CMOS摄像器件和红外焦平面器

合集下载

红外焦平面成像方法及红外焦平面芯片行业竞争分析及发展规划指导报告

红外焦平面成像方法及红外焦平面芯片行业竞争分析及发展规划指导报告
加强红外焦平面芯片的基础研究,提高自主创 新能力,突破关键技术瓶颈。
技术创新
鼓励企业加大技术研发投入,推动行业的技术 创新和产品升级。
人才培养
加强人才培养和引进,建立完善的人才体系,为行业发展提供人才保障。
行业市场拓展策略
市场定位
01
明确红外焦平面芯片的市场定位,针对不同领域和客户需求,
制定相应的市场拓展策略。
应用领域拓展
随着红外成像技术的不断成熟和成本降低,红外焦平面芯片的应用领域 将进一步拓展,包括智能家居、无人机、智能交通等领域。
03
市场竞争加剧
随着市场规模的扩大和技术进步,红外焦平面芯片行业的竞争将更加激烈。企业需要加大技术研来自和产品创新的投入,以提升竞争力。
03
红外焦平面芯片行业竞 争分析
竞争格局分析
市场份额
根据市场调研数据,美国Flir Systems在全球红外焦平面芯片市场中占据最大的 市场份额,约为30%;法国Thales和美国Raytheon分别占据约20%的市场份额 。
行业发展趋势分析
01 02
技术创新
随着材料科学、微电子技术等领域的发展,红外焦平面芯片的技术水平 不断提高,性能和可靠性得到提升。未来,高灵敏度、高分辨率、快速 响应的红外焦平面芯片将成为主流。
品牌建设
02
加强品牌建设和宣传,提高品牌知名度和美誉度,增强市场竞
争力。
国际合作
03
加强国际合作和交流,引进国际先进技术和管理经验,拓展国
际市场。
05
红外焦平面芯片行业未 来发展展望
技术创新推动行业发展
红外焦平面成像技术不断升级
随着技术的不断进步,红外焦平面成像的分辨率、灵敏度和响应速度将得到显著提升, 推动行业的发展。

数码相机传感器类型介绍

数码相机传感器类型介绍

数码相机传感器类型介绍传感器是数码相机中最核心的部件之一,它承担着将光信号转换为数字信号的重要任务。

相机传感器的类型多种多样,不同的传感器类型在像素、噪点、动态范围等方面都有所不同。

本文将介绍几种常见的数码相机传感器类型。

一、CMOS传感器CMOS传感器即互补金属氧化物半导体传感器,是目前数码相机中最常见的传感器类型。

CMOS传感器具有很高的像素密度,可以实现更高的分辨率。

此外,CMOS传感器具有低功耗、高帧率和良好的性价比等优势。

相比于其他类型的传感器,CMOS传感器对电源的需求更低,延长了相机的续航时间。

二、CCD传感器CCD传感器即电荷耦合器件传感器,是早期数码相机中常见的传感器类型。

CCD传感器通过将光信号转换为电荷信号来进行图像采集,后续再将电荷信号转换为数字信号。

CCD传感器在传感器尺寸较小时,可以获得较低的噪点和较宽的动态范围。

然而,CCD传感器相比于CMOS传感器来说更加昂贵,功耗也更高,限制了其在现代数码相机中的广泛应用。

三、FOVEON传感器FOVEON传感器是Sigma相机上采用的一种特殊传感器,它是基于颜色分隔原理工作的。

FOVEON传感器利用层层叠加的感光元件,每一层元件对应一种颜色的光信号。

这种结构允许FOVEON传感器准确获取图像中的颜色信息,从而提供更具真实感的图像效果。

然而,FOVEON传感器在像素密度和高ISO性能方面相对较低,限制了其在高端相机中的应用。

四、BSI传感器BSI传感器即背照式传感器,是近年来相机中的新兴传感器技术。

与传统的传感器不同,BSI传感器通过将电路面朝上直接与光接触,从而提高了光的接收效率。

BSI传感器在低光条件下具有更好的表现,能够提供更低的噪点和更高的动态范围。

此外,BSI传感器还具有更高的像素密度和更快的数据传输速度,进一步提升了相机的性能。

总结:不同类型的数码相机传感器各具特点,在选择相机时需要根据个人需求和使用场景作出合理的选择。

16红外焦平面器件

16红外焦平面器件

四、红外焦平面器件红外焦平面器件(IRFPA)就是将CCD、CMOS技术引入红外波段所形成的新一代红外探测器,是现代红外成像系统的关键器件。

IRFPA建立在材料、探测器阵列、微电子、互连、封装等多项技术基础之上。

1.IRFPA的工作条件IRFPA通常工作于1〜3p m、3〜5p m和8〜12p m的红外波段并多数探测300K背景中的目标。

典型的红外成像条件是在300K背景中探测温度变化为0.1K的目标。

用普朗克定律计算的各个红外波段300K背景的光谱辐射光子密度:随波长的变长,背景辐射的光子密度增加。

通常光子密度高于1013/cm2s的背景称为高背景条件,因此3〜5p m或8〜12p m波段的室温背景为高背景条件。

上表同时列出了各个波段的辐射对比度,其定义为:背景温度变化1K所引起光子通量变化与整个光子通量的比值。

它随波长增长而减小。

IRFPA工作条件:高背景、低对比度。

2.IRFPA的分类按照结构可分为单片式和混合式按照光学系统扫描方式可分为扫描型和凝视型按照读出电路可分为CCD、MOSFET和CID等类型按照制冷方式可分为制冷型和非制冷型按照响应波段与材料可分为1〜3p m波段(代表材料HgCdTe—碲镉汞)3〜5p m波段(代表材料HgCdTe、InSb—锑化铟和PtSi—硅化铂)8〜12p m波段(代表材料HgCdTe)。

