电子光学中四极场分布的半解析法计算

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dft计算方法

dft计算方法

dft计算方法DFT计算方法。

密度泛函理论(DFT)是一种用于计算原子、分子和凝聚态系统的基态性质的量子化学方法。

它是一种非常强大和灵活的方法,可以用于模拟和预测材料的结构、能量、振动频率、光谱性质等。

DFT方法的发展使得研究者们能够更准确地理解和预测物质的性质,对材料科学、化学和生物学等领域都具有重要意义。

DFT方法的基本思想是通过求解系统的电子密度来得到系统的基态性质。

在DFT中,电子的运动是通过其在外部势场中的行为来描述的,而这个外部势场则是由原子核和其他电子的作用而产生的。

通过最小化系统的总能量,可以得到系统的基态电子密度和其他性质。

DFT方法的核心是交换-相关能量的近似表示。

在实际计算中,通常采用一些近似的交换-相关泛函来表示交换-相关能量,比如局域密度近似(LDA)、广义梯度近似(GGA)和杂化泛函等。

这些泛函的选择对计算结果有很大的影响,因此在实际应用中需要根据具体的系统和性质选择合适的泛函。

DFT方法的计算步骤一般包括以下几个方面,首先,需要选择合适的基组和泛函来描述系统的电子结构;然后,通过求解Kohn-Sham方程来得到系统的基态电子密度和能量;接着,可以利用得到的电子密度来计算系统的其他性质,比如振动频率、光谱等;最后,可以通过优化结构或者进行分子动力学模拟来研究系统的稳定性和动力学性质。

在实际应用中,DFT方法已经被广泛应用于材料科学、化学、生物学等领域。

它可以用来预测材料的结构稳定性、催化活性、光电性能等,对材料设计和发现具有重要意义。

同时,随着计算机硬件和软件的不断发展,DFT方法的计算效率也得到了很大的提高,使得可以对更大、更复杂的系统进行模拟和研究。

总之,DFT方法是一种非常强大和灵活的量子化学方法,可以用来计算和预测系统的基态性质和其他性质。

它已经成为材料科学、化学和生物学研究中的重要工具,对于理解和设计新材料具有重要意义。

随着计算机技术的不断发展,DFT方法将会变得更加强大和普遍,为我们理解和改变世界提供更多的可能性。

解析法求像&放大率&节点

解析法求像&放大率&节点

镜片的顶镜度: 此即为顶焦距的倒数,其单位与焦度的 单位相同,都是屈光度(D)。
例1: 一个焦距f’=80mm的薄透镜当物体位于其何处时,正好能 在1)透镜之前250mm处 ;2)透镜之后250mm处成像? 解: 已知 l1’=-250mm, l2’=250mm 1 l’ 1 l = 1 f’
代入高斯公式:
B
y
H A F H' F' A'
-y'
-f f'
-x
x'
B'
1、牛顿公式
由相似△ABF 与△HRF; △A' B' F'与△H' Q' F' 可得
-y' = y
-f

-y' = y
x' f'
-x
1、牛顿公式
比较上述两式,即得
xx' ff '
横向放大率:
y' f x' y x f'
2、高斯公式
此公式中的物距 l 和像距 l' 分别以 物方主点H 和像方主点H' 为原点到相 应的物点和像点的位置,其与光线传播 方向相同者为正。
B
y
H A F H' F' A'
-y'
-f f'
-x -l
x' l'
B'
高斯公式的推导
由图,可得关系 x = l – f , x' = l' – f ' 代入牛顿公式 (l – f ) (l' – f ' ) = f f ' l f ' + l' f = l l' 两边同除以l l' ,即得 f′ f + =1 l′ l

