电池系列之方块电阻
电阻率与方块电阻率的关系
电阻率与方块电阻率的关系引言：电阻率是描述材料阻碍电流通过的能力的物理量，是电阻与导体长度、截面积以及材料特性之间的关系。
方块电阻率是指单位体积内电阻的大小，是电阻率的一种特殊形式。
本文将探讨电阻率与方块电阻率的关系，并分析其应用。
一、电阻率与方块电阻率的定义1. 电阻率：电阻率是指在单位长度和单位截面积的导体中，单位长度内的电阻大小。
它是一个材料的特性参数，通常用希腊字母ρ（rho）表示，单位是Ω·m（欧姆·米）。
2. 方块电阻率：方块电阻率是指在单位体积内的电阻大小。
它是电阻率的一种特殊形式，通常用希腊字母ρ'（rho prime）表示，单位是Ω·m³（欧姆·立方米）。
二、电阻率与方块电阻率的关系电阻率与方块电阻率之间存在着简单的数学关系。
考虑一个导体，其长度为L，截面积为A，电阻为R。
根据欧姆定律，电阻R与导体的电阻率ρ、长度L和截面积A之间有如下关系：R = ρ * (L / A) （公式1）当导体为一个立方体时，其体积为V，边长为l，截面积为A'。
根据定义，方块电阻率ρ'与导体的电阻R、体积V和截面积A'之间有如下关系：R = ρ' * (V / A') （公式2）将公式1中的A代入公式2，可以得到：R = ρ' * (V / (l^2)) （公式3）比较公式3与公式2，可以得到：ρ = ρ' * (l^2) （公式4）由公式4可知，电阻率ρ与方块电阻率ρ'之间存在着一个平方关系。
三、电阻率与方块电阻率的应用1. 材料的选择：根据电阻率与方块电阻率的关系，可以通过测量导体的方块电阻率来推导出其电阻率，从而判断材料的导电性能。
一般来说，电阻率越小，导体的导电能力越强。
2. 导线的设计：在电线电缆的设计中，为了减小电线的电阻，可以选择具有较小电阻率的材料，并根据所需电阻值来确定导线的截面积。
方块电阻与电阻率的关系
方块电阻与电阻率的关系电阻是指电流在通过导体时所遇到的阻碍程度。
而电阻率是一个物质的固有属性，表示单位长度内的电阻。
方块电阻是由导电材料制成的方块形状的电阻器件，它的电阻值与电阻率有密切的关系。
我们来了解一下电阻率。
电阻率是一个物质特性，用符号ρ表示，单位是Ω·m。
它的定义是单位长度内导体两个相对表面之间的电阻。
电阻率与物质的导电性质有关，导电性好的物质电阻率较小，而导电性差的物质电阻率较大。
方块电阻的电阻值与电阻率相关。
根据欧姆定律，电阻值R等于电阻率ρ乘以导体长度L除以导体截面积A。
这可以用如下公式表示：R = ρ * L / A由于方块电阻具有规则的矩形截面，其截面积可以用边长l1和l2表示。
假设方块电阻的长边为l1，短边为l2，则截面积A等于l1乘以l2。
因此，方块电阻的电阻值可以用如下公式表示：R = ρ * L / (l1 * l2)从这个公式可以看出，方块电阻的电阻值与电阻率成正比，与导体长度成正比，与截面积成反比。
也就是说，电阻率越大，方块电阻的电阻值就越大；导体长度越长，方块电阻的电阻值就越大；截面积越小，方块电阻的电阻值就越大。
通过改变方块电阻的尺寸和材料，可以调节其电阻值。
当导体材料的电阻率不变时，可以通过增加方块电阻的长度或减小截面积来增大电阻值。
同样地，可以通过减小方块电阻的长度或增大截面积来减小电阻值。
方块电阻的电阻率也可以用来表征导体材料的特性。
一般来说，导体材料的电阻率与温度成正比，随温度的升高而增大。
这是因为随着温度升高，导体内原子和离子的热运动加剧，电阻的散射现象增多，导致电阻率增大。
因此，在设计方块电阻时，需要考虑材料的温度特性，选择适合的导体材料。
总结起来，方块电阻的电阻值与电阻率、导体长度和截面积有密切的关系。
通过改变方块电阻的尺寸和材料，可以调节其电阻值。
电阻率则可以用来表征导体材料的特性，对于同一材料来说，电阻率与温度成正比。
了解方块电阻与电阻率的关系，可以帮助我们更好地设计和应用电阻器件。
方块电阻
方块电阻摘要：本篇是丫丫自“半导体基础知识”篇之后，再次回归基础知识的学习记录。
蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铝箔膜等薄膜状导电材料，衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。
本篇学习记录主要涉及方阻的概念、意义、测量方法等。
一、基本概念方阻就是方块电阻，又称面电阻，指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻，如图一所示，即B边到C边的电阻值。
方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。
方块电阻的计算公式：Rs=ρ/t (其中ρ为块材的电阻率,t为块材厚度）二、利用方阻监控扩散方块电阻是一个二级概念，真正的核心是扩散深度。
一般扩散深度会影响电性能参数，因为扩散深度无法测量，所以只能通过测电阻来大概反映扩散深度和扩散浓度。
他是一个深度和浓度，以及体材料多重作用的结果，至于其和电性能参数各值之间的线性关系，目前没有什么特定方程式，都是通过经验来控制在一定的方位，做到30-50的都有。
方阻一般只是在扩散后进行监控，监控方阻就是为了监控扩散的稳定性。
测试方阻跟最后的烧结工序的影响也是很重要的，因为结的深度也会影响你最后烧结的深度，否则有可能出现Rs的异常。
所以方阻也是烧结条件的重要指标。
