国科大材料化学复习资料

第二章晶体学
终极重点：1、晶体特征，晶体与非晶体区别 2、晶向与晶面指数确定步骤
1.晶体的性能特征：均一性，各向异性，自限性，对称性，最小内能性；
2.对称操作与对称要素：对称轴，对称面，对称中心，倒转轴；
3.晶向指数与晶面指数：确定步骤；
4.球体的堆积：六方，面心立方，体心立方
5.鲍林规则；
6.各种典型晶体构型；
7.硅酸盐晶体结构与实例：岛状，链状，层状，架状；
8.同质多晶现象：可逆转变，不可逆转变，重建型转变，位移型转变。

1.晶体的性能特征：均一性，各向异性，自限性，对称性，最小内能性
(1)晶体的基本特征
晶体的性能特征结晶均一性：在晶体内部任意部位上具有相同的性质；
各向异性：在晶体不同方向上表现出的性质差异；
自限性：能够自发形成封闭的凸几何多面体外形的特性；
对称性：晶体中的相同部分（晶面，晶棱，等等）以及晶体的性质能够在不同方向或位置上有规律地重复；
最小内能性：在相同的热力学条件下，晶体与同组成的气体、液体及非晶态固体相比具有最小内能，即最为稳定。

(2)对称操作与对称要素：
对称操作：使晶体的点阵结构和性质经过一定程序后能够完全复原的几何操作；对称要素：实施对称操作所依赖的几何要素（点，线，面等）；
1.旋转操作与对称轴：一个晶体如能沿着某一轴线旋转360 / n（n = 1, 2, 3, 4, 6）后使晶体位置完全回复原状，则该晶体具有n 重对称轴；
2.反映操作和对称面：一个晶体中如果存在某一个平面，使平面两边进行反映操作，而令晶体复原，则这个平面称为对称面；
3.反演操作和对称中心：一个晶体中央在某一个几何点，使晶体外形所有晶面上各点通过该几何点延伸到相反方向相等距离时，能够使晶体复原的操作。

该几何点称为对称中心。

4.旋转反演操作和对称反轴：旋转之后进行反演使晶体复原的操作；只有4¯是新的独立对称要素。

(3)晶向指数与晶面指数：确定步骤
晶向指数：
以晶胞的某一阵点O为原点，过原点O的晶轴为坐标轴x，y，z，以晶胞点阵矢量的长度作为坐标轴的长度单位；
过原点O作一直线OP，使其平行于待定晶向；
在直线OP上选取距原点O最近的一个阵点P，确定P点的3个坐标值；
将这3个坐标值化为最小整数u，v，w，加以方括号，[ u v w ]即为待定晶向的晶向指数。

晶面指数：
在点阵中设定参考坐标系，设置方法与确定晶向指数时相同；
求得待定晶面在三个晶轴上的截距，若该晶面与某轴平行，则在此轴上截距为无穷大；若该晶面与某轴负方向相截，则在此轴上截距为一负值；
取各截距的倒数；
将三倒数化为互质的整数比，并加上圆括号，即表示该晶面的指数，记为 (h k l )。

(4)球体的堆积：等径球体的紧密堆积，等径球体的非紧密堆积（体心立方）
包括：六方紧密堆积和面心立方紧密堆积，该两种方式是同种原子（等径球体）能够达到的最紧密堆积方式，堆积系数（原子所占空间分数）达0.74，其余0.26为空隙所占有。

六方紧密堆积（hcp）：在同一层密排面上，每个原子周围均有6个最邻近原子（出现两种类型的凹坑）；第二层密排面排列于第一层上，必然置于同一类型的凹坑中；第三层排列于第一层的正上方；第四层排列于第二层的正上方，依次类推，形成 ABABAB 构型。

