离子注入GaAs实现双包层fiberlaser

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深入探索GaAsSb多层量子阱在光子集成领域的应用由离子注入

深入探索GaAsSb多层量子阱在光子集成领域的应用由离子注入
Sb多层量子阱的光学性质,发展出一系列不同As含量 的材料。 (1)该系列材料在室温下能够被激发出波长在1.5微米附近的激 光,并且与高质量的AlGaSb/AlSb布拉格反射镜单片集成, 应用于垂直腔面发射激光器(VCSELs); (2)实验表明,随着As含量的增加,光致荧光强度明显增强,显 示出该系列材料在光子器件方面有着广阔的应用前景; (3)此外,细微调节As的含量和势阱宽度,能够实现在1480-1540 nm波段具有高辐射效率的材料。 这一研究成果发表在Applied Physics Letters。
新型锑基材料可饱和吸收镜 在光纤激光器中的应用研究
——“通信原理”系列讲座
孙晓岚 上海大学 通信与信息工程学院 2009.6
研究领域
功能化纳米 纳米光学 软材料
半导体 半导体量子阱 量子阱
集成 高分子化学 光电子学
新型光电子器 纳米复合材料 件、光纤器件
1. 结合半导体材料与纳米光学的前沿热点 2. 研究集成光电子学和新型光电子、光纤器件领域具有 普遍意义的基本科学问题 3. 发展具有自主知识产权的新兴科技
研究基础-3
GaAsSb多层量子阱的亚皮秒量级的自旋弛豫时间使得该 材料成为全光开关器件的理想材料。该材料有可能实现中 心波长在1.5 mm的、开关速度小于250 fs的全光偏振开关。 提出把GaAsSb多层量子阱应用到半导体光学放大器的构 想。 完成了应用在半导体光学放大器中的四波混频的数值模拟 计算,完成了线偏光和圆偏光的实验,并且得到了与理论 计算一致的实验数据。 这一研究成果的相关论文正在撰写中。
研究基础-2
深入探索GaAsSb多层量子阱在光子集成领域的应用。由离子注入 产生的量子混杂的半导体禁带宽度修饰是实现光子集成的有效方 式。利用量子阱混杂来空间选择性的控制多层量子阱的光学性 质。 (1)实现最大可至198纳米的禁带蓝移,这在文章发表当时是已知 世界范围内最大的禁带蓝移; (2)一般来说,注入离子的样品的光致命荧光强度随着退火温度的 升高而增强; (3)禁带蓝移是由III族和V族元素相互扩散共同导致的。 这一研究结果发表在Applied Physics Letters。 “Large blue shift of the band gap of GaAsSb/AlSb multiple quantum wells (MQWs) with ion implantation”, Xiaolan Sun, Nasser Peyghambarian, Alan R. Kost* and Nayer Eradat, Applied Physics

等离子注入

等离子注入

等离子注入工艺综述摘要 离子注入技术是当今半导体行业对半导体进行掺杂的最主要方法。

本文从对该技术的基本原理、基本仪器结构以及一些具体工艺等角度做了较为详细的介绍,同时介绍了该技术的一些新的应用领域。

关键字 离子注入技术半导体 掺杂1绪论离子注入技术提出于上世纪五十年代,刚提出时是应用在原子物理和核物理究领域。

后来,随着工艺的成熟,在1970年左右,这种技术被引进半导体制造行业。

离子注入技术有很多传统工艺所不具备的优点,比如:是加工温度低,易做浅结,大面积注入杂质仍能保证均匀,掺杂种类广泛,并且易于自动化。

离子注入技术的应用,大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展,从而使集成电路的生产进入了大规模及超大规模时代(ULSI )。

由此看来,这种技术的重要性不言而喻。

因此,了解这种技术进行在半导体制造行业以及其他新兴领域的应用是十分必要的。

2 基本原理和基本结构2.1 基本原理离子注入是对半导体进行掺杂的一种方法。

它是将杂质电离成离子并聚焦成离子束,在电场中加速而获得极高的动能后,注入到硅中而实现掺杂。

离子具体的注入过程是:入射离子与半导体(靶)的原子核和电子不断发生碰撞,其方向改变,能量减少,经过一段曲折路径的运动后,因动能耗尽而停止在某处。

在这一过程中,涉及到“离子射程”、“”等几个问题,下面来具体分析。

2.1.1离子射程xpz图2.1.1(a ) 离子射程模型图图2.1.1(a )是离子射入硅中路线的模型图。

其中,把离子从入射点到静止点所通过的总路程称为射程;射程的平均值,记为R ,简称平均射程 ;射程在入射方向上的投影长度,记为p x ,简称投影射程;投影射程的平均值,记为p R ,简称平均投影射程。