一般结深则电阻小，掺杂浓度高。
电阻小了，掺杂量就高了，表面死层就会多，这样会牺牲很多电流；电阻大了，电流的收集就会比较困难；方阻要做高，是需要其他相关条件保障的，假如其他条件不满足，效率反而会降低。
一般扩散温度越高，时间越长，流量越大，方阻就越小，结就越深。
除了扩散之外，生产中的其它工序对方阻也会产生影响。
一般如果是稳定生产，方阻也是稳定的。
后道生产中，假如出现大量问题片，看症状跟方阻有可能相关的，就可以去反查工序中是否出现了问题，即使电池也是可以测试的。
但是这个只能相对参考，一般公司都会规定方阻多少到多少之间的片子可以进入流程，另外的就要返工，但是因为是抽检，谁又能保障进入流程的都是好的呢，甚至员工有可能会偷懒，好的片子坏的片子都流入流程。
方块电阻和电阻率的关系
方块电阻和电阻率的关系
块电阻又称为分压电阻，它是电气系统中重要的控制部件，可以调节电压、调
节功率、测量电流及电压、限制峰值功率以及分配电源负载等。
这些用途令块电阻广泛应用于电气系统中，尤其是在输电和工业现场中。
不同的块电阻有不同的电阻率，电阻率是指电阻的大小，它受材料的影响而得出的结论。
碳块电阻是由碳焦粉或硅碳微粉和碳化硼制成的，其典型电阻率在10-8欧姆
到10-3欧姆之间，灵活性较好、特征宽容，在精密电路控制器中常被应用。
另外，锂块电阻是由锂钛聚合物制成，其电阻率在10-7欧姆到10-2欧姆之间，是目前电阻率最低的一种块电阻。
金属膜块电阻也被称为金属氧化物电阻，这种块电阻通常用于滤波器、限幅器等，其电阻率的范围从10-3欧姆到10-6欧姆不等，金属氧化物电阻具有精确度高、耐压和热阻特性较好、体积小等优点。
以上是块电阻和电阻率之间的一些情况，电阻率是根据材料的影响而得出的，
而块电阻可以用于调节电压，测量电流及电压，限制峰值功率等。
因此，块电阻的电阻率对于电气系统的正常运行非常重要。
方块电阻计算公式
四探针方阻测试方块电阻是表征薄膜导电性能的物理量，通常采用四探针探测仪来测定，该方法原理简单，数据处理方便，测量时是非破坏性的，因此被广泛使用。
图2.3 是电流平行经过ITO 膜层的情形，其中：d 为膜厚，I 为电流，L1 为在电流方向的膜层长度，L2 为在垂直于电流方上的膜层长度。
图2.3 方块电阻示意图Fig. 2.3 Diagram of block resistance当电流流过如图所示的方形导电膜层时，该层的电阻为(2. 9)式中，ρ为导电膜的电阻率，对于给定的膜层，ρ和d 可以看成是定值。
L1=L2时，即为正方形的膜层，其电阻值均为定值ρ/d。
这就是方块电阻的定义，即(2. 10)式中，R□的单位为：欧姆/□(Ω/□) ；ρ的单位为欧姆(Ω)；d 的单位为米(m)。
由此可以看出方块电阻的特点：对于给定膜层，其阻值不随所采用正方形的大小变化，仅与薄膜材料的厚度有关。
四探针测试法如图2.4 所示，在半径无穷大的均匀试样上有四根等间距为S 的探针排列成一直线。
由恒流源向外面两根探针1、4 通入小电流I，测量中间两根探针2、3 间的电位差U，则由U、I、S 的值求得样品的电阻率ρ。
图2.4 四探针测试法示意图Fig. 2.4 Schematic diagram of four-probe method当电流I 由探针1 流入样品时，若将探针与接触出看成点电源，则等势面是以点电源为中心的一系列半球面，在距离探针r 处的电流密度为：(2. 11)由微分欧姆定律J=E /ρ可得出距探针r 处的电场强度为(2. 12)由于E=－dU/dr，而且，r→∞时，U→0。
则在距离探针r 处的电位U 为：(2. 13)同理当电流由探针4 流出样品时，在r 处的电位为：(2. 14)用直线四探针法测量电阻率时，电流I 从探针1 流入，探针4 流出，根据电位叠加原理，探针2，3 处的电位可分别写成：(2. 15)因此探针2，3 之间的电位差：(2. 16)即：(2. 17)是直线四探法测量电阻率的基本公式，它要求试样为无穷大，且半导体各边界与探针的距离大于探针的间距。
太阳能电池电池系列之方块电阻
丫丫学电池系列之方块电阻摘要：本篇是丫丫自“半导体基础知识”篇之后，再次回归基础知识的学习记录。
蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铝箔膜等薄膜状导电材料，衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。
本篇学习记录主要涉及方阻的概念、意义、测量方法等。
一、基本概念方阻就是方块电阻，又称面电阻，指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻，如图一所示，即B边到C边的电阻值。
方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。
方块电阻的计算公式：Rs=ρ/t (其中ρ为块材的电阻率,t为块材厚度）二、利用方阻监控扩散方块电阻是一个二级概念，真正的核心是扩散深度。
一般扩散深度会影响电性能参数，因为扩散深度无法测量，所以只能通过测电阻来大概反映扩散深度和扩散浓度。
他是一个深度和浓度，以及体材料多重作用的结果，至于其和电性能参数各值之间的线性关系，目前没有什么特定方程式，都是通过经验来控制在一定的方位，做到30-50的都有。
方阻一般只是在扩散后进行监控，监控方阻就是为了监控扩散的稳定性。
