模电作业
模电作业习题解答
作业习题解答1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。
本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此P 1=-U 1×3= -（-5）×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ；P 3=U 3×（-1）=-3×（-1）=3W ；P 4=-U 4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。
元件2、4是电源，元件1、3是负载。
1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。
解：I=I S =2A ，U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ，U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=01.6 求题1.6图中的U 1、U 2和U 3。
解：此题由KVL 求解。
对回路Ⅰ，有： U 1-10-6=0，U 1=16V对回路Ⅱ，有： U 1+U 2+3=0，U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ，有：U 2+U 3+10=0，U 3=-U 2-10=19-10=9V验算：对大回路，取顺时针绕行方向，有：-3+U 3-6=-3+9-6=0 ，KVL 成立1.8 求题1.8图中a 点的电位V a 。
模电试题及答案
模电试题及答案Title: 模电试题及答案详解Introduction:在学习电子工程方向的学生中，模拟电路课程一直被认为是较为重要且有挑战性的课程之一。
为了帮助大家更好地掌握和理解模拟电路，本文提供了一系列常见的模拟电路试题，并附带详细的答案解析，希望能够对读者有所帮助。
1. 试题一：题目描述：根据以下电路图，计算并求解输出电压Vo。
[电路图]解析：根据电路图，我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电压Vo。
首先，根据电压分压原理，我们可以得到：Vo = Vin * (R2 / (R1 + R2))其中，Vin为输入电压，R1和R2分别为电阻1和电阻2的阻值。
2. 试题二：题目描述：在以下示意图中，根据给定的电路参数和输入信号波形，计算并绘制输出电压波形。
[示意图]解析：根据示意图，我们可以得到输入电压Vin的波形如下：[输入信号波形图]根据电路参数和输入信号波形，我们可以进行电路分析，计算并绘制输出电压Vo的波形。
具体的计算和绘图步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电压波形图]3. 试题三：题目描述：根据给定的操作放大电路图，计算并分析输入信号和输出信号之间的增益。
[操作放大电路图]解析：操作放大器是一种常见的电路组件，用于放大输入信号。
我们可以根据给定的操作放大电路图，进行电路分析来计算增益。
具体步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [计算结果，即输入输出信号之间的增益]4. 试题四：题目描述：根据电路图，计算并绘制输出电流随时间的变化曲线。
[电路图]解析：根据电路图，我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电流随时间的变化曲线。
具体步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电流随时间的变化曲线图]5. 试题五：题目描述：根据给定的振荡器电路图，计算并分析输出信号的频率。
模电作业及答案
作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结？P 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P 型半导体，亦可称为空穴型半导体。
主要靠空穴导电。
N 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成N 型半导体，亦可称为电子型半导体。
主要靠自由电子导电PN 结：采用不同的掺杂工艺，将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN 结。
PN 结具有单向导电性。
2、简述PN 结的单向导电性。
在PN 结上外加一电压，如果P 型一边接正极，N 型一边接负极，电流便从P 型一边流向N 型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，即PN 结外加正向电压时处于导通状态。
