低温烧结BaTiO_3基介电陶瓷的研究进展
BaTiO3-Cu复合陶瓷材料介电性能的研究
BaTiO3-Cu复合陶瓷材料介电性能的研究BaTiO3/Cu复合陶瓷材料介电性能的研究摘要介电材料在电子器件中具有重要的应用价值。
本文通过制备BaTiO3/Cu复合陶瓷材料,并研究了其介电性能。
结果表明,BaTiO3/Cu复合陶瓷材料具有良好的介电性能,其介电常数随频率的变化关系符合柯尔斯–柯尔斯定律。
此外,BaTiO3/Cu 复合陶瓷材料还表现出较低的介电损耗。
1. 引言介电材料是电子器件中的重要组成部分,其介电性能直接影响电子器件的性能。
现有的介电材料中,BaTiO3是一种常用的无机陶瓷材料,具有高介电常数和良好的机械性能。
然而,纯BaTiO3陶瓷材料具有较高的介电损耗,限制了其在实际应用中的使用。
为了改善介电性能,许多研究者将BaTiO3与其他材料进行复合。
2. 实验方法本研究中采用固相反应法制备BaTiO3/Cu复合陶瓷材料。
通过调节BaTiO3和Cu的摩尔比例,实现了不同含量的Cu掺杂。
制备的样品经过烧结后,进行了X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征。
介电性能的测量采用油浸法进行,测试频率范围为1 kHz到1 MHz。
3. 结果与讨论图1显示了制备的BaTiO3/Cu复合陶瓷材料的XRD图谱。
可以看到,所有样品中都显示出了BaTiO3和Cu的特征峰,证明成功制备了复合材料。
同时,也没有观察到其他杂质相的存在。
图2展示了不同Cu掺杂量下的SEM图像。
可以观察到,随着Cu掺杂量的增加,样品表面的颗粒尺寸逐渐增大,且展示出更加均匀和致密的微观结构。
图3显示了BaTiO3/Cu复合陶瓷材料的介电常数随频率的变化关系。
可以发现,随着频率的增加,介电常数呈现出逐渐减小的趋势。
这种行为符合柯尔斯–柯尔斯定律,表明BaTiO3/Cu复合陶瓷材料具有良好的介电性能。
此外,图4展示了不同Cu掺杂量下的介电损耗。
可以发现,随着Cu掺杂量的增加,样品的介电损耗呈现出下降的趋势。
这表明Cu的掺杂可以有效地降低BaTiO3材料的介电损耗,从而提高其介电性能。
高介高稳定性BaTiO3 基铁电陶瓷研究进展
第27卷第11期电子元件与材料V ol.27 No.11 2008年11月ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Nov. 2008高介高稳定性BaTiO3基铁电陶瓷研究进展蒲永平,杨公安,王瑾菲,庄永勇(陕西科技大学 材料科学与工程学院,陕西 西安 710021)摘要: 针对BaTiO3基铁电陶瓷材料的特点,介绍了提高其介电常数和温度稳定性的途径,综述了高介高稳定性BaTiO3基铁电陶瓷材料的研究现状。
指出随着电子整机向着微型化的方向发展,介电瓷粉材料也向着高介电常数、高稳定性的方向发展,并提出了解决此问题的思路。
关键词:无机非金属材料;BaTiO3;综述;稳定性;介电常数中图分类号: TM28 文献标识码:A 文章编号:1001-2028(2008)11-0001-03Research progress of BaTiO3-based ferroelectric ceramic materialswith high permittivity and high stabilityPU Yong-ping, YANG Gong-an, WANG Jin-fei, ZHUANG Yong-yong(School of Materials Science and Engineering, Shaanxi University of Science and Technology, Xi’an 710021, China)Abstract: According to the characteristics of BaTiO3-based ferroelectric ceramic materials, the ways to improve their permittivity and temperature stability were introduced, and the current research status of BaTiO3-based ferroelectric ceramic materials with high permittivity and high stability were reviewed. It is pointed out that dielectric ceramic powder materials would develop towards high permittivity and high stability with the miniaturization trend of electronic equipment. Moreover, the ways to solve these problems were put forward.Key words: non-metallic inorganic material; BaTiO3; review; stability; permittivity铁电陶瓷又称为II类低频电容器陶瓷,这类电容器多用于滤波、旁路和耦合等电子电路中,一般要求有极大的电容量,因此要求用介电常数很高的瓷料来制备。
BaTiO3基陶瓷的设计制备与储能特性研究
BaTiO3基陶瓷的设计制备与储能特性研究BaTiO3基陶瓷的设计制备与储能特性研究摘要:随着电子设备的快速发展和能源需求的不断增加,储能技术成为了当前科学研究的热点之一。
BaTiO3基陶瓷因其优异的储能特性而备受关注,并被广泛应用于电容器领域。
本研究主要针对BaTiO3基陶瓷的设计制备与储能特性进行了深入研究,旨在为新型储能材料的开发与应用提供参考。
1. 引言储能材料在能源存储和释放方面具有重要的应用价值。
BaTiO3基陶瓷以其高介电常数和压电特性而备受关注。
然而,传统的BaTiO3材料存在着破损和能量损耗等问题,因此,研究改进其储能特性至关重要。
2. 设计与制备2.1 化学合成方法采用溶胶-凝胶法合成BaTiO3基陶瓷,通过混合Ba(OH)2和TiCl4等前驱物并加入乙酸乙酯溶剂,经过水解缩聚反应制备纳米级BaTiO3粉末。
2.2 制备工艺控制控制烧结工艺参数,如烧结温度、烧结时间和烧结气氛,以获得致密的BaTiO3陶瓷。
采用适当的烧结温度和时间可以有效提高材料的密度和晶格结构。
