die saw
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24
更换刀片根据产品的作业指导书选择对应的切 割刀片,更换至机台上. 确认刀片数据无误（记
得换刀完成后取出换刀工具）。
2-3mm
25
磨刀时，检查切割水流量，刀痕状况（刀 宽，碎裂，偏移是否符合要求，有无切割刀 痕s形，无漏切和未切穿现象. ）试切OK后方 可切割产品
26
磨刀 软刀在装机时的误差较大，其同心及刀刃必
33
切割：确认切割道无偏移后按start 机台自动 切割.
切割前3刀须停机确认刀痕状况，切割过程中 也要检查刀痕，切割完成需要检查有无漏 切，未切穿
34
切割中的问题处理
1.刀痕偏移：调节刀痕在切割道中心 当hairline与玻璃cross line不一致是调节cross； 当hairline与玻璃上切痕不一致时调节F1；
bond，刮伤 ），检查贴胶面有无外物，破损等异常 并记录，检查铁环又有没有变形。 3.贴片：将产品贴上一层切割UV 膜. 4. 贴膜后检验，检查是否有气泡，缺角，裂纹，贴 偏，外物，皱折及胶带是否有破损现象等问题，写 好刻号并做好记录。9Biblioteka 0111213
14
15
搬运cassette时候卡号卡扣，注意安全
4
Mount
目的：将晶圆贴在切割UV胶带和铁 圈上，以进行后续流程。
5
UV胶带特性：具高黏着力,使晶片于切割过程 不脱落、不飞散。加工结束后，只要照射适 量的紫外线，可以很容易取下而不脱胶。
6
离心纸
胶层 底 材
Tape 结构
7
UV 切割 tape
Sawing process
Wafer
切割
切割
仇志祥
1
产品介绍
相机镜头
2
切割站作业流程
进站检验 贴膜 磨刀 切割 清洗 检 验 （偏移测量、崩角测量）
3
名词解释
mount：贴片 cassette：料盒 Die saw & dicing：切割 offset：偏移 Kerf width：刀痕宽 Topside chipping ：正面碎裂 Backside chipping：背面碎裂 Blade exposure ：刀片暴露量 Feed speed：进刀速度 Index size：步进尺寸 Spindle rev：主轴转速 Cut height：刀片高度 Tape/wafer thickness：胶带/晶圆厚度
换刀
19
R07树脂刀对玻璃等易硬脆材料的高品质 加工，刀耗较快
20
刀片结构
磨粒
粘合剂 气孔
21
异常代谢
过载
22
法兰精度 1 um 200um blade
5 um
207 um
239um
23
换刀步骤： 记录旧刀数据； 领刀：查看刀片型号，刃长是否符合要求；
刃长=(刀片外径-法兰外径）/2 下刀，装刀，核对参数
16
Die saw
目的：将WAFER切割成单颗的lens
17
每日点检
1.检查切割水是否正常 （冷却水为扇形）
切割水对准刀片
2.BBD破刀检测 、 OPC光学测高（optic相 当与disco的NCS） 电压确认
3.水气电情况 4.油石清洁table 5.机台清洁
18
须在装机后的使用前进行修磨刃口
27
Spindle
Blade Inner Diameter
28
切割 Check out:：切割之前确认工作台无外物，
并用气枪吹一下。
29
选择对应产品批号的程序.核对参数（例如： 产品和胶带厚度，切割方式（单刀还是双 刀），晶粒尺寸，切割高度，切割速度以及 主轴转速）
Picking up process
Fix IC chips 粘性强
Tape
Easy picking up IC chips 粘性弱
UV 胶带适合以上
Adwill D series
8
作业步骤： 1.做货之前清洁贴胶盘，滚轴，试贴dummy没问题
再做货。 2.贴膜前检验，检查晶园有无前制程不良（镀膜，
开关门盖小心夹手
注意确认放置的 位置
37
点检：清洗盘清洁，水，气，电确认
38
Inspection：
检验：使用显微镜检验.首片检验和切割中检 验，检查是否符合规范如脏污、切偏、正面& 背面碎裂、飞晶等并作好记录。
39
40
41
30
3. Load wafer：将mount后检验合格的产品 放置切割机台内,并确认放置的位置是否准确.
31
全自动切割：
点start开始机台自动对准后自动切割 前三刀确认刀痕 继续切割
32
半自动切割
Manu Alignment ：使用cross street进行切割 道对位动作（先低倍后高倍）.定位后使用 index移动显微镜确认整面切割道无偏移。
35
2.如出现无胶分层，镀膜层厚度异常区飞 die，则继续切割，否则通知技术人员。
3.当发生死机，断刀，超过规格的切偏，碎 裂，切死，漏切，水气电真空等异常时机台 放水并通知相关人员处理。
4.对于未完全切割的产品严禁放真空取出切 割盘
36
clean
6.清洗：切割完成后,将产品转至清洗机台.对 wafer切割面进行清洁.（注意确认放置的位置 和程式）
更换刀片根据产品的作业指导书选择对应的切 割刀片,更换至机台上. 确认刀片数据无误（记
得换刀完成后取出换刀工具）。
2-3mm
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磨刀时，检查切割水流量，刀痕状况（刀 宽，碎裂，偏移是否符合要求，有无切割刀 痕s形，无漏切和未切穿现象. ）试切OK后方 可切割产品
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磨刀 软刀在装机时的误差较大，其同心及刀刃必
33
切割：确认切割道无偏移后按start 机台自动 切割.