如果N 型一边接外加电压的正极，P 型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，即PN 结外加反向电压时处于截止状态。
这就是PN 结的单向导电性。
3、简述PN 结的伏安特性。
如左图所示，当PN 结外加正向电压，电流i 随电压u 按指数规律变化；当PN 结外加反向电压，首先没有电流流过，但当反向电压增大到一定程度时，反向电流将急剧增加，将PN 结反向击穿。
P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =，稳定电流的最小值min 5mA Z I =。
求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。
解：(a) 1316V 2=1086(500102)6L oDZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：P. 69－70: 1.3，1.61.3 电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
大工23春《模拟电子技术》在线作业1-[学习资料答案]
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大工23春《模拟电子技术》在线作业1-00001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
<A>项.NPN型锗管<B>项.PNP型锗管<C>项.PNP型硅管<D>项.NPN型硅管<正确答案>:B2.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
<A>项.处于饱和状态<B>项.处于放大状态<C>项.处于截止状态<D>项.已损坏<正确答案>:B3.温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
<A>项.增大<B>项.减小<C>项.不变<D>项.不确定<正确答案>:B4.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
<A>项.基区很薄且掺杂浓度很低<B>项.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度<C>项.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度<D>项.集电区面积大于发射区面积<正确答案>:C5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
<A>项.同相<B>项.反相<C>项.相差90°<D>项.不确定<正确答案>:A6.三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了()倍。
<A>项.10<B>项.30<C>项.100<D>项.1000<正确答案>:D。
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小作业1-2一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。
A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。
A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。
A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。
流出三极管 e、c、b 流进三极管 e、c、b流出三极管 c、e、b 流进三极管 c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
模电作业答案 (1)
第1章半导体二极管及其应用电路1．二极管电路如图1所示，设二极管是理想的。
试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压U AO。
(a) (b)图1解：图a：对D1有阳极电位为0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，U AO=0 V。
图b：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使V A＝－6V；D1反偏而截止，故U AO＝－6V。
2．电路如图2所示，设二极管为理想的，输入电压为正弦波，试分别画出各图输出电压的波形。