光电子技术应用基础和应用习题答案

光电子技术应用基础和应用习题答案

第三章复习思考题(13)
4. 简述题 (8)简述光谱线展宽的分类,每类的特点与光谱线线型函数的类型。
第三章复习思考题(14)
4. 简述题 (8)简述光谱线展宽的分类,每类的特点与光谱线线型函数的类型。
4. 简述题
第三章复习思考题(15)
第三章复习思考题(16)
4. 简述题 (10)激光器按激光工作介质来划分可分为几类?各举出一个 典型激光器,并给出其典型波长、转换效率、典型优点。
与简谐振子条件下,复极化率 ~() 的表达式。
第三章 习题(3)
4. 简述题 ① 简述激光的特点。 ② 分析单色辐射场与连续辐射场与粒子体系相互作用情况。 ③ 试推导爱因斯坦关系式。 ④ 为什么二能级系统不能产生激光? ⑤ 以一个三能级原子系统为例,说明激光器的基本组成和产生激光的基本原理。 ⑥ 分析四能级与三能级激光器相比所具有的优点。 ⑦ 分析激光产生的条件。 ⑧ 简述光谱线展宽的分类,每类的特点与光谱线线型函数的类型。 ⑨ 简述光与物质的非共振与共振相互作用过程对介电常数的影响。 ⑩ 激光器按激光工作介质来划分可分为几类?各举出一个典型激光器,并给出 其典型波长、转换效率、典型优点。
7 第七章 光电显示技术(十三、十四、十五讲) 8 第八章 光通信无源器件技术(十六、十七、十八、十九讲) 9 第九章 光盘与光存储技术(二十、二十一、二十二讲) 10 第十章 表面等离子体共振现象与应用的探究(二十三讲) 11 第十一章 连续可调太赫兹超常材料宽带低损超吸收器(二十四讲)
第一章 习题(1)
5. 推导四层平板波导TE模场分布表达式及其本征方程。(设厚衬底层2上生长波导 层1,1上覆缓冲层3,这一结构置于空气层4中,且n1>n2>n3>n4)。

计算电大尺寸目标物理光学散射场的快速算法

计算电大尺寸目标物理光学散射场的快速算法

计算电大尺寸目标物理光学散射场的快速算法
计算电大尺寸目标物理光学散射场的快速算法主要包括以下几个步骤:
1. 输入目标的几何形状和光学参数,包括目标的大小、形状、折射率等。

2. 根据目标的几何形状,将目标划分为若干个小体素,每个小体素代表一个小体积的目标。

3. 对每个小体素,计算其光学散射特性,包括散射截面、散射系数等。

可以使用解析方法、数值方法或者近似方法进行计算。

4. 将每个小体素的散射特性叠加,得到整个目标的散射场。

5. 如果需要计算目标在不同方向上的散射场,可以采用合适的坐标系进行变换,并进行对应的计算。

快速算法的关键在于对目标进行合理的划分,并进行并行计算,以提高计算效率。

常用的快速算法包括多极展开法、加速平面波法、快速多极法等。

这些算法利用目标的几何特性,将大规模计算问题转化为规模较小的子问题,从而提高计算效率。

需要注意的是,快速算法和精确算法之间存在一定的精确度误差。

在实际应用中,可以根据具体需求选择合适的算法,权衡计算效率和精确度的平衡。

电阻率剖面法对称四极装置视电阻率曲线分析

电阻率剖面法对称四极装置视电阻率曲线分析

Aay i o paetrss ii uv 0 C lierSmerclF u- lcrd rasPo ii9M to nlsS fA prn-eitv l Cre f o lna ym ti oreetoeA ry rf1n ehd y a
霍军廷 吴信民 李乃民 黄少华
Hu u t g W u Xi mi i i n Hu n h o u oJ n i n n n L mi a g S a h a Na
( 东华理工大学, 江西 抚州 34 0 ) 4 0 0
(at h a nt t o T c n l yJ n x F zo 4 0 ) E sC i st e f eh oo ,i gi uh u3 00 nI i u g a 4
c r eo ol e rs mmer a o re e to ear y r f i gmeh d wh n s a f u r n lc o ei d r t el a t p a e t e f - u v f l a c i n y t c l u - l cr d ra sp o l t o , e p n o r e t e t d wi e, h s a p r n - s v i f in c e r s e r i
a p a sa o et ec n e f h p e wh n f sii f p e e i l g rt a l o k Ho v r wh n t e s a fc re tee t d s p e r b v e t r e s h m e e t t o h r s a e n wa l c . we e , e p n o r n l c o e h o t vy s r h r h u r r d c st e s t a . i s o d u fs h r , o l e y e u e o ls n 2 5 t h me fr is o p e e c ln a s mme r a o ree t e ar y r f i g meh d sa p r n - sii a i r ti lf u — lc o r sp o l t o ’ p a tr t t c r d a in e e vy c r e i i lrwi i o ed v c ’ , c l x mu a p a sa o e t ec n e fs h r , d o e mi i m p e r te c i e o u v ssmi t d p l e ie S a l a a h o ma i m p e r b v e t ro e ea n n mu a p a s a a h sd f h p n s h r e t r l n es r e n y p e c n e o g t u v y l es mmerc l e er si i f p ee i ls a l o k al c l n mu a p a b v e e a h i t al wh nt t t o h r st n wal c ; a i m p e r a o e t i y h e vy s se h r o mi s h