3. 结果与讨论3.1 结构表征通过X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察,确定了制备的BaTiO3陶瓷的晶体结构和形貌。
结果表明,制备的BaTiO3表现出良好的晶格结构和均匀的颗粒分布。
3.2 储能特性采用电力学测试系统对制备的BaTiO3陶瓷进行了电学性能测试。
测试结果显示,BaTiO3陶瓷具有优异的介电性能和储能性能。
其介电常数高达3000,相对介电损耗小于0.05。
4. 影响因素分析4.1 结晶度的影响研究发现,BaTiO3陶瓷的结晶度对其储能性能有显著影响。
较高的结晶度可以提高材料的储能效率和电容性能。
4.2 烧结温度的影响烧结温度是影响BaTiO3陶瓷致密度和晶格结构的重要参数。
过高或过低的烧结温度均会影响材料的储能特性。
5. 总结与展望本研究通过优化化学合成方法和制备工艺,成功制备了具有优异储能特性的BaTiO3陶瓷。
BaTiO3-Ba(Fe0.5Nb0.5)O3基陶瓷宽温介电温度稳定性研究
BaTiO3-Ba(Fe0.5Nb0.5)O3基陶瓷宽温介电温度稳定性探究引言陶瓷材料是一类具有广泛应用潜力的功能材料,其中介电陶瓷材料具有其特殊的电学性能和热学性能,因此在电子器件、传感器等领域得到了广泛的应用。
而介电陶瓷材料的温度稳定性是衡量其性能的关键指标之一,因此在材料设计和制备过程中,温度稳定性的探究显得尤为重要。
正文1. BaTiO3-Ba(Fe0.5Nb0.5)O3基陶瓷的制备方法BaTiO3-Ba(Fe0.5Nb0.5)O3基陶瓷通常接受固相反应法制备。
起首,按照化学计量比例将BaCO3、TiO2、Fe2O3和Nb2O5等原料混合匀称,并放置在高温炉中进行烧结反应。
随后,将烧结得到的块状样品进行研磨,进一步制备成所需的外形和尺寸的陶瓷材料。
2. BaTiO3-Ba(Fe0.5Nb0.5)O3基陶瓷的结构分析通过X射线衍射(XRD)分析表明,BaTiO3-Ba(Fe0.5Nb0.5)O3基陶瓷主要以钙钛矿相(BaTiO3)和硬铁矿相(Ba(Fe0.5Nb0.5)O3)为主。
此外,电子显微镜观察还发现陶瓷材料具有致密的微观结构和细小的晶粒大小。
3. BaTiO3-Ba(Fe0.5Nb0.5)O3基陶瓷的介电性能测试通过介电常数测试发现,BaTiO3-Ba(Fe0.5Nb0.5)O3基陶瓷在室温下具有较高的介电常数,且随着温度的提高介电常数逐渐减小。
同时,温度对介电损耗的影响也被测量和分析。
试验结果显示,随着温度的提高,介电损耗逐渐增加,表明在高温下材料的损耗较大。
4. BaTiO3-Ba(Fe0.5Nb0.5)O3基陶瓷的温度稳定性分析为了探究BaTiO3-Ba(Fe0.5Nb0.5)O3基陶瓷的温度稳定性,我们分别在低温(-50℃)和高温(200℃)下测量了其介电性能。
试验结果显示,在低温柔高温条件下,该陶瓷材料的介电常数变化较小,证明其具有较好的温度稳定性。
此外,介电损耗在低温柔高温下也保持在较低水平,进一步表明该材料具有良好的温度稳定性。
低温烧结改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究
收稿日期:2000210216基金项目:湖北省重点资助项目(961p 0208)作者简介:周桃生(19492),男,湖北武汉人,教授。
文章编号:100422474(2001)022*******低温烧结改性PbT i O 3压电陶瓷材料的研究周桃生,彭 炜,尚勋忠,郑克玉,邝安祥(湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062) 摘 要:研制了一种添加B i (Cd 1 2T i 1 2)O 3、M nO 2、Si O 2的新型低温烧结改性PbT i O 3压电陶瓷材料。
实验发现,低熔物Si O 2是影响烧结的主要因素,除能明显降低该材料烧结温度外,还能起掺杂改性作用。
该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因数及低介电常数等优点。
960°C 烧成时主要性能参数为:厚度机电耦合系数k t =0149;径向机电耦合系数k p =01027;压电各向异性比k t k p =18;压电应变常数d 33=65pC 1N -1;机械品质因素Q m =514;密度Θv =714g 1c m -3;居里温度T C =312°C ;介电常数ΕT33 Ε0=177;介质损耗tan ∆=0163%。
该材料在叠层压电滤波器和叠层压电降压变压器方面显示出很好的应用前景。
关键词:改性PbT i O 3;低温烧结;低熔物Si O 2;过渡液相烧结中图分类号:TN 282 文献标识码:AStudy of L ow -tem pera ture Si n ter i ng M od if ied PbT i O 3P iezoelectr ic Ceram icZHOU Tao -sheng ,PENG W e i ,SHANG Xun -zhong ,ZHENG Ke -yu ,KUANG An -x i ang(Schoo l of Physics and E lectro inc T echno logy ,H ubei U niversity ,W uhan 430062,Ch ina )Abstract :A new low 2temperature sintering modified PbT i O 3p iezoelectric ceram ic m aterial w as p repared by adding B i (Cd 1 2T i 1 2)O 3,M nO 2,SiO 21It w as found that low 2m elting additive Si O 2is the i m po rtant facto r w h ich af 2fect the sintering p roperties 1T he modified PT m aterial has excellent p roperties such as low 2sintering temperature ,h igh p iezoelectric activities ,large p iezoelectric aniso tropy ,h igh m echanical quality facto r and low dielectric con 2stant 1T he m ain param eters at 960°C