半导体工艺试验

微机电系统课程实验之一
集成电路基本制造工艺实验《微机电系统》课程组编写
电子科技机械电子工程学院
2005年3月
实验名称：集成电路基本制造技术工艺实验
一、实验目的
1. 熟悉集成电路基本制造工艺的一般步骤。

2. 掌握集成电路基本制造工艺各个步骤的要求。

会计算方块电阻。

3. 熟悉温度控制、溶液配比要求等基本工艺参数。

二、实验原理
集成电路基本制造工艺建立在一些已经成熟的工艺步骤基础上，为了了解其生产过程，下面我们就了解这些工艺步骤。

基本的工艺步骤是：氧化层生长、热扩散、光刻、离子注入、淀积（蒸发）和刻蚀等步骤。

（一）氧化
氧化是在硅片表面生长一层二氧化硅（
S O）膜的过程。

这层膜的作用是：
2
i
保护和钝化半导体表面：作为杂质选择扩散的掩蔽层；用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘；用作MOS电容和MOS器件栅极的介电层等等。

其实现的方法有：高温氧化（热氧化）、化学气相淀积（CVT）、阳极氧化、溅射等。

氧化即生长在硅片表面上，也向硅片里面延伸，如图1所示。

图1 在硅表面生长氧化层
一般氧化层的45%的厚度是在初始表面上形成，46%是在初始表面以下生成。

通常氧化层的厚度，薄的可以小于500A（栅氧化层），厚的可以大于1000Å（场氧化层）。

氧化的范围为700-1100℃，氧化层的厚度和它的生长进间成比例。

常用的氧化方法是高温氧化。

所以这里，我们着重强调一下高温氧化。

高温氧化就是把硅衬底片置于1000℃以上的高温下，并通入氧化性气体（如氧气、水汽），使衬底本身表面的一层硅氧化成
S O。

高温氧化又分为：干氧氧化、湿
i
2
氧氧化和水汽氧化三种。

实践表明，干氧氧化速率慢，但所得到的二氧化硅层质量较好，且和光刻胶有良好的粘附性（不易“浮胶”），而水汽氧化恰恰相反，氧化速度快，使所得二氧化硅层质量较差，而且过量的水还有腐蚀Si的作用，所以很少单独采用水汽氧化。

但如果在氧中掺入一定量的水汽（就是所谓的湿氧氧化的方法），就
在一定程度上解决了氧化速度和氧气质量之间的矛盾，因此不宜于在生长较厚的氧化层时使用。

但终究湿氧氧化生成的二氧化硅层的质量不如干氧氧化的好，且易引起Si 表面内杂质再分布。

所以，在生长较厚的氧化层时，往往采用干氧-湿氧-干氧的工艺步骤，这既可以使氧化时间不致过长而能保证工艺对氧化层质量的要求。

高温氧化打赌量：
1. 干氧氧化
在高温下，氧气与硅接触时是通过以下化学反应在硅表面形成二氧化硅的
122i S O S O +→
可见一个氧分子就可以生成一个二氧化硅分子。

随着2i S O 层的生成，在氧
和硅表面之间隔着一层2i S O ，那么氧和硅怎样才能继续发生反应呢？显然，那
么是氧必须扩散通过已有的2i S O 层（氧在2i S O 中的渗透很慢），要么是硅原子必
须扩散通过已有的2i S O 层，现在用放射示综实验表面：2i S O 层继续生长是通过氧
扩散来实现的。

氧在2i S O 中扩散是以离子形式进行的。

氧进入2i S O 后便离解成负离子：
22O O -⇔+空穴
氧离子通过扩散而达到2i I S O S -界面，然后在界面处于S I 发生反应而形成新的2i S O ，从而使得2i S O 层越长越厚。

干氧氧化含有的含离子通过2i S O 的扩散和在2i I S O S -界面上与硅发生反应
这两个过程。

在较高温度（例如1000℃以上）下，界面化学反应速度较快，而氧离子扩散通过2i S O 的过程较慢，因此，氧化速度将主要取决于氧化氧离子扩
散过程2i S O 层的快慢。

显然，这时随着氧化的进行，2i S O 层将不断增厚，氧化速
度也就越来越慢。

2. 水汽氧化
水汽氧化的化学反应是
22222I i S H O S O H +→+↑
可见需要两个水分子才能使一个硅原子形成一个2i S O 分子，而且反应产物
中出现有氢气。