3.IRFPA的结构IRFPA由红外光敏部分和信号处理部分组成。

红外光敏部分——材料的红外光谱响应信号处理部分——有利于电荷的存储与转移目前没有能同时很好地满足二者要求的材料——IRFPA结构多样性(1)单片式IRFPA单片式IRFPA主要有三种类型:非本征硅单片式IRFPA主要缺点是:要求制冷,工作于8〜14p m的器件要制冷到15〜30K,工作于3〜5p m波段的器件要制冷到40〜65K;量子效率低,通常为5%〜30%;由于掺杂浓度的不均匀,使器件的响应度均匀性较差。

安防监控摄像机主要技术参数

安防监控摄像机主要技术参数

安防监控“摄像机”主要技术参数及性能- [1]摄像机的进展速度很快,从摄像管到 CCD 元件,以其构成的 CCD 摄像机具有体积小、重量轻、不受磁场影响、具有抗震惊和撞击等特点,同时清楚度、照度、牢靠性等指标大大提高而被广泛应用。

CCD 是 Charge Coupled Device(电荷耦合器件)的缩写,它是一种半导体成像器件,因而具有灵敏度高、抗强光、畸变小、体积小、寿命长、抗震惊等优点。

被摄物体的图像经过镜头聚焦至CCD 芯片上,CCD 依据光的强弱积存相应比例的电荷,各个像素积存的电荷在视频时序的掌握下,逐点外移,经滤波、放大处理后,形成视频信号输出。

视频信号连接到监视器或电视机的视频输入端便可以看到与原始图像一样的视频图像。

一、CCD 摄像机的分类㈠依据成像颜色划分CCD 摄像机按成像颜色划分为彩色摄像机和黑白摄像机两种。

除色度处理方面不同外,其它原理根本全都。

主要有光学系统、光电转换系统、信号处理系统组成。

其中光电转换系统是摄像机的核心。

自然图像通过光学镜头成像于摄像机的光靶面上,彩色摄像机的光学系统中使用相干分色棱镜或特别条状滤色镜将光信号分成红、绿、蓝三色光信号,光电转换系统通过摄像管或CCD 元件利用电视扫描方法把光图像信号转换成随时间变化的视频电信号,再经放大、处理、编码而成为全电视信号。

㈡依据区分率划分依据区分率划分为 25 万像素左右,对应彩色 330 线/黑白 400 线的低档型;25 万至 38 万像素之间,对应彩色 420 线/黑白 500 线的中档型;38 万像素以上,对应彩色大于或等于 4 60 线黑白 570 线以上的高档型。

㈢依据摄像灵巧敏度划分依据灵敏度可分为最低照度 1 至 3lux 的一般型;0.1lux 左右的月光型;0.01lux 以下的星光型以及原则上可以为 0Lux,承受红外光源成像的红外照明型。

㈣依据 CCD 靶面尺寸划分摄像机摄像器件(CCD)的尺寸分为 1 英寸、1/2 英寸、1/3 英寸、1/4 英寸等。

红外相机工作原理

红外相机工作原理

红外相机工作原理
红外相机工作原理是基于红外辐射的检测和成像技术。

红外辐射是指在电磁波谱中,波长较长于可见光但较短于微波的辐射。

红外相机利用感光元件(通常为红外焦平面阵列)和图像处理系统来探测和记录物体所发射或反射的红外辐射,从而实现物体的热成像和热变化的监测。

红外相机的主要组件包括红外感光器件、镜头、滤光器、信号处理和显示系统等。

红外感光器件是红外相机的核心部件,它能够将接收到的红外辐射转换成电信号。

常见的红外感光器件有热电偶和焦平面阵列。

热电偶利用红外辐射使两种不同金属的接触点产生温差,从而产生电压信号。

焦平面阵列则由许多微小的红外感光器件组成,每个感光器件负责一个像元,能够直接生成像素级的红外图像。

镜头在红外相机中起到聚焦红外辐射的作用,使其能够在感光器件上形成清晰的红外图像。

为了增强红外图像的质量和可用性,通常还会添加滤光器,用于选择性地透过特定波长范围的红外辐射。

信号处理和显示系统负责将感光器件获取的红外图像进行处理和显示。

在图像处理过程中,常见的操作包括噪声去除、图像增强、温度校正等。

处理后的图像可以通过显示系统以图像或视频的形式呈现给用户。

红外相机工作原理实际上是通过检测物体释放的热能来实现成像。

由于不同物体的温度不同,因此它们会发射不同强度和频
率的红外辐射。

红外相机能够将这种辐射转化为电信号,并经过处理后形成清晰的红外图像。

这种技术在军事、安防、医学和工业等领域有着广泛的应用。

CMOS图像传感与红外激光照明

CMOS图像传感与红外激光照明

CMOS图像传感与红外激光照明CMOS图像传感芯片除了可见光对红外非可见光波也有反应,在890~980纳米范围内其灵敏度比CCD图像传感芯片的灵敏度要高出许多,并随波长增加而衰减的梯度也慢一些。

