中国科学院电工基础复试2003真题
中科院2003-2009物化试题
中国科学院研究生院2007年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题科目名称：物理化学（甲）考生须知：1．本试卷满分为150分，全部考试时间总计180分钟。
2．所有答案必须写在答题纸上，写在试题纸上或草稿纸上一律无效。
3．可以使用无字典存储和编程功能的电子计算器。
下列一些基本常数供解题时参考：普朗克常数h = 6.626 × 10-34 J·S；玻兹曼常数k B = 1.381× 10-23 J·K-1；摩尔气体常数R = 8.314 J·mol-1·K-1；法拉第常数F = 96500 C·mol-1一、是非题（每小题1分，共15分）（判断下列各题是否正确，正确用“√”表示，错误用“×”表示）1、气体的压力是在单位时间内撞击在单位表面上的分子所发生的动量的变化。
2、公式PVγ=常数，适用于理想气体的绝热可逆变化。
3、一定量的某实际气体，向真空中绝热膨胀以后，系统的P和V的乘积变小，温度降低，则此过程的ΔU < 0，ΔS > 0 。
4、将低沸点的A和高沸点的B两种纯液体组成液态完全互溶的气液平衡体系。
在一定温度下，将液体B加入体系中时，测得体系的压力增大，说明此系统具有最大正偏差。
5、水的三相点就是水的冰点。
6、溶剂服从拉乌尔定律、溶质服从亨利定律的溶液，称为理想稀溶液。
7、当反应A(s)→B(s)+D(g)达到化学平衡时，系统的自由度f = 3。
8、在合成氨反应中，惰性气体的存在不影响平衡常数，但影响平衡组成。
9、能量零点选择不同，则内能的值也不同。
10、无论是定位系统或非定位系统，最概然分布的公式是一样的。
11、对任一种有液接的浓差电池，加盐桥比不加盐桥的电动势大。
12、反应A + B = 2 C + 2 D 不可能是基元反应。
13、在同一温度下的同一基元反应，随着不同浓度单位，k （速率常数）有不同数值，从)exp()exp(RTH R S h T k k m r m r B θθ≠≠Δ−Δ=看，主要是因所取的标准态不同所引起的。
华北电力继电保护试题_03年保护复试
华北电力继电保护试题_03年保护复试注意事项：1、本试题的所有答案一律写在答题纸上，否则该题以零分计。
2、答题纸不得拆开，试算请在答题纸最后一页进行。
一、（8分）下面的陈述中，正确的打“ ”，错的打“ ”。
1、电流速断保护在最大运行方式下发生三相短路时，其保护范围可能延伸到相邻线路中去。
2、阻抗I 段的保护范围不受运行方式的影响。
3、当输电线路发生短路并伴随断线时，由于高频信号不能传送到对端，高频闭锁功率方向保护可能拒动。
4、具有同步检定和无压检定的自动重合闸，在检无压侧要投检同步。
二、简单计算及简答（24分）1、图示零序电流滤序器，请标出各相CT 的同名端。
已知负荷电流为400A ，CT 变比为400/5，则正常运行情况下，I 0= ？若C 相CT 极性接反，I 0=？2、已知900接线的功率方向继电器的动作方程为0060120≤≤-J J I U Arg 。
则该继电器的最大灵敏角、继电器的内角为多大？画出其动作特性。
3、图示系统，当对保护2的电流速段进行整定时，运行方式如何考虑？4、请画出变压器各种接线方式下（Y 0/Y 0、Y 0/?、Y/Y ）单相接地故障时的零序等值电路图三（15分）图示双侧电源网络，各元件参数已标在图中。
保护1、2装有反应相间短路的方向阻抗继电器。
M E M N δj MN e E E =10 750Ω 20 750Ω 10 750Ω1 21、计算保护1、2的阻抗I 段的整定值，85.0='k （3分）2、当0180=δ时，在线路N 母线上发生三相短路，计算保护1测量阻抗（3分）3、当系统振荡时，在复平面上画出保护1的测量阻抗变化轨迹。
（9分）四、（8分）1）说明下列接点名称（a ） (b) (c) (d)2)说明下列继电器的接点满足什么条件闭合，什么条件打开？+-I J U J I J U J五、（9分）试阐述三端电源情况下，高频保护的工作原理六、（12分）某电力系统如下图所示，试绘制各序等值电路（各元件的序参数用相应的符号表示）。
中国科学院专业基础2003真题