入射离子能量损失是由于离子受到核阻挡与电子阻挡。

定义在位移x 处这两种能量损失率分别为n S 和e S :nn xdE S d =(1)ee dE S k dx== (2)则在dx 内总的能量损失为:()n e n e dE dE dE S S dx =+=+(3)P0000P 0n ed d d d d R E E E ER x E x S S===+⎰⎰⎰(4)n S 的计算比较复杂,而且无法得到解析形式的结果。

半导体光纤激光器结构

半导体光纤激光器结构

半导体光纤激光器结构
半导体光纤激光器是一种新型的光源,它将半导体激光器和光纤技术有机地结合在一起,具有许多优良的特性,如紧凑、高效、宽带、高功率等,在通信、传感、医疗等领域有着广阔的应用前景。

1. 基本结构
半导体光纤激光器的基本结构由三部分组成:半导体激光器、双包层光纤和光纤光栅。

半导体激光器作为泵浦源,提供激光能量;双包层光纤充当增益介质,其中掺杂有稀土离子;光纤光栅形成光腔,实现激光振荡。

2. 工作原理
半导体激光器的输出光经过光耦合装置注入到双包层光纤的内包层中。

由于内包层掺杂了稀土离子,因此泵浦光被吸收,激发离子到高能态。

当泵浦功率足够高时,就会产生受激辐射,在光纤中产生激光。

光纤两端的光栅形成光腔,提供反馈,实现激光振荡。

3. 主要特点
(1) 结构紧凑,体积小,便于集成。

(2) 光纤激光的增益介质为玻璃光纤,热效应小,可实现高功率和高效率输出。

(3) 通过改变光纤的掺杂离子和光栅结构,可实现宽带和可调谐激光输出。

(4) 采用全光纤结构,具有优良的机械性能和环境稳定性。

半导体光纤激光器结合了半导体和光纤技术的优点,具有广阔的应用前景,是未来激光技术的一个重要发展方向。

半导体工艺原理—离子注入掺杂工艺(6.11)(贵州大学)

半导体工艺原理—离子注入掺杂工艺(6.11)(贵州大学)

22
射程粗略估计

核阻止本领和电子阻止本领的比较
不同靶和不同 注入离子,其Ec值不 同。硅靶注入轻离子硼, Ec约为15keV,重离 子磷,Ec大约为150keV。 注入离子的初使能量比Ec大很多,在靶内主 要电子阻止损失能量,核阻止可忽略: R≈k1E01/2 E<<Ec ,电子阻止可忽略,入射离子主要以 核阻止形式损失能量:R≈k2E0
微电子工艺
--定域掺杂工艺
掺杂之离子注入工艺
1
本章重点

离子注入工艺机理、注入方法; 核、电子阻止,杂质分布函数、特点; 注入损伤:原因、种类、主要影响因素; 退火:机理、方法; 离子注入和热扩散比较
2
什么是离子注入
离化后的原子在强电场的加速作用下,注射进入靶材料的表层, 以改变这种材料表层的物理或化学性质
非晶靶中注入离子的浓度分布
Rp:标准偏差(Straggling),投影射程的平均偏差 R:横向标准偏差(Traverse straggling), 垂直于入射方向 平面上的标准偏差。
19

射(行)程:R 投影射程 :RP
R bM 2 1 Rp M1
M1>M2; b=1/3
入射离 子质量
39
3 注入损伤
晶格损伤:高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞,可能使靶 原子发生位移,被位移原子还可能把能量依次传给其它原子,结果产 生一系列的空位-间隙原子对及其它类型晶格无序的分布。这种因为 离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤。
(Si)SiSiI + SiV
40

两球体弹性碰撞
离子与靶 间势函数
2 1 4M M q Z1Z2 r 1 2 p 0, TM M 2 U 2 E , V ( r ) f 2 0 2 2 (M1 M 2 ) r

gaas和inp材料工艺

gaas和inp材料工艺

gaas和inp材料工艺全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:【GaAs和InP材料工艺】GaAs和InP是两种常见的半导体材料,它们在电子器件制造领域有着重要的应用。