如能设计制造1微米(1000纳米)到2~3微米都敏感的CMOS图像芯片,在夜战和夜间监控上有更广泛的应用。

由于观察与照明是共生的,因此发展波长更宽的红外照明也势所必然了。

能超过100米监控远外的红外光源,目前无一能与红外激光光源相比,而只有远程监控才能达到不惊动被监控对象的目的。

CMOS图像芯片正在飞速发展,到2002年预计200万以上像素的CMOS图像芯片将问世,随着噪音讯号进一步压低,星光级的CMOS摄像机也将面市。

如果波长敏感范围能向2个微米方向扩展,CMOS图像技术全面取代CCD图像技术则为时不远了。

两年后红外光源也会有相应长足发展,带上一副夜视眼镜和一顶配有红外光源和CMOS超微型摄像机的帽子,黑夜将如同白昼。

今后将推出如衬衫钮扣、西装钮扣般大小的CMOS摄像机,这样第三只眼睛将会无处不在。

低功耗、高集成、小体积只有CMOS图像传感器才能办到。

相应的红外光源小型化,以及高效能电池的推出将改变我们整个社会生活的面貌。

传统所用微米夜视仪从0代、1代、2代发展到3代、4代,在微弱的光线下可以看清远处的图像,但它害怕强光的照射,会烧毁光电增强管,为此必须附加防强光照射的关闭快门的传感器,因此价格昂贵,不可能普遍推广。

鉴于微光夜视仪在波长大于890纳米光照时无反应,因此配置用以增加微光夜视仪灵敏度的红外补光光源远看有红暴,易被人发现目标。

从这一层意义上说,我们最近推出的红外激光照明系统有如下几个优点:在波长大于920纳米时,全无红暴;能观察完全黑暗态下(Full dark)的场景和人物,采用星光级的摄像机观察场景,不怕对方用强光照射;比微光夜视仪价格低廉许多,还有用电省,体积小,携带方便等诸多优点。

目前国际上还发展用水银灯作光源盒用“黑”玻璃滤去所有的可见光,再用透镜系统聚焦出一束角度为30°~45°的红外束。

光电成像原理与技术----总复习

光电成像原理与技术----总复习

光电成像技术的实现途径及应用 射线与X射线成像技术 射线成像技术 X射线成像技术
紫外成像技术 真空型紫外成像技术 紫外变像管 固体型紫外成像技术 紫外探测器
微光夜视技术
微光像增强器技术 像增强器、ICCD等 BCCD、EBCCD、EMCCD
近红外成像技术
真空型近红外成像技术 红外变像管 固体型近红外成像技术 CCD、红外探测器
光电转换器件作为光学成像系统图像接收器,构成光电成像系统, 该系统所涉及的理论知识和技术问题。光电转换器件是系统的核心
光电成像技术已深入到人们日常生活、国民经济、国防建设的各 个领域,是人类文明和发展的基本需要。
光电成像原理, P4
光电成像技术的意义和作用
信息获取是信息传输、处理、显示和存储的前 提,是人类认识客观世界的首要步骤。人类感知 世界首先靠自己的感觉器官,眼睛具有对信息并 行处理功能,它所获得的信息占总获得信息量的 80%以上。
固体成像器件
CCD成像器件
➢ 光敏面阵列、电荷耦 合转移电路构成的集 成块
图 3 IPX-VGA210-L型摄像机
帧/场转移面阵CCD摄像器件
光电成像原理, P27
固体成像器件
CMOS成像器件
➢ 光敏面阵列、二维移位寄 存器构成的集成块
1 光敏元阵列
CMOS像敏元阵列结构 1-垂直移位寄存器;2-水平移位寄存器; 3-水平扫描开关;4-垂直扫描开关;5-像 敏元阵列;6-信号线;7-像敏元。
出刚离去的飞机、坦克和人等所留下的热痕轮廓
计算机图像处理软件改善图像质量,且系统大都设置视频输出,便于通 过电视观察、录象和与通用视频计算机接口系统的连接。




cmos 波长范围

cmos 波长范围

cmos 波长范围CMOS波长范围是指互补金属氧化物半导体 (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 设备的工作波长范围。