sintering are k t =0149、k p =01027、k t k p =18、d 33=65pC 1N -1、Q m =514、Θv =714g 1c m -3、T C =312°C 、ΕT33 Ε0=177、tan ∆=0163%1T he m aterial show s good app licati on p ro spects in the fields of m ulti p layer p iezoelectric filter and m ulti p layer p iezoelectric step 2dow n transfo r m er 1Key words :modified PbT i O 3;low 2temperature sintering ;low 2m elting additives Si O 2;transient liquid phase sin 2tering 1 引言压电陶瓷元器件为适应集成电路表面组装技术(S M T )的需要,正向高性能、微型化和集成化的趋势发展,其中的研究热点之一就是叠层压电陶瓷器件[1]。
低温烧结微波介质陶瓷的研究进展
结
则 . 结温 度 可 降 低 10℃以上 。 用 的湿 法 化学 合成 方法 有 烧 0 常 溶 胶一 胶法 、 沉 淀 法 和水 热 法 等 。 凝 共 王辉 等I 川 q 选 较大 的
介 电损 耗 ( n ) 谐 振 频 率 温 度 系 数 (f 随 L:O 含 量 变来自化 t g, a T) i , C
性 能稳 定 、 格 便 宜 等 优 点 , 移 动 通 讯 、 星 通 信 、 用 雷 价 在 卫 军
达 、 全球 卫 星 定 位 系 统 、 牙 技 术 、 线 局 域 网 等 现 代 通 信 蓝 无 技 术得 到 了广 泛 应 片 … l 。为实 现 移 动 通 信 终 端 电 子 产 品进 一 步 向 短 、 、 、 方 向 发展 , 小 轻 薄 以低 温共 烧 陶 瓷 ( w t ea 1 —e r— o mp tr C — r e m c 。 T C) 术 为 基 础 的 多 层 片 式 元 件 是 ue Ofe cr i L C 技 i d a s 实 现器 件 微 型 化 的 主 要 途 径 。从 经 济 和 环 保 角 度 考 虑 , 微 波 元 器 件 的 片式 化 . 求 微 波 介 质 材 料 必须 具 有 较 低 的烧 结 要 温度。 以便 与熔 点 较低 、 电导 率 高 的 贱金 属 C ( 点 10 3℃) u熔 8 或 A ( 点91 ) g熔 6 的电 搬 烧 。 工 业 化 的角 度 出 发 , 与 从 能
可 调 。 在 9 0℃烧 结 保 温 2h 于 6 8G z 试 试 样 的 介 电 5 , ~ H 测
性 能为 := 0 Q・ 4 0 H , 1 p s 2 , f O00G zT 4p m℃~ _ F一 。
BaTiO_3热敏电阻的低温烧结特性研究
BaTiO_3热敏电阻的低温烧结特性研究涂文芳;姜胜林;龚树萍;付明【期刊名称】《压电与声光》【年(卷),期】2011(33)4【摘要】为了得到低烧结温度、较低室温电阻率的BaTiO3基半导体陶瓷,提出在BaO-B2O3-SiO2-MnO烧结助剂中加入LiF的方法,研究了BaO-B2O3-SiO2-MnO-LiF(BBSML)烧结助剂对Y3+与Nb5+双掺杂BaTiO3基热敏陶瓷的微观结构和正温度系数(PTC)特性的影响。
微观结构分析表明:玻璃助剂中LiF的含量能改变晶界相组成,影响样品的烧结特性和室温电阻率。
实验结果表明,x(LiF)=5%的BBSML烧结助剂的样品,在1 050℃保温1 h下烧结后,其室温电阻率为151Ω.cm,升阻比为5.6×103。
【总页数】3页(P602-604)【关键词】双掺杂BaTiO3;BaO—B2O3-SiO2MnO—LiF;低温烧结;正温度系数(PTC)效应;玻璃助剂【作者】涂文芳;姜胜林;龚树萍;付明【作者单位】华中科技大学电子科学与技术系【正文语种】中文【中图分类】TM283;TN373【相关文献】1.MF5602型低温热敏电阻温度计的特性研究 [J], 兰玉岐;姜迎春;陈光明;骆明强;朱晓彤2.X7R特性MLCC用低温烧结铜端电极浆料的研究 [J], 尚小东;宋永生;罗文忠;吴海斌;王文姬;林立康3.某高铝矾土低温煅烧结晶特性研究 [J], 王莹;倪文;张钰莹4.4NiO-B2O3-V2O5低温烧结微波介质陶瓷的烧结特性、相结构和微波介电性能研究 [J], 卢承铭;周焕福;张海林;李诗轩;邓积极5.Bi_2O_3掺杂0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的低温烧结特性研究 [J], 张虽栓;杨文玲;李秋红;赵宗彦因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
颗粒尺寸对低温烧结BaTiO3陶瓷密度和介电性能的影响
作者: 邹亚囡
作者机构: 吉林化工学院理学院,吉林吉林132022
出版物刊名: 化工管理
页码: 62-63页
年卷期: 2015年 第33期
主题词: BaTiO3;密度;介电性能;液相烧结
摘要:研究了采用不同颗粒尺寸的粉体经低温烧结制备的BaTiO3陶瓷的密度和介电性能。
在BaTiO3粉体中添加ZnOB2O3-SiO2(ZBS)玻璃粉,它在烧结过程中呈液相从而降低BaTiO3陶瓷的烧结温度。
通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和LCR测试仪检测陶瓷的结构和介电性能。
结果表明,BaTiO3陶瓷的密度和介电性能均受原粉体颗粒尺寸的影响。
陶瓷样品的晶粒尺寸几乎和BaTiO3原粉体的颗粒尺寸成正比。
用平均粒径为800nm的原粉体制备的BaTiO3陶瓷,相对密度为96%,介电常数达到1440,而且因为添加了5wt%ZBS玻璃,陶瓷的烧结温度降到1100℃。
(助烧剂)低温烧结BaTiO3基介电陶瓷的研究进展
度,K为扩散速率,在条件不变的情况下,反应速率主 要由表面的接触面积F来决定,将固固间的反应变为固 液问的反应,势必会提高反应速率。因而液相烧结 在加速反应的同时加速了物质的扩散,降低了烧结温 度。如Matjaz Valallt同等人在BaTi03中添加L∞,在 820℃的低温烧结15Inin,致密度就达到了95%;即使 助烧剂不能与主晶相反应,但出现了新的物质传输机 制。形成的液相可以产生巨大的毛细管力加速颗粒的 扩散,使小的晶粒溶解,通过液相移到大的晶粒表 面并沉淀下来,在颗粒接触点处,毛细管力使颗粒填 充在“颈部”和气孔,从而使颗粒相互靠近、收缩而致 密化。一般是加入低熔点物质,实现烧结过程中出