本文将介绍这两种材料的工艺制备过程,并探讨它们的特性及在电子器件中的应用。

GaAs(镓砷化镓)是一种重要的半导体材料,具有良好的导电性和光电性能。

GaAs的工艺制备过程主要包括外延生长、器件制备和封装等步骤。

1. 外延生长GaAs的外延生长主要通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)或氢化金属有机气相外延(HMOCVD)技术实现。

在外延生长过程中,需要控制反应温度、气氛、气压等参数,以获得高质量的GaAs薄膜。

2. 器件制备通过光刻、腐蚀、金属沉积、电性能测试等工艺步骤,可以制备出基础的GaAs器件,如二极管、场效应晶体管等。

在器件制备过程中,还需要考虑电性能的匹配和稳定性。

3. 封装将GaAs器件封装在合适的封装盒中,以保护器件不受外界环境的影响,并方便连接测试和使用。

封装工艺也包括焊接、膨胀、密封等步骤,需要注意器件的热散热和连接质量。

二、InP材料工艺在电子器件制造领域,GaAs和InP材料因其优越的性能而受到广泛关注。

通过合理的工艺设计和制备,可以生产出高性能的电子器件,推动信息通信、光电显示等领域的发展。

希望本文的介绍能够帮助读者更好地了解GaAs和InP材料工艺,推动相关技术的进步和应用。

第二篇示例:GaAs和InP是两种常用的半导体材料,它们在电子器件制造工艺中起着重要作用。

本文将介绍GaAs和InP材料的工艺流程及其应用领域。

1. GaAs材料工艺:GaAs是镓砷化镓的简称,是一种宽禁带半导体材料。

在电子器件中,GaAs常被用于制造高频、高速、高功率的器件,如微波放大器、MOSFET等。

GaAs材料的制备主要包括外延生长、刻蚀、金属化、离子注入等步骤。

外延生长是GaAs材料制备的关键步骤。

一般采用分子束外延或金属有机化学气相沉积等方法来进行外延生长。

双包层光纤激光器技术

双包层光纤激光器技术
双包层光纤激光器技术
报告内容
1.简要介绍双包层光纤激光器 2.光纤激光器的基本结构及特点 3.光纤激光器的能量应用 4.光纤激光器的在激光技术领域的应用
2 光纤激光器的基本结构及特点
光纤激光器的基本结构与固体激光器的结构基 本相同,光纤激光器是由增益介质(即掺杂光 纤)、谐振腔和泵浦源三部分组成
高功率光纤激光器与其它光源的性能比较
应用前景
由于光纤激光器的优良性能,决定了它比半导体激光器和 大型激光器(如各种体积庞大的、普通激光加工和打标使 用的CO2和YAG激光器)拥有更多的优势,不仅在光纤通信 领域中越来越占有很重要的地位,还在激光技术领域中成 为目前研究的最为活跃的激光光源之一,其中高功率双包 层掺杂光纤激光器是近几年研发的热点。如果在先进加工 产业中采用光纤激光器,许多大型的激光加工设备包括切 割、焊接、热处理以至激光打标、激光雕刻、精密打孔、 激光医疗器械等设备和仪器都可以制成重量和体积较小的 设备或者便携式的灵巧系统。因而新型高功率光纤激光器 将会引起激光科技人员和企业工程技术人员的极大关注, 它已初露锋芒地展现出一个美好的应用前景。这种新型的 高效率、长寿命、小体积、大功率光纤激光器所具有的非 常广阔的潜在市场,有可能形成一个新型的产业.
激光材料加工应用范围和所需光纤激光器性能
谢 谢!
双包层激光器结构
当前,应用最多的仍然是内包层为矩形的 掺镱双包层石英光纤,如美国加州圣何塞 光谱二极管实验室的双包层光纤激光器, 其连续输出功率>110W,光光转换效率 达58.3%。其实验装置如下图所示。 58.3 主要参数为:发射波长1120nm,最大输 出功率110W,光束质量:从为1.1~1.7, 包层光纤为170 ×330矩形内包层,单模 纤芯直径为9.2。