面心立方紧密堆积（fcc）：在同一层密排面上，每个原子周围均有6个最邻近原子（出现两种类型的凹坑）；第二层密排面排列于第一层上，必然置于同一类型的凹坑中；第三层排列于第二层未占据的凹坑位置；第四层排列于第一层的正上方，依次类推，形成 ABCABC 构型。

体心立方堆积（bcc）非紧密堆积方式：堆积系数0.68，配位数8；单层排列面作近似紧密排列，每个原子与四个最邻近原子接触；在第一层的凹坑处堆积第二层同形排列面；第三层排列面位于第一层的正上方，依次循环。

空隙规则：如果构成某晶胞需要n个原子作紧密堆积，则该晶胞必具有 2n个四面体空隙和n个八面体空隙。

补充：晶体的宏观对称性：是指晶体中的相同部分（晶面，晶棱等）以及晶体的性质在不同方向或位置上有规律地重复出现。

晶体的微观对称性：
螺旋轴：对称轴上加上平移操作，是一种复合的对称要素，螺旋轴的周次n只能等于1、2、3、4、6，所包含的平移变换其平移距离应等于沿螺旋轴方向结点间距的s/n，s为小于n的自然数；
滑移面：对称面上加上平移操作，对于此平面的反映和沿此直线方向平移的联合，其平移的距离等于该方向行列结点间距的一半。

(5)鲍林规则
1.鲍林第一规则几何规则：围绕每一个正离子，负离子的排列占据一个多面体的各个顶角位置。

正负离子的间距决定了离子半径的总和，负离子配位数决定于正负离子半径的比率。

2.鲍林第二规则静电价规则：处于最稳定状态的离子晶体，其晶体结构中的每一个负离子所具有的电荷，恰恰被所有最邻近（相互接触）的正离子联系于该负离子的静电价键所抵消。

3.鲍林第三规则共棱共面规则：共棱数越大，尤其是共面数越大，则离子排列趋于越不稳定。

4.鲍林第四规则：高电价和低配位数的正离子具有尽可能相互远离的趋势。

5.鲍林第五规则节约规则：所有相同的离子，在可能范围内，它们和周围的配位关系往往是相同的。

(6)各种典型的晶体结构：
金刚石立方面心结构：碳原子位于立方面心的所有结点位置和交替分布在立方体内的四个小立方体的中心，每个碳原子周围有四个碳原子，碳原子之间形成共价键。

石墨结构：六方晶系：碳原子呈层状排列，每层中碳原子按六方环状排列，每个碳原子与三个相邻碳原子距离相等（0.142 nm），层间距为0.335 nm。

特点：层内为共价键而层间为分子键。

NaCl型结构立方面心结构：阴离子按立方最紧密方式堆积，阳离子填充于全部八面体空隙，阴、阳离子的配位数均为6。

CsCl型结构简单立方结构：阴离子位于简单立方格子的顶点位置，阳离子位于立方体的中心。

阴、阳离子的配位数都是8。

β - ZnS（闪锌矿）型结构立方面心结构：阴离子占据面心立方的结点位置，阳离子交错分布于立方体内小立方体的中心。

阴、阳离子的配位数都是4。

α - ZnS（纤锌矿）型结构六方晶系：阴离子按六方紧密堆积方式排列，阳离子占据二分之一的四面体空隙。

阴、阳离子的配位数都是4。

CaF
2
（萤石）型结构立方面心结构：阳离子位于面心立方的结点位置，阴离子位于立方体内小立方体的中心。

即阳离子按立方紧密堆积方式排列，阴离子填充全部的四面体空隙。

阳离子的配位数是8而阴离子的配位数是4。

(7)岛状结构：硅酸盐晶体中的硅氧四面体以孤立状态存在，硅氧四面体之间没有共用的氧。

硅氧四面体中的氧除与硅相连外，剩下的一价将与其它金属阳离
子相连。

实例：镁橄榄石（Mg
2SiO
4
），氧离子近似于六方紧密堆积，硅离子填充
1/8 四面体空隙，镁离子填充 1/2 八面体空隙。

链状结构：硅氧四面体通过共用氧离子相连，在一维方向延伸，形成链状。

此类结构可以分为单链和双链类型。

链间通过其它阳离子按照一定的配位关系连接起来。

实例：透辉石
层状结构：硅氧四面体通过三个共用氧相连，在二维平面内延伸成一个硅氧四面体层；在硅氧层中，处于同一平面的三个氧离子被硅离子共用，称为桥氧，电荷
达到平衡。