测试方阻跟最后的烧结工序的影响也是很重要的，因为结的深度也会影响你最后烧结的深度，否则有可能出现Rs的异常。
所以方阻也是烧结条件的重要指标。
一般结深则电阻小，掺杂浓度高。
电阻小了，掺杂量就高了，表面死层就会多，这样会牺牲很多电流；电阻大了，电流的收集就会比较困难；方阻要做高，是需要其他相关条件保障的，假如其他条件不满足，效率反而会降低。
一般扩散温度越高，时间越长，流量越大，方阻就越小，结就越深。
除了扩散之外，生产中的其它工序对方阻也会产生影响。
一般如果是稳定生产，方阻也是稳定的。
后道生产中，假如出现大量问题片，看症状跟方阻有可能相关的，就可以去反查工序中是否出现了问题，即使电池也是可以测试的。
但是这个只能相对参考，一般公司都会规定方阻多少到多少之间的片子可以进入流程，另外的就要返工，但是因为是抽检，谁又能保障进入流程的都是好的呢，甚至员工有可能会偷懒，好的片子坏的片子都流入流程。
方块电阻的物理意义
方块电阻的物理意义方块电阻，也被称为表面电阻，是一种在电介质二维平面上的电阻值。
它被广泛应用于电子设备、集成电路、印刷电路板等领域，是衡量材料导电性能的重要参数。
以下是方块电阻的物理意义，主要从以下几个方面进行阐述：1. 电阻值大小：方块电阻指的是在一定面积的电介质表面上，两个指定端点之间的直流电阻。
其电阻值的大小取决于电介质本身的导电性能和几何尺寸。
一般来说，电阻值越大，导电性能越差；反之，电阻值越小，导电性能越好。
因此，通过对方块电阻的测量，可以了解电介质材料的导电性能，从而评估其在特定电路中的应用效果。
2. 均匀性：方块电阻的均匀性指的是在电介质表面上，各个位置的电阻值是否一致。
如果电阻值在不同位置存在较大差异，说明电介质材料的导电性能不均匀，可能会导致电流的不稳定和信号的失真。
因此，在制造和使用电子设备时，需要关注方块电阻的均匀性，以保证设备的性能和稳定性。
3. 温度系数：方块电阻的温度系数指的是电阻值随温度变化的程度。
一般来说，温度系数越小，说明电阻值的稳定性越好，电介质材料的导电性能受温度影响越小。
因此，了解方块电阻的温度系数有助于评估其在不同温度环境下应用时的稳定性和可靠性。
4. 可靠性：方块电阻的可靠性主要指其在长期使用过程中保持稳定性的能力。
可靠的方块电阻具有良好的耐久性和稳定性，能够保证电子设备在使用过程中的性能和精度。
为了提高可靠性，可以采用耐腐蚀、耐磨损的电介质材料，并加强设备的维护和保养。
5. 敏感性：方块电阻的敏感性主要指其对外部环境因素（如湿度、尘埃、紫外线等）的响应程度。
敏感的方块电阻可能会因为外部环境因素的变化而导致电阻值的波动和不稳定。
因此，在制造和使用电子设备时，需要关注方块电阻的敏感性，采取相应的保护措施以减少外部环境因素的影响。
方块电阻与电阻率关系
方块电阻与电阻率关系嘿，朋友们！今天咱来唠唠方块电阻和电阻率这对好“兄弟”。
你说这方块电阻啊，就像是个调皮的小精灵，在电路世界里蹦来蹦去。
它呢，其实就是一个正方形薄片材料的电阻。
那电阻率呢，就像是这个小精灵的“家族特征”。
咱可以把方块电阻想象成是衡量一段特定长度和宽度的材料对电流阻碍能力的指标。
就好比你要过一条河，河的宽窄不同，你游过去的难度也不一样，这方块电阻就类似河的这种“宽窄难度”。
而电阻率呢，它可就更有意思啦！它反映的是材料本身的导电性能。
就好像不同的人，有的天生就跑得快，有的就跑得慢些。
不同的材料，它们的电阻率也是各不相同的呀。
你看那铜，电阻率就比较低，电流在它里面跑起来那叫一个顺畅，就像在平地上跑步一样。
可要是换成一些电阻大的材料，那电流就得费点劲了，就好比在荆棘丛中穿行。
那这方块电阻和电阻率到底啥关系呢？嘿嘿，这就像是一个整体和局部的关系呀！方块电阻是基于电阻率的呢。
你想啊，如果材料的电阻率大，那做成同样大小的方块，它的电阻不就也大嘛。
咱平时生活里也能找到类似的例子呀！比如说做蛋糕，蛋糕的配方就像是电阻率，而做出来的具体那块蛋糕就像是方块电阻。
不同的配方做出来的蛋糕口感、松软程度都不一样，这就像不同的电阻率导致方块电阻的不同。
你说要是没有电阻率这个基础，哪来的方块电阻呢？它们俩可真是形影不离呀！咱在研究电路、设计电子产品的时候，可都得把它们考虑进去呢。
所以啊，可别小瞧了这方块电阻和电阻率，它们在电子世界里可有着举足轻重的地位呢！它们就像一对默契的搭档，相互影响，共同决定着电流的走向和电路的性能。
咱要是能把它们琢磨透了，那在电子领域不就能更得心应手啦？是不是很有意思呀？哈哈！。
方块电阻的公式
方块电阻的公式方块电阻，也叫薄层电阻，是表征薄膜材料导电性能的一个重要参数。
它的公式其实并不复杂，但是要真正理解和运用好，还需要咱们好好琢磨琢磨。
咱先来说说方块电阻的定义。
想象一下有一块薄薄的正方形材料，就像一块正方形的薄饼。
它的边长咱们设为 L，材料的厚度设为 d，材料的电阻率为ρ 。
那么方块电阻 R_s 就等于ρ/d 。
为了让您更清楚地理解这个公式，我给您讲个我自己的经历。
有一次，我在实验室里和学生们一起研究一种新型的半导体薄膜材料。
我们想要知道它的导电性能到底怎么样。
这时候，方块电阻的概念就派上用场啦。
我们先测量了材料的厚度，用的是高精度的测量仪器，那叫一个小心谨慎，生怕出一点差错。
然后又通过一系列的实验和计算，得出了材料的电阻率。
这过程中，有个学生就迷糊了，问我：“老师，这方块电阻到底有啥用啊？”我就告诉他：“你看啊，假如这材料是用来做电路里的电阻元件的，如果我们知道了方块电阻，就能很容易地算出不同大小的薄膜能产生多大的电阻值，这不就对我们设计电路有很大帮助嘛！”这时候大家好像有点明白了，接着热火朝天地开始计算。