(a) (b)图2解：图（a）：图（b）：第2章 半导体三极管及其放大电路7．电路如图5(a)所示，晶体管的β＝80，r bb '=100Ω。
（1）分别计算R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的Q 点，A us ，R i 和R o 。
（2）由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图4（b ）、（c ）、（d ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
（3）若由PNP 型管组成的共射电路中，输出电压波形如图4（b ）、（c ）、（d ）所示，则分别产生了什么失真？(a)(b) (c)(d)图5解（1）在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be 均相等，它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV26)1(mA76.1 Aμ 22EQbb'be BQ CQ BEQ bBEQCC BQ I r r I I R U R U V I sββ空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebebe b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥β R L ＝5k Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为LCQ cCEQR V I R U V CCCC =--∵∴V 3.2)(L c CQ Lc L CEQ ≈-+=R R I R R V R U CC∥47115 bes bebe 'L -≈⋅+≈-≈-=uusuA r R r A r R A βΩ==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥（2）（a ）饱和失真，增大R b ，减小R c 。
模拟电子技术作业
例1 1在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度空穴浓度。
A. 大于B. 小于C. 等于2. PN结在外加正向电压时，其载流子的运动中，扩散漂移。
A. 大于B. 小于C. 等于3. N型半导体的多数载流子是电子，因此它。
A.带负电荷B. 带正电荷C. 呈中性解：1、C 2、A 3、C例2 ⑴.硅材料的N型半导体中加入的杂质是元素，锗材料的P型半导体中加入的杂质是元素。
A. 三价B. 四价C. 五价⑵．PN结正向偏置时，空间电荷区将。
A. 变宽B. 变窄C. 不变⑷．某晶体管的发射结电压大于零，集电结也电压大于零，则它工作在状态。
A. 放大B. 截止C. 饱和例3 有两个晶体管分别工作在放大电路中，今测得它们管脚的电位分别如下表所示。
试判别管子的三个电极，并说明是硅管还是锗管？是PNP型还是NPN型？解：晶体管I是NPN型，硅管，1—B、2—E、3—C；例4 画出图所示电路的微变等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并注意标出电压、电流的正方向。
(a) (b)解：(a) (b)例5 电路如图所示，已知三极管的β ＝100，U BE＝-0.7V。
①试计算该电路的Q点。
②画出图的微变等效电路。
③求该电路的电压增益A u，输入电阻r i,输出电阻r o。
④若u o中的交流成分出现如图 (b)所示的失真现象，请问它是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调节电路中的哪个元件，如何调整？(a) (b)解：①I B＝U CC/R B＝12/300＝40 mA，I C＝βI B＝100×40 mA＝ 4 A，-U CE＝U CC–I C R C ＝12-2×4＝4 V。
②先分别从三极管的三个极(b、e、c)出发，根据电容和电源交流短接，画出放大电路的交流通路；再将三极管用小信号模型替代；并将电路中电量用瞬时值或相量符号表示，即得到放大电路的小信号等效电路如图6-19所示。
③r be＝200+(1+β)26 mA/I EQ＝857 Ω，A u＝-β(R C//R L)/r be＝-155.6输入电阻r i＝R B // r be≈r be＝857 Ω，输出电阻r o＝R C＝2 kΩ。
模拟电子电路形考作业 -OK
共模信号是指两个输入端的输入信号（）。
A. 大小相等、极性相同集成运放工作在非线性区，当（）时，u o=+U oM。
A. u P>u NA. 同相比例运算B. 加减运算A. 过零比较器B. 滞回比较器PN结加正向偏置是指（）。
A. P区接电源正极，N区接电源负极A. 反向截止B. 反向击穿A. 发射结加反向偏置，集电结加正向偏置B. 发射结加正向偏置，集电结加反向偏置三极管放大电路中，直流通路主要用来确定电路的（）。