光电子学复习提纲

光电子学复习提纲

光电⼦学复习提纲考试题型:1、选择题(10%):考核基本概念的理解2、问答题(30%):考核基本概念和原理的掌握3、计算题(50%):考核原理和公式的应⽤4、分析题(10%):光学系统的分析复习内容:1、⾼斯光束的特性、⾼斯光束的聚焦与准直⽅法和特点2、辐射度量和光度量的物理量的概念,理解辐射量与单⾊辐射量的区别,掌握光视效能和光视效率。

理解余弦辐射体(辐射亮度均匀)。

3、激光的特点4、理解什么是相格、光⼦态、光波模式的概念及其意义?1111相格⽅法就是在相空间中,以⼀定的相体积,把相空间分割成很多格⼦,以便计数特定宏观态下的微观状态数的⽅法。

这些格⼦叫相格。

相格是同⼀光⼦态的⼀种说法,等价于同⼀模式,同⼀简并度。

相格的⽅法是⼀种准经典的⽅法。

它是在经典和量⼦中间妥协的⽅法。

相空间是经典的概念。

量⼦⼒学中,由于测不准原理,位置和动量有⼀个不确定度,因此严格说量⼦⼒学⾥没有相空间的概念。

但是当系统的尺度⽐较⼤时,可以⽤准经典的⽅法来处理。

这时就⽤相格的⽅法:根据量⼦⼒学的启发,2n维相空间中每⼀个相格的体积取h^n,即位置动量不确定度的n次⽅。

2222光⼦态光孤⼦⾃⼦有各⾃的状态,有⾃旋的,⾃旋有快有慢,有不⾃旋的,还有不同的⾊,不同的体积.光⼦的这些特征统称为光⼦态或光⼦常态.当光⼦参与律动---波动时它有时会保持⾃态⽽传递动态,有时会⾃态和动态⼀起传递⽽变成另⼀种态---激发态.3333具有⼀定频率、⼀定的偏振状态和传播⽅向的光波称做光波的⼀种模式。

理解简并与简并度的概念,理解光⼦态密度/光波模式数密度下能量密度的计算。

1111原⼦中的电⼦,由其能量确定的同⼀能级状态,可以有两种不同⾃旋量⼦数的状态,该能级状态是两种不同的⾃旋状态的简并态。

222222量⼦⼒学中把能级可能有的微观状态称为该能级的简并度,⽤符号g表⽰。

简并度亦被称为退化度或统计权重理解光⼦数、光⼦能量和功率的关系。

11光功率,是指单位时间内通过某个截⾯的光的能量.即P=E / t⽽⼀个光⼦的能量是E1=h*υ,υ是光的频率若光⼦数是N,则E=N*h*υ那么P=N*h*υ / t---这就是P与N的关系.5、理解玻尔兹曼分布律与费⽶分布111玻尔兹曼分布也叫吉布斯分布,是⼀种覆盖系统各种状态的概率分布、概率测量或者频率分布。

【精品】半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案(比较完全)

【精品】半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案(比较完全)

半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案(比较完全)------------------------------------------作者------------------------------------------日期第一章习题1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为:E c =0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。

