太阳能冷氢化技术的发展史

太阳能冷氢化技术的发展史
美国LXE太阳能技术公司。

其拥有世界上先进的包括冷氢化在内的多晶硅工艺技术，团队成员具有丰富行业经验，所有专家都曾在道康宁、联合碳素等公司任职。

该公司一直致力于利用自身的技术优势，为企业提供技术服务，提高产品质量，降低生产成本，优化作业效率，促进企业不断创新，使之成为行业内成功的开拓型企业。

目前，全球多晶硅价格骤降，降低生产成本是企业生存的迫切需要。

采用冷氢化方式处理可有效地降低生产成本，提高企业竞争力。

而美国LXE技术公司正是太阳能产业里冷氢化、TCS合成、电子级TCS制备和硅烷等多晶硅行业的多项技术提供商之一。

LXE公司总部位于新泽西，在休斯敦和拉斯维加斯设有办公室。

目前的技术服务商有江西塞维、昆明冶研等工厂。

LarryColeman是冷氢化技术的专利申请人，他见证了整个冷氢化的发展过程;该专利由其于1980提出，1982年批准，2002年过期。

冷氢化技术的发展史(1)1948年，联合碳素UCC的分公司林德气体为了找到一种合成TCS的方法而最先开发了冷氢化技术，但在当时生产TCS是为了制备有机硅而非高纯硅。

(2)1950~1960，林德公司在西维吉尼亚建了一个用冷氢化技术生产TCS的生产线;同时，他们发现用Si+HCl的方式(合成法)来生产TCS更加经济，于是就将冷氢化技术搁置。

(3)1973年，当第一次石油危机来临后，美国政府开始寻找石油的替代能源，太阳能就是其中之一，很多公司参与了与之相关的研究(包括多晶硅的生产)，其中包括UCC。

(4)1977年，美国总统卡特授权美国航空航天署NASA寻找降低太阳能电池板生产成本的方法。

此时，多晶硅的生产再次被提上议事日程。

UCC当时介入了此事，便重新把硅烷技术(1971年发明)及冷氢化技术找出来，开始准备建立中试装置。

(5)1979~1981年，UCC在Washougal 建立了一个做硅烷(100MTA硅烷)的中试工厂(生产硅烷的第一步生产TCS所采用的是可以闭路循环的冷氢化技术)，并成功生产出电阻率为10000的多晶硅。

他们希望通过国家对太阳能级多晶硅的支持来提升其电子级多晶硅的名气，因为当时还未出现能工厂化生产电阻率如此高的电子级多晶硅。

(6)1983年，UCC在Moseslake开始建设1000MTA硅烷的扩大化工厂。

但当时在位的总统里根为了解决石油企业利润微薄的问题，抽调了供给NASA研究廉价太阳能利用项目组的资金，叫停了太阳能产业的发展。

此后，UCC对太阳能的利用失去了兴趣，于1989年将这个1000吨的硅烷工厂以三成的价格卖给了一个叫ASMI的日本企业。

(7)此后几年，ASMI又将50%的股份卖给了REC，至此REC开始进入多晶硅领域。

（网友：西亳布衣）。