由于水汽氧化过程中2i S O 网络不断遭受消弱，致使水分子在2i S O 中扩散也较快（在1200℃以下，水分子的扩散速度要比氧离子的快十倍）。

因此，水汽氧化的速度要比干氧氧化的快。

高温氧化的规律：
在干氧氧化中，决定氧化速度的基本使氧分子（暂不考虑离解效应）扩散通过2i S O 层和在硅表面上发生化学反应两个过程。

在氧化时间较短、2i S O 层较薄时，表面化学反应的过程是主要的，2i S O 层厚度将随时间线性地增加；而在氧
化时间较长、2i S O 层较厚时，扩散过程是主要的，2i S O 层厚度将随时间而作亚抛
物线式地增加。

（二）扩散
半导体工艺中扩散是杂质原子从材料表面向内部的运动。

和气体在空气中扩散的情况相似，半导体杂质的扩散是在800-1400℃温度范围内进行。

从本质上来讲，扩散是微观离子作无规则的热运动的统计结果。

这种运动总是由离子浓度较高的地方向着浓度较低的地方进行，而使得离子得分布逐渐趋于均匀；浓度差别越大，扩散也越快。

根据扩散时半导体表面杂质浓度变化的情况来区分，扩散有两类，即无限杂质源扩散（恒定表面源扩散）和有限杂质源扩散（有限表面源扩散），其分布图如图2所示。

(a) 表面处有—无限杂质源(b) 表面处有—有限杂质源
图2 扩散杂质分布作为时间的函数
第一种类型是恒定表面源扩散，在整个扩散过程中硅片表面得杂质浓度始终不变。

假设在t=0时，材料表面有一无限的杂质源N0。

材料内杂质浓度的分布是杂质进入材料内部深度的函数，随着时间的推移，该浓度逐步增加并超过扩散前的浓度N B。

第二种类型的扩散是有限表面源扩散，在扩散之前，在硅表面淀积一层杂质，在整个扩散过程中不再有新源补充。

假定在材料表面有—有限杂质源。

t=0时其值为N0然而，随着时间的推移，表面的杂质浓度趣步减小，此处N B是半导体内扩散前的杂质浓度。

值得注意的是，有限源扩散服从高斯分布，如图3所示。

图3. 高斯分布示意图
随着扩散时间的加长，虽然进入半导体的杂质总量Q不变，但是扩散深度确不断的增大，而且表面的了浓度不断的下降。

显然，这种扩散有利于制作表面浓度较低、而深度较大的p-n结（例如基区扩散形成的集电结）。

扩散分别用于预淀积和再扩散，预淀积的目的是在靠近材料表面的地方形成—高浓度的杂质趣。

可扩散到硅中的最大杂质浓度随杂质元素而异，最大浓度决定于元素的固溶度，常用元素固溶度的范围约在20213
⨯-⨯原子。

再扩散是在预淀积
510210/cm
之后进行，其目的是将杂质推入半导体内部，扩散前的衬底杂质浓度和扩散进入衬底的相反类型的杂质浓度相绰的地方就是半导体的“结”。

这个结位于p剁和n型材料之间，故称为“Pn结”，半导体表面与结之间的距离称为结深。

典型的扩散结深为0.1um（预淀积扩散）到20um（再扩散）之间。

1. 扩散结深：
扩散的结深可以近似的用表达式，式中A是一个与N S/N B有关的常数。

决定扩散结深的因素有四个：
a. 衬底杂质浓度N B
在相同分布下，N B越大则x j愈小，如图4所示。

图4 扩散后x j与N B的关系
因此，对高掺杂的衬底，一般扩散结深较浅。

也正因为如此，所以通常就说杂质较难扩散到高掺杂衬底中去。

b. 表面杂质浓度N S
对erfc分布，N S愈低，则扩散进入体内的杂质总量就愈小，从而x j愈浅。

但因为N S与温度关系不大，故通过改变N S来控制x j是不现实的。

对高斯分布，在Q不同的情况下，N S愈大（即Q愈大），则显然x j愈大；但在Q相同的情况下，N S愈大（扩散温度或扩散时间减小所致），反而x j愈小，如图3所示。

总之，N B和N S对x j都有影响，而且N S的影响更为复杂些。

不过决定x j的主要因素还是扩散温度（即D）和扩散时间这两个因素。

c. 扩散时间t
设扩散时间t在1小时以上，所得的结深 2.5 3.5um
x=-；因为x j正比根号t，
j
如果t差了10%（即差6分钟），则将引起x j的误差仅5%（即0.14um）。

