要介绍晶体中的三类缺 陷(点缺陷、线缺陷及面缺陷)的物理特征及其运动形式。
1)刃型位错
在晶体的上半部分有半个多余的晶面,它像用刀劈
柴那样,挤入一组平行晶面之间,而位错线正好处于所插
入晶面的刀刃上。(断处的边沿就是刃型位错 )
过 b 点垂直于纸面的这条线 向右滑移了一个原子间距,位 错线过D点垂直纸面向里。
位错线垂直于滑移的方向的位错, 称为刃位错。
2)螺旋位错 位错线平行于滑移的方向的位错,称为螺旋位错。
的排列。
2)堆积缺陷——层错
层错是由于晶面堆积顺序发生错乱而引入的面缺陷,
又称堆垛层错。
以立方密积结构(面心立方)为例 在[111]方向上各晶面按照ABCABC...的顺序排列:
如果排列顺序发生错乱,便产生层错。例如在外延生长过 程中,晶体沿着[111]方向生长时,原子层排列顺序在某一区 域出现反常的情况,如少了一层B,而变成按ACABCABC... 的顺序排列(图一 );
固体材料的晶体缺陷
33
● 因此,若使材料具有某些预期的性能,比如强度、
电导率等,有时需要人为制造一些有益的“缺陷”, 即通过合金化、掺杂、扩散、表面处理等工艺,设计、 控制一定数量的“缺陷”,达到改善材料性能的目的。 当然,如果晶体中缺陷数量过多,对材料性能会 产生相反的效果。比如,材料中存在一些超标的空洞、 微裂纹等缺陷,其强度和韧度就会急剧下降,在低应 力下发生脆性断裂。
2018年9月
复旦大学材料科学系 9
图4-3 自由能随点缺陷数量的变化
2018年9月
复旦大学材料科学系 10
2. 间隙原子(interstitial atom)
位于晶体晶格间隙处的原子叫间隙原子,如图4-2c 所示。它是由原子的热运动引起的。 间隙原子一般是非金属元素的原子,半径小于 0.1nm, 如H(0.046nm)、O(0.061nm)、N(0.071nm), C(0.077nm)、B(0.097nm)等。这些较小的原子易进入 晶体的四面体间歇或八面体间歇位置,形成间隙缺陷。 正如所知,即使是面心立方晶体,最大的致密度是 74%, 间隙空间占26%。因此,在金属和半导体中,一 些杂质元素被有意掺杂到晶体间隙中,以达到改善材料 的力学、物理等性能。 当然,间隙原子和置换原子的存在 , 使晶体晶格邻 近原子偏离了平衡位置,产生局部畸变,如图4-2d所示。
陷称为弗兰克尔缺陷, 如图4-2b所示。
● 空位和间隙原子均是由原子的热振动产生的。
2018年9月
复旦大学材料科学系 7
图4-2 点缺陷的类型
2018年9月
复旦大学材料科学系 8
晶体中的原子在平衡位置中心不停地运动,如某 一瞬间获得较大的动能,比如超过其激活能,则脱离 平衡位置逸出,在原有位置留下原子空缺。如果周围 有空位,原子跳入该空位,于是空位在晶体内部扩散 移动。温度升高,原子获得的动能就越大,空位浓度 就增加。 点缺陷是由热振动引起的。图4-3显示了一定温 度下自由能与点缺陷数量的相互关系,可以看出点缺 陷是一种热力学的平衡缺陷。 在熔体凝固过程中,高温、塑性变形、辐照加工 等都会在晶体中产生空位缺陷。而且,适量的空位对 材料成型是有益的。如果没有适量的空位,材料难于 成型加工或难于进行改性。
固体物理第四章_晶体的缺陷
A
未滑动的晶面
EC
F
B
滑动前的晶格
D
刃位错的晶格
刃位错: F原子链。 EF是晶体的挤压区与未挤压区的分界线:
F以下原子间距变大,原子间有较强吸引力;
F的左右晶格被挤压,原子间的排斥力增大。
16
例:实际晶体的小角倾斜 晶体由倾斜角很小的两部分晶体结合而成。为了使 结合部的原子尽可能地规则排列,就得每隔一定距 离多生长出一层原子面,这些多生长出来的半截原 子面的顶端原子链就是刃错位。