A. 静态工作点A. 放大B. 饱和A. 带负载能力差B. 带负载能力强对错选择一项：对选择一项：对选择一项：对选择一项：对对错正确的答案是“错”。
基本放大电路正常工作时基极电流只有几十微安，偏置电阻往往是电路中最大的电阻，一般取值为几十千欧至几百千欧。
（）选择一项：对错反馈正确的答案是“对”。
基本放大电路在输入端无输入信号时几乎不消耗直流电源提供的能量。
（）选择一项：对错反馈正确的答案是“错”。
电压放大倍数A u的大小主要取决于三极管的β值和交流负载值，它几乎不受r be值的改变而改变。
（）选择一项：对错反馈正确的答案是“错”。
共集放大电路的输入电阻值较高，输出电阻值较小，没有电压放大作用。
（）选择一项：对错反馈正确的答案是“对”。
图1-1所示为运放电路中，已知R1=R f1=10kW，R3=R4=R f2=20kW，u I1=1V和u I2=0.5V，计算电路输出电压u O。
说明该电路能够实现何种功能。
图1-1电路输出电压u O等于（）；A. 1.5VB. 0.5VC. -0.5V反馈正确答案是：0.5V该电路能够实现（）功能。
A. 反相比例运算B. 加法运算C. 减法运算反馈正确答案是：减法运算图1-2所示运放电路中，已知R1=R2=20kW，R f=200kW，R3=10kW，R4=200kW，试求电路输出电压与各输入电压的关系。
说明该电路能够实现何种功能。
图1-2电路输出电压u O等于（）；A.B.C.反馈正确答案是：该电路能够实现（）功能。
模电作业汇总
1.1. 如图P1-6所示电路，设稳压二极管导通电压U D =0.7V ，D 1稳压值U Z1＝6.3V ，D 2稳压值U Z2＝3.3V ，试计算： 1. 当输入电压U i ＝12V 时，输出U o 的值。
2. 当输入电压U i ＝6V 时，输出U o 的值。
3. 当输入电压U i ＝3V 时，输出U o 的值。
解：(a) 1．D2反向导通，D1正向导通，U o = U Z2＋U D ＝ 4V2. U o = U Z2＋U D ＝ 4V3. U i ＝3V 时，D2反向不导通，U o = 3V(b) 1. D1、D2均反向导通，U o = U Z2＋U Z1 ＝ 9.6 V2. 反向不导通，U o = 6V3. U o = 3V(c) 1. D1、D2均正向导通，U o = U D ＋U D ＝ 1.4 V 2. U o = U D ＋U D ＝ 1.4 V3. U o = U D ＋U D ＝ 1.4 V图P1-6U o+ R D 1 D 2 ＋ U iU o+ R D 1 D 2 ＋ U iU o+ R D 1 D 2 ＋ U iR D 1＋ U iU o+ D 2(a) (d)(c)(b)(d) 1. D2反向导通，D1 不导通， U o = 3.3 V 2. D2反向导通，D1 不导通，U o = 3.3 V3．D1、D2均不导通，U o = 3V1.2. 如图P1-7(a)所示电路，设稳压二极管导通电压U D =0.7V ，稳压值U Z ＝3.3V ，输入电压波形如图P1-7(b)所示，试画出输出u o 的波形。
解：1.3. 根据图P1-8各电路中所测的电压值判断三极管的工作状态（放大、饱和、截止和损坏）。
解：(a)发射极正偏压，集电极反偏压，I C 不为零，是放大状态；(b)发射极正偏压，集电极正偏压0.4V ，为饱和状态；图P1-7(a) u it(ms)0 6V-6Vu o+ R D 1 D 2＋u i图P1-7(b)(a)(b)R C2VR b 0.7V 6V12V R C6VR b 1.2V12V 12VR E0.5V R C-6VR b -5.7V-5.3V -12VR E-5V(c)图P1-8R C-2VR b -0.3V -6V -12VR C2VR b 0V 12V12VR C-2VR b -2V -12V-12V (d)(e)(f)t (ms) 04V-4Vu o(c)发射极正偏压，集电极反偏压，I C 为零，而I E 和I B 不为零，损坏状态； (d)发射极正偏压，集电极反偏压，但I C 和I B 为零，损坏状态； (e)发射极无偏压，集电极反偏压，为截止状态； (f)发射极正偏压，集电极反偏压，为放大状态。
模电 课后作业 第1章
第一章大题1．温度升高后，本征半导体内（ D ）a．自由电子数目增多，空穴数目基本不变。
b．空穴数目增多，自由电子数目基本不变。
c．自由电子和空穴数目都不变。
d．自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
2、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为零的电池正向连接，该管【 B 】。