顶角上一个氧离子，电荷未达平衡，称为自由氧，与硅氧层外的其它阳离子相连；自由氧一般与 Al3+，Mg2+，Fe3+，Fe2+等阳离子相连，构成 Al –O、Mg – O 等八面体。

架状结构：硅氧四面体的四个顶角都与相邻的硅氧四面体共顶，构成三维“骨架”。

实例： - 方石英，立方晶系，Si4+占据全部面心立方结点位置和一半（四个）的小立方体中心，每个Si4+与四个O2-相连。

（8）同质多晶现象：物质以多种晶型存在，并且不同晶型之间在适宜条件下能够进行相互转变。

即，同种化学成分在不同的热力学条件下结晶成不同晶体结构的现象。

晶型的稳定性：一种同质多晶的变体中，自由焓最低者为稳定晶型：G=U+ PV−TS，其中，内能U取决于晶体结构的晶格能，P为平衡蒸气压，V为体积，T为绝对温度，S为一定晶型的熵
重建型转变：当一组同质变体晶型晶型转变时，通过破坏原子间键合，改变次级配位，使晶体结构完全改变原样的转变形式——化学键破坏重组需要较大能量，转变缓慢；
位移型转变：当一组同质变体晶型晶型转变时，总体结构不发生根本改变，次级配位的改变不破坏键合情况，仅使结构发生畸变——转变迅速。

第三章晶体缺陷
终极重点：1、缺陷方程式 2、刃型位错与螺型位错
（1）缺陷类型及表示方法，有效电荷，缺陷方程式的书写；
（2）点缺陷：Frenkel缺陷，Schottky缺陷，点缺陷的生成热力学；
色心：色心的形成，分类；
（3）线缺陷：刃位错，螺位错，柏氏矢量的确定，及其与位错类型的关系；（4）面缺陷：小倾角晶界，大倾角晶界，晶面间距，孪晶，晶界特性，堆积层错的类型，（5）亚晶粒界和反相畴界；
（6）非化学计量化合物。

(1)缺陷类型及表示方法，有效电荷，缺陷方程式的书写
1.点缺陷：缺陷尺寸处在一两个原子大小的量级；
线缺陷：在晶体结构中的一维缺陷，通常指位错；
面缺陷：通常指晶界、表面等等；
体缺陷：指三维方向上尺度都比较大的缺陷。

热缺陷：由于原子的热振动而产生的缺陷；
特点：缺陷浓度随温度升高呈指数增加。

Frenkel缺陷：由于热振动，部分能量较大的原子离开正常结点位置，进入间隙，变成填隙原子；
Schottky缺陷：由于热振动，原子迁移到表面，在正常结点位置留下空位。

杂质缺陷：由外来原子进入晶体而形成，杂质浓度与温度无关。

2.缺陷表示方法克罗格-明克符号：在晶体中加入或去掉一个原子时，视为加入或去掉一个中性原子；在晶体中加入或去掉一个离子时，视为加入或去掉一个电子。

空位： V
M —— M原子空位，V
X
—— X原子空位；
填隙子： M
i ，X
i
分别表示M及X处在间隙的位置；
错位： M
X
表示M原子被错放到X位置，反之亦然；
3.有效电荷：缺陷及其周围的总电荷减去理想晶体中同一区域的电荷之差。