因此，如果要求x j的误差小于5%，则扩散时间t的误差只要小于6分钟即可，这是很
容易做到的。

d. 扩散温度T
扩散系数D 对结深的影响就体现在温度T 上，温度对结深的影响很大，它与结深成指数关系。

所以，精确的控制温度是搞好扩散工艺的关键之一。

2. 扩散方块电阻
图5 方块电阻定义示意图
如图5所示结深为x j 、长宽相等的一个扩散薄层（设平均电阻率为ρ）的电阻，就是该扩散层的方块电阻（或称为薄层电阻）即
**11o j j j
R x l x x ρρσ==≡ 其中，σ为扩散层的平均电导率。

注意o R 的单位是“Ω”不过为了强调是一个方块电阻，常记为“Ω/□”。

若衬底中原有底杂种浓度分布为N B (x )，而扩散杂质底浓度分布为N (x )，则扩散层中有效杂质浓度分布为()()()e B N x N x N x =-在x j 处，()0e N x =。

又若杂质是全部电离底，则载流子浓度分布也是()e N x 。

于是扩散层底电导率或电阻率底分布为1()()()
e x N x q x σμρ== 式中q 为电子电荷；μ为载流子迁移率；而平均电导率可表示为
001
1()()j j x x e j j x dx N x q dx x x σσμ==⎰⎰
如果μ为常数（即μ与坐标x 无关），则
01()j o x e R q N x dx μ≈
⎰ 式中底积分0()j x e q N x dx μ⎰，显然是代表从单位面积扩散到x j 出的有效杂质总量；
而01
()j x e j N x dx x ⎰即代表扩散层中的平均掺杂浓度，进而，如果衬底中原有的杂质
浓度很底，近似有()()e N x N x ≈，则
00()()j j x x e N x dx N x dx Q ≈≡⎰
⎰
故 1o R q Q
μ≈ 这里Q 是单位面积底扩散杂质总量。

因此，R 的大小友映了扩散到体内的杂质总量的多少，杂质总量Q 越大，R 就越小。

（三）光刻
光刻是一种复印图象和化学腐蚀相接合的综合技术。

它先采用照相复印的方法，将事先制好的光刻板上的图象精确地、重复地印在涂有感光胶的2i S O 层（或AL 层上），然后利用光刻胶的选择性保护作用对2i S O 层（或AL 层）进行
选择性的化学腐蚀，从而在2i S O 层（或AL 层）刻出与光刻版相应的图形，如图
6所示。

图6 光刻示意图
光刻的基本要素是光刻胶和掩模版，掩模版使部分的光刻胶暴露在紫外光（UV ）下，而把另一部分遮挡起来．集成电路由许多层不同的材料组成，借以形成不同的器件或元件；先画出这一层被放大了的图形，然后利用光学的方法将它们缩小到需要的面积．但最常用的方法是产生一计算机数据，它确定各层的适当面积，根据不同的设计工具，这些面积可能被限制为只能是矩形，光刻胶（或称光致扰蚀剂）是一种有机化含物，在紫外光照射下其性质会改变。