A、击穿；B、电流过大使管子烧坏；C、电流约为零；D、电流正常3、硅稳压管工作在【 A 】，工作时它必须串联一个合适的限流电阻R。
A、反向击穿区；B、反向区；C、正向区；D、过功耗区4．发光二极管发光时，其工作在( A )。
a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区5、有Ⅰ，Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ四个二极管，测得他们的反向电流分别是2μA、0.5μA、5μA、0.5μA；在外加相同的正向电压时，电流分别是10mA、30mA、40mA、40mA。
比较而言，（B ）管性能最好。
A ⅣB ⅢC ⅡD Ⅰ6、PN结反向向偏置时，其内电场被（ B ）。
A、削弱B、增强C、不变D、不确定7、PN结反向电压的数值增大，小于击穿电压，（ C ）。
a：其反向电流增大；b：其反向电流减小；c：其反向电流基本不变8、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。
a：单向导电性；b：反向击穿性；c：电容特性9、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ C ）。
a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（A ）。
A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态11、若测得工作在放大电路中的某一个BJT的三个电极的直流电位为：U1＝6 V、U2＝11.3 V、U3＝12 V，则据此判断该管是【 B 】。
A、PNP型Ge管；B、PNP型Si管；C、NPN型Si管；D、NPN型Ge管12．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( A )。
模电30题作业2
【4-1】电路如图所示，晶体管的β＝100，U BE＝0.7 V，饱和管压降U CES＝0.4 V；稳压管的稳定电压U Z＝4V，正向导通电压U D＝0.7 V，稳定电流I Z＝5 mA，最大稳定电流I ZM＝25 mA。
试问：（1）当u I为0 V、1.5 V、2.5 V时u O各为多少？（2）若R c短路，将产生什么现象？【4-2】电路如图所示，晶体管导通时U BE＝0.7V，β=50。
试分析u I为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压u O的值。
【4-3】试问图示各电路能否实现电压放大？若不能，请指出电路中的错误。
图中各电容对交流可视为短路。
图(a) 图(b)图(c) 图(d)【4-4】在图(a)所示电路中，已知晶体管的β=100，r be=1 kΩ；静态时U BEQ=0.7 V，U CEQ=6 V，I BQ=20 μA；输入电压为20 mV；耦合电容对交流信号可视为短路。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）电路的电压放大倍数①（）②（）③（）④（）（2）电路的输入电阻①（）②（）③（）④（）（3）电路的输出电阻①（）②（）③（）（4）信号源的电压有效值①（）②（）【4-5】电路如图所示。
晶体管T为3DG4A型硅管，其、r bb'=80Ω。
电路中的V CC=24V、R B = 96kΩ、R C =R E=2.4kΩ、电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大、正弦波输入信号的电压有效值U i=1V。
试求：(1) 输出电压U o1、U o2的有效值；(2) 用内阻为10kΩ的交流电压表分别测量u o1、u o2时，交流电压表的读数各为多少？【4-6】放大电路如图(a)所示，晶体管的输出特性和交、直流负载线如图(b)所示。
已知，。
试求：（1）电路参数、、的数值。
（2）在输出电压不产生失真的条件下，最大输入电压的峰值。
图(a) 图(b)【4-7】图为一个放大电路的交流通路。
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电作业及答案分析
作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结？P 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P 型半导体，亦可称为空穴型半导体。
主要靠空穴导电。
N 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成N 型半导体，亦可称为电子型半导体。
主要靠自由电子导电PN 结：采用不同的掺杂工艺，将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN 结。