添加Fe、Co、Mn等“硬性”添加物后,这些 原子占据Zr或Ti的格点,显著提高该铁电材料的 机械品质因数。
9
4、色心 能吸收光的点缺陷
完善的卤化碱晶体是无色透明的。众多的 色心缺陷能使晶体呈现一定的颜色。
例如:F心,把卤化碱晶体在相应的碱金 属蒸气中加热,然后骤冷到室温,则原来透明 的晶体就出现了颜色。
实验临界切应力比理 论值小的根源
30
2、螺位错的滑移 螺位错的滑移与刃位错的滑移相类似,只是螺位的 滑移方向与晶体所受切应力的方向相垂直。
BC原子 受到向 下的拉 力
螺位 错线 滑移
BC列原子受到右边原子的下拉力,BC原子有向下 位移的趋势,BC原子下移一定的距离; 使BC 变为螺错位。
31
二、螺位错与晶体生长
4
§4.1 晶体缺陷的基本类型
本章主要讨论单晶的缺陷:多晶体是由许多小晶粒 构成,每个晶粒可看成是小单晶。晶粒间界不仅原 子排列混乱,而且是杂质聚集的地方。因此晶粒间 界是一种性质复杂的晶体缺陷。
一、点缺陷
晶体中的填隙原子、空位、俘获电子的空位、杂质 原子等。这些缺陷约占一个原子尺寸,引起晶格周 期性在一到几个原胞范围内发生紊乱。
固体物理4章_晶体缺陷-2009
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一、点缺陷的类型和形成能 (一)点缺陷的类型
• 空位——在晶格结点位置应有 原子的地方空缺,这种缺陷称 为“空位”。 • 间隙原子——在晶格非结点位 置,往往是晶格的间隙,出现 了多余的原子。它们可能是同 类原子,也可能是异类原子。 • 异类原子——在一种类型的原 子组成的晶格中,不同种类的 原子替换原有的原子占有其应 有的位置。
NaCl晶体在Na蒸汽中加热后呈黄色;KCl晶体在K蒸汽中加热后呈紫 色;LiF在Li蒸汽中加热后呈粉红色。
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F心的着色原理:在于加热过程中过量的碱金属原子进入晶体占据碱
金属格点位置。晶体为保持电中性,会产生相应数目的负离子空位。同时 ,处于格点的碱金属原子被电离,失去的电子被带正电的负离子空位所束 缚,从而在空位附近形成F心,如图4-3,F心可以看成是束缚在负离子空 位处的一种“电子陷阱”。
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(2)受主杂质和受主能级EA——空穴型半导体
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杂质的补偿——施主和受主在导电性能上的抵消
注:施主杂质若与受主杂质浓度相当——不能提供载流子 ——杂质的高度补偿——材料电学性能差,不能使用
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四、点缺陷对材料性能的影响
V心: 与F心相对的色心,又称空穴色心。是离子晶体的负电中心束缚
一个带正电的“空穴”所组成的点缺陷。
形成过程: 当碱卤晶体在过量的卤素蒸汽中加热后,由于大量的卤素
进入晶体,为保持电中性,在晶体中出现了正离子空位,形成负电中心。 这种负电中心可以束缚一个带正电的“空穴”所组成的体系称为V心。 V心和F心在结构上是碱卤晶体中两种最简单的缺陷。在有色心存在的晶 体中,A、B两种元素的比例已偏离严格的化学计量比。所以色心也是一 种非化学计量引起的缺陷。
固体物理学基础晶体缺陷与缺陷态
固体物理学基础晶体缺陷与缺陷态晶体是由原子、离子或分子的周期性排列构成的具有规则几何形状的固体物质。