试求:为电子惯性质量,nm a ak 314.0,1==π(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1)eVm k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此:取极大值处,所以又因为得价带:取极小值处,所以:在又因为:得:由导带:043222*83)2(1m dk E d mk k C nC=== sN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===⨯=-=-=∆=-== 所以:准动量的定义:2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解:根据:tkhqE f ∆∆== 得qE k t -∆=∆sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯--=∆ππ补充题1分别计算Si (100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图) Si 在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示:(a )(100)晶面 (b )(110)晶面(c )(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka mak E +-= (, 式中a 为 晶格常数,试求214221422142822/1083.7342232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cmatom a a a cm atom a a a cmatom a a ⨯==⨯+⨯+⨯⨯==⨯⨯+⨯+⨯=⨯==⨯+-):():():((1)布里渊区边界; (2)能带宽度;(3)电子在波矢k 状态时的速度;(4)能带底部电子的有效质量*n m ;(5)能带顶部空穴的有效质量*p m解:(1)由0)(=dk k dE 得 an k π=(n=0,±1,±2…) 进一步分析an k π)12(+= ,E (k )有极大值,222)ma k E MAX=( ank π2=时,E (k )有极小值所以布里渊区边界为an k π)12(+=(2)能带宽度为222)()mak E k E MIN MAX =-( (3)电子在波矢k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -==(4)电子的有效质量)2cos 21(cos 222*ka ka mdkEd m n-==能带底部 an k π2=所以m m n 2*= (5)能带顶部 an k π)12(+=, 且**n p m m -=,所以能带顶部空穴的有效质量32*mm p =第二章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?答:(1)理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。

光电子学复习

光电子学复习

光电子学复习相格:描述光子状态所能分辨的最小尺度。

简并:多个光子处于同一量子态的现象。

光子简并度:处于同一量子态的平均光子数目。

热辐射:物体的温度在高于绝对零度时向外界发出辐射(电磁波),这种辐射称为热辐射。

朗伯体:辐射亮度是均匀与方向无关的辐射体。

视见函数:某一波长的光谱光视效能与最大光谱光视效能之比,表示人眼对不同频率光波的敏感程度。

普朗克公式:自发辐射:处于高能级E2的粒子,在停留了一个很短的时间内自发地向低能级E1跃迁,同时辐射出一个能量为hv = E2 - E1的光子。

受激吸收:外来的入射光子,能量hv = E2 - E1,使处于能级E1的粒子跃迁到高能级E2上。

受激辐射:当原子受到外来光子作用时,若光子能量为hv = E2 - E1,则处于高能级E2上的原子在外来光子的诱导下,从高能级E2跃迁到低能级E1,同时辐射出一个与外来光子相同的光子。

均匀加宽:每一个发光粒子所发的光对谱线的任一频率都有贡献。

非均匀加宽:粒子所发的光只对谱线内某些确定的频率有贡献。

碰撞加宽:无规则运动状态的分子由于相互之间的“碰撞”而引起的谱线的加宽。

激发态能级寿命:如果受到外界的刺激,粒子将会从基态跃迁到高能级,从而处在激发态上。

粒子在激发态上停留一段极短的时间后,会向低能级跃迁。

粒子在激发态停留的这一段极短的时间就叫做激发态能级的寿命。

亚稳态能级:能级寿命相对激发态大很多,但不是基态,是能级寿命相对较长的激发态,粒子可以在能级上停留较长时间。

粒子数反转:(内因)介质中必须含有亚稳态能级的合适能级结构,(外因)有激励源。

负温度:当物质的能级粒子数出现反转时,已不是处于热平衡状态,一般不能用玻尔兹曼分布表示。

如果在形式上使用热平衡分布公式,会得到负温度的概念。

激活介质:能够产生粒子数反转的介质叫做激活介质。

增益饱和:增益系数随光强增大而下降的现象称为增益饱和现象。

三能级系统粒子数反转的形成过程:E0为基态能级,E1、E2为激发态能级,其中E1为亚稳态能级。

1.光学分析法导论

1.光学分析法导论

1.光学分析法导论第一章光学分析法导论(An Introduction to Optical Analysis )1.1 电磁辐射的性质电磁辐射(electromagnetic radiation )是一种以极大的速度(在真空中为2.9979×1010cm ·s -1)通过空间,不需要任何物质作为传播媒介的能量。

