半导体元件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体元件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：杨胜威,庄英政,席扬姆·塞斯申请号：CN201310196353.9
申请日：20130524
公开号：CN104051319A
公开日：
20140917
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤。

提供基底，此基底具有多数个柱状物，且柱状物周围形成有多数个沟渠；在每一个上述柱状物下方的上述基底中形成掺杂区；移除沟渠下方的掺杂区，以形成多个开口，使相邻的柱状物下方的上述掺杂区分离；在每一个上述开口中形成遮蔽层。

申请人：南亚科技股份有限公司
地址：中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号
国籍：CN
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人：臧建明
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