在晶体中存在着各种各样的缺陷,这些缺陷对于晶体的性质和行为具有重要影响。
在本文中,我们将探讨晶体的缺陷以及与之相关的缺陷态。
一、晶体缺陷的分类晶体缺陷可以分为点缺陷、面缺陷和体缺陷三类。
其中,点缺陷是指晶体中出现的原子、离子或分子的局部位置异常,包括空位、间隙原子、替位原子和杂质原子等。
面缺陷是指晶体中的原子、离子或分子的排列在某一平面上出现了异常,比如晶体表面的步缺陷和堆垛层错。
体缺陷是指晶体中的原子、离子或分子排列出现了三维范围的异常,比如晶体内部的位错和晶界等。
二、晶体缺陷的形成机制晶体缺陷的形成可以通过多种机制实现。
在晶体的生长过程中,由于原子、离子或分子的扩散、沉积等过程中的非均匀性,会导致晶格的畸变,从而形成晶体缺陷。
此外,一些外界因素,如温度、压力和辐射,也可以引起晶体缺陷的形成。
例如,高温下的热震,会导致晶格的重排和变形,从而形成位错等缺陷。
三、晶体缺陷的性质和影响晶体缺陷对于晶体的性质和行为具有重要影响。
首先,晶体缺陷可以影响晶体的机械性质。
例如,在金属晶体中,位错是导致材料塑性变形的主要因素之一。
其次,晶体缺陷还可以影响晶体的导电性能。
在半导体中,掺杂杂质原子引入的缺陷会改变材料的导电行为。
此外,晶体缺陷还可以影响晶体的光学性质和热学性质等。
四、晶体缺陷态的产生与应用晶体中的缺陷可以形成一些电子态或离子态,称为缺陷态。
缺陷态对于晶体的物理和化学性质起着重要作用。
例如,在半导体材料中,空穴和电子缺陷态会影响材料的载流子浓度和导电性质。
此外,缺陷态还可以用于一些应用。
例如,在光学材料中引入掺杂原子产生的缺陷态可以改变材料的吸收和发射光谱特性,从而实现荧光材料或激光材料的设计与制备。
结论晶体缺陷是晶体物理学中一个重要的研究方向。
缺陷的形成机制、性质以及与之相关的缺陷态都对晶体的性质和行为产生着深远的影响。
第四章 固体物理-晶体缺陷
点缺陷
• Frenkel 缺陷 、Schottky缺陷、填隙原子缺陷 成对出现 只有空位 只有填隙原子
线缺陷
刃位错:刃位错的构成象似一把刀劈柴似的,把半个原子面夹到完整晶体中,这半 个面似刀刃,因而得名。它的特点是:原子只在刃部的一排原子是错排的,位错线 垂直于滑移方向。
F H A’
b
刃位错
A
B
有N个原子的体系,如果有n1个空位,每个原子旁有 空位的几率为n1/N,因此因空位引起的单位时间内的 原子迁移几率为(扩散率):q = n1q’/N。将(4.6) 和(4.4)代入有:
q n 01e
(u1 E1 ) / kT
( 4.15 )
将(4.15)代入(4.9)有:
1 2 (u1 E1 ) / kT D1 n 01e 6 即 D1 D01e Q1 / kT
( 4.16 ) ( 4.17 )
1 2 D01 n 01, Q1 N ( ), A u1 E1 6 N A为阿弗加德罗常数,和 ( 4.6 )所示经验公式符合
二、填隙原子机制
当原子由正常位置进入间隙位置之后,可以比较容易在 两个间隙中发生移动,从而产生扩散。
从正常位置跳入间隙位置的所需能量为u2,跳入几率为:
B’
E
螺位错:当晶体中存在螺位错时,原来的一组晶面就象变成似单个晶面组成的螺旋阶梯 。它的特点是:原子只在靠近阶梯的部分排错一列原子,位错线和位移方向平行。
A’
螺位错
A B
A’
b
A’
B
A
C
面位错 晶界和堆垛层错
§4.2 热缺陷数目的统计方法
热缺陷是处在不断产生、不断运动和不断复合的热运动 平衡过程中。
材料基础-第四章固体材料的缺陷