可算着算着，又有问题出现了，有个数据好像不太对。
大家就开始重新检查实验步骤，找问题出在哪儿。
最后发现，原来是测量厚度的时候，有个小数点没点对。
经过一番修正，终于得出了准确的方块电阻值。
通过这次实验，学生们对方块电阻的理解那是深刻多了。
在实际应用中，方块电阻的公式经常会和其他的电学公式结合起来使用。
比如说，当我们要计算一个长方形的薄膜电阻时，就可以先把它想象成由多个小正方形组成的，然后通过方块电阻来算出总的电阻值。
总之，方块电阻的公式虽然简单，但是它在材料科学和电子学领域里的作用可不容小觑。
只有真正掌握了它，我们才能更好地研究和应用各种薄膜材料，为科技的发展贡献一份力量。
希望通过我的讲解，您对方块电阻的公式也有了更清晰的认识！。
方块电阻率公式
方块电阻率公式好的，以下是为您生成的关于“方块电阻率公式”的文章：在咱们学习物理的奇妙世界里，有一个挺重要的概念叫方块电阻率。
这玩意儿听起来好像有点高深莫测，但其实啊，搞懂了也就那么回事儿。
先来说说啥是方块电阻率。
想象一下，咱们有一块四四方方的材料，就像一块规整的豆腐块儿似的。
这个方块的长度、宽度和厚度都相等。
那这时候，测量通过这个方块两个相对面之间的电阻，再除以方块的面积，得到的数值就是方块电阻率啦。
那方块电阻率公式到底是啥呢？其实就是ρ = R × A / l 。
这里的ρ就是方块电阻率，R 是电阻，A 是方块的横截面积，l 是方块的长度。
我记得有一次在课堂上，我给学生们讲解这个方块电阻率公式。
当时有个小家伙，眼睛瞪得圆圆的，一脸迷茫地看着我，嘴里嘟囔着：“老师，这咋这么复杂呀？”我笑了笑，拿起一块橡皮擦当作那个方块材料，然后用尺子比划着给他们解释。
“同学们，咱们就把这块橡皮擦当成那个方块。
假如这橡皮擦的长度是 5 厘米，它的横截面积是 2 平方厘米，咱们测出来通过它的电阻是 10 欧姆。
那按照公式，方块电阻率ρ就等于 10 乘以 2 再除以 5 ，算出来就是 4 欧姆·厘米。
这样是不是一下子就清楚多啦？”看着孩子们若有所思的表情，我接着说：“其实啊，方块电阻率在生活中的应用可多啦。
比如说，咱们家里的电线，电线的材料就有特定的电阻率。
如果电阻率太大，那电流通过的时候就会有很大的损耗，不仅浪费电，还可能会发热引发危险呢。
”再比如说，在电子设备里，那些小小的芯片，里面的线路材料也得考虑电阻率。
要是电阻率不合适，芯片的性能可就大打折扣啦。
所以说，这个方块电阻率公式虽然看起来简单，但是作用可大着呢。
咱们得好好掌握它，才能在解决实际问题的时候游刃有余。
讲到这儿，大家是不是对方块电阻率公式有了更清楚的认识啦？可别小瞧这公式，它可是打开物理世界大门的一把小钥匙哦！只要咱们用心去理解，多联系实际，就一定能把它运用得妥妥的。
方块电阻计算公式
方块电阻计算公式
应用方块电阻计算公式主要是为了求出连接的多个电阻的等值电阻值。
方块电阻计算公式通常表示为：
R=∏(1/R1+1/R2+...+1/Rn)。
其中，R1、R2、…、Rn分别为多个连接的电阻的各自电阻值；R为等
值电阻的值。
方块电阻计算公式在并联电路中最为常用，并联电路中电流的和为它
们各自的电流和，电压也是这样，所以可以把多个电阻视为等值电阻，其
电阻值可以使用方块电阻计算公式求出。
在求解等值电阻时，只需将多个电阻的实际值代入计算公式，根据公
式算出结果。
因此，使用方块电阻计算公式可以快速、准确地求出并联电
路中多个电阻的等值电阻值，减少了计算量。
方块电阻的计算公式
方块电阻的计算公式方块电阻，这玩意儿在电学领域可是个挺重要的概念呢！那咱们就来好好聊聊方块电阻的计算公式。
方块电阻，简单来说，就是指一个正方形薄片材料的电阻。
你可以把它想象成一块方方正正的巧克力，只不过它的价值在于电阻的计算，而不是满足咱们的味蕾。
先来说说方块电阻的计算公式：R = ρ / d 。
这里的 R 就是方块电阻，ρ是材料的电阻率，d 是材料的厚度。
为了让大家更清楚这个公式，我给大家讲个我曾经的经历。
有一次，我带着学生们在实验室里做实验，就是研究不同材料的方块电阻。
我们准备了各种各样的材料薄片，有铜片、铝片，还有一些特殊的半导体材料。
其中一个小组拿到的是一块薄薄的铜片。
一开始，他们有点懵，不知道从哪儿下手。
我就引导他们，先测量铜片的厚度。
这可不容易，得用千分尺小心翼翼地测量，稍微手抖一下，数据就可能不准确啦。
然后，再去查铜的电阻率。
这时候，有个调皮的学生还打趣说：“老师，这找电阻率就像寻宝一样，可得仔细啦！”大家哄堂大笑，实验室里充满了轻松的氛围。
等数据都收集好了，就开始代入公式计算方块电阻。
可这计算过程也不简单，有的同学粗心大意，算错了数，急得抓耳挠腮。
我在旁边看着，一边提醒他们要细心，一边鼓励他们重新检查。
最后，当大家算出正确的方块电阻值时，那兴奋劲儿就别提了，感觉就像解开了一道超级难题一样。
通过这个实验，学生们对方块电阻的计算公式有了更深刻的理解。
而且，他们也明白了，科学实验不是一蹴而就的，需要耐心、细心和团队合作。
在实际应用中，方块电阻的计算公式用处可大了。
比如说，在电子电路的设计中，要选择合适的电阻材料，就得先算出方块电阻。
还有在半导体制造中，控制材料的方块电阻对于芯片的性能至关重要。
总之，方块电阻的计算公式虽然看起来简单，但要真正掌握它，并且能够灵活运用，还需要我们不断地学习和实践。