2003年华北计算技术研究所攻读硕士学位研究生入学考试试卷《专业综合》试题一、回答下列问题，并在处填上合适的词。
(20分)1、什么是数据结构? 有关数据结构的讨论涉及哪三个方面?2、数据是________的载体，它能够被计算机程序识别、________和加工处理。
3、数据的逻辑结构分为线性结构和非线性结构两大类。
线性结构包括、、、等；非线性结构包括、等，线性结构的特点是，非线性结构的特点是。
二、计算并回答下列问题（16分）1、对有127个元素的顺序表进行插入和删除操作，要求仍然保持各个元素原来的次序，并在等概率情形下计算：（1）对该顺序表进行插入,平均需要移动多少个元素?（2）在该顺序表内删除一个元素,平均需要移动多少个元素?2、已知一棵二叉树的中序和后序序列如下：中序序列：c, b, d, e, a, g, i, h, j, f后序序列：c, e, d, b, i, j, h, g, f, a（1）求该二叉树的先序序列；（2）画出该二叉树；（3）求二叉树的高度（假定空树的高度为-1）；（4）求二叉树的度为2、度为1的结点及叶结点个数。
三、设待排序的排序码序列为{12, 2, 16, 30, 28, 10, 16*, 20, 6, 18}, 使用下述4个排序算法，直接插入排序、希尔排序(增量为5,2,1)、起泡排序、基数排序，回答下列问题：（32分）（1）简述各种排序算法的基本思想；（2）说明各算法的稳定性；（3）按趟分别写出使用各排序算法每趟排序后的结果；（4）按趟说明每趟所做排序码比较次数。
四、计算连通网络的最小生成树的Dijkstra算法可描述如下：将连通网络中所有的边以方便的次序逐步加入到初始为空的生成树的边集合T中。
每次选择并加入一条边时，需要判断它是否会与先前加入T 的边构成回路。
如果构成了回路，则从这个回路中将权值最大的边退选。
下面是一个算法，请：1。
中国科学院电子技术考研真题
科目名称：电子技术
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7. （２０分，每小题 5 分） 电路如下图所示, 晶体管T1 ~ T4 的电流放大系数 为 β1 ~ β4 , b-e 间的动态电阻为 rbe1 ~ rbe出各级电压放大倍数 （３）求整个电路的电压放大倍数 （４）求输入输出电阻
2. （２０分，每小题１０分）已知一个高阻抗的放大器，增益为 G，输出偏移 电压为 Voo，该电压与温度 T 有关，并有下列关系：
通过实验测量，得出 VRTI = -1 μ V，VRTO = -100 μ V， β = 700K。在高温
科目名称：电子技术
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时，这一偏移电压可导致放大器输出饱和。通过设计一具有高输入阻抗的电 路，并在放大输入之前，使用一个基于半导体硅的温度感应器作为补偿，以 避免放大器由于温度的变化导致的输出偏移电压饱和，该半导体硅的温度感 应器的电阻值随温度变化的规律可表为：
大的特征是（ ），放大的前提是（ ）。 （4） 晶体管放大电路有三种接法，它们分别是（ ）、（ ）、（ ）。 （5） 为了增大电压放大倍数，集成运放电路的中间级多采用（ ）。 （6） 集成运放中采用有源负载是为了（ ）。 （7） 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ ）。 （8） 与模拟信号相比，数字信号对（ ）有较强的承受能力。 （9） 数字集成电路有（ ）和（ ）两种类型。 （10）TTL 主要由（ ）型晶体管构成。 （11）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用（ ）运算电路。 （12）为避免５０Ｈｚ电网电压的干扰进入放大器，应选用（ ）滤波器。 （13）逻辑函数中取值恒为（ ）项，称为约束项。 （14）在Ａ／Ｄ转换器中，（ ）转换器的转换速度最快。 （15）功率放大电路的转换效率是指（ ）。
入学电路复试题目及答案