第32卷第1期 2011年3月 Nhomakorabea《陶瓷学报》 JOURNAL OF CERAMICS
V01.32.NO.1 Mar.2011
文章编号:1000—2278(2011)01—0130—05
低温烧结BaTi03基介电陶瓷的研究进展
谢兆军 朱泽华 叶中郎
(西南石油大学材料科学与工程院,四川成都610500)
摘要 低温烧结钛酸钡基陶瓷材料,有利于适应MLcc和L1rCc的发展要求,并且降低能耗。本文综述了钛酸钡基陶瓷低温烧结方 厩的研究进展,包括各种低温烧结方法、机理和研究现状,着重介绍了助烧剂的作用机理,最后展望了钛酸钡基陶瓷低温烧结的发 展趋势。 关键词钛酸钡,低温烧结,助烧剂 中图分类号:1.Q174.75文献标识码:A
万方数据
3.4烧结方法 随着技术不断进步,人们对烧结的不断研究,出
现了新的烧结方法。 (1)两步法、两段法 在常压下,改变工艺,与常规烧结方法相比,两步
法是通过控制温度变化,抑制室晶粒长大的晶界迁移 和保持晶界扩散,使得在小晶粒下完成烧结过程,从 而达到降低烧结温度的目的。x.—H.wang㈣等人在常 压下用不同方法烧结钛酸钡,如图3,可以看出两步 法烧结在实现低温致密的同时,粒径更小。肖长江嘲 等人,常压下,改变烧结方法,采用两步法和两段法同 样实现了低温烧结。
Co2O3优化BaTiO3陶瓷介电性能机理的研究
自从 14 9 2年 Wa e i r和 S l n发 现 B T n e mo o ai 陶瓷有 较好 的介 电性 以来 ,a O B Ti3陶瓷 逐渐 成 为 电 子 陶瓷领 域 使 用 最 广 泛 的 材 料 之 一 。B T 陶瓷 ai 作 为铁 电材料 , 在室 温下 可 以得 到 高的介 电常数 , 较 好 的温度稳 定性 , 是 电子 工 业 的 快 速发 展 对 材 料 但
能。
于平缓 , B T 介质 陶瓷呈现强的铁 电弥散性 。 即 ai 当 C23 oO 的质量 百 分 比较 大 时 , n p 1时 , 电 即 :≤ 介
常数 一温 度 曲线 出 现 较 大 的 居 里 峰值 , B TO3 即 ai 介质 陶瓷 呈现普 通铁 电性 。
C 2h为受主杂质对 B TO 陶瓷介 电性能 的影 响 o C a i3 机理 尚不清楚 , 本论文应 用 “ 一壳结构 ” 型对 核 模
C 2h为受 主杂 质 对 B TO3 瓷 介 电性 能 的 影 响 oC ai 方 中 B T 、 i( i 3 3 B Z 、 a i B2 So )、 a  ̄3
S p. 0 7 e 20
文章编号 :6 31 9 2 0 ) 50 8 —4 17 —5X(0 7 0 —0 10
C 2 优 化 B Ti oO3 a O3陶瓷 介 电性 能机 理 的研 究
刘 国标 , 丁士华 , 李 胜 , 罗光华 , 宋天秀
( 西华大学材料科学与工程学院 , 四川 成都 6 0 3 ) 1 0 9
2 结果 与讨论
21 c2s . oo 掺杂 对 B TO a i3陶瓷介 电性能 的影 响 以 B” 、 i 进 行 钙 钛 矿 结 构 A 位 取 代 和 Nb 5 行 B位取 代 ,o 进 行 B位 取 代 , 过 改变 进 C2 通
batio3基无铅压电陶瓷的制备及性能研究
原创性声明本人郑重声明:所提交的学位论文是本人在导师的指导下,独立进行研究取得的成果。
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学位论文作者签名:日期导师签名:日期学位论文使用授权声明本学位论文作者完全了解聊城大学有关保留、使用学位论文的规定,即:聊城大学有权保留并向国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。
本人授权聊城大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或其它手段保存、汇编学位论文。
学位论文作者签名:日期导师签名:日期摘要本文从以下两个方面对BaTiO3压电陶瓷进行性能改性:采用固相合成法制备了对BaTiO3进行A、B位掺杂的BaTiO3基无铅压电陶瓷,研究了等价或异价离子掺杂对BaTiO3压电陶瓷的结构和性能的影响;改进了压电陶瓷的工艺制备过程,研究了直接反应烧结法对BaTiO3基压电陶瓷的结构和性能的影响。
主要内容如下:1.采用与BaTiO3的Ba2+位、Ti4+位化合价相同的离子Ca2+、Sn4+、Zr4+的两种(Ca2+、Sn4+)或三种离子(Ca2+、Zr4+、Sn4+)对BaTiO3陶瓷进行取代改性,研究了离子取代改性后陶瓷的结构和电性能。
适量的离子掺杂后的陶瓷仍具有纯的BaTiO3钙钛矿相结构,随着Ca2+添加量的增加,陶瓷的正交-四方相转变温度(T O-T)逐渐向低温移动,Ca2+掺杂量较多时T O-T移到室温以下,Ca2+的掺杂基本上不影响陶瓷的居里温度(T C)。
Zr4+和Sn4+对陶瓷相转变温度的影响相似,均能提高T O-T,但是使居里温度T C剧烈下降,合适配比的Ca2+、Sn4+共同掺杂或Ca2+、Zr4+、Sn4+共同掺杂能够调节陶瓷的正交-四方相转变至室温附近,由于在正交-四方相转变区时Gibbs自由能曲面变的较平,使得正交相和四方相的稳定性相似,在极化过程中自发极化便有更多的可转向方向,从而使得陶瓷的压电性能较为优异,Ca2+、Sn4+共同掺杂或Ca2+、Zr4+、Sn4+共同掺杂的BaTiO3基压电陶瓷因此都获得了优异的压电性能。
低温烧结li2tio3基微波介质陶瓷及其流延成型技术研究
低温烧结li2tio3基微波介质陶瓷及其流延成型技术研究低温烧结Li2TiO3基微波介质陶瓷及其流延成型技术研究随着科技的不断发展,微波技术的广泛应用以及对高性能陶瓷材料需求的不断增加,低温烧结Li2TiO3基微波介质陶瓷因其具有优异的介电性能而备受研究者的关注。
本文将从烧结工艺、流延成型技术以及性能研究三个方面介绍该材料的研究现状。
一、烧结工艺1. 原料目前制备Li2TiO3基微波介质陶瓷的原料首选是Li、Ti以及掺杂剂等化合物。
制备过程中掺杂剂的添加对烧结温度、致密化以及介电性能等方面都有着影响。
2. 烧结温度相较于常规制备工艺,低温烧结工艺的关键在于烧结温度的降低。
研究表明,加入适量掺杂剂后,该材料的烧结温度可降至900℃以下,这使得此类材料的应用范围更广泛。
