硅片专业术语

硅片专业术语
Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor.
受主- 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。

受主原子必须比半导体元素少一价电子
Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process.
套准精度- 在光刻工艺中转移图形的精度。

Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting
各向异性- 在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。

Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc.
沾污区域- 任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。

由沾污、手印和水滴产生的污染。

Azimuth, in Ellipsometry - The angle measured between the plane of incidence and the major axis of the ellipse.
椭圆方位角- 测量入射面和主晶轴之间的角度。

Backside - The bottom surface of a silicon wafer. (Note: This term is not preferred; instead, use …back surface‟.)
背面- 晶圆片的底部表面。

（注：不推荐该术语，建议使用“背部表面”）
Base Silicon Layer - The silicon wafer that is located underneath the insulator layer, which supports the silicon film on top of the wafer.
底部硅层- 在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。

Bipolar - Transistors that are able to use both holes and electrons as charge carriers.
双极晶体管- 能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。

Bonded Wafers - Two silicon wafers that have been bonded together by silicon dioxide, which acts as an insulating layer.
绑定晶圆片- 两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。

Bonding Interface - The area where the bonding of two wafers occurs.
绑定面- 两个晶圆片结合的接触区。

Buried Layer - A path of low resistance for a current moving in a device. Many of these dopants are antimony and arsenic.
埋层- 为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。

Buried Oxide Layer (BOX) - The layer that insulates between the two wafers.
氧化埋层(BOX) - 在两个晶圆片间的绝缘层。

Carrier - Valence holes and conduction electrons that are capable of carrying a charge through a solid surface in a silicon wafer.
载流子- 晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。

Chemical-Mechanical Polish (CMP) - A process of flattening and polishing wafers that utilizes both chemical removal and mechanical buffing. It is used during the fabrication process.
化学-机械抛光(CMP) - 平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。

此工艺在前道工艺中使用。

Chuck Mark - A mark found on either surface of a wafer, caused by either a robotic end effector, a chuck, or a wand.
卡盘痕迹- 在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。

Cleavage Plane - A fracture plane that is preferred.
解理面- 破裂面
Crack - A mark found on a wafer that is greater than 0.25 mm in length.
裂纹- 长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。

Crater - Visible under diffused illumination, a surface imperfection on a wafer that can be distinguished individually.
微坑- 在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。

Conductivity (electrical) - A measurement of how easily charge carriers can flow throughout a material.
传导性（电学方面）- 一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。

解理Cleavage
矿物晶体受力后常沿一定方向破裂并产生光滑平面的性质称为解理。

解理可以用来区别不同的矿物质[1]，不同的晶质矿物，解理的数目，解理的完善程度和解理的夹角都不同。

利用这一特性可以在样品和显微镜下区别不同的矿物质。

在标本的破裂面上一般看到闪光的断裂面为闪光的平面，即解理面。

解理面一般平行于晶体格架中质点最紧密，联结力最强的面。

因为垂直这种面的联结力较弱，晶粒易于平行此面破裂。

相对来说，面与面之间的联结力最弱。

解理是反映晶体构造的重要特征之一。

且较晶形具有更为普遍的意义。

不论矿物自形程度高低, 解理的特征不变,是鉴定矿物的重要特征依据。

一般可依据解理的有无,发育完全程度(以解理面的完整程度为标志)以及组数和各组交角来区分矿物。

解理分级
分级
解理可分为四级：完全、清楚、不清楚、无（或五级：最完全解理、完全解理、中等解理、不完全解理、极不完全解理或称无解理）。

方向
不同矿物的解理，可能有一个方向，也可能有多个方向。

常见的有一向（石墨、云母等）、二向（角闪石等）、三向（方解石等），此外还有四向（如萤石）、六向（如闪锌矿）解理。

不同类矿物解理
不同的矿物解理也常不一样最完全解理矿物晶体极易裂成薄片，解理面较大而平整光滑，如云母，石膏等完全解理矿物极易裂成平滑小块或薄板，解理面相当光滑，如方解石，石盐等中等解理解理面往往不能一批到底，不很光滑，且不连续，常呈现小阶梯状，如普通角闪石，普通辉石等不完全解理解理程度很差，在大块矿物上很难看到解理，只在细小的碎块上才可看到不清晰的解理面，如磷灰石等极不完全解理（无解理）如石英，磁铁矿等对具有解理的矿物来说，同种矿物的解理方向和解理程度总是相同的，性质很固定，因此，解理是鉴定矿物的重要特征之一。