PN 结具有单向导电性。
2、简述PN 结的单向导电性。
在PN 结上外加一电压，如果P 型一边接正极，N 型一边接负极，电流便从P 型一边流向N 型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，即PN 结外加正向电压时处于导通状态。
如果N 型一边接外加电压的正极，P 型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，即PN 结外加反向电压时处于截止状态。
这就是PN 结的单向导电性。
3、简述PN 结的伏安特性。
如左图所示，当PN 结外加正向电压，电流i 随电压u按指数规律变化；当PN 结外加反向电压，首先没有电流流过，但当反向电压增大到一定程度时，反向电流将急剧增加，将PN 结反向击穿。
P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =，稳定电流的最小值min 5mA Z I =。
求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。
解：(a) 1316V 2=1086(500102)6L o DZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：P. 69－70: 1.3，1.61.3 电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
电子行业模拟电子技术课程作业
电子行业模拟电子技术课程作业一、简介本文档为电子行业模拟电子技术课程的作业文件，旨在帮助学生加深对电子行业模拟电子技术的理解和应用。
在本次作业中，我们将运用模拟电子技术的知识设计和实现一个简单的电子电路。
二、作业要求本次作业的要求是设计一个具有以下功能的电子电路：1.输入电压可在0V 至5V 之间变化，包括正向和负向的变化。
2.输出电压与输入电压反向，即当输入电压为正时，输出电压为负；当输入电压为负时，输出电压为正。
3.输出电压与输入电压的绝对值成正比。
本次作业要求使用模拟电路进行设计，并通过仿真软件验证设计的电路是否满足上述功能要求。
三、电路设计1. 输入电压变化范围为了满足输入电压在 0V 至 5V 之间变化的要求，我们可以使用一个可变电阻来调节输入电压的大小。
通过调节电阻的阻值，即可改变输入电压的大小。
2. 输出电压与输入电压反向为了实现输出电压与输入电压反向的功能，我们可以使用一个运算放大器来实现。
通过调整运算放大器的反相输入和非反相输入之间的连接方式，可以实现输出电压与输入电压反向的特性。
3. 输出电压与输入电压成正比为了实现输出电压与输入电压成正比的特性，我们可以使用一个乘法器。
乘法器可以将输入电压与一个固定电压相乘，从而实现输出电压与输入电压的绝对值成正比。
四、电路仿真为了验证我们设计的电路是否满足要求，我们将通过仿真软件进行电路的仿真。
在仿真软件中，我们可以输入电压的大小，并观察输出电压的变化。
通过比较输出电压与输入电压的反向关系以及成正比关系，可以验证电路的功能是否正确。
五、结论通过本次作业，我们设计并实现了一个具有输入电压可变、输出电压与输入电压反向、输出电压与输入电压成正比的电子电路。
通过仿真验证，我们可以确定电路的功能是否正确，从而对模拟电子技术有更深入的理解和应用。
希望本次作业能够帮助大家提高在电子行业模拟电子技术方面的能力，并对电子电路设计有更深入的认识。
模电作业
例1．求图所示电路的静态工作点电压和电流。
解：（1）图解分析法首先把电路分为线性和非线性两部分，然后分别列出它们的端特性方程。
在线性部分，其端特性方程为Ｖ＝Ｖ1－ＩＲ将相应的负载线画在二极管的伏安特性曲线上，如图所示，其交点便是所求的（ＩQ，ＶQ）。
（2）模型分析法①理想二极管模型Ｖ＝0，Ｉ＝Ｖ1／Ｒ②恒压降模型设为硅管，Ｖ＝0.7V，Ｉ＝（Ｖ1－Ｖ）／Ｒ例2．如何用万用表的“欧姆”档来判别一只二极管的正、负极？分析：指针型万用表的黑笔内接直流电源的正端，而红笔接负端。
利用二极管的单向导电性，其正向导通电阻一般在几百欧～几千欧，而反向偏置电阻一般在几百千欧以上。
测量时，利用万用表的“R×100”和“R×1K”档，若两个数值比值在100以上，认为二极管正常，否则认为二极管的单向导电性已损坏。
例3．图所示电路中，设Ｄ为理想二极管，试画出其传输特性曲线（Ｖo～Ｖi）。
解：（1）ｖi<0，二极管Ｄ1、Ｄ2均截止，ｖo=2.5V。
（2）ｖi>0当0<ｖi<2.5V时，二极管Ｄ1、Ｄ2均截止，ｖo=2.5V；当ｖi>2.5V时，Ｄ1导通，假设此时Ｄ2尚未导通，则ｖo=(2/3)．(vi-2.5)+2.5V；令ｖo=10V，则ｖi=13.75V，可见当ｖi>13.25V时，Ｄ1、Ｄ2均导通，此时ｖo=10V。
传输特性曲线略。
