研发部电子元器件选型规范

***有限责任公司研发部1目录2总则 (3)2.1目的 (3)2.2适用范围 (3)2.3电子元器件选型基本原则 (3)2.4其他具体选型原则： (3)3各类电子元器件选型原则 (5)3.1电阻选型 (5)3.2电容选型 (6)3.2.1铝电解电容 (6)3.2.2钽电解电容 (7)3.2.3片状多层陶瓷电容 (7)3.3电感选型 (7)3.4二极管选型 (8)3.4.1发光二极管： (8)3.4.2快恢复二极管： (8)3.4.3整流二极管： (8)3.4.4肖特基二极管： (9)3.4.5稳压二极管： (9)3.4.6瞬态抑制二极管： (9)3.5三极管选型 (9)3.6晶体和晶振选型 (10)3.7继电器选型 (10)3.8电源选型 (11)3.8.1AC/DC电源选型规则 (11)3.8.2隔离DC/DC电源选型规则 (11)3.9运放选型 (11)3.10A/D和D/A芯片选型 (12)3.11处理器选型 (13)3.12FLASH选型 (14)3.13SRAM选型 (14)3.14EEPROM选型 (14)3.15开关选型 (15)3.16接插件选型 (15)3.16.1选型时考虑的电气参数： (15)3.16.2选型时考虑的机械参数： (15)3.16.3欧式连接器选型规则 (15)3.16.4白色端子选型规则 (16)3.16.5其它矩形连接器选型规则 (16)3.17电子线缆选型 (16)4附则 (17)2总则2.1目的为本公司研发电子产品时物料选型提供指导性规范文件。

2.2适用范围适用于公司研发部门开发过程中元器件选型使用。

2.3电子元器件选型基本原则1)普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。

2)高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较好的元器件，降低成本。

3)采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。

4)持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件,禁止选用停产的器件,优选生命周期处于成长期、成熟期的器件。

5)可替代原则：尽量选择pin to pin兼容芯片品牌比较多的元器件。

6)向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。

7)资源节约原则：尽量用上元器件的全部功能和管脚。

8)降额设计原则：对于需要降额设计的部件，尽量进行降额选型，参考标准参见GJB/Z 35 《元器件降额准则》。

9)便于生产原则：在满足产品功能和性能的条件下，元器件封装尽量选择表贴型，间距宽的型号，封装复杂度低的型号，降低生产难度，提高生产效率。

2.4其他具体选型原则：除满足上述基本原则之外,选型时还因遵循以下具体原则:1)所选器件遵循公司的归一化原则，在不影响功能、可靠性的前提下，尽可能少选择物料的种类。

2)功率器件优先选用RjA热阻小,Tj结温更大的封装型号。

3)禁止选用封装尺寸小于0402（含）的器件。

4)所选元器件MSL（潮湿敏感度等级）不能大于5级（含）。

5)优先选用密封真空包装的型号，MSL（潮湿敏感度等级）大于2级（含）的，必须使用密封真空包装。

6)优先选用卷带包装、托盘包装的型号。

如果是潮湿敏感等级为二级或者以上的器件，则要求盘状塑料编带包装，盘状塑料编带必须能够承受125℃的高温。

7)使用的材料要求满足抗静电、阻燃、防锈蚀、抗氧化以及安规等要求。

8)选型时必须向我公司合格供应商确认供货渠道是否通畅。

9)电子物料选型时需确定的几个基本因素：➢技术参数：电气参数，机械参数，见《规格书》；➢型号，厂家料号，包括尾缀，以及可替换的型号；➢封装；➢使用环境；➢供货渠道（品牌，供货商）；➢价格；➢技术支持；引用文件：GJB/Z 35 《元器件降额准则》3各类电子元器件选型原则3.1电阻选型首先确认电阻的基本参数：1)阻值大小。

2)精度：常规使用优选1%精度。

3)额定功率和体积：优先选择常规功率的体积，具体参见下表1。

4)温漂，有特殊要求的应用，比如传感器应用，必须关注此参数带来产品性能的影响。

5)工作温度范围，超过70摄氏度的环境必须降额使用。

6)电阻类别：贴片厚膜电阻，贴片薄膜电阻，线绕电阻等，普通应用为贴片厚膜电阻或者薄膜电阻。

表1具体选型原则如下：1)电阻阻值优先选用10系列，12系列，15系列，20系列，30系列，39系列，47系列，51系列, 68系列，82系列。

2)贴片电阻优选0603和0805的封装，0402以下的封装禁选。

3)插脚电阻优选0.25W，0.5W，1W，2W，3W，5W，7W，10W ，15W。

4)对于电阻的温漂，J档温漂不能超过500ppm/℃，F档温漂不能超过100ppm/℃，B档温漂不能超过10ppm/℃。

5)慎选电位器，如果无法避免，选用多圈的，品牌用BOURNS。

6)优选贴片封装。

7)电阻品牌优选YAGEO，厚生。

8)特种场合电阻选型：➢反馈电路，电流/电压采样检测电阻选无感电阻，精度越高越好。

➢芯片或网络输入端的启动电阻或滤波吸收电阻，电压功率降额。

➢高压电阻：安规认证； 1KV额定电压，电阻本体长度≥10mm，4KV时本体长度≥25mm。

3.2电容选型3.2.1铝电解电容➢缺点：体积大，ESR大，感抗较大，温度敏感；➢适用场合：温度变化小、工作频率低（<25kHz）场合；选型规则：1)需快速充放电的场合禁用铝电解电容。