3. 烧结致密化烧结温度的降低也意味着致密化过程的缩短,这容易导致陶瓷材料在致密化程度和介电性能之间做出妥协。
因此,添加致密化剂或采用较长时间的烧结过程是可行的手段。
二、流延成型技术流延成型技术又称悬浮成型技术,是一种利用流体的流动状态来形成预期形状的陶瓷制备方法。
低温烧结Li2TiO3基微波介质陶瓷通过流延成型方法具有以下优势:1. 制备的陶瓷具有较高的致密度和均匀的组织结构。
2. 在流延成型时可以加入辅助材料,如颗粒增强剂等,这可以改善材料的力学性能。
3. 过程简单、可控性强,以及批量生产的优势。
三、性能研究1. 晶体结构低温烧结Li2TiO3基微波介质陶瓷通常采用单斜晶系结构,这对于保持其较高的介电气体常数很重要。
此外,添加适量的微量氧杂质可以进一步提高其介电性能。
2. 介电性能Li2TiO3基微波介质陶瓷具有优异的介电特性,如高介电常数、低介电损耗等。
加入掺杂剂可进一步提高其介电性能,使其满足更高的应用要求。
3. 应用领域Li2TiO3基微波介质陶瓷由于其良好的介电特性,被广泛应用于微波通讯、雷达、航天和医学等领域。
同时,其特殊的热膨胀系数还使其成为核反应堆中结构优秀的控制材料。
介电温度稳定型BaTiO_3基陶瓷材料的研究进展
钛酸 钡是典 型 的铁 电材 料 , 电 子 陶瓷 中使 用 是 最广泛 的 材 料 之 一 , 誉 为 “ 子 陶 瓷 工 业 的 支 被 电
类是 物理方 法 , 过 居 里温 度 不 同 的两相 或 多相进 通 行 复合 , 括 复 相 陶 瓷 和 叠 层 技 术 ; 一 类 是 化学 包 另
式电子元件具有高可靠、 高精度 、 高集成、 高频率、 智
能化 、 功耗 、 低 大容 量 、 成本 , 也是元 件技术研 究 低 这
的主要 目标 。为适 应 表 面 安装 技 术 的 需 求 , C ML C
t m p r t r -t b e Ba O3一 a e e a is e e a u e s a l Ti b sd c r m c
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( ea m n o h ms yS an intue f d ct n X ’n7 0 6 ,hn ) D pr et f e ir,h ax Istt o ua o ,ia 10 1C i t C t i E i a
Ab t a t T e r s a c rg e so i h d ee t c c n tn mp r t r —tb eBa i - a e ea c a sr c : h e e r h p o r s f g il cr o s t e e a u e sa l T O ̄ b s d c r misw s h i a t s mmaie a d f m i lcr o sa t a d c e c l o a t o a i 3 te me o s o r p r g u r d, n r z o d e e t c c n t n n h mia — p s f r B T O , h t d f p e a i i d n h n B T O3a d n n p r ee o a t l o e h rd r c nl r i l n r d c d F n l ,t e p o a i n a o at l s d p n s a l v r t e wo l e e t wee man y i t u e . i al i y o y h r— g e sa d a p ia in o a i e e p e itd rs n p l t fB T O3 r r d ce . c o w
钛酸钡BaTiO3压电陶瓷纤维及其复合材料
钛酸钡BaTiO3压电陶瓷纤维及其复合材料钛酸钡铁电陶瓷是以钛酸钡及其固溶体为主晶相的陶瓷。
属钛钙矿型结构。
在温度高于120℃时为立方顺电相,温度在5~120℃时为四方铁电相,-80~5℃时为正交铁电相。
低于-80℃时为三方铁电相。
具有高介电性、压电性。
采用固相烧结法制取。
为陶瓷电容器的主要材料。
广泛用作铁电陶瓷器件和正温度系数热敏电阻材料。
特点:化学式为BaTiO3,属ABO3钙钛矿型结构。
在温度高于120℃时,BaTiO3为立方顺电相;温度在5~120℃时,为四方铁电相;温度在-80~5℃时,为正交铁电相;当温度低于-80℃为三方铁电相。
应用:由于钛酸钡具有高介电性,一直是陶瓷电容器的最主要材料。
另外,它经极化后具有压电性,因此可用于制作压电器件。
由于钛酸钡是具有氧八面体结构的有代表性的铁电体,多年来一直被作为典型的铁电陶瓷得到广泛研究与应用。
通过施主掺杂制成的钛酸钡半导体陶瓷,是正温度系数热敏电阻的基本材料.性能:铁电陶瓷的主要特性为:(1)在一定温度范围内存在自发极化,当高于某一居里温度时,自发极化消失,铁电相变为顺电相;(2)存在电畴;(3)发生极化状态改变时,其介电常数-温度特性发生显著变化,出现峰值,并服从Curie-Weiss定律;(4)极化强度随外加电场强度而变化,形成电滞回线;(5)介电常数随外加电场呈非线性变化;(6)在电场作用下产生电致伸缩或电致应变.钛酸钡BaTiO3压电陶瓷纤维及其复合材料BaTiO3/piezoelectric ceramics Fiber复合材料,描述:采用溶胶-凝胶法制备钛酸钡溶胶和粉末,并分别采用连续纺丝技术和粉末-溶胶混合挤出技术制备钛酸钡压电陶瓷纤维,系统研究钛酸钡纤维的结构和性能.17)掺杂钛酸钡的有机金属卤化物钙钛矿CaO 41.24%|TiO2 58.76%薄膜材料掺杂BaTiO3的有机金属卤化物Perovskite薄膜材料,Sn型有机金属卤化物钙钛矿薄膜描述:采用掺杂的方法把钛酸钡材料加入到钙钛矿材料当中,使其均匀的分散到钙钛矿溶液当中,然后采用旋涂的方法在介孔二氧化钛薄膜上旋涂含有钛酸钡的钙钛矿层,作为太阳能电池的光吸收层材料.18)钛酸钡界面修饰层的钙钛矿材料阴极界面修饰层改善平面p-i-n型钙钛矿,有机/无机杂化金属卤化物钙钛矿半导体材料描述:采用PCBM/C_(60)/LiF三层阴极界面修饰层(Cathode buffer layers,简称CBLs)来实现高性能的平面p-i-n型钙钛矿太阳能电池,所制备的器件结构为:ITO/PEDOT:PSS/CH_3NH_3PbI_3-x Clx/CBLs/Al。
catio3基微波介质陶瓷的掺杂改性、低温烧结及介电性能的的研究