光刻胶分为正胶、负胶两种。

采用正胶时，它在掩模版有图形的地方生成一层保护膜（对紫外光、有图形的地方是不透明的）。

采用负胶时，在没有图形的地方生效保护层（这部分的掩模版对紫外光是透明的）。

用正胶时，受紫外光照射的
部分光刻胶可以用溶剂（显影液）去掉，留下未被照射的部分。

相反，如果用的是负胶，受紫外光照射的部分不溶于溶剂中，因此，去掉的是未被照射的区域。

光刻工艺的第一步是硅片清洗处理。

其目的是使片子表面清洁干燥。

能和抗蚀剂很好地粘附。

可用浓硫酸煮，冷热去离子水冲，最后烘干即可。

第二步是涂胶。

将光刻胶涂在硅片表面上。

硅片表面要量很干净才可使胶根好地粘附。

涂胶后，硅片以每分钟几千转的速度旋转，使胶能均匀涂布在表面上；光刻胶的厚度只和旋转的角逮度有关。

第三步是在80-110℃下将硅片“前烘”5—10分针，以使其中的溶剂挥发。

第四步是在紫外光下对硅片进行选择曝光。

可以采用好几种曝光系统，最简单的是直接接触曝光系统。

这种方法要用一块和硅片实际尺寸相同的玻璃，在和涂了胶的硅片相接触的那了面有设计好的图形（不透光的介质），这种玻璃片通常叫掩模版。

这种接触曝光系统分辨率高、产出高而价格低廉。

但是，由于是直接接触，掩模版逐渐被磨损；使用10-25次后就要更换。

同时，还会引进杂质或缺陷。

第二种曝光系统叫投影曝光系统。

在这种系统中，掩模版不与硅片接触，掩模版上的图形通过透镜投影到硅片上。

由于掩摸版不接触硅片，使用次数增多而且缺陷也减少，这对集成电路的制造是极其重要的。

第三种曝光系统叫直接硅片步进重复曝光系统（DSW）。

这种系统改善子分辨率并减少了缺陷，它使用比硅片上的实际图形大1到10倍的掩模版。

虽然也要求掩模版有较高的质量，不过，它上面的缺陷或尘埃在投影到硅片止时都将缩小10倍（对10X的掩模版而盲）。

在DSW工艺中，掩摸版上的图形只是一个芯片的图形，而在其他工艺中，掩模版上的图形是许多芯片图形组成的矩阵。

矩阵的大小要求能覆盖整片硅片。

所以，DSW掩模版要在硅片上重复进行曝光和快速移动，直到完成整片硅片的复制工作。

显然，DSW工艺比上述其他工艺产出要低。

电子束技术已越来越广泛地用来做高分辨率和小图形的曝光系统。

由于其分辨率高（小于1um）。

第五步，曝光后，选择性地除去光刻胶的过程叫显影，显影液—般用丁酮，将显影后地片子浸入丁酮中，约一分钟后再将其浸入新丁酮中洗干净（约一分钟）取出用离子水漂洗干净，显影后的端片在稍高于100℃温度下进行“后烘”即坚膜，以便保留的光刻胶有更好的附着能力。

拱干了的光刻胶保护住它下面所选定的面积，使得在腐蚀多晶硅，氧化层或金属时不会受所用的酸的侵蚀。

光刻胶在完成了保护作用之后可用溶剂去掉，该溶剂对胶下面的薄层材料不会有影响。

这个工艺重复使用于集成电路的各材料层。

第六步是腐蚀。

它是光刻工艺中重要的工序之一它将光刻膜上已经出现的
S O（或金属蒸
i
2
发层）腐蚀掉，在腐蚀时要很好的掌握腐蚀液的温度和腐蚀时间，不然会引起钻蚀的等现象。

第七步是去胶。

腐蚀完毕，用浓硫酸煮沸，以使胶层炭化脱落，可去掉片上的胶层，然后用水冲洗。

（四）离子注入
它广泛应用于生产MOS 器件子注入是将某种杂质的离子用—定电场加速到—高速度之后，嵌入半导体材料之中。

其平均穿透深度在0.1-0.6um 之间，取决于离子撞击硅片时的速度。

离子的轨迹受到和其他离子不断碰撞的影响。

这种离子注入过程会破坏半导体的晶格结构，但在注入后将半导体温度升高到800℃退火，使离子处于可动状态并嵌入到半导体晶格中去，可使晶格结构得以恢复完整。

离子注入可以替代扩散，因为这两种工艺的目的都是将杂质掺入半导体材料中，离子注入和扩散相比，有许多优点；第一是能准确控制掺杂的浓度（在±5％以内）。

产品的重复性很好，这样就可以用它来调整MOS 器件的阀值电压或者生产高精度的电阻。

第二是可以在室温下进行注入，然后在较高温度下退火以消除晶格缺陷。

第三是它可以穿透一个薄层注入。

因此被注入的材料不必暴露在污染的环境中。

扩散则与离子注入不同，它要求表面没有氧化层或氮化层。

最后一点是离子注入可以控制被注入杂质的分布状况。

例如，如果需要，可以在硅片表面层下形成一个浓度峰值。

（五）淀积
淀积是在硅片上淀积各种材料的薄膜。

可以用真空蒸发、溅射，或化学汽相淀积（CVD ）的方法淀积薄膜。

在真空蒸发淀积时，固体材料（铝）被放在510Torr(LTorr 133.332Pa)-=的真空中加热至蒸发态．蒸发分子撞击到较冷的硅片，在硅片表面冷凝形成约1um 厚的固态薄膜，溅射技术是用正离子去轰击涂有需要淀积材料的阴极（靶）。