一、如图1所示电路，用节点电压法求I s 和I解：设各节点为①②③，参考点为n ，如图所示由节点电压法得：⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++++++=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+++=0U R R 1R 1R R 1U R 1-U R R 1-0U R 1-U R 1R 1R 1U R 1-V 48U 36431241313425421217 代入各电阻值求得U 1= U 2= U 3=因此，=+=31311R R U -U I==5212R U -U I二、如图2所示电路，校验此电路功率是否平衡解：（用回路电流法）设各R1、R2的电压为U1、U2，并设各回路电流如图所示由回路电流法得：15I 1=0U -I R I R R I R -s 3424111=+++）（4U I 43=又由于）（3244I I R U += 因此将电阻值代入上述式子求得I 1=15A ，I 2=5A ，I 3=5A则V 10I -I RU 2111==）（，60V I I R U 3122=+=）（，20V 4I U 34==所以V 70U U U 211=+=s ，V 80U U U s S12=+=s ，A 54U I 42S ==所以电路中电阻元件吸收的功率分别为：100W R U P 121R 1==，1200W R U P 222R 2==，200WR U P 424R 4==电路中电压源与电流源发出的功率分别为：50W I U P s s U s ==，1050W I U P s1s1U s1==，400WI U P s2s2U s2==由此可知，W 1500P P ==发总吸总，此电路吸收功率的和等于发出功率的和，所以此电路功率平衡。
三、如图3所示电路，已知8V U s2=，求I解：（利用叠加法，以及巧用电桥平衡原理）（1）当s2U 不起作用，由S1U 和S I 同时起作用时，相当于s2U 短路，等效电路图如下所示由于R2、R3、R4、R6形成电桥，且它们的电阻值相等，为平衡电桥，因此R5中没电流流过，即0I 1=（2）当S1U 和S I 不起作用，由s2U 单独作用时，相当于S1U 短路、S I 开路，等效电路图如下所示又由电桥平衡原理可知，1R 中没电流流过，因此等效电路图可简化为因此A 2R R //R R R U I 634252S 2=+++=）（）（由（1）、（2）可得，A 2I I I 21=+=四、如图4所示电路，假设电路已达到稳态，求开关闭合后的）（t i 、）（t i L（1） 当-0t =时，等效电路如下此时A 6.031R //R R R U 0i 4532-L =⨯++=）（）（（2） 当+=0t 时由于电感中电流不能突变，因此A 6.00i 0i -L L ==+）（）（，电感在+=0t 时相当于一个电流源，等效电路如下求）（+0i 时，采用叠加法。
中国科学院研究生院电子线路2012、2013年考研真题试题
中国科学院研究生院2012年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题科目名称：电子线路考生须知：1．本试卷满分为150分，全部考试时间总计180分钟。
2．所有答案必须写在答题纸上，写在试题纸上或草稿纸上一律无效。
一、填空题（每题2分，共58分）1、由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、半导体二极管的主要参数为 、 、 、 。
3、双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 、集电结 。
4、放大器级间耦合方式有三种： 耦合； 耦合； 耦合；在集成电路中通常采用 耦合。
5、当信号频率等于放大电路的f l 或f h 时，放大电路的放大倍数下降到中频时的 倍，及增益下降 dB 。
6、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为 ，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为 。
7、场效应管的低频跨导描述了 电压对 电流的控制作用。
8、集成运放电路的频率补偿方法可分为 和 两大类。
9、差分放大器的基本特点是放大 、抑制 。
10、振荡电路的平衡条件是 ，正反馈才能保证振荡电路的 。