1.晶体外表面 (outer surface of crystal) 位于表面上的原子与 晶体内部的原子相比,其 配位数较少,使表面原子 偏离正常位置(图4-13), 在 表面层产生了晶格畸变, 导致其能量升高。将这种 单位表面面积升高的能量 称为比表面能,简称表面 能,用单位长度上的表面 图4-13 表面原子排列 张力(N/m)表示。
那么原来的柏氏回路中包含的缺陷是点缺陷。 如果不能成为封闭的回路,则回路中包含的 缺陷是位错。这时,为使回路封闭,还需增加一 个向量b。图4-8所示的为刃型位错示意图。
图4-8 刃型位错的柏格斯回路和柏格斯矢量
用同样的方法作封闭回路,可以得到图49所示的螺型位错柏格斯矢量回路示意图。
a.实际晶体的柏氏回路; b.理想晶体的柏氏回路 图4-9 螺型位错的柏格斯回路
图4-7为螺型位错示意图
3.柏格斯回路 (Burgers circuit) 为描述晶体中位错移动的方向(晶向)和原 子畸变的大小,1939年柏格斯(J. M. Burgers)采 用柏氏回路来定义位错,借助一个规定的矢量, 即柏氏矢量来揭示位错的本质。 柏格斯回路是在有缺陷的晶体中,围绕缺陷 区将原子逐个连接而成的右旋封闭回路,简称 柏氏回路,用柏氏矢量b 连接,确保整个回路的 起点和终点的重合。 另外,为判断回路中包含的缺陷是点缺陷还 是位错,只需无缺陷的完整晶体中按同样的顺 序将原子逐个连接,如能得到一个封闭回路,
图4-5 刃型位错的产生
需要强调的是,当两个原子面之间滑移或 塑性变形时,并不是原子面间发生整体刚性位 移,而是通过位错线的逐步移动来实现,如图 4-6所示。 更应记住,刃型位错线始终是与滑移方向 相垂直的。
图4-6 位错的运动过程
例4-1 在图示的FCC金属的(1 1 1)滑移面 上标出滑动方向的晶向指数。
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t 0,x 0,C(x) C0 t 0,x 0,C(x) 0 当t 0时, 扩散到晶体内的原子数 为C0即
0
C ( x)dx C0
在这种边界条件下,(4.11)的解为:
C0 x 2 / 4 Dt C(x,t) e Dt
D D0e
( 4.12 )
用该式通过测量C(x)可以求得D。有:
1 2 (u 2 E2) / kT D2 n 01e 6 即 D2 D02 e Q2 / RT
( 4.21 ) ( 4.22 )
1 2 D02 n 02, Q2 N ( ), A u 2 E2 6 N A为阿弗加德罗常数,和 ( 4.6 )所示经验公式符合
2)金属与合金中的相变过程和热处理;
3)氧化过程; 4)合金和陶瓷的烧结过程。 由此可见,对扩散规律和行为机构的研究具有十分重要的 意义。在讨论扩散微观机构前首先介绍以下有关扩散的定 律。
c J D x (一维)
1.扩散第一定律:
J DC (三维)
这个方程的建立说明如下:
设有A,B两种原子组成固溶体,并且假定晶体是各向同性 的,一个原子在单位时间内离开平衡位置过渡到邻近位置 的几率为q。因为原子可从前后左右上下六个方向迁移, 因此,沿某一固定方向迁移的几率为q / 6。设在相邻的原 子面I,II上分别有B原子N1和N2个。 在两原子间作一小平 面元ds,则单位时间原子通过面元ds由左向右的迁移数: I II 1 q ( N N )dsdt
三、杂质原子的扩散
E
E
杂质可以占据空位或间隙位置,因此,分析如上, 不同的是势垒是E,扩散系数变为:
D n 0e
1 6 2
E为杂质越过的势垒高度。
E / kT
其实,在晶体中产生的扩散方式可以 是空位和间隙原子的复合共存方式, 因此,它们共同形成扩散过程。
§4.5 位错的滑移和塑性形变