由于动量的直接转化，作为靶的材料被撞出并淀积到放在阳极的硅片上。

在集成电路生产中用作淀积的溅射系统有直流（dc ），射频（rf ）或磁控管（磁场）溅射系统。

溅射通常也在真空中进行，但气压的范围是3257510Torr --⨯。

化学汽相淀积是利用在硅片附近发生汽相的化学反应或高温分解而在硅片上淀积一层薄膜的过程。

这种淀积工艺一般用于淀积多晶硅、二氧化硅（2i S O ）或氮化硅。

化学汽相淀积通常在大气压（760Torr ）下形成，也可
在低压0.3-1Torr 下形成。

此时，淀积速率提高约3个数量级。

这种技术叫低压化学汽相淀积（LPCVD ）。

（六）刻蚀（即腐蚀）
刻蚀是去除无保护层的表面材料的过程。

在前面介绍光刻工艺时已经讨论了如何使部分表面材料暴露，而把其他部分保护起来，由于刻蚀可在各个方向起作用，因此水平方向的刻蚀将产生钻蚀（undercut ）。

有一些择优的刻蚀工艺可使钻蚀减至最小，但还是无法完全杜绝。

同样，如果底层材料的腐蚀速率不是零，为保证顶层材料充分除掉，必然对底层也有一定的腐蚀作用。

为减小这一效应，顶层的腐蚀速率至少应是底层10倍。

通常，需要腐蚀的材料有多晶硅、二氧化硅、氮化硅和金属。

有湿法和干法两种基本腐蚀工艺；湿法腐蚀是用化学药晶除去待腐蚀的材料。

如用氢氟酸（HF ）腐蚀二氧化硅；磷酸（34H PO ）
腐蚀氮化硅：硝酸，乙酸（醋酸）盛氢氟酸腐蚀多晶硅；某种磷酸的混合液可用来腐蚀金属。

湿法腐蚀与腐蚀时间及温度有很大的关系。

湿法腐蚀所用的酸要小心存放，因为它们有潜在的危险性。

干法腐蚀（又称等离子腐蚀）所用的离子气体是具有化学活泼性的射频淬离子体。

这一工艺需要进行精确的控制，可调节的变量有压力，气体流速、气体混合比和射频功率。

干法腐蚀和溅射十分相似并可使用相同的设备。

反应离子腐蚀（RIE）是将物理作用和化学作用结合起来，这种方法的腐蚀结果是各向异性的。

三、实验步骤
前面提到，半导体基本的工艺步骤是：氧化层生长、热扩散、光刻、离子注入、淀积（蒸发）和刻蚀等步骤。

下面我们就工艺具体过程以及相关方法和设备做一介绍。

（一）氧化层生长
氧化分为高温氧化（热氧化）、化学气相淀积（CVT）、阳极氧化和溅射等。

在硅器件工艺中，用作扩散掩蔽的
S O层，常常是采用高温氧化，这样得到的2i S O
i
2
层结构致密，掩蔽性能良好。

但是氧化过程中不免会出现氧化层厚度不均匀，表明出现斑点，氧化层出现针孔。

通常用以下方法检验：（1）化学腐蚀法，这种方法是吧硅片放在乙二胺（17ml）加邻苯二酚（3g）加水（8ml）的混和液中，并通入氮气。

（1）氯化钠一酚酞电解染色法，电解液的配方是：5%的氯化钠水溶液：1％酚酞乙醇溶液=1:1，电压大小为10-20V，电解时间约5分钟。

（3）铝的阳极氧化法，该方法是检验出在一定区域内是否存在缺陷，是实践中较为常用得一种方法。

其操作步骤是：先在二氧化硅层上蒸发一层厚度约为1um得铝膜，然后光刻出一定得图形，接着在500℃左右合金，最后把片子放在2％硫酸溶液中进行阳极氧化。

另外，再高温氧化中为了防止碱金属，重金属等有害杂质的污染，在生产中淀积二氧化硅常用以下方法：（1）烷氧基硅烷热分解淀积二氧化硅。

（2）硅烷热氧化淀积二氧化硅。

（二）有源扩散
扩散方法按杂质源分：有液态源扩散、固态源扩散、氧化物源扩散等。

按扩散系统分有开管式扩散、闭管式扩散、法箱扩散等。

液态源扩散利用气体通过液态杂质源，携带着杂质源蒸气进入加热到1000℃左右的石英管中实现向半导体中掺杂的一种扩散方法。

（三）光刻