希望大家通过我的讲解，能对方块电阻的计算公式有更清晰的认识，在今后的学习和工作中，能够运用这个知识解决更多的问题！。
方块电阻
方块电阻方块电阻又称薄层电阻，其定义为正方形的半导体薄层，在电流方向所呈现的电阻，单位为欧姆每方。
简单来说，方块电阻（Sheet Resistance）就是指导电材料单位厚度单位面积上的电阻值。
简称方阻，理想情况下它等于该材料的电阻率除以厚度。
目录•方块电阻概述•方块电阻特征•方块电阻测试方法方块电阻概述•假设电流流经一个二维方块，定义等长宽的一个横面微元，电流流经方向上的偏压与电流大小（载流子N和所带电荷大小Q的函数）比值就是方块电阻，方块电阻对厚度积分可以得到电阻率，方块电阻只与材质有关。
广义上将其抽象为一个静电场的半球，对电场半径求得微元电阻的大小也叫方块电阻。
方块电阻特征•方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1m还是0.1m，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度和电阻率有关。
方块电阻计算公式：R=ρL/S ，ρ为物质的电阻率，单位为欧姆米(Ω. m)，L为长度，单位为米(m)，S为截面积，单位为平方米（m2），长宽相等时，R=ρ/h ，h为薄膜厚度。
材料的方阻越大，器件的本征电阻越大，从而损耗越大。
用于离子注入或导电薄膜的工艺监控，主要关心方块电阻绝对值与均匀性，离子注入方块电阻反映剂量，导电薄膜方块电阻反映厚度，方块电阻是电路设计人员和工艺操作人员的一个接口。
电路设计人员可以根据工艺库把实际的电阻值转换成方块电阻，而工艺操作人员可以根据方块电阻确定实际的电阻值。
对于薄膜:厚度越大,电阻越小.厚度越小,电阻越大。
方块电阻测试方法•1、探头法测试原理图下图是电流平行经过ITO 膜层的情形，其中：d 为膜厚，I 为电流，L1 为在电流方向的膜层长度，L2 为在垂直于电流方上的膜层长度。
当电流流过如图所示的方形导电膜层时，该层的电阻为式中，ρ 为导电膜的电阻率，对于给定的膜层，ρ 和d 可以看成是定值。
L1=L2时，即为正方形的膜层，其电阻值均为定值ρ/d。
方块电阻计算公式
方块电阻计算公式
方块电阻是指直流电经过一个均匀材料的正方体或长方体时所产生的
电阻。
方块电阻的计算公式可以通过欧姆定律和材料的电阻率来推导出来。
欧姆定律可以表达为V=I*R，其中V是电压，I是电流，R是电阻。
对于一个均匀材料的正方体或长方体，电压可以表示为V=E*d，其中E是
电场强度，d是材料的长度。
电流可以表示为I=J*A，其中J是电流密度，A是横截面积。
结合以上公式，可以得到V=(J*A)*R。
根据材料的电阻率和几何形状，可以推导出具体的方块电阻计算公式。
对于正方体来说，它的长、宽、高均为L，电阻率为ρ，则方块电阻
计算公式为R=(ρ*L)/A，其中A=L*L。
对于长方体来说，它的长为L，宽为W，高为H，电阻率为ρ，则方
块电阻计算公式为R=(ρ*L)/A，其中A=W*H。
这两个公式可以根据具体的材料和几何形状来计算方块电阻。
需要注意的是，以上公式是对均匀材料而言，即假设材料的电阻率在
整个方块中是均匀的。
如果材料的电阻率不均匀，或者方块中存在其他复
杂结构，那么方块电阻的计算就会更加复杂。
另外，方块电阻的单位是欧姆（Ω），在实际应用中，通常需要测量
方块的电阻值来确定材料的导电性能或者验证电路的设计是否满足要求。
总结起来，方块电阻的计算公式可以根据欧姆定律和材料的电阻率来
推导。
对于正方体，公式为R=(ρ*L)/A，其中A=L*L；对于长方体，公式
为R=(ρ*L)/A，其中A=W*H。
但需要注意的是，以上公式是对均匀材料而言，实际应用中可能受到其他因素的影响，计算时需要进行适当的修正。
方块电阻定义
方块电阻定义
什么是方块电阻
方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。
方块电阻的大小与样品尺寸无关，其单位为Siements/sq，后增加欧姆/sq表征方式，该单位直接翻译为方块电阻或者面电阻，用于膜层测量又称为膜层电阻。
蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铜箔膜等薄膜状导电材料，衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。
方块电阻有什么特性
方块电阻有一个很明显的特性，即任意大小的正方形测量值都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关，表征膜层致密性，同时表征对热红外光谱的透过能力，方块电阻测量数值愈大，则隔离热红外性能越差，方块电阻测量数值愈小则隔离热红外性能越好，对于建筑行业来讲低辐射玻璃的热红外性能测量的快速测量就必须选用方块电阻测量仪，测量值愈小则建筑材料就愈节能，在建筑材料行业具有很大的作用。
方块电阻也被叫做称膜电阻，在电视机中就会用到这种
电阻。
方块电阻的名词解释
方块电阻的名词解释方块电阻是指一种电子元件，用于控制和限制电流的流动。
它是由一个陶瓷或金属材料制成的，具有矩形外观，并带有不同数量的引线。
这种电子元件常用于各种电子设备和电路中，以帮助稳定和调节电流。
方块电阻由于在电路中的重要作用，因此非常常见。