11、在放大电路中为了提高输入电阻应引入 负反馈，为了降低输出电阻应引入 负反馈。
12、有源滤波器按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、 、 和全通滤波五种。
13、十进制数(257.125)10的八进制表示形式是 。
14、数字电路中，8bit 二进制补码表示的算术运算222(01011100)(11111000)(01010100)+=的十进制表示运算式是 。
15、 图1所示逻辑电路的逻辑函数(,,)Y F A B C =最小项之和为 。
图116、图2所示的逻辑门电路（G 为TTL 门），F 的逻辑表达式为 。
图 2 图 3 17、图3所示电路 （填“存在”或“不存在”）竞争-冒险。
18、门电路有下列参数：(min)(max)(min)2.4,0.4, 2.0,OH OL IH V V V V V V ===(max)0.8IL V V =。
中科院微电子所复试真题
真题（本来是一百一十多道，不过很多有重复，我整理了一下，剩下这么多，括号里的提示有同学说的，也有我写的）1．运算放大器原理，一个好的运算放大器考虑什么因素？集成运放由四部分组成，分别为输入级，中间级，输出级和偏置电路，其中过部分功能如下：输入级：一般是双输入的高性能差分放大器。
输入级好坏直接影响运放性能的好坏。
中间级：运放的主放大电路，多采用共射或共源放大电路，还经常采用复合管和电流源做负载，其电压放大倍数可达千倍以上。
输出级：输出电压线性宽，输出电阻小，多采用互补对称输出形式。
偏置电路：用于给各级提供合适的静态工作点。
好的集成运放应是高增值，低功耗，低噪音，宽的摆幅，宽的带宽等。
2。
镜像电流元的工作原理及其注意的因素。
通过控制晶体管的控制端口，使其的参数与另一个晶体管一致，这样，其他的晶体管可以跟踪另外一个晶体管，使其电流等于或按比例地复制参考电流源。
电流源工作时，应注意不要超过其允许的温度范围和晶体管工作的参数。
3。
正反馈与负反馈的区别和原理。
反馈：将输出量的一部分或全部通过一定的电路形式作用于输入回路，用来影响其输入量来改善系统性能的一种措施。
正反馈：根据反馈的效果，使放大电路的净输入量增大的反馈。
负反馈：使净输入量减小的反馈。
直流反馈：反馈量只含直流分量。
交流反馈：反馈量中只含交流成分。
4。
加法器有几种，半加和全加的区别。
半加器：不考虑进位，而将两个一位的二进制数相加，实现半加功能的电路称半加器。
全加器：考虑进位，实现2个二进制数相加的电路结构。
加法器分类：串行进位加法器（行波进位加法器）和超前进位加法器。
行波进位加法器：每一位相加的结果都要等到低一位的进位信号产生以后才能建立起来，这种加法器最大的缺点是速度慢。
超前进位加法器：采用特殊的逻辑电路事先得知每一位全加器的进位输入信号，而无需等待低位向高位的进位信号，显著提高了运算速度，采用这种形式的加法器称超前进位加法器。
5。
信号系统有多少种变换，区别于联系，各自的优缺点。
2003年研究生入学考试试题半导体物理与器件
一． 简单回答：（20分） 1． 在原子间距为 a 的一维单原子晶格中，波矢 q=1/4(2π/a)，和 q=1/4(2π/a)+2π/a 的两种格波所描述的原子振动的情况有何 异同？ 2． 含施主浓度为 Nd=210cm,受主浓度为 Na=210×cm 的硅样品,温度 为 300K 和温度为 500K 时该样品的载流子浓度各是多少？
的晶格振动的独立波矢数都为 4 ○ 有 ；其中有 8 ○ 5 ○ 类横波，有
；晶格振动的总的格波数都是 7 类纵波，有 ○ 支声学波，
支光学波。
2、某一维半导体晶体价带顶附近的电子能量，在国际单位制中可 表示为 E（k）=E0-10 ，现将其中一波矢 k=10 cm 的电子移走，则此 电子留下的空穴能量为 速度为 4 ○ 、准动量为 1 、有效质量为 ○ 5 。 ○ 2 ○ 、波矢为 3 ○ 、
在有一个受主浓度为 Na 的 P 型半导体：
1．
在表面空间电荷区为积累层、耗尽层、反型层三种情况 下，分别画出能带图（必须画出费米能级和本征费米能 级） ：
2．
已知强反型层开始出现的条件是：表面触地少子浓度等 于体内的多子浓度。画出开始出现强反型层时的能带 图，证明开始出现强反型层时，表面势 Vs = 2 φ f 。这里