CMOS是一种集成电路技术,广泛应用于数字逻辑电路和微处理器中。

CMOS器件通常以纳米级别的尺寸制造,因此其工作频率受到波长范围的限制。

下面是一些与CMOS波长范围相关的参考内容:1. CMOS器件的工作波长范围通常在红外区域(700 nm至1000 nm之间)。

这是因为在这个波长范围内,CMOS器件具有较高的灵敏度和响应速度。

2. 许多CMOS摄像头和光传感器的波长范围从可见光到近红外光(400 nm至1000 nm)。

这允许它们在可见光和近红外光照下进行图像捕捉和识别。

3. 由于CMOS器件的制造技术的限制,其工作波长范围不能涵盖远红外光(超过1000 nm)。

对于在远红外光频谱范围内的应用,通常需要使用其他器件和技术,如红外焊接。

4. CMOS器件在不同波长范围内的响应特性具有差异。

例如,在可见光范围内,CMOS器件对波长的响应类似于人眼,可以准确地捕捉并呈现可见光谱中的不同颜色。

而在近红外光范围内,CMOS器件的响应特性主要用于透射图像捕捉和红外辐射检测。

5. CMOS器件的波长范围对于许多应用非常重要。

例如,在生物医学领域,CMOS器件可以用于红外成像,帮助诊断疾病和疟疾。

在安防领域,CMOS摄像头可以用于夜视和人脸识别。

总的来说,CMOS器件的工作波长范围通常在可见光和近红外光之间,其响应特性和应用范围取决于具体的器件设计和制造技术。

虽然CMOS器件在红外区域的响应相对较弱,但它们在可见光谱范围内具有良好的性能,因此在许多应用中仍然得到广泛应用。

光电成像系统

光电成像系统

第5章光电成像系统成像转换过程有四个方面的问题需要研究:能量方面——物体、光学系统和接收器的光度学、辐射度学性质,解决能否探测到目标的问题成像特性——能分辨的光信号在空间和时间方面的细致程度,对多光谱成像还包括它的光谱分辨率噪声方面——决定接收到的信号不稳定的程度或可靠性信息传递速率方面(成像特性、噪声——信息传递问题,决定能被传递的信息量大小)景噪声景噪声声声光电成像器件是光电成像系统的核心。

§1 固体摄像器件固体摄像器件的功能:把入射到传感器光敏面上按空间分布的光强信息(可见光、红外辐射等),转换为按时序串行输出的电信号——视频信号,而视频信号能再现入射的光辐射图像。

固体摄像器件主要有三大类:电荷耦合器件(Charge Coupled Device,即CCD)互补金属氧化物半导体图像传感器(即CMOS)电荷注入器件(Charge Injenction Device,即CID)一、电荷耦合摄像器件电荷耦合器件(CCD)特点)——以电荷作为信号CCD的基本功能——电荷存储和电荷转移CCD工作过程——信号电荷的产生、存储、传输和检测的过程1.电荷耦合器件的基本原理(1)电荷存储构成CCD的基本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)电容器电荷耦合器件必须工作在瞬态和深度耗尽状态(2)电荷转移以三相表面沟道CCD为例表面沟道器件,即SCCD(Surface Channel CCD)——转移沟道在界面的CCD器件体内沟道(或埋沟道CCD)即 BCCD(Bulk or Buried Channel CCD)——用离子注入方法改变转移沟道的结构,从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部,形成体内的转移沟道,避免了表面态的影响,使得该种器件的转移效率高达99.999%以上,工作频率可高达100MHz,且能做成大规模器件(3)电荷检测浮置扩散输出CCD输出信号的特点是:信号电压是在浮置电平基础上的负电压;每个电荷包的输出占有一定的时间长度T。

红外焦平面阵列简介

红外焦平面阵列简介

红外焦平面阵列简介自从赫谢尔利第一次发现了红外辐射以来,人们就开始不断运用各种方法对红外辐射进行检测,并根据红外光的特点而加以应用,相继制成了各种红外探测器。

进入20世纪后,红外探测器技术取得了惊人的进展,特别是冷战时期,军备竞赛各方投入巨资进行研究,突破了诸多难题,使红外探测器技术从30年代单一的PbS器件发展到现在的多个品种,从单元器件发展到目前焦平面信号处理的大型红外焦平面阵列。

红外焦平面阵列技术作为红外探测技术发展的一个里程碑,正在急速地拓展新的应用领域和市场,渗透到工业监测探测、执法、安全、医疗、遥感、设备等商业用领域,改变了其长期以来主要用于军用领域的状况。

红外焦平面阵列是红外系统及热成像器件的关键部件,是置于红外光学系统焦平面上,可使整个视场内景物的每一个像元与一个敏感元相对应的多元平面阵列红外探测器件,在军事领域得到了广泛应用,拥有巨大的市场潜力和应用前景。

目前许多国家,尤其是美国等西方军事发达国家,都花费大量的人力、物力和财力进行此方面的研究与开发,并获得了成功。

下面依次介绍其原工作原理、分类以及读出电路,并简述国内外发展情况以及展望其发展方向。

一、红外焦平面阵列原理焦平面探测器的焦平面上排列着感光元件阵列,从无限远处发射的红外线经过光学系统成像在系统焦平面的这些感光元件上,探测器将接受到光信号转换为电信号并进行积分放大、采样保持,通过输出缓冲和多路传输系统,最终送达监视系统形成图像。

