ICT 入门培训流程规范

ICT入门培训流程规范
一、目的：建立ICT程式优化、机器故障排除规范，作为PEB技
工使用操作之依据。

二、范围：本公司测试技工
三、职责：PE部：技工负责程式优化、ICT在线维护
四、ICT简介：
1、ICT：在线测试机（In Circuit Tester）, 电器测试使用的最基本仪器.如同一块功能强大的万用表,但它能对在线电路板上的元件测试进行有效得隔离（Guarding）而万用表不能。

2、ICT 测试内容：主要是靠测试探针接触PCB layout出来的测试点来检测PCBA的开路、短路、零件的焊接状况。

可分为开路测试、短路测试、电阻测试、电容测试、二极管测试、三极管测试、场效应管测试、IC管脚测试等等。

3、ICT的特点：能测试元器件的漏装、错装、参数值偏差、焊点连焊、线路板开短路等故障，并能将故障是哪个元件或开短路位于哪个点准确告诉我们。

(对元件的焊接测试有较高的识别能力)
4、公司ICT型号：目前我们用的ICT分别是台湾捷智科技股份有限公司生产的JET-300NT、德律科技股份有限公司生产的TR-518FE。

（以下介绍以JET为例）
五.ICT量测原理：
1.电阻量测
(1) 单个R （Mode 0,1）
利用Vx=IsRx （欧姆定律），则Rx=Vx/Is. 信号源Is 取恒流 (0.1uA —5mA), 量回
Vx. 即可算出Rx 值.
(2) 小电阻(50欧姆以内)四线量测：
小电阻两端各下两支探针，1-4号探针
的接触阻抗分别R1-R4, Ra,Rb,Rc,Rd
分别为四次测试之量测值.
(3) R//C (mode2) 信号源Vs 取恒压（0.2V ），量回Ix ，
Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix
，
算出Rx 值.
(4) R//L (mode3,4,5): 信号源取交流电压源Vs ，用相位法辅助.
|Y’|Cos θ=YRx=1/Rx,
并|Y’|=I’x/Vs , 故：Rx=1/|Y’|Cos θ
2. 电容及电感量测
+-Vx=?Is Rx Ra=R1+R2 Rb=R3+R4 Rc=R1+Rx+R4 Rd=R2+Rx+R3 Rx=( Rc+Rd-Ra-Rb)/2 +-Vs=0.2V
Ix Rx
C Ix Vs Ix Rx L
(1) 单个C,L （Mode0,1,2,3）：信号源 取恒定交流压源Vs, Vs/Ix=Zc=1/2лfCx
求得：Cx=Ix/2лfVs
Vs/Ix=Zl=2лfLx , 求得：Lx=Vs/2лfIx
（2）C//R 或L//R （Mode 5,6,7）：用相位法辅助，|Y’|Sin θ=|Ycx|,
即ωCx’Sin θ=ωCx
求得：Cx=Cx’Sin θ，(Cx’=Ix’/2лfVs) |Y’|Sin θ=|Ycx|, 即Sin θ/ωCx’=1/ωCx
求得：Lx=Lx’/Sin θ，(Lx’=Vs/2лfIx’)
電容極性測試的另一方法是三端測試, 須在上方加一探針觸及殼體. 在電容
的正負極加載直流電壓, 至充飽后測量殼體電壓. 由于正負極與殼體間的阻抗差
異, 故對于插反的電容所測量到的殼體電壓會與正確時不同. 據此可判別電容的
極性.（详见附页一）
3.跳线测试：（UMPER, FUSE, WIRE, CONNECTOR, SWITCH, etc ）
Vs Ix Ix Vs
Cx Lx Vs
Ix Cx R Ix Vs
Lx
R
4. 量测PN结：（D,Q,IC,FET）
(1)信号源0-10V/3mA or 30mA可程式电压源, 量PN结导通电压;
(2)Zener D的测试原理是量测其崩溃电压，与二极体的差异是在测试电压源不同,其电压源为0V-10V及0V-48V可程式电压源.
(3)电晶体测试需要三步骤测试，其中(1)B-E和(2)B-C脚是使用二极体的测试方法,(3)E-C使用Vcc的饱和电压值及截止值的不同，来测试电晶体是否插反. 电晶体反插测试方法：在B-E及E-C
脚两端各提供一个可程式电压源，量测出电晶体E-C正向的饱和电压为Vce=0.2V左右，若该电晶体反插时，则Vce电压将会变成截止电压，并大于0.2V，即可测出电晶体反插的错误.
5.量测Open/Short：
即以阻抗判定,先对待测板上所有Pin点进行学习,R<25Ω即归为Short Group，然后Test时进行比较，R<5Ω判定为Short，R>55Ω判为Open.
6. Guarding(隔离)的实现： 被 測 元 件 相 接 元 件 一
相 接 元 件 二 V A
V A OP Guarding Point 被 測 元 件 相 接 元 件 一 相 接 元 件 二 ～ 隔 離 點 B
OP
Guarding Point V B Hi-Pin Low-Pin Hi-Pin Low-Pin V I V
V B
電 壓 源 隔 離 點 電 流 源
以电流源当信号源输入时，則在相接元件一的另一
腳加上一等高電位能(Guarding Point)，以防止電流流入與被
測元件相接的旁路元件，確保量測的精準性。