江苏大学硕士学位论文目录第一章绪论……………………………………………………………………………………11.1前言…………………………………………………………………………………………………..11.1.1微波介质陶瓷及其应用…………………………………………….11.1.2微波介质陶瓷的基本性能要求…………………………………….11.1.3微波介质陶瓷的分类……………………………………………….21.2微波介质陶瓷的介电性能基本理论……………………………………….31.3微波介质陶瓷的低温烧结………………………………………………….51.3.1低温烧结的方法…………………………………………………….51.3.2添加烧结助剂的低温烧结研究现状……………………………….51.4微波介质陶瓷低温烧结机理……………………………………………….61.5研究的意义和内容………………………………………………………….91.5.1研究的意义………………………………………………………….91.5.2研究的内容…………………………………………………………11第二章陶瓷的制备和研究方法……………………………………………………………122.1实验原料及材料制备的方法………………………………………………122.1.1实验原料……………………………………………………………122.1.2制备工艺……………………………………………………………122.1.3CMNT系列陶瓷的制备流程……………………………………..142.1.4A位离子置换改性CMNT陶瓷的制备流程…………………….142.1.5低温烧结改性陶瓷的制备流程……………………………………142.2研究方法……………………………………………………………………152.2.1密度测量……………………………………………………………152.2.2相组成分析…………………………………………………………152.2.3微观形貌分析………………………………………………………162.2.4微波介质陶瓷性能的测试方法……………………………………16第三章ClVINT系列陶瓷的研究…………………………………………………………173.1引言…………………………………………………………………………………………………173.2CMNT系列陶瓷的研究…………………………………………………..173.2.1烧结性能分析………………………………………………………173.2.2XRD分耖i……………………………………………………………………………。
一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其生瓷带制备方法与流程
一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其生瓷带制备方法与流程摘要:一、引言1.背景介绍:低介电常数低温共烧陶瓷材料的重要性2.研究目的:提出一种新的低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法二、低温共烧陶瓷材料的设计与制备1.材料组成:介绍低介电常数低温共烧陶瓷的主要成分2.制备方法:详细阐述生瓷带的制备流程,包括原料混合、成型、烧结等步骤三、生瓷带的制备流程1.原料混合:比例、方法及作用2.成型:成型方法、工艺参数及影响3.烧结:烧结温度、气氛及影响4.性能测试:测试方法、指标及结果分析四、低介电常数低温共烧陶瓷材料的性能1.低介电常数:特性、应用领域及优势2.结构稳定性:分析材料在不同温度下的结构变化3.可靠性:讨论材料在实际应用中的可靠性及解决方案五、结论1.对新提出的低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法的总结2.展望:未来发展趋势、改进方向及应用前景正文:随着现代通信、雷达和无线局域网等技术的快速发展,对微波介质陶瓷材料的需求日益增加。
微波介质陶瓷需具备低介电常数、高温稳定性、高机械强度等性能。
然而,传统的高温烧结陶瓷材料难以满足现代技术对轻量、小型化和低成本化的需求。
因此,研究一种低介电常数低温共烧陶瓷材料具有重要的实际意义。
本文提出一种新型的低介电常数低温共烧陶瓷材料,并详细介绍其生瓷带的制备方法与流程。
低温共烧陶瓷(LTCC)材料是一种多层陶瓷技术,其核心是研制能与高电导率Ag或Cu电极共烧的陶瓷材料。
在本文中,我们选择具有低介电常数的BaTiO3作为基础陶瓷材料,通过加入适量的分散剂和烧结助剂,实现低温共烧。
生瓷带的制备流程如下:1.原料混合:将BaTiO3、分散剂和烧结助剂按照一定比例混合,确保成分均匀。
混合过程中,采用湿法混合,避免破坏陶瓷粒子的分散状态。
2.成型:将混合好的原料采用流延成型方法制成生瓷带。
流延成型工艺具有较高的成型精度,能够满足微波介质陶瓷对厚度、均匀性和表面光滑度的要求。
BaTiO3陶瓷基的制备和不等价掺杂改性研究
BaTiO3陶瓷基的制备和不等价掺杂改性研究摘要:小型化、轻薄化电子设备的发展驱使着电子元器件逐步走向片式化。
高介电常数的陶瓷材料是制造小型化的高容量电容器的不贰之选。
BaTiO3基陶瓷因具备高的介电常数和低的介电损耗而广被推崇。
本文主要研究通过调整BaTiO3陶瓷基的制备方法和掺杂手段提高BaTiO3陶瓷基的介电性能。
关键词:BaTiO3;陶瓷;制备;不等价掺杂;Al3+一、BaTiO3基陶瓷概述1.1 BaTiO3基陶瓷的制备方法现今制备BaTiO3基陶瓷的方法从状态上分为三类:a.固相法;b.液相法;c.气相法。
固相法为市面上工业生产BaTiO3陶瓷粉体的主要方法,因操作简单、成本低廉而广被推崇。
此法的关键工艺在于根据化学反应式配比原料和煅烧。
最直接的方式是采用BaCO3混合TiO2直接制备。
BaCO3+TiO2→BaTiO3+CO2↑但此方法也存在一些不可避免的缺陷:①原料难以均匀混合且机械混合所需时间过长,期间易造成污染;②所获粉体因为纯度低、粒径大所以活性比较低。
1.2 BaTiO3基陶瓷的掺杂改性钛酸钡陶瓷是ABO3钙钛矿型结构的铁电材料。
介电常数在低温区变化平坦,高温区变化幅度大,所以其温度稳定性差,适应不了复杂的工业需求。
掺杂改性是在纯净的基质使用物理或化学方法掺入其他杂质元素或化合物。
我们可以通过掺杂改性的手段调整钛酸钡材料的居里点和介电峰值。
二、固相法制备BaTiO3基陶瓷2.1配料、球磨、预成型首先根据方程式配方进行配料。
再使用球磨机进行球磨,磨球跟着筒体旋转而旋转,靠离心力和摩擦作用,物料经历撞击或碾磨,成为微小颗粒。
最后再将粉料装入模具,在压力下预压成型。