它包括无线电波、微波、红外光、紫外-可见光以及X 射线和γ射线等形式。

电磁辐射具有波动性和微粒性。

1.1.1 电磁辐射的波动性根据Maxwell 的观点,电磁辐射的波动性可以用电场矢量E 和磁场矢量M 来描述,如图1.1.1所示。

它是最简单的单个频率的平面偏振电磁波。

平面偏振就是它的电场矢量E 在一个平面内振动,而磁场矢量M 在另一个与电场矢量相垂直的平面内振动。

电场和磁场矢量都是正弦波形,并且垂直于波的传播方向。

与物质的电子相互作用的是电磁波的电场,所以磁场矢量可以忽略,仅用电场矢量代表电磁波。

波的传播以及反射、衍射、干涉、折射和散射等现象表现了电磁辐射具有波的性质,可以用以下波参数来描。

图1.1.1 电磁波的电场矢量E 和磁场矢量M1)周期T相邻两个波峰或波谷通过空间某一固定点所需要的时间间隔称为周期,单位为s (秒)。

2)频率ν单位时间内通过传播方向上某一点的波峰或波谷的数目,即单位时间内电磁场振动的次数称为频率,它等于周期的倒数1/T ,单位为1/s (1/秒),称为赫兹,以Hz 表示。

电磁波的频率只取决于辐射源,与通过的介质无关。

3)波长λ相邻两个波峰或波谷的直线距离。

若电磁波传播速度为c ,频率为ν,那么波长λ为:νλ1=c (1.1.1)不同的电磁波谱区可采用不同的波长单位,可以是m ,cm ,μm 或nm ,他们之间的换算关系为1m=102cm=106μm=109nm 。

4)波数每厘米长度内含有波长的数目,即波长的倒数:c νλ==1 (1.1.2)单位为cm -1(厘米-1),将波长换算成波长的关系式为:(cm -1))(10)(14m cm μλλ== (1.1.3) 5)传播速度υ辐射的速度等于频率ν乘以波长λ,即υ=νλ。

电四极矩计算公式

电四极矩计算公式

电四极矩计算公式电四极矩是描述电荷分布的一个重要物理量,在物理学中有着广泛的应用。

对于电四极矩的计算公式,咱们可得好好说道说道。

先来说说电四极矩的概念哈。

想象一下,有一团电荷分布在一个空间里,如果这团电荷分布不是简单的点电荷或者均匀的球体电荷分布,而是有点复杂,这时候电四极矩就能派上用场,帮助我们更好地理解和描述这团电荷的分布情况。

电四极矩的计算公式是这样的:假设在直角坐标系中,有一个电荷分布,它的电四极矩张量 Qij 可以表示为Qij = ∫(3xi xj - r²δij)ρ(x,y,z)dV ,其中 xi 和 xj 是坐标分量,r² = x² + y² + z²,δij 是克罗内克符号(当 i = j 时为 1,否则为 0),ρ(x,y,z) 是电荷密度,dV 是体积元。

这个公式看起来是不是有点复杂?别担心,咱们通过一个例子来好好理解一下。

我曾经在给学生讲解这个知识点的时候,就遇到过一个很有趣的情况。

有个学生特别较真,非要搞清楚这个公式到底是怎么来的。

我就给他举了一个例子,假设咱们有一个不均匀的带电圆盘,电荷密度不是处处相等的。

我们把这个圆盘分成很多小的区域,每个区域的电荷可以近似看作一个点电荷。

然后通过计算每个小区域对电四极矩的贡献,再把它们加起来,就可以逐步推导出这个公式。

咱们再回到这个公式本身哈。

要计算电四极矩,首先得确定电荷密度ρ(x,y,z) ,这可不是一件容易的事儿。

有时候需要通过实验测量,有时候则要根据已知的条件进行合理的假设和推导。

比如说,如果已知一个带电体的几何形状和电荷分布的对称性,就可以利用这些对称性来简化计算。

就像一个正四面体形状的带电体,由于它的对称性,我们可以只考虑其中一个面的电荷分布,然后乘以 4 就能得到整个带电体的电四极矩。

在实际应用中,电四极矩的计算对于研究原子核的结构、分子的极化性质等都非常重要。

比如说在研究原子核的时候,通过测量原子核的电四极矩,我们可以了解原子核内部质子和中子的分布情况,进而推断出原子核的一些性质。

三重四极杆定量原理

三重四极杆定量原理

三重四极杆定量原理
三重四极杆定量原理是指在电磁场中存在一个以偶极子为中心,四极子为外围的三重四极子体系,通过对其进行定量分析,可以得到电磁场的一些特征和性质。

具体而言,三重四极杆定量原理包括以下几个方面:
1. 在电场和磁场中,通过多级多体晶格分析,可以求解出电磁势能、电场强度和磁场强度等的表达式,从而得知电磁场的形态和分布。