二、红外焦平面阵列分类1、根据制冷方式划分根据制冷方式,红外焦平面阵列可分为制冷型和非制冷型。

制冷型红外焦平面目前主要采用杜瓦瓶快速起动节流致冷器集成体和杜瓦瓶斯特林循环致冷器集成体[5]。

由于背景温度与探测温度之间的对比度将决定探测器的理想分辨率,所以为了提高探测仪的精度就必须大幅度的降低背景温度。

当前制冷型的探测器其探测率达到~1011cmHz12W-1,而非制冷型的探测器为~109cmHz12W-1,相差为两个数量级。

红外线摄像机的工作原理

红外线摄像机的工作原理

红外线摄像机的工作原理在如今的科技发展中,红外线摄像机在安保领域扮演着至关重要的角色。

红外线摄像机利用红外线技术,可以在黑暗环境下拍摄清晰的影像。

本文将详细介绍红外线摄像机的工作原理。

一、红外线的特性与应用红外线是一种电磁波,它的波长比可见光长,无法被人眼所察觉。

然而,红外线在物体表面的反射和辐射会产生热量。

利用这一特性,红外线摄像机能够感知和捕捉红外线辐射,并将其转化为可见的图像。

二、红外线摄像机的构造与组成一个标准的红外线摄像机主要由以下几个组成部分构成:1. 透镜:透镜是摄像机的关键部件之一,它负责收集红外线和可见光,并将其聚焦在感光元件上。

2. 图像传感器:摄像机中的感光元件负责将收集到的红外线和可见光转化为电信号。

3. 红外滤光片:红外滤光片是一种特殊的滤光片,它能够阻挡可见光的进入,只允许红外线通过,从而提高红外线摄像机的感知能力。

4. 红外辐射装置:红外辐射装置负责发射红外线,以便在暗处提供足够的照明。

5. 信号处理模块:信号处理模块对感光元件捕捉到的信号进行处理,以产生最终的图像输出。

三、红外线摄像机的工作原理红外线摄像机的工作原理可以简单分为以下几个步骤:1. 感知红外线:红外线摄像机通过透镜收集红外线和可见光,并将其聚焦在感光元件上。

2. 转化为电信号:感光元件将收集到的红外线和可见光转化为电信号。

3. 过滤可见光:红外滤光片阻挡可见光的进入,只允许红外线通过,以提高红外线摄像机的感知能力。

4. 发射红外线:红外辐射装置发射红外线,以提供足够的照明条件,确保在黑暗环境下能够拍摄清晰的影像。

5. 信号处理和图像输出:信号处理模块对感光元件捕捉到的信号进行处理,将其转化为可见的图像,并通过显示器或其他设备输出。

红外线摄像机的工作原理基于红外线的物理特性和光学技术的应用。

它的出现使得在夜晚或低照度环境下进行监控变得更加可行和高效。

总结:红外线摄像机通过利用红外线的特性和光学技术的应用,能够在黑暗环境下拍摄清晰的影像。

红外焦平面探测器原理-概述说明以及解释

红外焦平面探测器原理-概述说明以及解释

红外焦平面探测器原理-概述说明以及解释1.引言1.1 概述红外焦平面探测器是一种具有广泛应用价值的光电探测器,它能够对红外辐射进行高效、高灵敏度的检测和测量。

红外焦平面探测器的原理是基于材料的红外辐射响应特性以及焦平面阵列的工作原理。

红外焦平面探测器在许多领域中具有重要的应用,包括军事、安防、医疗、航空航天等。

它能够实现夜视、目标探测、温度测量等功能,在战争、反恐、火灾救援等工作中发挥着不可替代的作用。

红外焦平面探测器的工作原理是利用材料与红外辐射的相互作用,将红外辐射转化成电信号。

通过光学系统将红外辐射聚焦到焦平面阵列上,每个像素都能够独立地检测和测量红外辐射信号。

这些信号经过放大和处理后,可以得到目标的红外辐射分布情况和强度。

红外焦平面探测器的核心部件是焦平面阵列,它由众多微小的探测单元组成。

这些探测单元通常采用半导体材料,如硅基或砷化镓等。

它们具有很高的响应度和灵敏度,能够在较低的红外辐射强度下实现可靠的探测和测量。

随着红外焦平面探测技术的不断发展,红外焦平面探测器的性能和应用领域也在不断扩展。

新的材料和工艺的应用使得红外焦平面探测器具有更高的灵敏度、更快的响应速度和更广的波段范围。

未来,红外焦平面探测器有望在军事侦察、航空航天探测、医疗诊断等领域取得更多的突破和应用。

1.2文章结构文章结构部分的内容可以按照以下方式编写:1.2 文章结构本文主要围绕红外焦平面探测器的原理展开论述,共分为以下几个部分:第二部分:红外焦平面探测器的基本原理这一部分将介绍红外焦平面探测器的基本概念及其组成结构。

首先会对红外辐射的特性进行简要描述,为后续理解红外焦平面探测器的工作原理打下基础。

然后,将详细介绍红外焦平面探测器的组成结构,包括光学系统、红外感光器件等部分,以帮助读者了解其工作原理的关键要素。

第三部分:红外焦平面探测器的工作原理这一部分将深入探讨红外焦平面探测器的工作原理。

首先会对红外焦平面探测器的工作过程进行整体概述,包括信号采集、信号处理等环节。

红外焦平面探测器

红外焦平面探测器

红外焦平面探测器介绍红外焦平面探测器(Infrared Focal Plane Array Detector,以下简称IRFPA)是一种用于探测红外辐射的器件,可广泛应用于航天、军事和民用领域。