此時隔離點的
選擇必須以和被測元件高電位能腳(Hi-Pin)相接之旁路元件
為參考範圍.
以电压源当信号源输入时，則在相接元件二的另一
腳加上一等底電位能(Guarding Point)，以防止與被測元件相
接之元件所產生的電流流入，而增加量測的電流，影響量測的精準性。

此時隔離點的選擇必須以和被測元件低電位能腳(Low-Pin)相接之旁路元件為參考範圍.
7、三端電容極性測試：
7.1测试点
7.2试程式
測試原理為從HiP送source voltage，然後從G-P1讀回量測值，由於缺件或反插，其量測值很低(接近0) ，所以只比較下限，上限Don’t care。

✧Act_V：Source voltage，建議值為0.2V
✧Std_V：Sense V oltage (Threshold)，依實際Debug後決定
✧Hlim ：固定為–1 (Don,t care)
✧Llim ：建議值為20，可依實際Debug後決定
✧Mode : 固定為8或18(適用於防爆電容)
✧Type ：固定為PX
✧Hip ：電容負端(source pin)
✧Lop ：電容正端
✧Dly ：依實際Debug後決定
✧G-P1 ：Sense Pin
7.3除错规则
將Hip / Lop 相同的電容放在一起，例如CE1,CE2,CE3 的HiP 及LoP都是1及3，所以測試程式如下：
✧Debug時可交換HiP及Lop比較量測值，以決定較佳之Threshold
(Std_V)
✧若交換HiP及Lop量測值差異不大可調整Delay time 或Source
voltage(Act_v)
✧若交換HiP及Lop量測值皆很低，可能是第三端接觸問題，可先
檢查第三端是否接觸正常或待測電容有歪斜，可用換針或扶正待測電容方式解決
✧治具製作時第三端選用測試針，需考慮相同位置待用料的高度差
異，以免造成接觸不良或刺穿待測物的問題
✧三端電容量測是用來檢測缺件及反向，無法檢測錯件
✧可利用量測分析工具(Hot Key F12)決定較佳标准值, Delay time.
8、IC空焊测试：
六、ICT调试(Debug)流程：
1、固定治具：将ICT治具架在压床上，将治具天板固定在压床
蜂窝板上，锁紧治具固定螺丝，使其不会松动，将压床点动调整治具上探针行程，使之达到其行程的1/2-2/3左右，然后用排线依顺序将治具与开关板连接起来；
2、程序登录计算机：将治具的测试程序COPY入计算机，并调出；将测试程序检查一遍，未经过排序的，要先排序。

要按JP-电阻-电容-电感-二极管-IC的顺序（即按实际值排序）；然后存盘。

3、Open/Short学习：学习之前，将状态参数里面的测试时基改为50，OPS DELAY更改为120-200；置良品板于治具上，将压床压下即可开始学习；学习完毕后要存盘。

七、ICT Debug 技巧与方法：
1、先将待测板测试一遍，然后可进入“EDIT”DEBUG；
2、对于JP的DEBUG则比较简单，只要判定其有无点号，有无零件，点号正确无误即可OK。