离子注入

离子注入

原理
等离子体基离子注入PBⅡ装置示意图离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表 面改性技术。其基本原理是:用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去,离子束与材料中的原子或分子将发 生一系列物理的和化学的相互作用,入射离子逐渐损失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、结构和 性能发生变化,从而优化材料表面性能,或获得某些新的优异性能。 此项技术由于其独特而突出的优点,已经 在半导体材料掺杂,金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用,取得了巨大的经济效益 和社会效益。
集成电路前道制程中有许多光刻层之后的工艺是离子注入(ion implantation),这些光刻层被称为离子注 入光刻层(implant layers)。离子注入完成后,晶圆表面的光刻胶必须被清除掉,清除离子注入后的光刻胶是 光刻工艺中的一个难点。
优势
高能离子注入的优势 多样性:原则上任何元素都可以作为注入离子;形成的结构可不受热力学参数(扩散、溶解度等)限制; 不改变:不改变工件的原有尺寸和粗糙度等;适合于各类精密零件生产的最后一道工序; 牢固性:注入离子直接和材料表面原子或分子结合,形成改性层,改性层和基底材料没有清晰的界面,结合 牢靠,不存在脱落的现象; 不受限:注入过程在材料温度低于零下、高到几百上千度都可以进行;可对那些普通方法不能处理的材料进 行表面强化,如塑料、回火温度低的钢材等;
(2)热挤压和注塑模具,可使能耗降低20%左右,延长使用寿命10倍左右;
(3)精密运动耦合部件,如抽气泵定子和转子,陀螺仪的凸轮和卡板,活塞、轴承、齿轮、涡轮涡杆等,可 大幅度地降低摩擦系数,提高耐磨性和耐蚀性,延长使用寿命最多可以达到100倍以上;
(4)挤压合成纤维和光导纤维的精密喷嘴,可以大大提高其抗磨蚀性和使用寿命;

Si^+,As^+双离子注入半绝缘GaAs的研究

Si^+,As^+双离子注入半绝缘GaAs的研究

Si^+,As^+双离子注入半绝缘GaAs的研究
王永晨;刘明成;叶维祎;王玉芳;赵杰
【期刊名称】《半导体学报:英文版》
【年(卷),期】1995(16)9
【摘要】本文采用Si+和Si+、As+单、双离子多重注入半绝缘砷化镓[HB-SIGaAs(Cr)].研究发现,双离子注入层经无包封快速热退火后,激活率和电子迁移率较单Si+注入样品明显提高.Raman谱显示结构完整性好,并且有好的载流子剖面分布.文中从化学计量比角度出发分析了激活率提高的原因和从注入离子增强扩散系数分布来解释了多重Si+、As+双注入的载流子浓度剖面分布.
【总页数】6页(P700-705)
【关键词】硅离子;砷离子;离子注入;砷化镓;半绝缘砷化镓
【作者】王永晨;刘明成;叶维祎;王玉芳;赵杰
【作者单位】天津师范大学分析测试中心,天津师范大学物理系
【正文语种】中文
【中图分类】TN305.3
【相关文献】
1.离子注入半绝缘GaAs电激活效率与电激活均匀性的研究 [J], 刘明成;刘福润
2.Si+,As+双离子注放半绝缘GaAs的无包封快速热退火技术的研究 [J], 王永晨;刘明成
3.Si+/As+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究 [J], 鲁光沅;刘福润;刘明成;赵杰;王永晨
4.掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究 [J], 王渭源;夏冠群;卢建国;邵永富;乔墉
5.Si离子注入时半绝缘GaAs晶体中硼对其电活性的影响 [J], 师庆华
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砷化镓聚焦离子束刻蚀加工

砷化镓聚焦离子束刻蚀加工

砷化镓聚焦离子束刻蚀加工
砷化镓聚焦离子束刻蚀加工(Gallium Arsenide Focused Ion Beam Processing, FIB)是一种先进的刻蚀技术,可以用于精准制造各种微小的物体。