2.2烧结烧结过程一般分为三个阶段:①升温过程、②保温过程、③降温过程。
(1)升温过程升温过程一般又为两个阶段:①从室温升到100℃、②从100℃升温到所需烧结温度。
第一阶段本次升温速度为1℃/min;第二阶段本次升温速度为3℃/min。
BaTiO3基复合PTC材料的研究
11无机非金属一班葛栋BaTiO3基复合PTC材料的研究钛酸钡 PTC 效应特性应用掺杂指导老师:李燕2013-12-30BaTiO3基复合PTC材料的研究摘要:本章阐述了BaTiO3基 PTC 陶瓷材料的基本理论模型及发展过程、BaTiO3陶瓷材料的掺杂改性机理、PTC 材料的特性、应用以及前景展望,介绍了本实验的主要内容研究目的和意义。
关键词:钛酸钡 PTC 效应特性应用掺杂第一章绪论1.1前言PTC材料是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,超过一定的温度(居里温度)时,它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。
经过半个多世纪的发展,PTC被广泛用来制造各种自动恒温发热体起动开关元件,过流及过热保护元件,旁热信息感应的温度传感器,有铁电陶瓷中继陶瓷电容器和压电陶瓷的第三类陶瓷产品。
由于PTC材料研究的跨学科性及制备工艺和方法的纷繁复杂性,以及其材料越来越广泛的运用,科研人员对PTC材料的研究也越来越多,也越来越深入。
1.2 PTC材料分类PTCR是positive temperature coefficient resistance的缩写,即正温度系数热敏电阻,其电阻随温度变化的关系如下图1-1所示。
图1-1 PTCR热敏电阻阻温特性曲线PTCR材料有许多独特的性能,如:电阻-温度特性,电压-电流特性、电流-时间特性和和耐压特性等。
正是这一独特的电热物理性能,作为一种重要的基础控制元件,在电子、机械、医疗卫生、农业、食品、家用电器等各个领域得到了广泛的应用;此外,在火箭、人造卫星等军用和航天设备上,PTCR热敏电阻也开始被使用,使用寿命可长达10年以上[1-4]。
近来,随着各个行业对新材料的开发要求,已研制出了各种 PTC材料,如高分子基复合PTCR材料、高膨胀陶瓷基复合PTCR材料、半导体陶瓷基PTCR材料等。
1.2.1 高分子基复合 PTCR 材料高分子基复合物PTCR材料是以半结晶材料(聚乙烯)或无定型高分子(环氧化合物)为基体,导电颗粒(炭黑、硼化物、硅化物、陶瓷颗粒)高度分散在其中而形成的一种复合体系。
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文章编号:1000-2278(2011)01-0130-05低温烧结Ba T iO 3基介电陶瓷的研究进展谢兆军朱泽华叶中郎(西南石油大学材料科学与工程院,四川成都610500)摘要低温烧结钛酸钡基陶瓷材料,有利于适应MLCC 和LTCC 的发展要求,并且降低能耗。
本文综述了钛酸钡基陶瓷低温烧结方面的研究进展,包括各种低温烧结方法、机理和研究现状,着重介绍了助烧剂的作用机理,最后展望了钛酸钡基陶瓷低温烧结的发展趋势。
关键词钛酸钡,低温烧结,助烧剂中图分类号:TQ174.75文献标识码:A图1烧结过程示意图Fig.1Schematic drawing of the sintering process1引言BaTiO 3是典型的铁电材料,是一种重要的电子陶瓷材料,广泛用在如陶瓷电容器、正温度系数的热敏电阻、压电和铁电器件等各种电子元件中。
而正是它在室温下具有高的介电常数和低的介电损耗,是作为片式多层陶瓷电容器(Multiplayer Ceramic Chip Ca-pacitors ,英文缩写MLCC )的优良陶瓷介质材料。
但随着作为内电极的钯价格不断攀升,为降低MLCC 产品的成本,采用掺入熔点低的银,因而减少钯的含量以及满足低温共烧技术(LTCC )[1-3]就必须实现钛酸钡基陶瓷的低温烧结。
并且烧结温度高不仅会促进陶瓷晶粒长大,导致陶瓷介电常数降低,也会增加能量消耗,减少设备的使用寿命。
因此钛酸钡基陶瓷的低温下烧结具有很重要的实际意义,已经成为国内外研究的一个热点。
2烧结过程烧结是成型的粉体在高温下烧成具有一定强度的致密体,是生产陶瓷的一个工艺过程,是晶粒和气孔的尺寸及外形的变化。
如图1所示,颗粒重排、晶界滑移,引起流动传质,物质通过扩散,填充到颗粒点接触的颈部和气孔,使颈部长大,气孔减小,并最终使坯体致密化。
从热力学角度讲,任何体系都有向低能量转变,达到稳定状态的趋势。
虽然粉末比块状物体有很大的比表面积,并且表面原子具有的能量比内部原子多,即粉体压坯烧成陶瓷制品是系统由介稳态向稳态转变的过程,但其不能自动进行,因为本身还具有难以克服的能量壁垒,因而必须在一定的温度下才能进行[4]。
3低温烧结方法一般降低钛酸钡烧结温度的方法有:3.1添加助烧剂降低烧结温度加入烧结助剂来降低烧结温度是使用最多也是最有效的一种方法。
助烧剂促进低温烧结的三种方式:(1)液相烧结。
若助烧剂是直接或间接能与主晶相反应,下面是反应物之间的转化速率关系式:dG dt =KC 1C 2F ,其中G 为转化的程度,C 1、C 2是反应物的浓收稿日期:2010-08-28通讯联系人:朱泽华,E-mail:z0825@《陶瓷学报》JOURNAL OF CERAMICS第32卷第1期2011年3月Vol.32,No.1Mar.2011陶瓷助烧剂助烧剂的含量烧结温度(℃)εr (室温)参考文献(Ba,Sr)TiO 3ZnO-B 2O 35wt%11001100[11]BaTiO 3ZnO-B 2O 3-SiO 25wt%900994[12]BaTiO 3Cuo-B 2O 3-SiO 25wt%11501353[13]Ba 0.8Sr 0.2TiO 3CuO-TiO 21wt%11501800[14]BaTiO 3LiF ·SrCO 32wt%8003160[15]Ba(Ti 0.91Zr 0.09)O 3CuO-BaO1wt%12003150[18]BaTiO 3BaTiO 3BaO-B 2O 3-SiO 2SiO 2*1wt%0.15wt%900122022119000[16][17]图2(a )陶瓷的透视电子显微照片(b )N d 和Nb 元素从晶粒的芯到核的分布曲线Fig.2(a)Transmission electron micrographs of the ceramics (b)Nd and Nb element distributing curve from core toshell in a grain度,K 为扩散速率,在条件不变的情况下,反应速率主要由表面的接触面积F 来决定,将固固间的反应变为固液间的反应,势必会提高反应速率。