对于自由电子和空穴：有效电荷等于实际电荷；
对于化合物晶体：缺陷的有效电荷一般不等于实际电荷，例如，将CaCl
掺杂到
2
NaCl中，缺陷反应表示为：
(2)点缺陷：Frenkel缺陷，Schottky缺陷，点缺陷的生成热力学；色心：色心的形成，分类
1.Schottky缺陷：正负离子空位成对出现；为补偿空位，对应 Schottky 缺陷，在晶体表面有两个额外的原子。

Frenkel缺陷：空位与填隙子有相反的电荷并可以彼此吸引成对；整体上呈电中性，存在偶极矩；缺陷对可以相互吸引形成较大的聚集体或缺陷簇，在相变中起到晶核的作用。

2.以NaCl晶体为例，Schottky缺陷平衡：
反应平衡常数：
对于Schottky缺陷，有：
简化可得：
为每一类空位的总数，有：
令N为每一类格位的总数，N
V
对于小的浓度缺陷，有：
平衡常数可以表示为温度的指数函数：
通常也表示为：
其中，n/N为缺陷浓度，E为缺陷生成能，k= 1.38×10-23J•K-1。

4.色心(一种能够吸收可见光的晶体缺陷，是由于电子补偿而引起的点缺陷) 色心的形成：如果向晶体中引入电子或空穴，将分别被带有正负有效电荷的点缺陷所俘获，形成俘获电子中心和俘获空穴中心；这些中心的存在使得晶体中出现相应的光吸收带；部分中心的光吸收带在可见光区，使晶体呈现不同的颜色；部分中心的光吸收带不在可见光区，不使晶体显色，但也是吸收光的基因。

这些中心统称为色心。

色心分类：
F心：一个负离子空位俘获一个电子形成的电子中心（最简单的一种色心）。

F’ 心：一个负离子空位俘获两个电子构成的电子中心；F
2心，F
3
心……：两
个或两个以上的 F 心紧靠在一起而构成的电子中心，又称为 M 心， R 心，等等；
杂质参与的电子中心：F
A 心：相邻的六个正离子中的一个被杂质离子所取代；F
B
心：相邻的六个正离子中有两个被杂质离子所取代。

俘获空穴中心：通过俘获空穴而形成色心。

（3）线缺陷：刃位错，螺位错，柏氏矢量的确定，及其与位错类型的关系；
刃位错：刃型位错有一个额外的半原子面。

一般把多出的半原子面在滑移面上边的称为正刃型位错，记为“┻”；而把多出在下边的称为负刃型位错，记为“┳。

螺位错：螺型位错无额外半原子面，原子错排是呈轴对称的；根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋转方向不同，螺型位错可分为右旋和左旋螺型位错；螺型位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线，而且位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。

柏氏（Burgers）矢量与位错类型的关系：表示滑移的方向，大小一般是一个原子间距。

对于刃型位错，柏氏矢量与位错线垂直；对于螺型位错，柏氏矢量与位错线平行。

柏氏（Burgers）矢量的确定：
1.首先选定位错线的正向，例如，常规定出纸面的方向为位错线的正方向；
2.在实际晶体中，从任一原子出发，围绕位错（避开位错线附近的严重畸变
区）以一定的步数作一右旋闭合回路（称为柏氏回路）；
3.将该回路平移至晶体中的完整部分，该回路并不封闭，由终点向起点引一
矢量，使该回路闭合，这个矢量b 就是实际晶体中位错的柏氏矢量。

（4）面缺陷：小倾角晶界，大倾角晶界，晶面间距，孪晶，晶界特性，堆积层错的类型，亚晶粒界和反相畴界.
面缺陷：二维尺度很大而另一维尺度很小的原子错排，表现为表面和晶界。

小倾角晶界：可以视为一系列刃型位错排列而成，倾斜角θ小于10︒，通常是2 ~ 3︒；
大倾角晶界：倾斜角θ大于10︒，原子排列接近于无序状态。

晶界中的位错间距：适用范围：小倾角晶界
孪晶：是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为“孪晶”，此公共晶面就称孪晶面。