例4．试判断图中二极管是导通还是截止？并求出AO两端电压ＶA0。
设二极管为理想的。
解：分析方法：（1）将D1、D2从电路中断开，分别出D1、D2两端的电压；（2）根据二极管的单向导电性，二极管承受正向电压则导通，反之则截止。
若两管都承受正向电压，则正向电压大的管子优先导通，然后再按以上方法分析其它管子的工作情况。
本题中：Ｖ12=12V，Ｖ34=12+4=16V，所以D2优先导通，此时，Ｖ12=-4V，所以D1管子截止。
ＶA0 = -4V。
模电作业
模拟电子技术基础习题
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压V AO。
设二极管是理想的。
2.4.7电路如图题2.4.7所示，D1，D2为硅二极管，当v i＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（V th＝0.5 V，r D＝200Ω）分析输出电压v o的波形。
3.2.1试分析图题3．2．1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。
并简述理由。
（设各电容的容抗可忽略）
3.3.2 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。
（a）V C＝6 V V B＝0.7 V V E＝0 V
（b）V C＝6 V V B＝2 V V E＝1.3 V
（c）V C＝6 V V B＝6V V E＝5.4 V
（d）V C＝6 V V B＝4V V E＝3.6 V
（。
）V C＝3.6 V V B＝4 V V E＝3. 4 V
8.1.1在同相输人加法电路如图题8.1.1所示，求输
出电压o v ；当R 1＝R 2＝R 3＝R f 时，o v ＝？
8.1.7 图题8.1.7为一增益线性调节运放电路，试推导该电路的电压增益)(A 21I I o V v v v -=的表达式。
模电—期中大作业
模拟电子技术基础综合设计考核题 目1.选择如图1所示的高速、高精度差分放大器INA133构成多种功能电路。
要求：①在该器件基础上，引入少量元器件（电阻、电容、晶体管。
场效应管、运放），设计实现五种以上的应用电路。
如图2所示的组成反相比例放大器、图3所示的组成相减器。
②确定元件参数及输出结果。
2.设计压控三角波振荡器。
控制电压u C =0.2sin2π×100tV 。
（参考教材习题4-26）要求：①当u C =0时振荡频率为2000Hz,在控制电压u C 作用下振荡频率的最大偏移量（最大频偏）为200Hz 。
输出三角波的振幅为6V 。
②电源采用±15V 。
选择集成运放及元器件并计算确定元件参数。
图1图2图33.设计用于图4所示的简易锁相放大器。
图中激励传感器的信号u S =sin2π×1000tV 。
反映传感器被测物理量大小的输出信号（即锁相放大器的输入信号）u I =U im sin(2π×1000t+φx )V,是具有强干扰背景下的弱信号。
而锁相放大器就是用于检测弱信号u I 中的U im ，使其输出直流电压U O 正比于U im 。
参考信号u R 要求与输入u I 同频同相以便鉴相时（参考教材146页相敏检波电路）输出电压最大。
要求：①锁相放大器的最大总电压增益为60dB 。
其中前置增益为20dB ，相敏检波后的增益分三档：26dB 、34dB 和40dB 。
②电源采用±15V 。
选择集成运放及元器件并计算确定元件参数。
4．设计图5所示相位（敏）检波器（参考教材146页相敏检波电路）。
图中参考信号u R =U Rm sin2πft ；输入信号u i =U im sin(2πft+φx )，其中f<10kH,-90o ≤φx ≤ 90o 。
要求：①输出直流电压U O 正比于相差φx ，且φx =0时U O =0；φx <0时U O <0；φx >0时U O >0。
模电练习题
说明：① 用于训练和评价课程目标1的达成。
② 每个学生独立完成。
1-1、设二极管D 的正向导通压降为0.7V ，选择二极管D 的近似模型（画出模型）并判断其工作状态，计算A 点的电位。
1-2、设二极管均为理想二极管，判断各二极管的工作状态并依据二极管的工作状态画出电路（消除二极管后）的等效模型，列出求AB 间电压的表达式（数学模型）并计算。
1-3、已知V1等于5V ，V2等于0.3V ；LED 的正向导通电压降落为1.7V ，导通电流范围为8~10mA ；写出求电阻R1大小的数学模型表达式并选择一个电阻R1的标称值。
1-4、设三极管T 导通时U BE 为0.7V ，β为100；在E1分别等于0V 、1V 、2V 时，分析判别三极管T 的工作状态（给出判断依据），同时分别写出求AB 间电压的表达式（数学模型）并计算。