一般“JP”我们把ACT-V AL定为“2JP”上限为“+10%”，下限为“-60%”；
3、电阻的DEBUG，则会比较复难，可按以下几步调试：
1）于小电阻，如零欧姆电阻，ACT-V AL可用2欧姆，然后上限为“+10%”下限为“99%”即可，对于几欧姆或零点欧姆小电阻，若客户要求用四线测试，则需做四线测试，未做要求的就可将线阻及机器内阻加零件值作为标准值，上限可放宽；
2）于小电阻：（0Ω-1KΩ）要用定电流的测试方法（D1、D2）；
3）电阻DEBUG一般有几种方法：变换测量模式文件位元的变化，更改延迟时间，高低PIN对调，加隔离点等几种方法，可结合实际情况，具体分析处理；
4）GUARDING点对于电阻的DEBUG尤为重要，一般有这样一个原则：电阻的两个点，其中一点所连组件较少，则该点所连组件另外一点作GUARDING点；隔离点所连的组件阻抗须为20欧姆以上，电阻的隔离，加GND点很有效果；
5）电阻隔离的目的是将量测到的较少的值隔离成大的，使之更接近于实际值，若该电阻量测的结果很大，超出实际值，则要提出疑问，看看是否针点的问题，还是零件值的错误，或者是由于针点的不准引起的，等待。

6）对于并联的电阻，若两电阻阻抗相差不是很大，则用并联值作标准值，若相差很大，则大电阻不可测；电阻没有针点的？电阻没有针
点的注明“NP”，没有组件的注明“NC”
7）电阻并联大电容的情况，用定电流的方法测试会不稳定且测试时
间长，可用定电压的方法量测，并加长延迟时间，必要时可采用放电；
8）对于单项测试稳定，整页测试不稳定的组件可移到程序的最前面
测试，电阻的上下限一般设为10%，大电阻可适当放大一些。

八、具体元件程式Debug方法：
因编写好的程式在实测时，因测试信号的选择，或被测
元件线路影响，有些Step会Fail（即量测值超出±%限），
必须经过Debug.
1.电阻
在E[编辑]下，ALT-X查串联元件，ALT-P查并联元件。

据此选
好“信号”（Mode）和串联最少元件的Hi-P/Lo-P，并ALT-F7选择
Guarding Pin。

R//C：Mode2及Dly加大.
R//D（or IC、Q）：Mode1.
R//R：Std-V取并联阻值.
R//L：Mode3、4、5，根据Zl=2πfL，故L一定时，若f越高，
则Zl越大，则对R影响越小.
2. 电容
在[编缉]下一般根据电容值大小，选择相应的Mode。

如小电
容（pF级），可选高频信号（Mode2、3），大电容（ nF级）可选低频
信号（Mode0、1），然后ALT-F7选择隔离。

3uF以上大电容，可以Mode4、8直流测试。

C//C：Std-V取并联容值
C//R：Mode5、6、7，由Zc=1/2лfC,故C一定时，f越高，Zc越小，则R的影响越小。

C//L：Mode5、6、7，并且f越高效果越好。

3. 电感
F8测试，选择Mode0、1、2中测试值最接近Std-V.
L//R：Mode 5、6、7。

4.PN结
F7自动调整，一般PN正向0.7V（Si），反向（2V以上）。

D//C：Mode1及加Delay。

D//D（正向）：除正向导通测试，还须测反向截止（2V以上）以免D反插时误判。

Zener：Nat-V选不低于Zener崩溃电压，若仍无法测出崩溃电压，可选Mode1（30mA），另10-48V zener管，可以HV模式测试。

5. 电晶体
be、bc之PN结电压两步测试可判断Q之类型（PNP or NPN），Hi-P一样（NPN），Lo-P一样（PNP），并可Debug ce饱和电压(0.2V 以下)，注意Nat-V为be偏置电压,越大Q越易进入饱和，但须做ce 反向判断(须为截止0.2V以上)，否则应调小Nat-V。

八、常见ICT误判及维护：
1、ICT盲点：
①特殊IC（个别IC对GND、VCC无保护二极体）②单
点测试（如排插、插座、个别单个测试点的元件）③并联10个以上的电容并联（示电容的精密度作调整）④并联15倍以上小电阻的大电阻⑤D/L或D/25Ω以下，D不可测⑥跳线并联⑦IC内部功能测试2．压床行程不足，探针压入量程为2/33．PCB板定位柱松动，造成探针偏离焊盘4．PCB上测试点或过穿孔绿油未打开、吃锡不良5．PCB制程不良：如未洗板导致PCB上松香过多探针接触不良6．探针不良（如针头钝化、老化、阻抗过高……7、元件厂商变更（如小电容、IC之TESTJET）可加大±%，更改TESTJET值
8、未Debug良好
9、ICT自身故障
10、硬体问题：
10.1开关板：
诊断（D）----切换电路板（B）----系统自我诊断（S）----切换电路板诊断（S）若有B* C*表示SWB有Fail，请记录并通知TRI。