它通过使用一个砷化镓(GaAs)晶体作为束流源,将金属离子束聚焦在特定的目标上,从而实现精确的材料切割或是制造微小结构。

FIB技术可以用于制造比传统刻蚀技术所能实现的更小的结构。

此外,它也可以用于精确地编辑微小的系统中的元件,例如半导体器件、微型电路和生物学样品。

FIB技术的优势在于它可以制造精度极高的结构,并且制造过程不会受到温度影响。

因此,它可以用于制造精密的分子结构和超微米结构,例如微型加速器和超大规模集成电路(VLSI)。

此外,它还可以用于制造微型磁性装置,例如磁性隧道结构(MTJ),以及各种微型光学结构,例如光学元件和纳米结构。

化合物半导体的离子注入隔离技术

化合物半导体的离子注入隔离技术

化合物半导体的离子注入隔离技术
化合物半导体的离子注入隔离技术是一种将高能量离子注入半导体中,形成局部电离区域,从而实现半导体器件元器件的隔离的技术。

它主要应
用于高集成度、高速、高频、高功率半导体器件制造过程中,为了避免元
器件之间的相互干扰和损坏等问题。

该技术的主要步骤包括:选择和设计离子注入条件和参数,确定注入
深度和剂量,进行离子注入和退火处理,形成局部电离区域。

在隔离过程中,通过离子注入技术,半导体材料的表面形成了电子缺陷和电子富集区域,从而在不影响器件特性的情况下,实现了器件的隔离。

化合物半导体的离子注入隔离技术比传统的PN结隔离技术具有更高
的隔离效果和更低的串扰噪声,但同时也要考虑到建立足够的电场强度来
实现器件隔离,以及对器件本质特性的影响。

因此,在实际应用中需要对
注入参数和实验条件进行优化和控制,以获得最佳的隔离效果。

氧离子注入砷化镓的理论问题——载流子补偿机理探讨(EHMO法)

氧离子注入砷化镓的理论问题——载流子补偿机理探讨(EHMO法)

氧离子注入砷化镓的理论问题——载流子补偿机理探讨
(EHMO法)
佚名
【期刊名称】《北京师范大学学报:自然科学版》
【年(卷),期】1978(0)2
【摘要】一、引言氧离子注入n型或p型GaAs半导体材料中能形成具有热稳定性的半绝缘层。

在前一篇报告中,已报导了关于它的物理特性的研究并对载流子补偿的机制作了初步讨论。

我们认为,氧离子注入GaAs能引入双深能级:既能引入深施主能级,又同时引入深受主能级。

深施主能级估计是由氧置砷(OAs)引起的,深受主能级则可能是在砷位上的氧OAs与As的空位(VAs)所组成的络合物(OAs—VAs)所引起的。

为了进一步探讨我们的推测是否合理,本文用原子簇模拟晶体,用推广的休克尔法(EHMO)计算了GaAs。

【总页数】9页(P1-9)
【关键词】氧离子;EHMO;原子簇;施主能级;半导体材料;受主能级;砷化镓;中心原子;砷空位;定域能级
【正文语种】中文
【中图分类】TN3
【相关文献】
1.覆氧条件下砷化镓表面二次离子发射机理的研究 [J], 陈宇;范垂祯
2.LEC轻掺铬半绝缘砷化镓单晶的均匀性及其补偿机理 [J], 谢自力
3.砷化镓—镓铝砷双异质结激光器慢退化机理的初步分析 [J], 邹元爔
4.用表面光电压法测试砷化镓少数载流子扩散长度 [J], 付建民
5.砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅰ.砷化镓超高速电路发展概况;Ⅱ,砷化镓晶体管的基本特性 [J], 鄢俊明
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形成优质Si^+注入SI—GaAs层的研究

形成优质Si^+注入SI—GaAs层的研究

形成优质Si^+注入SI—GaAs层的研究
李国辉;韩德俊;陈如意;姬成周;王策寰;夏德谦;朱红清
【期刊名称】《半导体学报:英文版》
【年(卷),期】1994(15)1
【摘要】在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层.本文研究了引Si+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系.结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响.材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ca]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高.实验还证明,29Si+注入时BF+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降.本文指出注入时剂量不宜过大,白光快速退火时温度不宜过高,一般在960℃5秒退火为佳.
【总页数】8页(P40-47)
【关键词】砷化镓;集成电路;离子注入
【作者】李国辉;韩德俊;陈如意;姬成周;王策寰;夏德谦;朱红清
【作者单位】北京师范大学低能核物理所,中国科学院半导体研究所材料开放实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.2
【相关文献】
1.Si+/As+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究 [J], 鲁光沅;刘福润;刘明成;赵杰;王永晨
2.采用P^+共同注入改进SI-GaAs Si^+注入层的电特性 [J], 陈堂胜;罗晋生
3.B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究 [J], 刘伊犁;罗晏;李国辉;姬成周
4.MeV硅、氧离子注入SI-GaAs形成相互隔离的双导电层 [J], 成步文;李国辉;姬成周;王文勋
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300mm离子注入机靶室晶圆传输控制系统设计