在电子设备中的电流流动中，方块电阻的作用类似于管道中的水阀。
当电流通过方块电阻时，它会抵抗电流的流动，并将其限制在一个特定的范围内。
这种限制电流的特性使得方块电阻成为电路中重要的控制元件之一。
方块电阻的工作原理是利用它的电阻值来限制电流的流动。
通常，方块电阻的电阻值由金属材料的电阻率和几何尺寸决定。
它的电阻值通常以欧姆（Ω）为单位进行表示，较大的电阻值表示阻碍电流流动的能力更强。
方块电阻的外观通常呈现矩形形状，尺寸较小且均匀，方便在电路中进行安装和连接。
它的边缘和底部通常有金属引线，用于将方块电阻连接到电路中的其他元件。
这些引线在安装时需要注意正确连接，以确保方块电阻在电路中的正确功能。
方块电阻的具体用途多种多样。
最常见的用途之一是作为电路中的限流电阻。
通过将方块电阻连接到电路中，可以限制电流的大小，避免过大或过小的电流对设备和元件造成损坏。
方块电阻还可以用于温度传感器、电源滤波器和电压分压器等应用中。
在电路设计和选择方块电阻时，需要考虑一些关键因素。
首先是电阻值。
根据特定的应用需求，需要选择适当的电阻值，以保证电流的限制和控制。
其次是功率承载能力。
方块电阻在工作过程中会产生一定的热量，因此需要确保它能够承受所需的功率。
最后是温度系数。
方块电阻的电阻值可能会因温度而发生变化，因此需要了解和控制其温度系数，以确保其在不同温度下的准确性和稳定性。
总之，方块电阻是一种常见的电子元件，用于限制和控制电流的流动。
它具有矩形外观，由陶瓷或金属材料制成，常用于电子设备和电路中。
方块电阻的工作原理是利用其电阻值来限制电流的流动，并通过连接到电路中的其他元件来实现电流的稳定和调节。
mos的方块电阻
MOS是Metal-Oxide-Semiconductor的缩写，直译为金属-氧化物-半导体器件。
在电子领域中，MOS被广泛应用于半导体器件中的各个方面，例如集成电路、传感器、功率放大器等等。
而方块电阻则是MOS器件中的一个重要组成部分，它的作用是限制电流和电压。
在MOS器件中，方块电阻通常由多个金属线组成，这些金属线被铺在氧化物层上，并与半导体晶体管的源极、漏极或栅极相连。
下面我们来详细了解一下方块电阻的特点和工作原理。
一、方块电阻的特点1. 高精度：方块电阻的尺寸和电阻值可以进行高精度的控制，因此在高精度的电路设计中得到了广泛应用。
2. 低噪声：方块电阻的电阻值稳定，同时其内部结构简单，因此其噪声特性较好，适合在低噪声电路中使用。
3. 低漏电流：方块电阻的电流流过其内部的金属线，不会流过氧化物层，因此其漏电流很小。
4. 高温稳定性：方块电阻的温度系数很小，可以在较高的温度下工作。
二、方块电阻的工作原理方块电阻的工作原理和普通电阻的工作原理相似，都是通过限制电流来达到控制电压的目的。
但是方块电阻有些不同之处，主要表现在以下两个方面：1. 氧化物层的作用方块电阻的金属线被铺在氧化物层上，这一层起到了保护金属线的作用，同时也起到了控制电流的作用。
氧化物层的厚度和材料会影响方块电阻的电阻值和稳定性。
2. 金属线的作用方块电阻的金属线是电流流过的主要通道，其材料和尺寸会直接影响电阻值和功率。
为了达到高精度和高稳定性，方块电阻中金属线的尺寸需要进行严格的控制。
总体来说，方块电阻在MOS器件中起到了重要的作用，它的高精度、低噪声、低漏电流和高温稳定性等特点，使得MOS器件能够在各个领域中都有着广泛的应用。
方块电阻单位
方块电阻单位
现代电路中的电阻是一种令人熟悉的元件，它负责平衡电路中的电流，阻挡电压，并影响电路的功率，寿命和精度等特性。
电路分析中，主要通过改变电阻值来影响电路的特性，而电阻的量纲是能够衡量电阻的一种统一的单位，为了更简单的描述电阻的大小，被称为“方块电阻单位”。
方块电阻单位以1Ω（欧姆）为基本量纲，每增加3位数，代表量纲放大1000倍。
从历史上看，当时电阻有10种基本单位，统一使用这种方式，可以有效避免混淆。
但是随着电子技术的发展，需要更大范围的电阻，因此，现在有取代欧姆单位（Ω）和泰斯特（T）单位，分别为微无（μΩ，一个微无等于十万分之一欧姆）和兆欧（m Ω，一个兆欧等于一百万欧姆），以及其他超大电阻单位。
除了欧姆，其他单位使用相同的方块电阻单位。
比如，1KΩ=1000Ω，1m节=1000KΩ，1GΩ=1000mΩ，1TΩ=1000GΩ，依此类推。
由于电阻值的增加而合理安排，使用方块电阻单位描述更加简便，一般用于各种精密仪器和电子设备之间。
虽然方块电阻单位很方便，但它也有一些缺点，如电阻值看起来比实际值小，有可能引起误差。
此外，如果将它用于计算机中，需要精确地表示电阻值，否则可能出现精度问题。
因此，在使用方块电阻单位之前，需要了解它的实际值，以免出现问题。
总的来说，方块电阻单位可以简单的描述电阻值，是一种被广泛使用的计量单位，它为电子设计和制造提供了便利。
但使用者也应该
注意，在使用这种单位时应小心计算，以免出现问题。
此外，由于技术在发展，现在也有越来越多新的电阻单位，他们也会被添加到不同的方块电阻单位中，这样可以更好的描述电阻值，更好地应用于日常生活中。
薄膜电阻(方块电阻)
L
L I W t
I
W
L L L R A W t t W
定义： Rsh
Unit：（）
t
Unit：（/, or ohms /squre）
L R Rsh W
薄膜的总电阻为方块电阻与长宽比的乘积。
1
L R Rsh W
以n型半导体为例，电子浓度为n
L
S
W t
I
L
I
ns
W
则上图中的薄膜载流子面密度为：