晶界特性:
1.晶界处点阵畸变大，存在着晶界能——晶粒的长大和晶界的平直化都能减少晶界面积，从而降低晶界的总能量，这是一个自发过程。

晶粒的长大和晶界的平直化均需通过原子的扩散来实现，因此，温度升高和保温时间的增长，均有利于这两过程的进行.
2.晶界处原子排列不规则，因此在常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍作用，致使塑性变形抗力提高，宏观表现为晶界较晶内具有较高的强度和硬度——晶粒愈细，材料的强度愈高，这就是细晶强化；而高温下则相反，因高温下晶界存在一定的粘滞性，易使相邻晶粒产生相对滑动.
3.晶界处原子偏离平衡位置，具有较高的动能，并且晶界处存在较多的缺陷如空穴、杂质原子和位错等，故晶界处原子的扩散速度比在晶内快得多.
4.在固态相变过程中，由于晶界能量较高且原子活动能力较大，所以新相易于在晶界处优先形核。

显然，原始晶粒愈细，晶界愈多，则新相形核率也相应愈高.
5.由于成分偏析和内吸附现象，特别是晶界富集杂质原子的情况下，往往晶界熔点较低，在加热过程中，因温度过高将引起晶界熔化和氧化，产生“过热”现象.
6.由于晶界能量较高、原子处于不稳定状态，以及晶界富集杂质原子的缘故，与晶内相比，晶界的腐蚀速度一般较快。

这就是用腐蚀剂显示金相样品组织的依据，也是某些材料在使用中发生晶间腐蚀破坏的原因。

堆积层错：在正常堆积顺序中引入不正常顺序堆积的原子面而产生的一类面缺陷，简称层错。

包括两种类型：抽出型层错；插入型层错.
反相畴界：晶体内部结构的横向位移造成的反相结构之间的区域。

亚晶粒界：每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的亚晶粒所组成，相邻亚晶粒间的界面称
为亚晶界。

（5）非化学计量化合物：ppt74（计算题可能会考）
第四章固溶体
终极重点：1、有限固溶体与无限固溶体的区别及形成影响因素
2、固溶体、化合物、混合物的区别（固溶体概念）
固溶体的定义，基本概念；取代型固溶体的形成条件；填隙固溶体的影响因素；异价取代的离子补偿和电子补偿；固溶体的性质；固溶体的实验研究方法。

1.固溶体的定义：含有外来杂质原子的晶体，称为固体溶液，简称固溶体。

可以视为杂质缺陷。

溶剂——原有晶体；溶质——外来原子；生成过程——视
为溶解过程。

表示方法：原有晶体AC和BC 生成固溶体(A
x B
y
)C。

按杂质原子在固溶体中的位置分类：
取代（置换）型固溶体：杂质原子进入晶体后占据原来晶体中的正常结点位置；填隙型固溶体：杂质原子进入晶格中的间隙位置；
异价杂质固溶体：由于异价杂质原子的取代或填隙，使得固溶体中形成空位结构，可归于前两种类型。

按杂质原子在晶体中的溶解度分类：
无限固溶体：溶质和溶剂两种晶体可以按任意比例物限制地相互溶解，也称连续固溶体，或完全互溶固溶体；
有限固溶体：溶质在溶剂晶体中的溶解度存在一个极限，也称不连续固溶体，或部分互溶固溶体。

2.取代型固溶体的形成条件：离子尺寸因素——15％规律：一般而言，如果相互取代的原子最大半径差值小于15％则可以生成无限固溶体；否则只能生成有限固溶体（~ 90％准确性）；
为什么是15%？当热振动的振幅达到原子间距的15％左右时，许多固体发生熔化；大多数固体在膨胀到10％左右的程度时，发生熔化；键长变化到10 ~ 15％
时，晶体结构变得不稳定。