光刻一般要经历以下过程：硅片的清洗处理、涂胶、前烘、对准与曝光、显影与坚膜、腐蚀和去胶。

通常我们用图7示的设备进行投影曝光和图8所示的设备进行等离子体腐蚀和去胶。

图7 投影曝光示意图
图8 等离子体处理设备图
（四）离子注入
离子注入是可以替代扩散的一种工艺，它能很好的控制杂质源的分布。

（五）淀积掩膜层
淀积就是在硅表明做一层膜。

掩膜的方法很多，有X射线曝光掩膜、低温钝化技术、化学气相淀积等技术。

下面就谈谈各种掩膜方法。

X射线曝光掩膜，是以一种吸收小的物质作为掩膜衬底，一种吸收大的金属复在表面并制成图形，从而得到较大的反差。

图9是聚酯膜X射线掩膜。

低温氧化技术是把做扩散掩蔽用的高温氧化硅层全部去掉，在800℃以下低温将绝缘层覆盖在硅表面上。

化学气相淀积是加热、等离子体、光辐射等能源使气态物质发生化学反应，生成固态物质并淀积在硅表明上的工艺过程。

它减少了高温过程，适合隔离、钝化多晶硅栅、多层互联工艺需要。

如图10是热分解淀积二氧化硅装置，这种方法
硅片本身不参加形成二氧化硅的反应。

图9 聚酯膜X射线掩膜
图10 真空热分解淀积二氧化硅装置
（六）干法刻蚀
干法刻蚀有两种：等离子刻蚀（图11）和反应离子刻蚀。

等离子刻蚀基本上是化学反应，即各向同性。

刻蚀气体在RF作用下辉光放电，形成电子、离子、自由基组成的等离子体。

而反应离子刻蚀是化学反应与物理反应相结合，即各向异体。

图11 等离子刻蚀
四、实验内容
1. 熟悉实验步骤和参数要求。

2. 根据实验原理和实验步骤进行实验操作。

五、思考题
1.写出一般的工艺流程条件下的集成电路设计步骤。

2.怎样计算结深？
3.一扩散炉斜坡式升温（从600℃开始）15分钟，在1100℃下保温30分
钟，然后在15分钟内斜坡式降温到600℃。

计算有效扩散时间。

假定是
硅中的磷。

4.试说明提高光刻精度的方法？
5.（100）硅片上有若干掺磷的小岛，其表面掺磷浓度为223
⨯。

硅片
610cm-在900℃下在湿氧中氧化60分钟，分别计算在掺杂区和未掺杂区的氧休
层厚度。

6.试说明方块电阻与掺杂剂量或注入剂量之间的关系，并由此进一步说明
方块电阻的定义。

7.今欲用离子注入的方法制作—p-n二极管。

用p型衬底，掺杂浓度为
163
10cm-，掩膜中的开出的窗口尺寸为1515um
⨯。

若最大掺杂浓度不超过193
10cm-，则在100KeV时，磷离子总数是多少？结深是多少？
附：整套工艺流程（见台湾交通大学网址.tw）（一）炉管系统——高温氧化扩散系统（见附图1）
（二）淀积系统
（1）低压化学气相淀积系统（附图2）；
（2）高密度电离化学气相淀积系统（附图3）
（3）快速退火气相淀积系统
（三）曝光系统
（1）激光圆形产生器（附图4）
（2）光罩复制机（附图5）
（3）光罩对准曝光机（附图6）
（4）红红线对准光罩对准曝光机（附图7）
（5）负光阻显影定影机（附图8）
（6）光阻涂布机（附图9）
（7）多功能烤箱（附图10）
（8）光学显微镜（附图11）
（四）刻蚀系统
（1）多晶硅活性离子刻蚀系统（附图12）
（2）介电薄膜活性离子刻蚀系统（附图13）
（3）金属高密度活性离子刻蚀系统（附图14）（五）蒸发系统
（1）热阻丝蒸发系统（附图15）
（2）双电子枪蒸发系统（附图16）
（六）分析系统
（1）真空溅镀系统（附图17）
（2）高解析度场射扫描电子显微镜（附图18）（3）扫描电子显微镜（附图19）
（4）四点探针（附图20）
（5）椭圆测试仪（附图21）
（6）薄膜厚度测试仪（附图22）
（7）接线包装系统（附图23）
（七）准分子雷射退火系统（附图24）。