300mm离子注入机靶室晶圆传输控制系统设计

300mm离子注入机靶室晶圆传输控制系统设计谢均宇;杨亚兵;孙勇【摘要】在实现了高效晶圆传输全自动控制的基础上,阐述了靶室晶圆传送系统运动部件的结构和各自的功能;介绍了整个晶圆传输控制系统的设计思路,在采用高性能多轴运动控制卡和机械手模块的硬件基础上,引用了有限状态机对系统软件进行了智能化模型设计.【期刊名称】《电子工业专用设备》【年(卷),期】2010(039)005【总页数】5页(P26-29,37)【关键词】晶圆传送系统;自动控制;机械手;Turbo PMAC;有限状态机【作者】谢均宇;杨亚兵;孙勇【作者单位】北京中科信电子装备有限公司,北京,101111;北京中科信电子装备有限公司,北京,101111;北京中科信电子装备有限公司,北京,101111【正文语种】中文【中图分类】TN305.3离子注入机是半导体离子掺杂工艺线的关键设备之一[1],随着市场上对半导体器件的要求的提高,对离子注入机的综合要求也越来越高。

要求离子注入机具有:整机可靠性好、生产效率高、多种电荷态离子宽能量范围注入、精确控制束注入能量精度、精确控制束纯度、低尘粒污染、整机全自动控制、注片均匀性和重复性好等多种功能和特征。

这一切都直接受控制技术的影响,而其中的靶室晶圆传输控制系统,是整机控制系统一个重要组成部分,直接决定了整机的生产效率和可靠性。

目前,300mm离子注入机已经成为国际高端集成电路生产线采用的主流机型,北京中科信电子装备有限公司作为国内离子注入机制造的领航者,为适应大规模生产线工艺要求率先成功研制出300mm大角度中束流离子注入机。

本文要介绍的就是这台离子注入机上的300mm靶室晶圆传送控制系统,包括各个运动部件、硬件模块的选用及软件模块的设计。

与以往的国产机型相比,这套系统除了达到全自动运行基本的功能要求外,还能够针对单晶圆注入方式,改良了结构设计,优化了运动流程,大大提高了生产效率,同时稳定性和运动精度也得到了提高,达到了国外先进机型的水平。