它能够实时、高效地探测并转换红外辐射能量为电信号,从而实现红外图像的获取和处理。

工作原理IRFPA的工作原理基于红外辐射与物体表面的相互作用。

当红外辐射照射在IRFPA上时,它会导致IRFPA内的感光元件产生电子-空穴对。

感光元件通常由半导体材料制成,如硒化铟(InSb)、硫化镉汞(CdHgTe)等。

这些电子-空穴对随后在感光元件中分离并转换为电信号。

IRFPA的关键组件是焦平面阵列(Focal Plane Array,以下简称FPA),它由大量排列成矩阵的感光元件组成。

每个感光元件都对应于焦平面上的一个像素,因而整个FPA可以同时探测多个红外像素。

这些像素的信号经过放大和处理后,可以生成红外图像。

型号和特性IRFPA的型号和特性各不相同,取决于其应用领域和需求。

以下是一些常见的IRFPA型号和相应的特性:1.分辨率:IRFPA的分辨率指的是其能够探测到的最小单位像素数量。

一般而言,分辨率越高,探测到的红外图像越清晰。

常见的分辨率有320x240、640x480等。

2.帧率:IRFPA的帧率是指其每秒能够获取和处理的红外图像数量。

较高的帧率可以捕捉到快速移动的物体,对于一些动态场景非常重要。

3.波段范围:不同的IRFPA可以探测不同波长范围的红外辐射,如近红外(NIR),短波红外(SWIR),中波红外(MWIR)和长波红外(LWIR)。

选择适当波段范围的IRFPA取决于具体的应用需求。

4.灵敏度:IRFPA的灵敏度是指其能够探测到的最小红外辐射强度。

较高的灵敏度意味着IRFPA可以探测到较微弱的红外辐射,对于一些低信噪比场景非常重要。

应用领域IRFPA在多个领域具有广泛的应用。

以下是一些常见的应用领域:1.热成像:IRFPA可以通过探测物体表面的红外辐射,用于热成像和温度分布检测。

红外成像芯片

红外成像芯片

红外成像芯片红外成像芯片是一种将红外辐射能量转换为可见光信号的器件,主要用于热成像、夜视和辐射测量等领域。

红外成像技术广泛应用于军事、安防、医疗、工业等领域,具有重要的应用价值。

红外成像芯片是红外成像技术的核心之一,它可以将红外辐射能量转换成电信号,进而通过图像处理技术将其转换成可见的热图。

红外成像芯片主要包括红外图像传感器和信号处理电路两个部分。

红外图像传感器是红外成像芯片的核心组成部分,负责将红外辐射能量转换成电信号。

目前常用的红外图像传感器主要包括焦平面阵列图像传感器(FPA)和微机械系统(MEMS)图像传感器。

焦平面阵列图像传感器是一种将红外辐射能量转变为电荷信号的器件,它由多个敏感元件(像素)组成的阵列排列在一个平面上。

当红外辐射照射在敏感元件上时,敏感元件会产生电荷,进而转换成电压信号。

通过逐行读取敏感元件的电压信号,即可获取整个红外图像。

微机械系统(MEMS)图像传感器是一种基于微机械制造工艺的红外图像传感器。

它利用微小的机械结构来感应红外辐射能量,并将其转换成电信号。

与焦平面阵列图像传感器相比,MEMS图像传感器具有体积小、功耗低、制造成本低等优点,适用于一些小型化、便携式设备。

红外图像传感器将红外辐射能量转换成电信号后,还需要通过信号处理电路进行信号放大、滤波、调制等处理,以获得高质量的红外图像。

信号处理电路主要包括前端放大电路、滤波电路、模数转换电路等。

前端放大电路负责放大红外图像传感器输出的微弱信号,以增强信号的强度。

滤波电路主要用于去除不需要的噪声信号,以提高图像信噪比。

模数转换电路将模拟信号转换成数字信号,以便进行数字图像处理。

红外成像芯片的研发和应用对提高夜视能力、监控安全、医疗诊断等方面具有重要意义。

随着技术的不断发展,红外成像芯片在体积、分辨率、灵敏度等方面不断改进,使其在各个领域的应用更加广泛。

总之,红外成像芯片是红外成像技术的核心,它能够将红外辐射能量转换成可见的热图,广泛应用于军事、安防、医疗、工业等领域。

高德红外cmos制程

高德红外cmos制程

高德红外cmos制程高德红外CMOS制程是一种先进的红外成像技术,它结合了高德红外技术和CMOS制程技术的优势,具有高灵敏度、低功耗、高集成度等特点。

在红外成像领域具有广泛的应用前景。

高德红外技术是一种利用物体发射的红外辐射进行成像的技术。

红外辐射是一种电磁波,其波长范围在0.75微米到1000微米之间。

与可见光相比,红外辐射具有穿透力强、不受光照条件限制等优势,因此在军事、安防、医疗等领域有着广泛的应用。

高德红外技术通过捕捉物体发射的红外辐射,将其转化为电信号,再经过处理和放大,最终形成红外图像。

这种技术可以实现对低照度环境下的目标进行观测和识别,具有很高的实用价值。

CMOS制程技术是一种集成电路制造技术,它采用了互补金属氧化物半导体(CMOS)的结构,具有功耗低、集成度高、成本低等优势。

CMOS制程技术在数字电路和模拟电路领域有着广泛的应用,但在红外成像领域的应用相对较少。

高德红外CMOS制程技术的出现,将红外成像技术与CMOS制程技术相结合,充分发挥了两者的优势,使得红外成像设备更加小型化、便携化和智能化。

高德红外CMOS制程技术的核心是红外传感器芯片的设计和制造。

传统的红外传感器芯片通常采用硅基材料,制造工艺复杂,成本较高。

而高德红外CMOS制程技术采用了CMOS材料,制造工艺简单,成本较低。

同时,高德红外CMOS制程技术还可以实现对红外传感器芯片的集成度提高,使得红外成像设备更加紧凑和高效。

高德红外CMOS制程技术在军事、安防、医疗等领域有着广泛的应用前景。

在军事领域,高德红外CMOS制程技术可以用于夜视仪、导弹制导系统等设备,提高作战效能。

在安防领域,高德红外CMOS制程技术可以用于监控摄像头、人脸识别等设备,提高安全性。

在医疗领域,高德红外CMOS制程技术可以用于红外热像仪、医学诊断设备等,提高医疗效果。

总之,高德红外CMOS制程技术是一种先进的红外成像技术,具有高灵敏度、低功耗、高集成度等特点。

红外照相机的原理和应用

红外照相机的原理和应用

红外照相机的原理和应用红外照相机的原理和应用红外照相技术是一种利用红外光来获取图像的先进技术,它拥有广泛的应用领域,包括军事、安防、医疗、环保等。

本文将详细介绍红外照相机的工作原理和主要应用。

红外照相机的工作原理可以简单地概括为以下几个步骤:辐射源发射红外辐射,红外光通过透镜系统聚焦在红外感光器件上,红外感光器件接收到的红外辐射信号经过信号处理和电路放大后,最终形成红外图像。