N n V n WLt ns nt S S WL
单位：（cБайду номын сангаас-2）
4
薄膜电阻与载流子面密度
以n型半导体为例，电子浓度为n
L I W t
L
I
Rsh ns
W
1 由： en n
所以：
ρ 1 1 得： Rsh t enμn t eμn n t
1 Rsh ens μn
5
线电流密度与载流子面密度
以n型半导体为例，电子浓度为n
L I
面电流密度： J env
W t
线电流密度： J l I/W J Wt/w J t entv ens v
J l ens v
在低场情况下：
J l ens v ens μE
E Jl Rsh
6
方块电阻、薄膜载流子密度
对于n型半导体 电学参数 体材料 (bulk) n(cm-3) 薄膜材料 (film) ns(cm-2) 关系
载流子浓度
ns nt
J s Jt
电流密度
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电池系列之方块电阻摘要：本篇是丫丫自“半导体基础知识”篇之后，再次回归基础知识的学习记录。
蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铝箔膜等薄膜状导电材料，衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。
本篇学习记录主要涉及方阻的概念、意义、测量方法等。
一、基本概念方阻就是方块电阻，又称面电阻，指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻，如图一所示，即B边到C边的电阻值。
方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。
方块电阻的计算公式：Rs=ρ/t (其中ρ为块材的电阻率,t为块材厚度）二、利用方阻监控扩散方块电阻是一个二级概念，真正的核心是扩散深度。
一般扩散深度会影响电性能参数，因为扩散深度无法测量，所以只能通过测电阻来大概反映扩散深度和扩散浓度。
他是一个深度和浓度，以及体材料多重作用的结果，至于其和电性能参数各值之间的线性关系，目前没有什么特定方程式，都是通过经验来控制在一定的方位，做到30-50的都有。
方阻一般只是在扩散后进行监控，监控方阻就是为了监控扩散的稳定性。
测试方阻跟最后的烧结工序的影响也是很重要的，因为结的深度也会影响你最后烧结的深度，否则有可能出现Rs的异常。
所以方阻也是烧结条件的重要指标。
一般结深则电阻小，掺杂浓度高。
电阻小了，掺杂量就高了，表面死层就会多，这样会牺牲很多电流；电阻大了，电流的收集就会比较困难；方阻要做高，是需要其他相关条件保障的，假如其他条件不满足，效率反而会降低。
一般扩散温度越高，时间越长，流量越大，方阻就越小，结就越深。
除了扩散之外，生产中的其它工序对方阻也会产生影响。
一般如果是稳定生产，方阻也是稳定的。
后道生产中，假如出现大量问题片，看症状跟方阻有可能相关的，就可以去反查工序中是否出现了问题，即使电池也是可以测试的。
但是这个只能相对参考，一般公司都会规定方阻多少到多少之间的片子可以进入流程，另外的就要返工，但是因为是抽检，谁又能保障进入流程的都是好的呢，甚至员工有可能会偷懒，好的片子坏的片子都流入流程。
三、方阻的测量1、铜棒测方阻可不可以用万用表电阻档直接测试图一所示的材料呢？不可以的，因万用表的表笔只能测试点到点之间的电阻，而这个点到点之间的电阻不表示任何意义。
如要测试方阻，首先我们需要在A边和B边各压上一个电阻比导电膜电阻小得多的圆铜棒，而且这个圆铜棒光洁度要高，以便和导电膜接触良好。
这样我们就可以通过用万用表测试两铜棒之间的电阻来测出导电薄膜材料的方阻。
如果方阻值比较小，如在几个欧姆以下，因为存在接触电阻以及万用表本身性能等因素，用万用表测试就会存在读数不稳和测不准的情况。
这时就需要用专门的用四端测试的低电阻测试仪器，如毫欧计、微欧仪等。
测试方法如下：用四根光洁的圆铜棒压在导电薄膜上，如图二所示。
四根铜棒用A、B、C、D表示，它们上面焊有导线接到毫欧计上，我们使BC之间的距离L 等于导电薄膜的宽度W，至于AB、CD之间的距离没有要求，一般在10--20mm就可以了，接通毫欧计以后，毫欧计显示的阻值就是材料的方阻值。
这种测试方法的优点是：（1）用这种方法毫欧计可以测试到几百毫欧，几十毫欧，甚至更小的方阻值。
（2）由于采用四端测试，铜棒和导电膜之间的接触电阻，铜棒到仪器的引线电阻，即使比被测电阻大也不会影响测试精度。
（3）测试精度高。
由于毫欧计等仪器的精度很高，方阻的测试精度主要由膜宽W和导电棒BC之间的距离L的机械精度决定，由于尺寸比较大，这个机械精度可以做得比较高。
在实际操作时，为了提高测试精度和为了测试长条状材料，W和L不一定相等，可以使L比W大很多，此时方阻Rs=Rx*W/L,Rx为毫欧计读数。
2、四探针法测方阻铜棒测方阻的方法虽然精度比较高，但比较麻烦，尤其在导电薄膜材料比较大，形状不整齐时，很难测试，这时就需要用专用的四探针探头来测试材料的方阻，如图三所示。
探头由四根探针阻成，要求四根探针头部的距离相等。
四根探针由四根引联接到方阻测试仪上，当探头压在导电薄膜材料上面时，方阻计就能立即显示出材料的方阻值，具体原理是外端的两根探针产生电流场，内端上两根探针测试电流场在这两个探点上形成的电势。