离子束注入技术

离子束注入技术

离子束注入技术
离子束注入技术(Ion Beam Implantation,IBI)是一种用于材料改性和微电子加工的表面处理技术。

该技术通过加速离子束并将其注入材料表面,改变材料的结构、物理性质和化学性质,从而实现材料的改性。

离子束注入技术主要包括以下步骤:
离子源:使用离子源产生所需离子,并将其加速至高速。

离子源通常采用离子枪或离子加速器等设备。

离子加速器:通过离子加速器,将离子加速至高速,以便其能够有效地穿透材料表面并注入材料内部。

离子束控制:使用磁场和电场等控制装置,调整离子束的方向、大小和分布等参数,以便实现精准的注入。

材料注入:将加速的离子束注入到材料表面,使其与材料相互作用并改变材料的性质。

离子束注入技术的应用非常广泛。

在微电子加工中,它可以用于制造半导体器件、集成电路和存储器等。

在材料改性中,它可以用于提高材料的硬度、抗磨损性、抗腐蚀性和耐高温性等。

此外,离子束注入技术还可以用于生产光学器件、太阳能电池和生物医学器械等。

需要注意的是,离子束注入技术的操作要求十分严格,需要严格控制离子束的能量、注入深度和分布等参数,以免对材料造成损伤或不良影响。

同时,由于该技术的设备和操作成本较高,因此需要对其应用场景进行充分评估和分析,以确保其经济效益和应用效果。

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[%] [@] [&]
" ? 离子注入 )*+, 调 - 锁模机理
)*+, 的带隙是 !?’"01,掺镱光纤激光器的波 长在 !?$3 远远低于 )*+, 的带隙 . 理论研 6 附近, ! 究表明, )*+, 材料做固体激光器被动调 - 器件是由 于其中深能级缺陷 UG" 在 !?$ 6 附近的吸收跃迁 !
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所以 ’()* 吸收 0 #-4 1 &$ 2 &5 3/# , 由于 !$ 大于 !% , $ 跃迁的结 果 是 !"# 能 级 上 的 粒 子 数 越 来 越 少, 而 近似的当 !"#$ 能级 !"# % 能级上的粒子数越来越多, 吸收趋 上的中性粒子数全部跃迁到 !"# % 能级上时, 于饱和 , 可见 ’()* 材料的 !"# 能级单光子跃迁过 程存在一定的可饱和吸收特性, 理论上可以用做激 光器的被动调 6 器件 ,
+ , 离子注入 &’$% 材料的准备
我们采用的是厚为 -.. / 的半绝缘 &’$% 晶片, ! 3 注入剂量为 4.45 6 用能量为 0..12( 的 $% 离子注入, 7/# * 我们采用 89:/;- 软件对离子注入 &’$% 晶片后 的分布进行了模拟 * 得到了离子注入后产生的空位 浓度分布如图 # 所示 * 空位浓度分布与 !"# 的浓度 直接相关, 空位浓度越大, !"# 的浓度越大 * 从图 # 可以看出, 离子注入后增加的 !"# 缺陷主要分布在 &’$% 晶片的表层 0.. </ 的范围内 *
子吸收特性决定, 表示为
% ( (.) % !@ " % , $ 0! ? "$ 2 " ) ", # 分别为激光介 " 为谐振腔内的光子数密度, #, 质 B8: 受激发射截面和晶 C)’ 的反转粒子数密度、
生线性单光子吸收, 位于 !"# 能级上的粒子将吸收
%
体长度, & 为真空中光速, %= 为光在腔内往返一周的 时间, $ 为输出镜反射率, C)’ 的反转衰减 ’ 为 B8: 因子, % 为腔内往返损耗, ’> % 为激光上能级寿命, 是泵灯抽运功率, # 9 为 ’()* 样品的厚度 , "$ 为 !"# 深能级上总的粒子数密度, " % 为 !"# % 上的粒子数 $ % 密度, !? 和!@ 分别为 !"# 和 !"# 上的离子吸收截 面 , * 和 , 分别为自由电子和自由空穴粒子数密 % 度, ’? 表示电子与 !"# 粒子的复合系数, ’8 表示空 穴 2 !"#$ 上粒子的复合系数, ’@ 是电子D空穴直接复 合系数 , + 是考虑 ’()* 的双光子吸收效应后引入 的双光子吸收耦合系数, 由下式确定: ()$ <)9 ) , + 0 . &# 9 & (( *9
离子注入 !"#$ 实现双包层掺镱光纤激光器 被动调 % 锁模
王勇刚!) 马骁宇!) 付圣贵") 范万德") 李 强") 袁树忠") 董孝义") 宋晏蓉#) 张志刚#)
!) ") #)
(中国科学院半导体研究所,北京 (南开大学现代光学研究所,天津
!$$$%#) #$$$&!) !$$$"")
(北京工业大学应用数理学院, 北京
#
光子跃迁到中性的 !"#$ 能级上, 在价带上生成一个 带正电的空穴, 同时, 位于 !"# 能级上的中性粒子 也将吸收光子, 发射电子到导带, 自身跃迁到带正电
$
的 !"# 能级上 , 由文献知道, !"# 能级的吸收截面 $ 2 &. # % 为! 0 &-$ 1 &$ 3/ , !"# 能级的吸收截面为 !%
激光输出, 符合激光制导等军用脉冲激光的脉冲宽 度和频率要求, 只是单脉冲能量太小, 只有 &(?3 L. ! [3] 柳强等人 对 )*+, 被动调 - 兼输出耦合 DE: F1H’ 激光特性进行了系统研究, 得到了较好的结果 . 自上世纪 %$ 年代后期掺稀土光纤用于激光器 和放大器以来, 这类光纤激光器得到了广泛的研究 和迅速的发展 . 在纳秒或微秒级光源方面,光纤激 光器由于便于引出, 在医疗、 军事等领域的应用比固 体激光器有独到之处 . 被动锁模光纤激光器, 由于 其价格低廉, 结构紧凑而在亚皮秒级、 皮秒级乃至飞 秒级光源方面有着广泛的应用 . 比如作为高功率激 光系统种子源, 在远距离、 高容量、 超高速通信系统 或局域网中作为高重复频率信号源等 . 光纤激光 器的被动锁模得到了广泛的研究 . 一类是附加脉冲 锁模 机 理 . 在 激 光 谐 振 腔 内 加 入 非 线 性 环 形 镜 (DHG=) 或非线性放大光纤环形镜 ( D+G=) ,利 用光纤的克尔非线性效应形成快速开关使激光器处
而测定的) ,可以认为经过处理后的 &’$% 晶片在 处理后的晶 4.5. </ 处的光吸收率即为 4> * 此外, 片在 ;05</ 处增加的吸收率在 #> 以上 * 这说明我 们制作的调 ) 锁模吸收体也适用于 ?@: A$& 激光 器 ;05</ 波长调 ) 锁模, 同时说明我们选择的退火 温度过高或退火时间过长 * 尽管如此, 我们利用这 样条件加工的 &’$% 晶片取得了如下的实验结果 * 为了保证能够在掺镱光纤激光器上使用, 对经过处 理的 &’$% 晶片两面分别镀上增透膜和高反膜, 增透 膜的反射率在 0> 以下, 高反膜的反射率在 ;.> 以 上, 使其在 4.5. </ 波长处总的透过率为 #,B> *
.期
王勇刚等: 离子注入 ’()* 实现双包层掺镱光纤激光器被动调 6 锁模
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过程所致, 现在证实: !"# 深能级其实是一个双施主 能级, 即中性的 !"# 能级和 !"# 能级上的粒子发射 电子后形成的带正电的 !"# % 能级, 图 & 为 ’()* 的
$ [&+] !"# 能级示意图 , 当 ’()* 样品受到 &-$.+ /波 ! 长激光的激发时, ’()* 中 !"# 缺陷深能级将主要发
[#, [ ] ’] 转 . IJ09 等人 ( 用 )*+, 兼输出镜在 FK: F+) 激 光器上获得最短达 !(?( 9,,频率为 &?#/;< 的脉冲 ["]
用半导体饱和吸收体的方法, 如采用 M9)*+,4)*+, [!!] [!"] 超晶格结构 ,低温生长的 )*+, ( GNO)*+,) 以及 用半 导 体 可 饱 和 吸 收 镜 ( ,0685P9EQ5RPC ,*RQC*KS0 [!#] *K,PCTR8P9 68CCPC,IUI+=) . 上述的光纤激光器被动锁模方法, 仍然存在着 设备复杂, 成本过高的问题 . 目前光纤激光器被动 锁模采用的几种半导体饱和吸收体, 都是反射式的, 需要在光纤输出端增加组合输出透镜 . 而且需要金 属有 机 气 相 淀 积 ( =HV1> ) 方法或分子束外延 (=WU) 方法进行材料生长, 价格昂贵, 和光纤激光器 被动锁模对应的可控制参数少 . 本文提出了一种利 用离子注入 )*+, 材料对掺镱光纤激光器进行被动 调 - 锁模兼做输出镜的方法, 设备简单, 成本低 (采 用大片加工, 每个仅几十元) . 尚未见报道 . 我们的 工作已经取得了一定的进展 . 更深入的工作正在进 行中 .
第 (# 卷 第 3 期 "$$’ 年 3 月 ($3) !$$$O#"@$4"$$’4(# 4!%!$O$(