下面我们将对这些步骤逐一进行详细的介绍。

首先,辐射源发射红外辐射。

红外照相机通常采用红外灯或红外激光器作为辐射源。

红外灯发射的是热辐射,而红外激光器发射的是激光辐射。

红外灯的辐射范围较宽,适用于近距离观测;而红外激光器则具有辐射强度高、光束较为集中、可远距离传输等优点。

接下来,红外光通过透镜系统聚焦在红外感光器件上。

透镜系统起到光学聚焦的作用,将传入的红外光束聚集到感光器件上,使其接收到较强的红外辐射信号。

常见的透镜系统包括球面透镜、非球面透镜等。

透镜的选择与红外照相机的应用场景和要求密切相关,不同的透镜形式能够实现不同的对焦效果和视场角。

第三,红外感光器件接收到的红外辐射信号经过信号处理和电路放大。

红外感光器件是红外照相机的核心部件,主要有红外焦平面阵列(IRFPA)和CCD等。

IRFPA通常由具有微学的热传感器组成,采用光学、热学和微电子技术,可以实现高灵敏度、高分辨率的红外成像。

CCD则是一种通过电荷转移实现信号采集和处理的器件,更适合低分辨率和低灵敏度的应用。

最后,红外感光器件产生的信号经过信号处理和电路放大后,最终形成红外图像。

信号处理的功能包括调整图像亮度、对比度、增强图像细节等,以显示更清晰的红外图像。

电路放大则起到信号放大和噪声抑制的作用,以提高图像的质量和可靠性。

红外照相技术在多个领域都有广泛的应用。

在军事领域,红外照相机可以实现夜视、目标监测和识别、导弹制导等。

在安防领域,红外照相机可以用于监控、防盗、边境巡逻等。

可见光相机的结构

可见光相机的结构

可见光相机的结构
可见光相机的结构主要包括以下部分:
1. 透镜系统:透镜系统由镜头和光圈组成,负责聚焦光线并控制进入相机的光线量。

2. 光敏元件:光敏元件是可见光相机的核心部件,通常采用CCD(电荷耦合器件)或CMOS(互补金属氧化物半导体)传感器。

这些传感器可以将光信号转换为电信号。

3. 图像处理器:图像处理器用于处理从光敏元件获取的电信号,将其转换成数字图像,并进行色彩校正、对比度调整等处理。

4. 控制电路:控制电路用于控制相机的各种功能,如快门速度、光圈大小、对焦等。

此外,可见光相机还可能包括快门、机身等其他组件。

总体来说,可见光相机通过透镜系统收集光线,经过光圈调节进入镜头的光线量,再通过快门控制曝光时间,最后由光敏元件将光信号转化为电子信号,最终形成图像。

以上内容仅供参考,可以咨询光学专业人士或查阅摄影专业书籍了解更多有关可见光相机的结构知识。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
frame/s
Cost
Nikon D100 ~$2,500
Canon 300D ~$800
1.4、红外焦平面器件
Infrared Focal Plane Arrays, IRFPA 第三代红外热像技术
红外热像仪的基本结构 红外热像仪的核心----红外焦平面器件
热成像技术的优势:
•克服了主动红外夜视需要依靠人工热辐射,并由 此产生容易自我暴露的缺点; •克服了被动微光夜视完全依赖于环境自然光和无 光不能成像的缺点; •穿透烟雾和尘埃的能力很强; •目标伪装困难; •远距离、全天候观察; •有很高的温度灵敏度和较高的空间分辨能力
在像元内引入缓冲器或放大器, 可改善像元性能,称为有源像素传 感器。功耗小,量子效率高。每个 像元有3个晶体管。大多数中低性 能的应用 。
光栅型有源像素结构(GP-APS)
光栅型有源像素型CMOS每个 像素5个晶体管,采用0.25um CMOS工艺允许达到5um像素间距, 浮置扩散电容的典型值为10-14F量 级,产生20uV/e的增益,读出噪声 可达5-20均方根电子。成像质量高。
辐射对比度——背景温度变化1K所引起光子通量变 化与整个光子通量的比值,它随波长增长而减小。
IRFPA工作条件:高背景、低对比度
2 、IRFPA的分类
按照结构可分为单片式和混合式 按照光学系统扫描方式可分为扫描型和凝视型 按照读出电路可分为CCD、MOSFET和CID等类型 按照制冷方式可分为制冷型和非制冷型 按照响应波段与材料可分为
10 ≈1
1、IRFPA的工作条件
波长/μm 300K背景辐射光子通量密度
/(光子/cm2·s) 光积分时间(饱和时间)μs 对比度(300K背景)/(%)
