国开电大光伏技术与应用概论第三次形成性考核任务答案

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单选题
多选题
判断题
配伍题
题目:将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。

答案:子问题1:C:反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量; 子问题2:A:反映材料的导电能力; 子问题3:B:反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
题目:将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。

答案:子问题1:C:硅; 子问题2:A:砷化镓; 子问题3:B:氧化物玻璃
题目:将下列硅太阳电池发展历程一一对应。

答案:子问题1:A:硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; 子问题2:C:把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中; 子问题3:B:把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
题目:将下列硅太阳电池种类与工业化生产光电转换效率一一对应。

答案:子问题1:C:16~18%; 子问题2:B:15~17%; 子问题3:A:7~9%
题目:将下列太阳电池种类一一对应。

答案:子问题1:A:砷化镓; 子问题2:C:铜铟镓硒; 子问题3:B:染料敏化
题目:将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。

答案:子问题1:C:25%; 子问题2:B:20.4%; 子问题3:A:12%
题目:将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。

答案:子问题1:C:20.4%; 子问题2:B:12%; 子问题3:A:11.83 %
题目:将下列线切割经常出现的问题与可能的原因一一对应。

答案:子问题1:A:切割工艺出现异常; 子问题2:B:硅棒对接位置不好; 子问题3:C:加工好的硅片在空气中停留时间过长
题目:将下列新型太阳电池的名称及其主要特性描述一一对应。

答案:子问题1:C:发射极钝化及背面局部扩散; 子问题2:A:埋栅; 子问题3:B:高效背表面反射器
题目:将下列影响太阳电池光电转换效率的主要因素一一对应。

答案:子问题1:C:封装材料透光率; 子问题2:A:温度及衰减损失; 子问题3:B:逆变器等电器损耗。

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