因为方阻越大，产生的电势也越大，因此就可以测出材料的方阻值。
需要提出的是虽然都是四端测试，但原理上与图二所示用铜棒测方阻的方法不同。
因电流场中仅少部分电流在BC点上产生电压（电势）。
所示灵敏度要低得多，比值为1：4.53。
影响探头法测试方阻精度的因素：（1）要求探头边缘到材料边缘的距离大大于探针间距，一般要求10倍以上。
（2）要求探针头之间的距离相等，否则就要产生等比例测试误差。
（3）理论上讲探针头与导电薄膜接触的点越小越好。
但实际应用时，因针状电极容易破坏被测试的导电薄膜材料，所以一般采用圆形探针头。
3、实际测量中需要注意的问题（1）如果被测导电薄膜材料表面上不干净，存在油污或材料暴露在空气中时间过长，形成氧化层，会影响测试稳定性和测试精度。
在测试中需要引起注意。
（2）如探头的探针存在油污等也会引起测试不稳，此时可以把探头在干净的白纸上滑动几下擦一擦可以了。
（3）如果材料是蒸发铝膜等，蒸发的厚度又太薄的话，形成的铝膜不能均匀的连成一片，而是形成点状分布，此时方块电阻值会大大增加，与通过称重法计算的厚度和方阻值不一样，因此，此时就要考虑到加入修正系数。
（4）上面介绍的测量方法适用于批量测试，假如是做研究，还需要遮光，最好用施美乐博的无接触扫描型测试，可精确反应面内各区域的方阻情况。
电池系列之电池入门篇丫丫语录：单晶硅电池片的生产流程主要也就是清洗制绒——扩散——刻蚀——去PSG——PECVD——印刷烧结——测试分选，刚开始记起来我也很没有概念，去了几次车间，就比较牢固的印在脑子里了。
所以建议有条件的朋友能进车间看看，有个直观印象，我想会更好些。
摘要：初识光伏篇中丫丫带领我们学习了太阳能行业的相关背景知识和晶体硅太阳能电池的工作原理，本篇我们将继续跟随丫丫的脚步，探秘晶体硅太阳能电池的实际生产过程。
一、基本概念1、制绒制绒，是指处理硅片的一种工艺方法，利用硅的各向异性腐蚀特性，使用腐蚀液在硅片表面刻出类似于金字塔或者是蜂窝状的结构。
制绒按硅原料的不同可分为单晶制绒与多晶制绒，按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。
2、掺杂掺杂就是使杂质进入晶片内部，并在晶片中的某区域以一定浓度分布，从而改变器件的电学性能，掺入的杂质可以是IIIA族和VA族的元素。
利用掺杂技术，可以制作PN结、欧姆接触区以及电阻等各种器件。
常用的掺杂技术有扩散和离子注入两种。
3、PN结采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区，又称PN结。
PN结具有单向导电性。
4、等离子体刻蚀等离子体刻蚀（也称干法刻蚀）是集成电路制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到硅片表面，其范围涵盖前端CMOS栅级（Gate）大小的控制，以及后端金属铝的刻蚀及Via和Trench的刻蚀。
刻蚀的工艺水平直接影响最终产品质量及生产技术的先进性。
5、PSGPSG（Phospho Silicate Glass）是磷硅玻璃的意思，在太阳能电池片的扩散工艺后，硅片表面会形成一层PSG，必须去除。
二、晶体硅太阳能电池片的生产工艺与设备生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。
电池片生产工艺流程下面依序介绍晶硅太阳能电池片生产的各项工艺与设备。
1、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N 型和微裂纹等。
目前通用的硅片检测设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测，同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
2、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
制绒按硅原料的不同可分为单晶制绒与多晶制绒，按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
3、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。
经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。
这种方法制出的PN结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于百分之十，少子寿命可大于10ms。
管式扩散炉制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。
因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
4、去PSG去PS工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，是通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。
在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。
P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。