2. 通过电荷的分布特征和电势的计算,可以得到三重四极杆中的电势能和电场能量等相关参数,从而揭示了电势能和电场能量的规律和特性。

3. 通过四极矩的计算,可以得到三重四极杆中的四极矩矩阵,从而了解电荷体系在电磁场中的耦合效应,并对其进行优化和设计。

总之,三重四极杆定量原理通过对电荷体系的多级多体晶格分析,得到了电磁场的特征和性质,为电磁场的研究和应用提供了理论依据和计算方法。

原子物理学中电四级模式(eq)

原子物理学中电四级模式(eq)

原子物理学中电四级模式(eq) 下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。

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第一章---光学分析法

第一章---光学分析法
由于a2dp表明与填充物的平均颗粒直径dp的大小和填充的不均匀性有关而与载气性质线速度和组分无关因此使用适当细粒度和颗粒均匀的担体并尽量填充均匀是减少涡流扩散提高柱效的有效途由于试样组分被载气带入色谱柱后是以塞子的形式存在于柱的很小一段空间中在塞子的前后存在着浓差而形成浓度梯度因此使运动着的分子产生纵向扩散
答:根据Woodward-Fieser规则, (1) λmax =217+5+5+30=257(nm)
(2) λmax =217+5+5=227(nm) (3) λmax =217+36+5×3+5=273(nm) (4) λmax =217+36+5×4+30+5=308(nm) 因此(4)的λmax最大,(2)的λmax最小。
R 40.6 1.20 05 4.60 13 0
(2)棱镜和光栅的大小
对于棱镜:R mb dn d
m 1
b

1
dn d
1 1.50104
4.60103
107
3.07(cm)
对于光栅:R ndN
光栅大小:d
R
4.60103
3.83(mm)
nN 11200
1.7 若用500条·mm-1刻线的光栅观察Na的波长为590nm的谱线,当光束 垂直入射和以30°角入射时,最多能观察到几级光谱?
解:根据Lambert-Beer定律: F的e 质3.9量 1500.分 0516数%00.0%2 0.500
A
即是
T
1 2
A
lg
1 T
0 . 610
将溶液稀释一倍后:
0 . 215

文纳四极法

文纳四极法

文纳四极法
【原创实用版】
目录
1.文纳四极法的概述
2.文纳四极法的原理
3.文纳四极法的应用
4.文纳四极法的优缺点
正文
1.文纳四极法的概述
文纳四极法是一种用于测量物体表面粗糙度的方法,由文纳(Vernier)于 19 世纪末提出。

这种方法主要通过测量四个极点(即四个角度为 90 度的点)的间距,来计算表面粗糙度。

文纳四极法具有操作简便、测量精
度较高等优点,因此在实际应用中得到了广泛的推广。

2.文纳四极法的原理
文纳四极法的原理是基于光学测量原理,通过观察物体表面反射的光线,来判断表面粗糙度。

具体操作步骤如下:
(1)在待测物体表面选取四个极点,分别为 A、B、C、D;
(2)通过光学测量仪器,测量出 A、B 两点间的距离;
(3)同理,测量出 B、C 两点间的距离;
(4)再测量出 C、D 两点间的距离;
(5)最后,测量出 D、A 两点间的距离。