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1PS. (#, DP. 3, LQ90, "$$’ ""$$’ VJ89. XJY,. IP5.
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(5)
式中( 为双光子吸收系数, ( 为普朗克常数, & 为激 光光波频率, )$ , )9 分别为激光束在激光工作物质 和 ’()* 薄片上光斑的半径, * 9 为 ’()* 折射率 , 为了减少载流子吸收, 我们选择了半绝缘 ’()* 晶片 , 半 绝 缘 ’()* 晶 片 的 载 流 子 浓 度 仅 为 &$A < 从我们测量的红外吸收谱看, 载流子吸收不超 3/4 , 过 &E , 此外, 考虑到液封直拉法 ( :79F78 ?;3(>*F:(G?8 生长的 ’()* 晶片的 !"# 浓度要比 3HI3@=(:*J7, "!K)
关键词:离子注入 )*+,,掺镱光纤激光器,被动调 - 锁模
&#’’:’"3$,’"3$>
于锁模运转状态 . 或只通过偏振控制, 利用非线性
!? 引

[!]
[!$] 偏转旋转效应也能产生自脉冲行为 . 另一类是采
!@@3 年 A*B*C* 等 发现了高纯半导体 )*+, 具 有被 动 调 - 特 性, 并 相 继 实 现 了 氙 灯 抽 运 DE: F+) 和 G> 抽 运 DE: F+), DE: F1H’ 被 动 调 - 运
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