1~3 ≈1012
106 ≈10
3~5 ≈1016
102 ≈3
8~12 ≈1017
10 ≈1
通常光子密度高于1013/cm2s的背景称为高背景条件,
微透镜改善低光特性
CMOS APS图像传感器的功耗较小。但与PPS相比,有源 像素结构的填充系数小,典型值为20%-30%。像素尺寸减小后 低光照下灵敏度迅速降低,采用滤色片和在CMOS上制作微透 镜组合以及CMOS工艺的优势,前景好于CCD。
2、CMOS摄像器件的总体结构
外界光照射像素阵列,产生信号电荷,行选通逻辑 单元选通相应的行像素单元,单元内信号电荷通过各 自所在列总线传输到对应的模拟信号处理器(ASP)及 A/D变换器,转换成相应的数字图像信号输出。 行选通单元扫描方式:逐行扫描和隔行扫描。
1.3、CMOS摄像器件
1990’s,CMOS技术用于图像传感器,其优点结 构简单,耗电量是普通CCD的1/3,制造成本比CCD 低,可将处理电路等完全集成。
1、CMOS像素结构
无源像素型(PPS)和有源像素型(APS)
无源像素结构,1967,Weckler
由一反向偏置光 敏二极管和一个开关 管构成,开关管开启, 二极管与垂直列线连 通,信号电荷 读出。
红外焦平面器件结构
成像透镜
由于这类器件工作是一般安放在成像透镜的焦面上, 所以它们又被叫做红外焦平面器件(IRFPA)。
1、IRFPA的工作条件
IRFPA通常工作于1~3um、3~5um和8~12um的红外 波段并多数探测300K背景中的目标;
红外成像条件是在300K背景中探测温度变化为0.1K 的目标;
Integration Power
Consumption Resolution Image
Quality Speed
Poor 2-5 W Up to 14 Mpix Historically best Usually up to 100
frame/s
Excellent 20-50 mW Up to 12 Mpix Being improved Up to thousands
隔行扫描可以提高图像的场频,但会降低图像的 清晰度。
行选通逻辑单元和列选通逻辑单元配合,可以实现 图像的窗口提取功能,读出感兴趣窗口内像元的图像 信息。
MOS 摄像器件的工作原理:
X 移位寄存器
ΦX1
φX2
信号输出
RL
Y
MOS 开关
E


A/D
ห้องสมุดไป่ตู้


数字信号输出

ΦY1 ΦY2
光电二极管
3、CMOS与CCD器件的比较
无源像素单元具有结构简单、像素填充率高及量
子效率比较高的优点。但是,由于传输线电容较大, CMOS无源像素传感器的读出噪声较高,而且随着 像素数目增加,读出速率加快,读出噪声变得更大。
有源像素结构APS(Active Pixel Structure )
光电二极管型有源像素(PP-APS)1994,哥伦比亚大学
工作过程: 光生信号电荷积分在光栅PG下,浮置扩散节点
A复位(电压VDD);然后改变光栅脉冲,收集在光 栅下的信号电荷 转移到扩散节点。复位电压水平与 信号电压水平之差即传感器的输出信号。
1997年,东芝公司研制成功640*640像素光敏二极 管型CMOS APS,像素尺寸5.6um*5.6um,具有彩色 滤色膜和微透镜阵列。 2000年,美国Foveon公司和美国国家半导体公司 采用0.18umCMOS工艺研制成功4096*4096像素 CMOS APS,像素尺寸5um*5um,管芯尺寸 22mm*22mm,是集成度最高,分辨率最高的CMOS 固体摄像器件。
CCD摄像器件 灵敏度高、噪声低、像素面积小 难与驱动电路及信号处理电路单片集成,需要使用
相对高的工作电压,制造成本比较高
CMOS摄像器件 集成能力强、体积小、工作电压单一、功耗低、
动态范围宽、抗辐射和制造成本低 需进一步提高器件的信噪比和灵敏度
CMOS与CCD器件的对比
CCD vs. CMOS
随波长的变长,背景辐射的光子密度增加。
由普朗克定律计算出红外波段300K背景的光谱辐射光子密度。
波长/μm 300K背景辐射光子通量密度
/(光子/cm2·s) 光积分时间(饱和时间)μs 对比度(300K背景)/(%)
1~3 ≈1012
106 ≈10
3~5 ≈1016
102 ≈3
8~12 ≈1017
相关文档
最新文档