模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
1.以下电极名称哪一个不属于MOS器件?
答案:
基极
2.在下述几种击穿现象中，哪类击穿是不可逆的？（）
答案:
热击穿
3. NEMOSFET饱和区的工作条件为VGS Vt, VDS VGS-Vt。

答案:
>,>
4.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和
（）组态均为电流跟随器结构。

答案:
CG，CB
5.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和
（）组态均存在米勒倍增效应，因而均为窄带放大器。

答案:
CS，CE
6.下面对PN结单向导电性描述合理的有（）。

答案:
反偏时几乎没有电流通过
反偏时PN结等效为一个大电阻
正向导通，反向截止
7.下列关于BJT和FET的描述正确的是（）
答案:
BJT为流控器件，FET为压控器件
BJT为双极型器件，FET为单极型器件
8.共源（CS）放大器交流通路中，若引入源极电阻，关于其作用说法正确的
是（）
答案:
控制的大小，避免因_过大产生非线性失真
稳定静态工作点
拓展放大器的带宽
9.当环境温度升高时，PN结（）。

答案:
半导体中的本征激发增强
反向饱和电流增大
10.与同类型、同偏置的电阻型负载差放放大器相比，有源负载差放放大器
（）。

答案:
采用单端输出方式，但具有类似前者双端输出时的效果，甚至性能更好差模增益大大提高
单端输出时共模抑制比更高
广泛用于集成电路设计中
11.N型半导体带负电，P型半导体带正电
答案:
错误
12.在画放大器直流通路时，所有电容应短路，所有电感应开路
答案:
错误
13.限幅电路仅能利用二极管的单向导电性实现。

答案:
错误
14.BJT和MOSFET管在集成电路中除了作为放大管使用外，还有另外两个作
用分别是电流源和有源负载
答案:
正确
15.有源负载结构既能用于CE组态，也能用于CB和CC组态。

答案:
正确。