根据这四个距离,可以计算出物体表面的粗糙度。

3.文纳四极法的应用
文纳四极法广泛应用于各种表面粗糙度的测量,如金属、塑料、陶瓷等材料。

此外,文纳四极法还可用于检测产品的质量,如汽车零部件、电子产品等。

通过文纳四极法的测量,可以有效地提高产品的质量,确保其在实际应用中具有较高的可靠性。

4.文纳四极法的优缺点
文纳四极法具有操作简便、测量精度较高等优点,适用于各种表面粗糙度的测量。

然而,它也存在一定的局限性,如测量范围较小、对于复杂形状的物体测量精度较低等。

四极杆质谱技术 半导体

四极杆质谱技术 半导体

四极杆质谱技术半导体
四极杆质谱技术(Quadrupole Mass Spectrometry)是一种常见的质谱技术,用于分析和测量气体或溶液中的化合物。

它采用四极杆作为质量选择器,通过调整电压和频率来筛选并分离不同质荷比(m/z)的离子。

四极杆质谱仪由四根电极组成,呈交叉排列。

当施加在电极上的直流电压和交流电压发生变化时,只有特定质荷比的离子能够通过四极杆,达到检测器进行检测。

通过调整电压和频率的参数,可以选择特定的质荷比范围,从而实现对化合物的定性和定量分析。

半导体(Semiconductor)是一种材料,具有介于导体和绝缘体之间的导电特性。

半导体常用于制造电子器件,如晶体管和集成电路。

在质谱仪领域,半导体技术可以用来制造检测器,如硅片和硅探测器,用于检测质谱仪中的离子。

半导体检测器的优点包括高分辨率、高灵敏度和广泛的质量范围。

它们对离子的响应速度快,可在短时间内检测到离子信号。

此外,半导体检测器还具有较低的噪声水平和较小的尺寸,使其在实验室和工业应用中得到广泛应用。

综上所述,四极杆质谱技术是一种常用的质谱分析技术,而半导体技术则在质谱仪中的检测器中发挥重要作用,提供高分辨率和高灵敏度的检测能力。

这些技术的结合使得质谱仪在分析和测量化合物方面具有广泛的应用。

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( 包 括 待求 的矩 形 区域 ) 坐标 见 图 1 b , ()
所示 。
() a
、 3
() b
定 解 问题 中的泛定 方 程是
一 0 , ∈ 1 () 1
Fi . S h m e o r m i e e c ln rc le e t o n g1 c e fp o n nc y i d i a lc r de a d c l u a i n m o e ffe d d s rb i n a c l t d lo i l i t i ut o o
在 电子光 学领 域诸 多 的应用 中 , 磁多极 场起 着关 键 的 作 用 。例 如 , 电子 束 器 件 中 聚焦 , 电 在 电子 显微 镜 中 校正 像 差 等 。而 四极 场 系统 是多极 场 的典 型应 用 , 被广 泛 应用 于 四极 质谱 仪 器 中作 为 偏 转 聚 焦元 件 或 在 加 速 器 中作 为传 输元 件 [ ] 1 。静 电 四极 场 是 由平 行 于 轴 的 4根柱 形 电极 构成 的 , 电极 在 方 向 的长度 要 比 电极 之 间 的间 距 大得 多 。计 算 中 , 口的 边 缘 效 应 可 以 忽 略 , 相 对 的 电极 取 相 同 电位 , X方 向 为 正 , 端 两 在 Y方 向 为
1 模 型 分 析 与 计 算
1 1 凸 圆 柱 电 极 构 成 的 四 极 场 场 分 布 .
图 1 a 所示 为 忽 略边缘 效应 的 凸 圆柱 电极 构 成 四极 场 的 截 面 。其 中 a为 极 面 顶 点 到 中心 场 点 的距 离 , () b 为 圆柱 电极 的直 径 , 两相 对 电极 电位相 同 , 邻 电极 电位 相 反 , 要 计算 的 场域 为矩形 区域 。 相 需 在 应用 半解 法 的计算 中 , 要 用 圆形 等效 源 填充 电极 。圆形 等 效源 能与 电极 的圆形 边界 很 好地 吻合 , 需 求解 表达 式很 简单 , 而且 可以 大大提 高 计算 的效率 和 精度 ; 于填 充 圆形 等效 源 的 电极 , 点 的 位置 也容易 确定 , 对 极 应 为 电极 曲率半 径 的 中心 , 即圆心 。图 1 b 所 示 为用 半 解析 法计 算 凸 圆柱 电极 构成 的 四极 场分 布 的模 型 。使 用 () 4个 圆形 等 效 源 分 别 填 充 4个 电 极 , 形 等 效 圆 源 的半 径 与 电极 半 径 相 等 , 中 r , 2 r , 4 其 l r , 3 r 分别 为 4个 圆形 等 效 源 的 圆形 边 界 , 圆心 处 分
负 。在 静 电 四极 场 的研究 中 , 已发 展 了很 多 计算 方 法 , 如傅 里 叶展 开法[ , 限元 法 , 界 元法 等 。本 文 5有 2 边
应用 半解 析 法[ 对 3 不 同形状 电极 构 成 的 四极 场场 分 布 进行 计 算 。半 解 析 法 兼有 解 析 解 和 数值 解 的特 点 , 8 种 通 解是 由一 系列 本征 函数 构成 , 通解 的待定 系数 由数 值 法确 定 。它涵 盖 的范 围大 大超 过 了多 极 技术 所 能 求 。 解 的范 围 , 且等 效源 的填 充 和极 点 位 置 的确 定很 方便 , 以根 据 不 同 的 电极 形 状 改变 填 充 方 式 , 并 可 以求 得 简 单 的通解 表 达形 式 , 简化 求解 过程 。
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第 2 O卷 第 7期 2O O 8年 7月
强 激 光 与 粒 子 束
HI GH பைடு நூலகம்OW ER LASER A ND PARTI CLE BEA M S
V o . 0, O. 12 N 7
J 1,O 8 u. 2 O
文 章 编 号 : 1 0 —32 2 0 ) 710 —6 0 14 2 (0 8 0 — 2 30
电子 光 学 中 四极 场 分 布 的半 解 析 法计 算
韩 亮 , 赵玉清 , 王炎武 , 杨拉毛草
(.西 安 交 通 大 学 电 子物 理 与器 件 教 育 部 重 点 实 验 室 ,西 安 70 4 ; 2 1 1 0 9 .西 安 电 子科 技 大 学 技 术 物 理学 院 ,西 安 7 0 7 ) 10 1