计算方法：
其中，R
1为半径较大的离子的尺寸， R
2
为半径较小的离子的尺寸。

离子价态因素：等价取代有利于形成无限固溶体，而异价取代一般得到有限固溶体；离子价总和相同时有利于生成无限固溶体，否则倾向于生成有限固溶体。

晶体结构因素：相似结构有利于形成无限固溶体，相异结构往往形成有限固溶体。

电负性因素：元素电负性相近时有利于生成固溶体，电负性差别较大时倾向于生成化合物。

场强因素：弟特杰尔关系（Dietzel’s Correlation）：Z / d 2其中，Z为正离子的价数，d为离子间距。

当∆( Z / d 2 ) = 0，固溶度有最大值；当∆( Z / d 2 ) < 0.1，能够形成良好固溶体；当∆( Z / d 2 ) > 0.4，不能形成固溶体；当∆( Z / d 2 ) > 0.5，出现液体的不混溶性。

外因：温度—温度升高有助于固溶体的形成；MgO－CaO体系：随温度升高，固溶度增加。

3.填隙固溶体：在金属体系中较为普遍：小原子如H，C，B，N等容易进入金属晶格内部的间隙位置；形成条件：同样取决于离子尺寸，离子价态，晶体结构，电负性，场强，等等因素；
4.异价取代固溶体：等价取代，可以保持电荷平衡；异价取代，需要形成缺陷以保持电荷平衡：
空位或填隙子——离子补偿；电子或空穴——电子补偿。

离子补偿机制：a) 阳离子空位：基质结构中的阳离子被高价阳离子取代时，可以通过形成阳离子空位来达
到电荷平衡。

实例：CaCl2 掺杂 NaCl：Na1-2xCaxVxCl
b) 阴离子填隙：基质结构中的阳离子被高价阳离子取代时，可以通过形成填隙阴离子来达
到电荷平衡。

实例—— YF3 掺杂 CaF2：(Ca1-xYx)F2+x
c) 阴离子空位：基质结构中的阳离子被低价阳离子取代时，可以通过形成阴离子空位来达
到电荷平衡。

实例：氧化钙稳定氧化锆(Zr1-xCax)O2-xVOx
d) 阳离子填隙：基质结构中的阳离子被低价阳离子取代时，可以通过形成填隙阳离子来达
到电荷平衡。

实例：LiAlO2填充石英 Lix(Si1-xAlx)O2
e)双重取代：两种取代同时发生，只要保证总的电荷平衡，取代离子可携带不同电荷。

电子补偿方式：
1. 异价离子取代；
2. 形成混合价态。

a) 阳离子空位:由脱嵌产生的阳离子空位，在脱去阳离子的同时移去相应数量的电子，以保持电荷平衡(换言之：阳离子以原子形式脱离）；实例：
b) 阴离子吸附形成的阳离子空位：例如，氧化物加热时吸收氧，氧分子离解，氧原子从低
氧化态过渡金属得到电子形成 O2-离子，实例：
c) 阴离子填隙：混合价阳离子伴随填隙阴离子而形成。

实例：高温超导体
YBa
2Cu
3
Oδ体系。

1.当δ = 6，Cu：+1，+2 的混合价；
2.当δ = 6.5，Cu：+2 价；
3.当δ = 7，Cu：+2，+3 的混合价。

d) 阴离子空位：例如，还原气氛下加热造成氧损失：释放出的电子传递给结构中的过渡金属阳离子形成混合价态。

实例：实例：TiO2-x，WO3-x，BaTiO3-x，等等。

e) 阳离子填隙：伴随阳离子填隙而出现另一阳离子的混合价态。

实例：
f) 双重取代：等量双重取代中形成: Ba → La
2CuO
4
5.固溶体的性质：
1.固溶体的电性能：等价取代：对介电性能影响不大；
实例：Pb(Zr x Ti1-x)O
3
，其中x = 0 ~ 1，调节压电性能。