切割前3刀须停机确认刀痕状况，切割过程中 也要检查刀痕，切割完成需要检查有无漏 切，未切穿
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切割中的问题处理
1.刀痕偏移：调节刀痕在切割道中心 当hairline与玻璃cross line不一致是调节cross； 当hairline与玻璃上切痕不一致时调节F1；
bond，刮伤 ），检查贴胶面有无外物，破损等异常 并记录，检查铁环又有没有变形。 3.贴片：将产品贴上一层切割UV 膜. 4. 贴膜后检验，检查是否有气泡，缺角，裂纹，贴 偏，外物，皱折及胶带是否有破损现象等问题，写 好刻号并做好记录。9Biblioteka 0111213
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搬运cassette时候卡号卡扣，注意安全
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Mount
目的：将晶圆贴在切割UV胶带和铁 圈上，以进行后续流程。
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UV胶带特性：具高黏着力,使晶片于切割过程 不脱落、不飞散。加工结束后，只要照射适 量的紫外线，可以很容易取下而不脱胶。
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离心纸
胶层 底 材
Tape 结构
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UV 切割 tape
Sawing process
Wafer
切割
切割
仇志祥
1
产品介绍
相机镜头
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切割站作业流程
进站检验 贴膜 磨刀 切割 清洗 检 验 （偏移测量、崩角测量）
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名词解释
mount：贴片 cassette：料盒 Die saw & dicing：切割 offset：偏移 Kerf width：刀痕宽 Topside chipping ：正面碎裂 Backside chipping：背面碎裂 Blade exposure ：刀片暴露量 Feed speed：进刀速度 Index size：步进尺寸 Spindle rev：主轴转速 Cut height：刀片高度 Tape/wafer thickness：胶带/晶圆厚度
换刀
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R07树脂刀对玻璃等易硬脆材料的高品质 加工，刀耗较快
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刀片结构
磨粒
粘合剂 气孔
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异常代谢
过载
22
法兰精度 1 um 200um blade
5 um
207 um
239um
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换刀步骤： 记录旧刀数据； 领刀：查看刀片型号，刃长是否符合要求；
刃长=(刀片外径-法兰外径）/2 下刀，装刀，核对参数
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Die saw
目的：将WAFER切割成单颗的lens
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每日点检
1.检查切割水是否正常 （冷却水为扇形）
切割水对准刀片
2.BBD破刀检测 、 OPC光学测高（optic相 当与disco的NCS） 电压确认
3.水气电情况 4.油石清洁table 5.机台清洁
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须在装机后的使用前进行修磨刃口
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Spindle
Blade Inner Diameter
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切割 Check out:：切割之前确认工作台无外物，
并用气枪吹一下。
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选择对应产品批号的程序.核对参数（例如： 产品和胶带厚度，切割方式（单刀还是双 刀），晶粒尺寸，切割高度，切割速度以及 主轴转速）
Picking up process
Fix IC chips 粘性强
Tape
Easy picking up IC chips 粘性弱
UV 胶带适合以上
Adwill D series
8
作业步骤： 1.做货之前清洁贴胶盘，滚轴，试贴dummy没问题
再做货。 2.贴膜前检验，检查晶园有无前制程不良（镀膜，
开关门盖小心夹手
注意确认放置的 位置
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点检：清洗盘清洁，水，气，电确认
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Inspection：
检验：使用显微镜检验.首片检验和切割中检 验，检查是否符合规范如脏污、切偏、正面& 背面碎裂、飞晶等并作好记录。
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30
3. Load wafer：将mount后检验合格的产品 放置切割机台内,并确认放置的位置是否准确.
31
全自动切割：
点start开始机台自动对准后自动切割 前三刀确认刀痕 继续切割
32
半自动切割
Manu Alignment ：使用cross street进行切割 道对位动作（先低倍后高倍）.定位后使用 index移动显微镜确认整面切割道无偏移。
35
2.如出现无胶分层，镀膜层厚度异常区飞 die，则继续切割，否则通知技术人员。
3.当发生死机，断刀，超过规格的切偏，碎 裂，切死，漏切，水气电真空等异常时机台 放水并通知相关人员处理。
4.对于未完全切割的产品严禁放真空取出切 割盘
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clean
6.清洗：切割完成后,将产品转至清洗机台.对 wafer切割面进行清洁.（注意确认放置的位置 和程式）