，试由
τ =τ p
n0 + n1 p + p1 +τ n 0 n0 + p0 n0 + p0 验证上述关系：并说明激活能
Ec − Ei kT
∆ E 的物理意义。 （式中 n1 = N c e
, p1 = N v e
Ei − Ec kT
）
四． （ 15 分）两种载流子同时起作用，半导体的霍尔系数为：
2003年电工电子技术试题
全国2003年4月高等教育自学考试电工与电子技术试题课程代码：02187一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。
每小题2分，共40分)1.图示电路中I 为( )A.2AB.3AC.5AD.8A2.图示电路中P 点电位为( )A.5VB.4VC.3VD.2V3.已知三相电源电压u A =2202sin(314t-12O )V ， u B =2202sin(314t-132O )V ， u C =2202sin(314t+108O )V,则当t=0.01s 时，三相电源电压之和u A +u B +u C 为( )A.220VB.0VC.-220VD.6602V4.某正弦交流电压u 的初相位为45°，在t=0时u=220V ，则u 的有效值为( )A.220VB.380VC.144VD.155V5.有关图示电路电流⋅I 的下列计算公式中，错误．．的是( ) A.RU R ⋅ B.Cj U C ω⋅C.C U C j ⋅ωD.)C j R (Uω1+⋅6.三相对称负载星形接法，若电源线电压为380V ，线电流为10A ，每相负载的功率因数为0.5，则该电路总的有功功率为( )A.1900WB.2687WC.3291WD.5700W7.在R 、L 、C 串联正弦电路中，若电阻上电压为9V ，电感上电压为30V ，电容上电压为18V ，则电路的总电压U 为( )A.57VB.15VC.21VD.3V8.准确度为1.0级、量程为250V 的电压表，在正常条件下使用时，其最大绝对误差为( )A.±0.025VB.±0.25VC.±2.5VD.±25V9.已知一交流铁心线圈的匝数为1800匝，电源频率为50Hz ，铁心中的磁通Φm =1.25³10-3Wb ，则线圈的感应电动势为( )A.113VB.226VC.250VD.500V10.在三相异步电动机继电接触器控制电路中，热继电器的作用是( )A.短路保护B.失压保护C.过载保护D.互锁保互11.三相异步电动机的转速为n ，同步转速为n 1，则转差率s 等于( ) A.11n n n - B. 11n n n + C. n n n 1- D. nn n 1+ 12.图示变压器，原边两个绕组，绕组额定电压均为110V ，若将原边接220V 电源，二绕组的正确接线是( )A.1、4连接后，2、3接220V 电源B.2、3连接，1、4接220V 电源C.2、4连接，1、3接220V 电源D.1、3连接，2、4连接后，二出线端接220V 电源13.图示电路中，稳压管V 1的稳压值为8V 、V 2的稳压值为6V ，则输出电压U 为( )A.6VB.8VC.10VD.2V14.下列条件中符合理想运算放大器条件之一者是( )A.开环放大倍数→0B.差模输入电阻→∞C.开环输出电阻→∞D.共模抑制比→015.已知放大电路中的一只低频小功率晶体管的静态基极电流I B 为0.047mA ，则其微变等效输入内阻r be 为( )A.300ΩB.326ΩC.853ΩD.不能确定16.在图示理想运算放大电路中，R 1=1k Ω,R F =3k Ω,U i =1V ,则U 1、U 2、U 3、U 4中电压为3V 的是( )A.U 1B.U 2C.U 3D.U 417.有三输入端的与非门当输出端状态为0时，三个输入端状态应为( )A.000B.111C.010D.10018.一门电路的输入端A、B和输出端F的波形如图示，则该门电路为( )A.与门B.或门C.与非门D.或非门19.图示电路中，忽略二极管的正向压降，F点电位为( )A.0VB.3VC.9VD.12V20.图(a)所示触发器的时钟脉冲CP及F端输入波形如图(b)示，则Q端的输出波形是( )二、填空题（每小题1分，共10分）21.理想电压源与理想电流源之间____________进行等效变换。
