数字集成电路原理与设计课程大纲

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第4章
双极型逻辑电路
4
内容摘要:TTL和ECL逻辑电路的分析与设计。
知识点:饱和型逻辑电路、RTL电路、DTL电路、标准TTL电路、电压传输特性、瞬态特性、功耗、肖特基TTL电路,ECL电路、射极耦合开关、参考电源、射极跟随器。
基本的BiCMOS逻辑电路
2
内容摘要:BiCMOS电路的结构与特性。
知识点:BiCMOS反相器、逻辑摆幅、全摆幅的BiCMOS反相器、BiCMOS逻辑门、 BiCMOS三态门。
知识点:时序逻辑、双稳态电路,R-S锁存器和触发器、D锁存器和触发器、数据建立时间、J-K锁存器和触发器、锁存器和触发器的差别、移位寄存器的分类和电路结构,计数器的分类和电路结构。

6章
CMOS集成电路的I/O设计
4
内容摘要:CMOS集成电路输入、输出缓冲器的设计。
知识点:输入缓冲器、输出缓冲器、ESD保护电路、三态输出和双向I/O缓冲器。
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动态CMOS逻辑电路
4
内容摘要:动态CMOS逻辑电路的分析和设计考虑。知识点:P-E 动态CMOS电路、电荷分享、级联问题、时钟频率、Domino CMOS、C2MOS。
CMOS逻辑电路的功耗
2
内容摘要:CMOS逻辑电路的功耗来源和影响功耗的一些主要因素。
知识点:动态功耗、短路功耗、静态功耗、短路电流、亚阈值电流、开关活动因子。
知识点:直流电压传输特性、逻辑阈值、噪声容限、可恢复逻辑、上升时间和下降时间、传输延迟时间、最高工作频率、有比电路和无比电路。
静态CMOS逻辑电路
6
内容摘要:CMOS与非门和或非门的性能分析和设计,复杂逻辑门的分析和设计,类NMOS电路和传输门电路的结构特点和电路特性。
知识点:CMOS与非门、CMOS或非门、CMOSAOI门、等效反相器、CMOS逻辑门的设计、CMOS异或电路、类NMOS电路、传输门的逻辑特点、阈值损失、传输门阵列。

7章
MOS存储器
2
内容摘要:存储器的分类,存储器的总体结构以及基本存储单元电路。
知识点:MOS存储器的分类,存储器的总体结构,DRAM和SRAM的单元结构。
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第5章
几种常用的组合逻辑电路分析与设计
3内容摘要:用CMOS实现组合 Nhomakorabea辑电路,常用的组合逻辑电路的实现方法和性能分析。
知识点:多路器和逆多路器、二选一多路器电路、用传输门实现四选一电路、编码器和译码器、全加器、对称形式的全加器电路、基于CMOS传输门的全加器、进位链电路。
时序逻辑电路
3
内容摘要:时序电路的特点,基于双稳态电路的几种触发器,常用时序电路移位寄存器和计数器的实现。
知识点:阈值电压、MOSFET电流方程、导电因子、level 2模型、双极晶体管电流方程、饱和压降、EM模型、寄生效应;集成电阻、集成电容、互连线的寄生电阻和寄生电容、互连线的RC延迟。

4章
MOS反相器
4
内容摘要:CMOS反相器的直流特性和瞬态特性的分析,CMOS反相器的设计,NMOS与CMOS电路的性能比较。
知识点:平面工艺的3种基本操作、阱区、二氧化硅的作用、LOCOS隔离、硅栅自对准;沟槽隔离、双阱、两种硅栅、SDE、Salicide、铜互连;pn结隔离,SBC结构、多晶硅发射极;闩锁效应、SOICMOS、BiCMOS;版图设计规则。
第3章
集成电路中的元器件
6
内容摘要:讲解MOS晶体管的基本原理和SPICE模型参数,双极晶体管的基本原理和SPICE模型参数,集成电路中电阻和电容元件的设计,集成电路中互连线的寄生效应。
数字集成电路原理与设计课程大纲
章节
课时
知识点
重要性
第1章
绪论
2
内容摘要:对课程进行简单介绍,介绍了集成电路的重要性、发展历史、发展规律,以及未来的发展方向和遇到的挑战。
知识点:集成电路的重要性,集成电路的发展历史,摩尔定律,等比例缩小定律、未来的发展和挑战。
第2

集成电路基本结构和制作工艺
6
内容摘要:讲解基本的n阱CMOS结构和工艺过程以及典型的SBC双极工艺过程。介绍深亚微米CMOS电路在器件结构和工艺上的改进,先进的双极器件结构和实现工艺。介绍了SOICMOS和BiCMOS结构和工艺,分析了n阱CMOS工艺的版图设计规则。
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