伯格斯矢量b,位错矢量为b的整数倍称为全位 错,位错矢量为b的分数倍称为不全位错。 b
F H
刃位错
A
A’
B
B’
E
b 位错线
b
A’
螺位错 b 位错线
A B
A’
A’
B A
C
一、宏观晶体的变形
1、弹性:变形和可 恢复性
2、塑性:变形的不 可恢复性和永久性 3、塑性形变后产生 力学性能的增加。 4、断裂:结构的破 坏。
弹 性 = Δl/l 塑 性 强 化
断 裂
二、塑性和形变的解释
晶体的塑性形变是由于原子面(晶面)滑动造成的,晶 体的塑性形变就是晶体晶面的滑移。 晶体的滑移常常是在晶体中的某些晶面和这些晶面上一 定晶向上进行的,这些晶面称为滑移面,这些滑移方向 成为滑移方向。一组滑移面和一个滑移方向的组合称为 一个滑移系。滑移系越多的晶体,就越容易塑性变形, 因此有较好的塑性。
点缺陷
• Frenkel 缺陷 、Schottky缺陷、填隙原子缺陷 成对出现 只有空位 只有填隙原子
线缺陷
刃位错:刃位错的构成象似一把刀劈柴似的,把半个原子面夹到完整晶体中,这半 个面似刀刃,因而得名。它的特点是:原子只在刃部的一排原子是错排的,位错线 垂直于滑移方向。
F H A’
b
刃位错
A
B
1 6 2
因此
C J D X 2 1 其中D 6 q
由此可得,单位时间内通过单位面积的摩尔数为:
( 4.8 ) 称为扩散系数( 4.9 )
(4.8)式称为扩散第一定律。在实际应用中,该式还不便 应用,我们下面将推导更便于应用的扩散第三定律。
2.扩散第二定律:
C C C (D )(一维) (DC)(三维) t x x t II
E1
原子通过热振动跳到空位位置,在原来位置上产生空 位,原子通过和空位的相互交换,容易地实现了扩散 过程。 如果势垒的高度为E1,原子处于势垒顶端的几率为 E1 / kT ,因此,原子通过振动(频率为n01处于势垒 e 顶端并跳过势垒的几率为:
q n 01e
E1 / kT
( 4.14 )
I 在dt时间内透过I,II面的摩尔数为: dM1
C C dM dM1 dM 2 ( (D ) x dx x dsdt D x ) x C (D )dxdsdt x x
C dM1 (D )x dsdt x C dM 2 (D )x dx dsdt x
( 4.16 ) ( 4.17 )
1 2 D01 n 01, Q1 N ( ), A u1 E1 6 N A为阿弗加德罗常数,和 ( 4.6 )所示经验公式符合
二、填隙原子机制
当原子由正常位置进入间隙位置之后,可以比较容易在 两个间隙中发生移动,从而产生扩散。
从正常位置跳入间隙位置的所需能量为u2,跳入几率为:
N! N ! W W W ( N n)!( N n)!(n!) 2
由于缺陷引起的熵增加为: 体系自由能改变为:
(4.3)
S k ln W
F nu Ts nu kT ln W
F 0 n
(4.4)
u为形成一个缺陷的所需能量,在平衡时,缺陷数n对自 由能的微商应该为零(即自由能取得极小): 将(4.3)(4.4)代入,并利用斯特 林公式lnN!=NlnN-N 有:
有N个原子的体系,如果有n1个空位,每个原子旁有 空位的几率为n1/N,因此因空位引起的单位时间内的 原子迁移几率为(扩散率):q = n1q’/N。将(4.6) 和(4.4)代入有:
q n 01e
(u1 E1 ) / kT
( 4.15 )
将(4.15)代入(4.9)有:
1 2 (u1 E1 ) / kT D1 n 01e 6 即 D1 D01e Q1 / kT
1、弗伦克尔缺陷数值统计
从N个原子的体系中取出n个原子形成n个空位的可能性为:
N! W (N n)!n! N ! W (N n)!n!