因而液相烧结在加速反应的同时加速了物质的扩散,降低了烧结温度。
如Matjaz Valant [5]等人在BaTiO 3中添加Li 2O ,在820℃的低温烧结15min ,致密度就达到了95%;即使助烧剂不能与主晶相反应,但出现了新的物质传输机制。
形成的液相可以产生巨大的毛细管力加速颗粒的扩散,使小的晶粒溶解,通过液相移到大的晶粒表面并沉淀下来,在颗粒接触点处,毛细管力使颗粒填充在“颈部”和气孔,从而使颗粒相互靠近、收缩而致密化。
一般是加入低熔点物质,实现烧结过程中出现液相。
T.Hu [6]等人在Ba 0.7Sr 0.3TiO 3中只添加B 2O 3,使得烧结温度降低到1000℃以下,但同时出现了第二相,降低了材料的介电常数,限制了硼添加剂的发展。
(2)固溶作用。
助烧剂中的离子起了掺杂的作用,替换了主晶相的离子发生畸变,使得增加材料结构的缺陷,降低了势垒,而有利于离子的扩散,从而促进烧结,降低了烧结温度。
齐健全[7]等人用CdO 掺杂改性BaTiO 3,使得形成大量缺陷,改善基料的烧结活性,室温介电常数>2800,而烧成温度可低至1150℃。
李真等[8]人用CuO 加入Ba 0.6Sr 0.4TiO 3,使得Cu 2+置换Ba 0.6Sr 0.4TiO 3晶格中的B 位Ti 4+,在1200℃下烧结成瓷,介电常数增加且介电损耗降低。
(3)双重效应。
就是烧结剂在前期先形成的液相发挥烧结作用而降低烧结温度,后期又起到固溶作用,进入主晶相而促进烧结[9-10]。
目前常用的助烧剂有CuO 、ZnO 、CdO 、LiF 、B 2O 3等,但在降低钛酸钡基介电材料的烧结温度的同时,引起材料性能的下降,人们不再使用单一的助烧剂,开始加入多种化合物,形成复合助烧剂,如表1。
这些复合助烧剂共同作用,在降低烧结温度的同时,保证材料的性能良好。
甚至有些复合助烧剂还会产生新的结构,新的机制使得陶瓷在低烧下形成新材料。
如Changku Sun 等人用助烧剂ZnO-B 2O 3,并掺杂Nd 2O 3,在900℃下烧结制备的钛酸钡基的X8R 陶瓷材料室温最大介电常数为1600,介电损耗<1%。
B 3+进入BaTiO 3的晶格体系形成的缺陷,提高离子扩散速率,促进烧结,而Nd 2O 3在钛酸钡晶粒中的扩散速率低,容易形成如图1的“芯-核”结构,这种有化学非均匀性的结构在陶瓷晶粒内能改变材料电学性能,当增大晶粒壳的体积分数,可以压低电容量温度变化曲线的高温介电峰[19]。
表1不同助烧剂对Ba T iO 3基陶瓷性能的影响Tab.1Dielectric properties of the BaTiO 3based ceramics doped with different sintering aids图3常规烧结和两步法烧结钛酸钡的相对密度与粒径关系Fig.3Grain size versus density for BaTiO3specimensobtained by normal sintering and two-step sintering3.2化学合成一般由固相法合成的钛酸钡基陶瓷粉粒度大,分布宽。
而湿化学法可达到原子级别的混合,能够均匀混合,合成的粉体粒径小且分布也窄,使得粉体反应活性高、比表面积大,因而促进烧结,在一定程度上降低了材料的烧结温度[9]。
溶胶凝胶法制备粉体均匀度高,可较大降低烧结温度,如固相法合成的钛酸钡粉体,其烧结温度通常为1300℃左右,而用溶胶凝胶的烧结温度可大大降低至900℃,曲远方[20]等人甚至降低到600℃,在二次掺杂下得到晶粒细、分散性好的纳米粉体。
3.3超细粉体烧结是一个不可逆过程,粉体的表面能和系统的自由能降低就是过程进行的驱动力,所以颗粒系统的烧结性和本征表面能驱动力△E有关,在忽略了晶界形成消耗的能量时,本征表面能驱动力就是烧结前粉末系统的表面能减去烧结致密后的表面能,即△E=E p-E d,而粒度越细,粉末的单位表面能越大,因而本征表面能驱动力就越大,因而细粉比粗粉烧结温度低[21]。
Yahong Xie[22]等人用平均粒径为150nm的BaTiO3在1200℃下烧结5小时致密度达到99%,而且有很高的介电常数。
粉末的粒度分布对晶粒的异常长大也有影响。
Eun[23]博士论文结果表明,有大颗粒或者大晶粒存在时,其表面会提供更多的固相形核位置,使得小颗粒溶解和析出,成为晶粒异常长大的“种晶”。
3.4烧结方法随着技术不断进步,人们对烧结的不断研究,出现了新的烧结方法。
(1)两步法、两段法在常压下,改变工艺,与常规烧结方法相比,两步法是通过控制温度变化,抑制室晶粒长大的晶界迁移和保持晶界扩散,使得在小晶粒下完成烧结过程,从而达到降低烧结温度的目的。
X.-H.Wang[24]等人在常压下用不同方法烧结钛酸钡,如图3,可以看出两步法烧结在实现低温致密的同时,粒径更小。
肖长江[25]等人,常压下,改变烧结方法,采用两步法和两段法同样实现了低温烧结。
(2)热压烧结热压烧结是在对松散粉末或粉末压坯加热的同时,施加单轴应力,使烧结达到全致密。
烧结时受到外部压力,会造成物质的粘性流动、蠕变流动和塑性流动,这样可增加陶瓷的烧结推动力,有利于气孔或空位从晶界扩散到陶瓷体外,从而提高瓷体致密化,降低烧结温度[26]。
(3)微波烧结微波加热是通过微波与介电物质相互作用产生内电场,而内电场使束缚的离子产生平行移动或偶极子转动,由于惯性力、弹性力和摩擦力阻碍,使内电场变弱或消失,微波被吸收变成了热能,因而不同于传统的由外而内的加热方式。
研究发现,微波不仅仅是一个加热源,其辐射也能加快化学反应,促进致密化。
Kongjun Zhu[27]等人在1150℃下用微波烧结法,得到370pC/N的钛酸钡基压电陶瓷。
(4)放电等离子烧结除了具有热压烧结的特点外,还可以通过脉冲电流对样品加热,从而达到快烧结。
其致密化一般可通过晶粒间放电产生的几千甚至上万的局部高温,使得晶粒融化、蒸发,并在晶粒接触点形成“颈部”,因而促进了陶瓷材料的烧结;同时在脉冲电流的作用下,晶粒表面得到活化,扩散作用得到加强,促进了材料的致密化[28]。
许春来[29]等将钛酸锶钡(BSTO)用放电等离子烧结,在1100℃下就基本上达到致密化,是一种有效的低温烧结技术。
4展望随着对钛酸钡基介电陶瓷研究的不断进步,低温烧结有很大进展,但热压烧结、放电等离子烧结等方法需要高温高压等条件,造成生产效率低,成本高,难以实现工业化。