要 : 采 用 一 种 新 的 半 解 析 法 , 电 子 光 学 中 3种 不 同形 状 电极 产 生 的 四极 场 进 行 分 析 计 算 。半 解 析 对
法 中 极 点 的 确 定 方 法 简 单 有 效 , 以结 合 电 极 的 形 状 填 充 等 效 源 , 且 极 点 位 置 确 定 极 为精 确 。 在 四 极 场 的计 可 并 算 中 , 方 法 具 有 表达 式 简 单 , 解 变 量 少 , 且 计 算 精 度 和效 率 高 的 优 点 。对 凸 圆 柱 电 极 、 凹 圆 柱 电 极 以及 该 求 而 内
别设 置 极 点 0 , 2 0 , 4 称 为 外 极 。此 时 , ’ 一 l0 , 30 ,

,Cm
/ j
/ r 、
/ 、 、

半 解 析 法 的 求 解 域 为 不 包 括 电极 的 所 有 区 域

0 1
i cm 2/ l 3 /

1 - --’ 4t
求解式15可得代入各自级数表达式中便可得所求标量电位函数分别为3031项进行联合求解总未知数个数为61求解的结果如表中的数据对比可以看出半解析法计算的内凹圆柱电极产生的四极场分布在求解61个未知数的情况下边界条件完全满足电位和场强的相对误差基本在103完全满足工程要cmcalculatedpotentialcm1cm1cm1cm1100000000009839099870050010034098720160010038096630257009969091300407810082090040434909104085770514110481095682311223659076780644205630056981207012015055700830504071040200680006875049610868203584035350195401868086860495403380034690089700948000001000003529035290340503427069670717304716045100914909360fig5potentialdistributionofcurvedcylindricalquadrupolefield内凹圆柱电极四极场电位及其等位线分布图fig6electricfieldintensitydistributionofcurvedcylindricalquadrupolefield内凹圆柱电极四极场矢量分布图13平板电极构成的四极场场分布fig7schemeofflatplatequadrupolefieldandcalculationmodeloffielddistribution个电极各个电极的长度均为相对两电极电位相同相邻两电极电位相反
的计 算 更 加 简便 , 同时 也 更 容 易 保证 场 强 的计 算 精 度 , 也 有 利 于 四极 场 的设 计 和 优 化 。 这
关 键 词 : 电子 光 学 ; 四极 场 ; 半 解 析 法 ; 极 点 ; 电位
中 图分 类 号 : 0 6 43 文献标志码 : A
平 板 电极 产 生 的 四 极 场 进 行 了求 解 , 将 计 算 结 果 进 行 了 比较 , 用 半 解 析 法 在 计 算 凸 圆柱 电极 产 生 的 四 极 场 并 应
具 有 更 为 明显 的 优 势 , 度 可 达 0 0 1 。 由 于 半 解 析 法 可 得 出标 量 电 位 函数 的 解 析 级 数 表 达 式 , 此 , 强 精 .0 % 因 场
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