( 4.1)
n个原子排列在N’个晶体间隙上的可能方式为:
( 4.2)
同时形成n个空隙和n个填隙原子(即n个弗伦克尔缺陷) 的可能性为:
B’
E
螺位错:当晶体中存在螺位错时,原来的一组晶面就象变成似单个晶面组成的螺旋阶梯 。它的特点是:原子只在靠近阶梯的部分排错一列原子,位错线和位移方向平行。
A’
螺位错
A B
A’
b
A’
B
A
C
面位错 晶界和堆垛层错
§4.2 热缺陷数目的统计方法
热缺陷是处在不断产生、不断运动和不断复合的热运动 平衡过程中。
第四章 晶体缺陷及其运动
固 体 物 理
§4.1晶体缺陷分类
晶体缺陷可 以简单划分 为:
1、按点缺陷的形态不同可分为: 填隙原子、空位和杂质原子缺陷。
2、按缺陷的成因可分为以下四类 :热缺陷、替位杂质原子、色心、 极化子
*点缺陷 *线缺陷 *面缺陷 *体缺陷
1、刃位错
1、晶界 1、空洞
2、螺位错
2、堆垛层错 2、孔隙
(4.6)
式中u1是产生一个空位的能量。
3、填隙原子缺陷数值统计
根据(4.2)式用同样的推导有:
n2 Ne
-u 2 / kT
(4.7)
式中u2是产生一个空位的能量。
§4.3 晶体中的扩散定律
晶体中原子的迁移过程称为扩散。一种原子在其本身的晶 体中发生的迁移过程称为自扩散;两种不同的原子在对方 的晶体中发生的迁移过程称为互扩散。 固体物理中有许多问题都与晶体中的扩散有关,如: 1)离子晶体的导电性;
6 1 2
1 6
dN
N1qdsdt
或净迁移摩尔数: dN 1 N1 N2 dM 6 q ( N0 N0 )dsdt N0
N1
1 6
N2
N 2 qdsdt
其中N0为阿伏加德里常数,上式化为:
dM q (C1 C2 )dsdt
1 6
因为很小,所以,
C (C2 C1 ) x C dM q dsdt x
q1 e
u2 / kT
( 4.18 )
原子通过振动从一个位置移动到另一个间隙位 置的几率为:
q2 n 02e
u2 / kT
( 4.19 )
E2
因此,处于正常位置的原子跳入间隙并通过间隙移 动迁移并产生扩散的几率为:
q q1 q2 n 02e
(u2 E2 ) / kT
( 4.20 )
三、晶体滑移中线缺陷的作用
晶体开始滑移的切应力称为临界应力,如果认为滑移是切断所 有原子键然后再移动,那么,计算所得的切应力比实际切应力 要高出1000-10000倍,问题出在什么地方。
实际晶体有线缺陷,因此只要切断一行原子的原子链,晶体就 可以滑移,计算的应力和实际相符,因此可见,线缺陷的存在 大大影响了晶体的塑性。
n e u / kT ( N n)(N n) n 2 ( N n)(N n)e u / kT
u / 2 kT n NN e
2
即 n N , N (4.5)
2、肖脱基缺陷数值统计
根据(4.1)式用同样的推导有:
n1 Ne
-u1 / kT
dM2
x
dx
浓度净增量
dM C dC (D )dt dxds x x C C 即 (D ) ( 4.10 ) t x x
用该式可以解出扩散元素B的浓度分布函数C=f(x,t)
2 C C 如果D与x无关,还可写成: D 2 t x
( 4.11 )