C*有可能为治具针点有Short造成。

10.2系统自我检测：
诊断（D）----硬体诊断（S）---系统自我检测（S）
有R、D项Fail可能为DC板故障.
有C、L项Fail可能AC板Fail.
有Power 项Fail可能Power Fail，也请记录并通知供应商。

●日常维护
①一般GUARD点不超过3个，最好1、2个即可
②无用之GUARD点需去除
③可GUARDING的元件为电阻、电容，一般大电
容GUARDING无效
④电阻GUARDING一般对地70%有效
⑤电容GUARDING一般对VCC 70%有效
⑥GUARDING一般找串联小电阻（大于20Ω）、
串联大电容
⑦若GUARDING元件时，串联跳线或电感可视为
同点
⑧大电容并联测试偏大解决方式：
ACTUALΧ70% > STANDARDΧ下限值
九、注意事项：
1、小电容的测试通常用“A4”或“A5”模式，若量测结果过大，
则需加GUARDING点使OFFSET值不要太大，否则量测没有意义另外电容隔离VCC效果明显。

倘若小电容与大电空并联，则小电容可SKIP掉，不需测试，即便测试也会不稳定，又找不出问题；
2、大电容的量测，若用“DC”模式不稳定，可考虑用RANGE
“+1”去试，或加长延迟时间；
3、电容的上下限一般为30%，小电容的上限可适当放宽，下限
要小一些；
4、电容极性测试可用两种方法：其一，二端测试法即用漏电流的
方法，实际值送0-9.9V电压,标准值送电流,则模式会变为CM,适当加长DELAY,并调整实际值电压,使正反电流偏差较大;其二, 三端测试法,即在电解电容顶部加多一根针,高PIN为顶部针点,低PIN为负极针点,隔离点为正极针点.实际值送0.2V电压,标准值为0.05V左右,并适当加长DELAY,使反向时接近于0.2V;
5、电感的测试最好用两种方法：其一,当作跳线测试,其二测其感
量,这样既可测出电感的缺件错件,也可测到短路,上下限可放
宽；
6、二极管除了用“DT”（2.2V,20MA）模式外,还可用”LV”(0-10V)
模式。

当二极管并联大电容时可将RANGE“+1”，加延迟时间，还可将实际值电容提高，直到可测出反插及漏件；二极管并联
的情况，可加做电流的测试，即用“CM”模式，实际值可送
0.7V-1V左右电压，并适当加长延迟时间，上下限可为20%；
7、三极管除了测两个PN结外，要加做饱和电压测试，即三端测
试法，要注意是NPN型的还是PNP型，分别用N模式和P模式；尤其是基点要找正确，否则饱和电压测不出，一般NPN
型实际值电压送0.7V-1V左右，PNP型送3.5V-4.5V，若饱和电压测不出，可往下调整电压；
8、IC的测试首先要找准该IC的VCC及GND，并在IC编辑里
分别注明（可按F4键），若IC做HP TESTJET测试的，还
要注明该IC的PORT埠（可按F10键）这些设定工作做完后，可进入零件编辑，根据需要进行IC的学习。

注意：
1）IC SCAN学习后，可能会有些IC脚的量测结果很低，可将低PIN针点取消，只留高PIN即IC脚对应针号，然
后将量测值做为标准值：上下限为±40%；
2）、HP TESTJET的学习可只做SHORT学习，然后将上限定为±150%，下限定为-50%，这样可测IC的
OPEN/SHORT；
9、DEBUG完成后，要连续测试多少遍，然后利用EDIT里面的
F6功能，查看组件的稳定与否，对于那些不稳定的组件则需再
做调试，使之稳定。

通过以上几大项即可将治具调试好，若要使程序做得更为完美，则需更为细心，对照BOM检查，查看程序里面组件是否都有测试。

最后希望各位技术员、工程师严格按以上条例DEBUG工作，并在工作中探索经验，使所做程序既快捷又稳定。

产品工程部raop 2005-6-30
THANKS
沟通无极限，一切构造源自创造……。