中科院-中科大2003试题及答案
中国科学院——中国科学技术大学2003年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题试题名称：物理化学一、选择题（共5题，10分）1．（2分）理想气体在恒定外压p 下，从10dm3膨胀到16dm3，同时吸热126J，计算此气体的△U.( )（A）-284J （B）842J （C）-482J （D）482J2．(2分)下列宏观过程：（）（1）p ，273K下冰融化为水；（2）电流通过金属发热；（3）往车胎内打气（4）水在101325Pa，375K下蒸发可看作可逆过程的是：（A）（1），（4）（B）（2），（3）（C）（1），（3）（D）（2），（4）3．(2分)298K时两个级数相同的反应Ⅰ，Ⅱ，活化能EI =E∏，若速率常数k1=10k∏，则两反应之活化熵相差：( )（A）0.6J·K-1·mol-1（B）10 J·K-1·mol-1（C）19 J·K-1·mol-1（D）190 J·K-1·mol-14．（2分）有人在不同pH的条件下，测定出牛的血清蛋白在水溶液中的电泳速度，结果如下：（）pH 4.20 4.56 5.20 5.65 6.30 7.00泳速/（μm2/s·V）0.50 0.18 -0.25 -0.65 -0.90 -1.25由实验数据可知：（A）该蛋白质的等电点pH>7.00 （B）该蛋白质的等电点pH<4.20（C）该蛋白质的等电点pH<7.00 （D）从上述实验数据不能确定等电点范围5.（2分）吸附理论主要用来描述：（）（A）均相催化（B）多相催化（C）酸碱催化（D）酶催化二、填空题6．（2分）理想气体等温（T=300K）膨胀过程中从热源吸热600J，所做的功仅是变到相同终态时最大功的1/10，则体系的熵变△S = J·K-1。
7.（2分）在300K时，48.98dm3的理想气体从100kPa变到500KPa，体系的吉布斯自由能变化为kJ.8.(2分)从微观角度面言，熵具有统计意义，它是体系的一种量度。
2003年 磁学真题2
2003年第二期博士生入学考试专业基础试卷导师姓名： 考生姓名：说明：本试卷共2页12题，每题10分，可任选10题。
另外2题作为附加题，参考加分。
1. 简述顺磁性、抗磁性、铁磁性、反磁性的物理特征，并比较它们的磁化率的温度关系有何不同。
此外，请推证金属导电电子的顺磁性（泡利顺磁性）磁化率FB E n 232μχ=，其中，n 单位体积内的电子数，E F 费米能。
2. 孤立原子的磁矩由几部分组成？以Fe 26为例，试用洪德法则分析：当铁（Fe 26）组成晶体时有轨道角动量冻结现象，试简述轨道角动量冻结的本质及其对磁矩的影响。
3. 请分别从唯象理论和交换作用理论说明，何谓铁磁性物质的自发磁化和居里温度（不考虑反铁磁和亚铁磁情况）？4. 在解释磁性起源时，我们常用局域电子模型和巡游电子模型。
请简述何谓局域电子模型和巡游电子模型？RKKY 理论是如何解释稀土金属磁性的？并请阐明能带理论解释Fe 、Co 、Ni 磁性的物理图象。
5. 什么是磁晶各向异性？并说明其物理来源。
此外，请论证立方晶系的磁晶各向异性能可表示为：23222122123232222211)(αααααααααK K E K +++=，其中，αI 为方向余弦。
6. 什么是磁畴？从物理上如何决定磁畴结构？从实验又如何观察？7. 请简述布洛赫（Bloch ）壁及奈尔(Neel)畴壁的特性。
8. 起始磁化过程的大致阶段和基本方式是什么？（辅以M-H 曲线说明）9. 剩磁、矫顽力、最大磁能积是如何定义的？并请证明，对于具有单轴各向异性的磁体，在一致转动机制下，沿易磁化方向和垂直易磁化方向的矫顽力分别为sMK02μ和0。
（K 为各向异性常数）10.有一已经磁化的永磁体，其形状为长方体，现沿一处裂开成两块（如下图所示），请问裂开后的两块磁体能否再沿裂缝自动合并成原样？并请说明理由。
11.设有n 个原子在分子场)(T M H m⋅=λ的作用下，其磁矩为)()(y B J ng T M J B J μ= ,其中，)(y B J 为布里渊函数，而m B B J H TK Jg y μ=.试推证出：（1）居里—外斯定律；（2）居里温度λμ⋅+=BB JC K J J ng T 3)1(22。