当x = 1，即 PbZrO3，压电性能很差；当x= 0，即PbTiO3，压电性能很差；当x= 0.54，即
Pb(Zr
0.54Ti
0.46
)O
3
，压电性能达到最优。

异价取代：可以使绝缘体转变为半导体，甚至导体——导电性能与杂质缺陷浓度成正比；
实例：Y
2O
3
掺杂绝缘体 ZrO
2
，每进入一个
Y3+，将产生一个准自由电子e’，故电导率随杂质浓度增加而线性增加：
2.固溶体的光学性能：
透明陶瓷：陶瓷透光性的关键影响因素：气孔率；实例：用La
2O
3
掺杂PZT
（ Pb(Zr x Ti1-x)O
3），得到透明压电材料 PLZT（Pb
1-x
La
x
(Zr
0.65
Ti
0.35
)
1-(x/4)
O
3
）；
PZT：等价取代，本征扩散——不透明；
PLZT：异价取代，空位扩散——有助于气孔消除，透明
人造宝石：纯 Al
2O
3
单晶：无色透明；
宝石：着色剂在晶体中形成缺陷能级
固溶体的实验研究方法：PPT50页可能会考计算题。

第五章熔体与非晶体
终极重点：1、熔体的聚合物理论 2、硅酸盐玻璃-玻璃结构参数的计算 3、结晶化学条件
熔体的结构，形成过程；聚合状况的影响因素；熔体的聚合物理论；产生粘度的理论解释，粘度的影响因素，金属离子、化合物对粘度的影响；表面张力的影响因素；非晶态物质的通性；玻璃的形成，结晶化学条件，结构参数（计算题）
1.熔体的结构—硅酸盐熔体：基本结构单元是[SiO
4
] 四面体；结构单元的存在状态：聚合体——基本结构单元在熔体中组成形状不规则，大小各异的聚合离子团或络阴离子团，离子团之间保持聚合－解聚平衡；聚合程度的影响因素：组成，温度。

形成过程：以 Na
2O-SiO
2
体系为例：一切硅氧聚合物来源于 Na
2
O 和 SiO
2
的相
互作用；不考虑固相反应、低共熔、扩散等现象，只考虑Na
2
O 怎样“攻击”、
“蚕食” SiO
2
颗粒从而产生聚合物；聚合物的分布决定熔体结构，石英颗粒表
面有断键，并与空气中水汽作用生成 Si-OH 键，与Na
2
O 相遇时发生离子交换；
Si-OH Si-O-Na位置1的化学键加强，位置2的化学键减弱；Na
2
O “进攻”
弱点—— Si
2
O 骨架“分化”——形成聚合物。

2.聚合状况的影响因素：
组成对聚合状况的影响，当温度一定时：熔体中 O/Si 比较高，即碱性氧化物含量较高，分化作用较强，低聚物较多；反之，熔体中 O/Si 比较低，即碱性氧化物含量较低，分化作用较弱，低聚物较少。

温度对聚合状况的影响，组成一定时，随温度升高低聚物数量增加；高温时，低聚物以各自分离的状态存在；低温时，部分低聚物附着于三维晶体碎片上。

3.熔体的聚合物理论：
1.硅酸盐熔体是由不同级次、不同大小、不同数量的聚合物组成的混合物；
2.所谓的聚合物是指由 [SiO
4
] 连接起来的硅酸盐聚离子；
3.聚合程度、大小、分布决定熔体的结构；
4.各种聚合物处于不断的物理运动和化学运动中，并在一定条件下达到平衡；
5.聚合物的分布决定熔体结构，分布一定则结构一定；
6.熔体中聚合物被 R+，R2+结合起来，结合力决定熔体性质；
7.聚合物的种类、大小、数量随温度和组成而发生变化。

4.产生粘度的理论解释：
粘度定义：是指流体（气体或液体）抵抗流动的量度。

可视为使相距一定距离的两个平行平面以一定速度相对移动所需的力。

粘度的产生理论：。