2)寿命：普通应用中选择标准型、寿命1000HR~3000HR（为价格考虑，慎选长寿命型），优选2000Hr。

3)耐压：降额使用，3.3V系统取10V、5V系统取10V、12V系统取25V、24V系统取50V；48V系统选100V，4)在发热元件附件使用，慎选电解电容；5)滤波电路，按（电路额定电压+噪声叠加后）的电压峰值*（1.2—1.5）选择电解电容耐压。

6)额定电压*1.3 作为电容器的浪涌电压，工作电压>160V时，额定工作电压+50V作为浪涌电压；7)降额标准参见GJB/Z 35 《元器件降额准则》。

8)工作温度：铝电解电容必须选用工作温度为105度的。

9)容值：优选10、22、47系列；25V以下禁选224、105、475之类容值型号（用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代）。

10)极性：对于高压型铝电解电容保留400V。

禁选无极性铝电解电容。

11)品牌：普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”（三和），高端铝电解电容选用NCC（黑金刚）或其他日本名牌铝电解电容，或者台湾利隆。

12)封装：优先选用贴片的铝电解电容。

3.2.2钽电解电容➢优点：在串联电阻、感抗、对温度的稳定性与铝电解相比优势明显；➢缺点：工作电压较低。

选型规则：1)漏电流要求较高的场合，不选钽电解电容，需选用薄膜电容。

2)耐压：降额选用，禁止选用耐压超过35V以上的，3.3V系统取10V、5V系统取16V、12V系统取35V、3)10V、16V、35V为优选，4V、6.3V、50V为禁用（用铝电解电容替代），电源输入级或低阻抗环境使用，推荐降额到0.3，电源输出级及一般应用环境推荐降额0.5。

4)封装：插脚式钽电解电容禁选。

5)品牌：仅限选择KEMET、AVX。

3.2.3片状多层陶瓷电容1)选用基本原则：低ESR和高的谐振频率，ESR越小越好。

2)Q值：高Q值陶瓷电容慎选；只用在射频电路上。

3)封装：0603、0805优选、1206、1210慎选、1808以上禁选。

4)耐压：优选25V、50V、100V；106（含）以上容值的耐压不大于25V。

5)容量：优选10、22、33、47、68系列。

6)材料：优选NPO、X7R、X5R，其它禁选。

7)品牌：优选YAGEO，其他可选TAIYO（太阳诱电）、MURATA（村田）、KEMET、TEMEX（高Q陶瓷电容）3.3电感选型电感选型时考虑的因素如下：1)体积大小；2)电感值所在工作频率；3)开关频率下的电感值为实际需要的电感值；4)线圈的直流阻抗(DCR)越小越好；5)工作电流应降额至额定饱和电流的0.7倍以下，额定rms电流；6)交流阻抗(ESR)越小越好；7)Q因子越大越好；8)屏蔽类型：屏蔽式或非屏蔽式，优先选择屏蔽式。

9)工作频率和绕组电压不可降额；10)品牌：贴片电感优选TDK，MURATA(村田),“三礼”（台湾）和“SUMIDA”（胜美达，日本）。

3.4二极管选型二极管参数需降额使用，具体参考《GJB/Z 35 元器件降额准则》。

3.4.1发光二极管：1)发光二极管优选直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管优选选用有焊接框架的型号，ESD/MSL等级遵循上述的标准。

2)发光二极管优选有边、短脚的；为了保持公司产品的一致性，红发红、绿发绿等型号优选，白发红、白发绿等型号慎选；如果没有特殊要求，尽量不要使用长脚、无边的。

3)发光二极管优选品牌为“亿光”。

3.4.2快恢复二极管：1)低电压（耐压值200V以下）下，高时间特性时选肖特基二极管；2)肖特基管热阻和电流都较大，优选分立式封装。

通常3A以下可以选择SOD-123或D-64封装；3～8A可以选择D2－PAK封装；8A以上DO-201、TO-220、TO-3P。

3)在高电压时选择PIN结构快恢复二极管。

3.4.3整流二极管：1)主要考虑最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数；2)开关电源整流、脉冲整流用整流二极管，宜选工作频率较高、反向恢复时间较短、或选快恢复二极管。

3)低电压、大电流时整流，选肖特基二极管。

4)同电流等级优先选择反压最高的型号.如1A以下选用1N4007（M7），3A的选用IN5408。

3.4.4肖特基二极管：同电流档次的保留反压最高的等级，如：1N5819保留,1N5817禁选，SS14保留，SS12禁选;B340A保留。

3.4.5稳压二极管：1)稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同；2)最大稳定电流高于应用电路的最大负载电流50%左右；3)稳压管在选型时务必注意器件功率的降额处理。

实际功率应小于0.5×P。

4)功率在0.5W以下的型号选择贴片式封装，0.5W及以上选择直插式封装3.4.6瞬态抑制二极管：1)Vrmax（最大反向工作电压）≥正常工作电压。

2)Vcmax（最大钳位电压）≤最大允许安全电压。

常规CMOS电路电源电压为3～18V，击穿电压为22V，则应选Vcmax为18～22V的TVS管。

3)Pp（瞬态脉冲功率的最大值）=最大峰值脉冲电流Ipmax与Vcmax。

Pp大于被保护器件或线路的最大瞬态4)浪涌功率。

5)品牌：优选NXP和ON。

3.5三极管选型1)三极管选型时，以下几个参数必须考虑：➢ICM集电极最大允许电流 < 实际集电极电流，降额70%使用；➢BVCEO，基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压 > 电源电压 * 70%，有感电路降额使用，并加保护电路；➢PCM，集电极最大允许耗散功率，降额70%使用；➢Ft,特征频率 > 3倍实际工作频率；2)小功率的三极管选用901X系列的9012，9013，9014以及8550,8050等；3)开关用三极管可用NMOS管代替的，尽量用NMOS管代替，可用NMOS有：2N2002,IRF120N,IRF540N等。