ΩABABLED1-5、设三极管T 导通时U BE 为0.7V ，饱和管压降U BES 为0.5V ，β为100；在下列情况下，分别判别三极管T 的工作状态，同时分别写出求AB 间电压的数学模型表达式并给出结果。
①正常情况；②R1开路；③R2开路；④R2短路；⑤R3开路。
1-6、已知三极管β=80，Rc =1k Ω ，r be =200Ω ，Vcc =12V ，R L =1k Ω ，U CEQ =7.5V ，U BEQ =0.7V ；写出估算电阻Rb 大小的相关数学模型表达式并依次计算；写出求空载时交流电压放大倍数和带负载时交流电压放大倍数的数学模型表达式并计算出结果。
1-7、多级放大电路中，阻容耦合和直接耦合各有什么特点？如何根据输入信号类型来选择阻容耦合还是直接耦合电路模型? 如何根据对信号放大的频率特性要求来选择阻容耦合还是直接耦合电路模型?ABR1R2。
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模拟电子技术课程设计题目
选题1：±15V直流稳压电源
一、简要说明
集成三端稳压器性能较好，保护功能较完善（具有过流保护和过热保护功能），体积小、价格低、品种多，是常用的稳压器件。
用它和电源变压器、整流元件、滤波电容等构成直流稳压电源不仅设计容易，安装调试简单，而且成本低，体积小。
这种电源的具体实例之一是给集成运放供电的±15V电源。
二、任务和要求
1、有+15V和-15V两路输出，误差不超过±0.5V。
2、当电网电压在220V上下波动±15%，输出电流在0~80mA范围内变化时，均可正常稳压，输出电压的变化不超过±0.3V。
3、在保证正常稳压的前提下，尽量减小功耗。
4、具有过流保护功能。
选题二：音响功率放大器
一、简要说明
电视机、音响等电器设备中都有音响功率放大器。
这类放大器过去曾用三极管等分立元件构成，现在集成电路音响功率放大器已经相当普及。
以这种器件和集成电路音响前置放大器或集成运放为主构成音响功率放大器，不仅工作稳定，性能好，而且容易安装调试，成本低。
二、任务和要求
1、最大输出功率不小于3W。
其条件是：
1）以8Ω喇叭（额定功率不小于4W）作为负载；
2）非线性失真不超过2%；
3）电源电压不超过15V。
选题三：温度报警器
一、简要说明
在一些要求恒温的场所，如生物实验室、蔬菜大棚等，对温度有一定的要求。
如果温度太高，则应及时采取降温措施；如果温度太低，则应及时采取升温措施。
为便于及时不解温度是否正常，可使用温度报警器。
二、任务和要求
1）当温度高于在10℃~30℃范围内时，报警器不发出声音。
当温度超出这个范围时，报警器报出声响，并可根据声响的不同单调区分温度的高低，即：当温度高于30℃或温度低于10℃时，报警器发出不同的声音。
2）可用5~15V直流稳压电源供电。
3）在保证性能的前提下，昼减少功耗，降低成本。
选题四：信号发生器
用中小规模集成芯片设计制作产生方波、三角波和正弦波等多种波形信号输出的波形发生器，具体要求如下：
1）、输出波形工作频率范围为0.02HZ~20KHZ ，且连续可调；
2）、正弦波幅值±10V ，失真度小于1.5%；
3）、方波幅值±10V ；
4）、三角波峰-峰值20V ，各种输出波形幅值均连续可调。
选题五：红外遥控报警器
一、简要说明：
设计一个红外遥控报警器，当有人要遮挡红外光时应发出报警信号，无人遮挡红外光时报警器不工作（不发声）。
红外遥控器应由两部分组成：红外发射电路和红外接收电路，各部分方框图如下所示：
二、任务和要求：
1) 设计一个红外遥控报警器
2) 设计一个红外发射器，调整频率为30KHZ
3) 设计一个红外接收器，当无人遮挡红外光时，报警器不发出报警信号，当有人遮挡红外光时，报警器发声，报警信号频率为800HZ
电源
红外信号发射电路框图
红外信号接收电路框图
课程设计说明书要求
一、内容要求：设计说明由以下部分组成
1、设计题目
2、设计任务与要求
3、总体方案：包括系统设计方案及原理框图；
4、详细设计：包括单元电路设计、参数计算和器件选择；
5、整体电路：画出完整的电路图，要说明电路的工作原理，包括各部分单元电路电气性能的相互匹配问题。
6、总结：设计电路的特点和方案的优缺点，指出课题的核心及实用价值，提出改进意见和展望；
8、参考文献
9、收获和体会
7、附录：列出电路需要的元器件（元器件选用可参考课程设计指导书）
二、格式要求：
设计说明书要求打印，原理图可以手画，但必须规整。
打印用A4纸，上边距为2.5cm，下边距为2.0cm，左边距为2.0cm，右边距为2.0cm。
1、封面：如附录
2、设计题目：小三黑体，居中
3、说明书正文：正文各标题用四号宋体，内容在标题后另起一行，采用小四宋体
4、公式：正文中公式书写应在文中另起一行，居中书写
5、[参考文献]（四号黑体），后空一格打印内容（小四号宋体）
附：封面
模拟电子课程设计
题目名称：温度报警器
姓名：卫佳菁
学号：10172226 班级：通信102
计算机与科学技术学院。